專(zhuān)利名稱(chēng)：基板電性的測(cè)量設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板電性的測(cè)量設(shè)備。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)基板的電性檢測(cè)設(shè)備多是利用探針接觸待測(cè)基板并施予電壓，檢驗(yàn)待測(cè)基板的電性狀況，例如短路、斷路...等。半導(dǎo)體晶粒制作工藝的探針卡測(cè)試設(shè)備和PCB板制作工藝探針檢測(cè)設(shè)備為一般常見(jiàn)的接觸式探針電性檢測(cè)設(shè)備。然而，隨著制作工藝的線(xiàn)寬日益縮小，若要使用傳統(tǒng)探針卡的方式做檢測(cè)，勢(shì)必受到探針物理尺寸的檢測(cè)極限，并且探針卡的成本也相當(dāng)昂貴。另一方面，隨著基板制作的面積愈大，對(duì)檢測(cè)的速度要求也愈快，尤其是，對(duì)全面檢測(cè)的需求會(huì)越來(lái)越多，例如顯示面板的陣列(array)制作工藝端、薄膜太陽(yáng)能電池、觸控面板和軟性顯示器的檢測(cè)。利用探針接觸的方式測(cè)量電性的抽檢方式越來(lái)越不符合實(shí)際檢測(cè)的需求。如上所述，傳統(tǒng)探針接觸待測(cè)基板測(cè)量電性的方法，不但所需測(cè)量時(shí)間冗長(zhǎng)，并且隨著先進(jìn)制作工藝技術(shù)的演進(jìn)，線(xiàn)寬越做越小的情況下，探針測(cè)量的尺寸也受到限制，而探針卡的制作費(fèi)用也相當(dāng)昂貴。美國(guó)專(zhuān)利US5，097，201和US 5，170，127揭露非接觸式電性測(cè)量的方法，通過(guò)電光調(diào)制器，例如高分子分散液晶材料(Polymer Dispersed Liquid Crystal，簡(jiǎn)稱(chēng)PDLC)液晶板或光學(xué)晶體(如KDP、KD*P、或ADP...等)，使待測(cè)基板和電光調(diào)制器之間保持一特定的距離(大約IOum)，分別施予加上正負(fù)電壓，使其產(chǎn)生電容效應(yīng)， 造成感應(yīng)電場(chǎng)，并通過(guò)此感應(yīng)電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)電光調(diào)制器，并由CCD記錄電光調(diào)制器上的感應(yīng)電壓影像，通過(guò)電壓影像的灰階強(qiáng)度變化，可檢測(cè)圖案化制作工藝后的導(dǎo)電層(例如ΙΤ0)的厚度或殘留量，以檢視背景制作工藝是否將導(dǎo)電物質(zhì)蝕刻完全，或表面瑕疵對(duì)導(dǎo)電圖案介質(zhì)的電性影響，但使用電光調(diào)制器的測(cè)量方法受限于測(cè)量面積。為了解決上述大面積測(cè)量和檢測(cè)效率的問(wèn)題，背景技術(shù)例如美國(guó)專(zhuān)利US 5，504，438所揭露的檢測(cè)方法利用多顆CCD攝影，再使用后續(xù)影像接合，以增大檢測(cè)面積和提升檢測(cè)效率。但是，使用多顆CCD會(huì)增加制造成本。又為了解決制造成本增加的問(wèn)題，美國(guó)專(zhuān)利US 7，466，161和US 7，468，611揭露使用線(xiàn)型C⑶搭配龍門(mén)機(jī)臺(tái)架構(gòu)，通過(guò)線(xiàn)型掃貓，以增大檢測(cè)面積和提升檢測(cè)效率。但是，待測(cè)基板和電光調(diào)制器之間需保持一特定的距離(大約IOum的間距)，并且必須提高電控精度和掃瞄平臺(tái)的機(jī)構(gòu)精度。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的一實(shí)施例，提供一種基板電性的測(cè)量設(shè)備，包括一第一電光調(diào)制裝置，設(shè)置于一第一檢測(cè)滾輪外圍；一待測(cè)基板，傳輸于多個(gè)傳動(dòng)滾輪之間，并與該第一電光調(diào)制裝置接觸；一電壓供應(yīng)裝置，提供一電壓差于該第一電光調(diào)制裝置與該待測(cè)基板之間；以及一第一取像系統(tǒng)，接收由該待測(cè)基板的一第一面反射的一第一檢測(cè)光。本發(fā)明另一實(shí)施例，提供一種基板電性的測(cè)量設(shè)備，包括一第一電光調(diào)制裝置，設(shè)置于一第一檢測(cè)滾輪外圍；一待測(cè)基板，傳輸于該第一檢測(cè)滾輪一側(cè)，并與該第一電光調(diào) 制裝置接觸；一電壓供應(yīng)裝置，提供一電壓差于該第一電光調(diào)制裝置與該待測(cè)基板之間； 以及一第一光源系統(tǒng)提供一第一檢測(cè)光于該待測(cè)基板上，其中該第一光源系統(tǒng)設(shè)置于該第 一檢測(cè)滾輪的內(nèi)部，致使該第一檢測(cè)光穿透該第一電光調(diào)制裝置由一第一取像系統(tǒng)接收。本發(fā)明又一實(shí)施例，提供一種基板電性的測(cè)量設(shè)備，包括一第一電光調(diào)制裝置， 設(shè)置于一第一檢測(cè)滾輪外圍；一待測(cè)基板，傳輸于一第一傳動(dòng)滾輪一側(cè)，并與該第一電光調(diào) 制裝置接觸；一電壓供應(yīng)裝置，提供一電壓差于該第一電光調(diào)制裝置與該待測(cè)基板之間； 以及一第一光源系統(tǒng)提供一第一檢測(cè)光于該待測(cè)基板上，其中該第一光源設(shè)置于該第一傳 動(dòng)滾輪的內(nèi)部，致使該第一檢測(cè)光穿透該第一電光調(diào)制裝置由該第一檢測(cè)滾輪內(nèi)部的一第 一取像系統(tǒng)接收。本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種基板電性的測(cè)量設(shè)備，包括一第一電光調(diào)制裝置， 設(shè)置于一第一檢測(cè)滾輪外圍；一待測(cè)基板，傳輸于該第一檢測(cè)滾輪一側(cè)，并與該第一電光調(diào) 制裝置接觸；一電壓供應(yīng)裝置，提供一電壓差于該第一電光調(diào)制裝置與該待測(cè)基板之間； 以及一第一光源系統(tǒng)提供一第一檢測(cè)光于該待測(cè)基板上，其中該第一光源系統(tǒng)設(shè)置于該第 一檢測(cè)滾輪相對(duì)于該待測(cè)基板的對(duì)向側(cè)，致使該第一檢測(cè)光穿透該第一電光調(diào)制裝置由該 第一檢測(cè)滾輪內(nèi)部的一第一取像系統(tǒng)接收。本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種基板電性的測(cè)量設(shè)備，包括一第一電光調(diào)制裝置， 設(shè)置于一第一檢測(cè)滾輪外圍；一待測(cè)基板，傳輸于一第一傳動(dòng)滾輪一側(cè)，并與該第一電光調(diào) 制裝置接觸；一電壓供應(yīng)裝置，提供一電壓差于該第一電光調(diào)制裝置與該待測(cè)基板之間； 以及一第一光源系統(tǒng)提供一第一檢測(cè)光于該待測(cè)基板上，其中該第一光源系統(tǒng)設(shè)置于該第 一檢測(cè)滾輪的內(nèi)部，致使該第一檢測(cè)光穿透該第一電光調(diào)制裝置由該第一傳動(dòng)滾輪內(nèi)部的 一第一取像系統(tǒng)接收。為使本發(fā)明能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下


圖1顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的反射式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖；圖2顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的反射式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖；圖3顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的反射式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖；圖4顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的雙面反射式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖；圖5顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的反射式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖；圖6顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的雙面反射式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖；圖7顯示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的穿透式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖；圖8顯示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的穿透式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖；圖9顯示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的穿透式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖；圖10顯示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的穿透式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖；圖11顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的穿透式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖；圖12顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的雙面穿透式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖；圖13顯示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的穿透式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖；圖14顯示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的雙面穿透式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖。
主要元件符號(hào)說(shuō)明IOa-IOn 基板電性的測(cè)量設(shè)備；12a、12c、12e 光源系統(tǒng)；12b、12d、12f 第二光源系統(tǒng)；14a、14e 電光調(diào)制裝置；14b、14d、14f 第二電光調(diào)制裝置；14c 履帶型式的光調(diào)制裝置；16a、16c、16e 檢測(cè)滾輪；16b、16d、16f 第二檢測(cè)滾輪；18 待測(cè)基板；20a.20c.20e 取像系統(tǒng)；20b、20d、20f 第二取像系統(tǒng)；22a、22c、22e 分光器；22b、22d、22f 第二分光器；23、24、25 傳動(dòng)滾輪；30 硬性待測(cè)基板；52a、52b、52c、52d、52e、52g 光源系統(tǒng)；52f、52h 第二光源系統(tǒng)；5^、54b、5k、52d、5^、54g 電光調(diào)制裝置；54f、54h 第二電光調(diào)制裝置；56a、56b、56c、56d、56e、56g 檢測(cè)滾輪；56f,56h 第二檢測(cè)滾輪；58 硬性待測(cè)基板；60a、60b、60c、60d、60e、60g 取像系統(tǒng)；60f、60h 第二取像系統(tǒng)；62b,62d,62g 傳動(dòng)滾輪；62h 第二傳動(dòng)滾輪；
64c、64d 開(kāi)口；66d 開(kāi)口；68 軟性待測(cè)基板；Sl 第一面；S2 第二面。
具體實(shí)施例方式以下為各實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明并伴隨著

的范例。在附圖或說(shuō)明書(shū)描述中，相似或相同的部分皆使用相同的圖號(hào)。且在附圖中，實(shí)施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大，并以簡(jiǎn)化或是方便標(biāo)示。再者，附圖中各元件的部分將以分別描述說(shuō)明之，值得注意的是，圖中未繪示或描述的元件，為所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者所知的形式，另外，特定的實(shí)施例僅為揭示本發(fā)明使用的參考方式，其并非用以限定本發(fā)明。
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本揭露的主要技術(shù)特征和實(shí)施例樣態(tài)利用一種包覆在滾輪上的電光調(diào)制器，其兼具傳動(dòng)裝置和感測(cè)元件的作用，并利用取像系統(tǒng)擷取所述電光調(diào)制器的感應(yīng)電壓影像，并分析此感應(yīng)電壓影像，可快速且大面積檢測(cè)圖案蝕刻制作工藝是否殘留導(dǎo)電介質(zhì)，或表面瑕疵對(duì)導(dǎo)電圖案介質(zhì)的電性影響，可滿(mǎn)足應(yīng)用于快速大面積全檢的需求。在一實(shí)施例中，提供一大面積基板的電性檢測(cè)裝置，包含一光源系統(tǒng)；一電光調(diào)制器，可為PDLC液晶板或光學(xué)晶體，并包覆于檢測(cè)滾輪上；一取像系統(tǒng)，做為電壓影像紀(jì)錄用，待測(cè)基板的表面具有透明導(dǎo)電介質(zhì)圖案，例如ITO圖案。待測(cè)基板和包覆于檢測(cè)滾輪上的電光調(diào)制器緊密接觸，然后利用滾輪上的電壓供給機(jī)構(gòu)對(duì)待測(cè)基板和電光調(diào)制器分別加上正負(fù)電壓，使待測(cè)基板和電光調(diào)制器形成電容效應(yīng)，產(chǎn)生感應(yīng)電場(chǎng)，驅(qū)動(dòng)電光調(diào)制器，使待測(cè)基板的導(dǎo)電圖案間接呈現(xiàn)于電光調(diào)制器上，再利用取像系統(tǒng)擷取電光調(diào)制器上的感應(yīng)電壓影像，并通過(guò)分析感應(yīng)電壓影像，判斷圖案蝕刻制作工藝是否殘留導(dǎo)電介質(zhì)，或表面瑕疵對(duì)導(dǎo)電圖案介質(zhì)的電性影響，例如斷路或短路影響。測(cè)量原理說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，待測(cè)基板上的導(dǎo)電圖案的電性測(cè)量原理為利用一電光調(diào)制器，例如PDLC液晶板或光學(xué)晶體(例如KDP、KD*P、ADP、或其他適合的光學(xué)晶體材料)，與待測(cè)基板緊密接觸或間隔空隙約10 μ m。通過(guò)一電壓產(chǎn)生器，使待測(cè)基板上的ITO圖案與電光調(diào)制器形成電容狀態(tài)，產(chǎn)生感應(yīng)電場(chǎng)，驅(qū)動(dòng)電光調(diào)制器，待測(cè)基板上的ITO圖案間接呈現(xiàn)于電光調(diào)制器上。再將光源投射于電光調(diào)制器上，擷取電光調(diào)制器上的感應(yīng)電壓影像，通過(guò)電壓影像的灰階強(qiáng)度，檢測(cè)蝕刻圖案制作工藝后的ITO殘留狀況，確定制作工藝是否將ITO蝕刻完全。相同地，在制作工藝中所產(chǎn)生的缺陷，也可使用上述方法檢測(cè)，以確使制作工藝缺陷不會(huì)對(duì)ITO線(xiàn)路產(chǎn)生電性的影響。測(cè)量架構(gòu)可分為反射單點(diǎn)式、反射影像式、穿透單點(diǎn)式和穿透影像式。反射式和影像式架構(gòu)的差別在于打光和取像的方式不同，反射式是利用分光器(Beam splitter)讓光源系統(tǒng)產(chǎn)生的光線(xiàn)經(jīng)分光器投射于待測(cè)物，待測(cè)體反射的光線(xiàn)再穿透分光器至取像系統(tǒng)得到測(cè)量結(jié)果，故反射式的架構(gòu)是光源系統(tǒng)和取像系統(tǒng)位于待測(cè)物同一側(cè)。穿透式是利用光源系統(tǒng)打光，取像系統(tǒng)于待測(cè)物的另一側(cè)接收測(cè)量結(jié)果。單點(diǎn)式架構(gòu)是測(cè)量待測(cè)物一個(gè)區(qū)域的平均值，若光源系統(tǒng)包含擴(kuò)束器(Beam expand)且取像系統(tǒng)包含成像透鏡(Image lens)，便形成影像式架構(gòu)，能夠用于觀(guān)察待測(cè)物的表面狀況。測(cè)量的架構(gòu)和方式是能夠根據(jù)需求和測(cè)量環(huán)境而被調(diào)整的。電光調(diào)制器種類(lèi)和制作在本發(fā)明的各實(shí)施例中，可使用液晶板或光學(xué)晶體(例如KDP、KD*P、ADP、或其他適合的光學(xué)晶體材料)做為制作電光調(diào)制器的材料。由于光學(xué)晶體的反應(yīng)速度極快，大約為ns等級(jí)，對(duì)應(yīng)目前3米/分鐘的制作工藝速度，光學(xué)晶體足以應(yīng)付。應(yīng)注意的是，光學(xué)晶體可以作橫向操作和縱向操作。所謂橫向操作是操作電場(chǎng)和入射光相互垂直的架構(gòu)，縱向操作是操作電場(chǎng)和入射光相互平行的架構(gòu)。在本發(fā)明各實(shí)施例中，測(cè)量的架構(gòu)為縱向操作， 但也可運(yùn)用橫向操作于不同測(cè)量場(chǎng)合。無(wú)論橫向操作或縱向操作都是操作電場(chǎng)改變?nèi)肷涔獾钠駹顟B(tài)，在入射光源前，需要設(shè)置偏振片，只允許特定偏振角度的光通過(guò)，晶體經(jīng)電場(chǎng)而改變?nèi)肷涔獾钠窠嵌?，通過(guò)放置不同偏振角度的偏振片于CCD前，可擷取調(diào)變后的光強(qiáng)。使用PDLC液晶板的基本原理為利用PDLC和摻雜其中的高分子材料的折射率差異，未施加電壓驅(qū)動(dòng)時(shí)，液晶板就呈現(xiàn)不透光狀態(tài)，當(dāng)施予電壓時(shí)，液晶材料的折射率與高分子材料的折射率相近，呈現(xiàn)透光狀態(tài)，可以減少偏振元件的使用，或特殊光源的使用，如激光。 且由于PDLC液晶板的制作費(fèi)用低廉，又可符合大面積制作的需求，目前制作的最大尺寸為 80cmX75cm。再者，液晶板的驅(qū)動(dòng)電壓約125伏特，比光學(xué)晶體幾千伏特以上的驅(qū)動(dòng)電壓降低許多。測(cè)量架構(gòu)利用上面所提到的測(cè)量原理和不同的電光調(diào)制器，以下實(shí)施例提出幾種不同的測(cè)量架構(gòu)。圖1顯示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的反射式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖。在圖1中， 一種基板電性的測(cè)量設(shè)備IOa包括一電光調(diào)制裝置14a，設(shè)置于一檢測(cè)滾輪16a的外圍。例如將軟性的電光調(diào)制裝置包覆于檢測(cè)滾輪上。一待測(cè)基板18傳輸于兩個(gè)傳動(dòng)滾輪23和M 之間，并與所述電光調(diào)制裝置14a接觸。一電壓供應(yīng)裝置(未繪示)提供一電壓差于所述電光調(diào)制裝置Ha與待測(cè)基板18之間。例如以電壓驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)分別對(duì)電光調(diào)制裝置和待測(cè)基板，分別施予正負(fù)電壓，待測(cè)基板和電光調(diào)制裝置形成電容效應(yīng)，產(chǎn)生感應(yīng)電場(chǎng)，驅(qū)動(dòng)電光調(diào)制裝置，使待測(cè)基板上的導(dǎo)電圖案間接呈現(xiàn)于電光調(diào)制裝置上。一光源系統(tǒng)1 提供一檢測(cè)光，經(jīng)分光器2 抵達(dá)所述待測(cè)基板18上，其中所述檢測(cè)光經(jīng)反射后由一取像系統(tǒng) 20a(例如CCD)接收。利用取像系統(tǒng)擷取電光調(diào)制器上呈現(xiàn)的感應(yīng)電壓影像，藉分析感應(yīng)電壓影像，判斷圖案蝕刻制作工藝是否殘留導(dǎo)電介質(zhì)，或表面瑕疵對(duì)導(dǎo)電圖案介質(zhì)的電性影響。在另一實(shí)施例中，由于滾輪卷帶式制作工藝的速度快，因而可利用2組或多組檢測(cè)滾輪及取像系統(tǒng)，采分段檢測(cè)的方式，減少直接處理影像數(shù)據(jù)量，得以便宜的低速取像模塊取代昂貴的高速取像模塊，降低硬件成本。例如，請(qǐng)參閱圖2，基板電性的測(cè)量設(shè)備IOb更包括一第二電光調(diào)制裝置14b，設(shè)置于一第二檢測(cè)滾輪16b外圍，一第二電壓供應(yīng)裝置(未繪示)提供一電壓差于所述第二電光調(diào)制裝置14b與待測(cè)基板18之間，以及一第二光源系統(tǒng)12b提供一第二檢測(cè)光，經(jīng)第二分光器22b抵達(dá)所述待測(cè)基板18上，該第二檢測(cè)光經(jīng)待測(cè)基板18的第一面Sl反射后由一第二取像系統(tǒng)20b接收。在另一實(shí)施例中，請(qǐng)參閱圖4， 基板電性的測(cè)量設(shè)備IOd更包括一第二電光調(diào)制裝置14d，設(shè)置于一第二檢測(cè)滾輪16d外圍，其中所述第一和第二電光調(diào)制裝置Ha和14d分別設(shè)置于待測(cè)基板18的對(duì)向側(cè)，用以測(cè)量待測(cè)基板上對(duì)向面上的圖案化導(dǎo)電層的電性，一第二電壓供應(yīng)裝置(未繪示)，提供一電壓差于所述第二電光調(diào)制裝置14d與待測(cè)基板18之間，以及一第二光源系統(tǒng)12d提供一第二檢測(cè)光，經(jīng)分光器22d抵達(dá)所述待測(cè)基板18的第二面上，此第二檢測(cè)光經(jīng)待測(cè)基板18 的第二面S2反射后由一第二取像系統(tǒng)20d接收。圖3顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的反射式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖。在圖3中， 一基板電性的測(cè)量設(shè)備IOc包括一履帶型式的光調(diào)制裝置14c，環(huán)繞多個(gè)檢測(cè)滾輪16c的外圍。一待測(cè)基板18傳輸于履帶型式的光調(diào)制裝置Hc上，并與電光調(diào)制裝置接觸。一電壓供應(yīng)裝置(未繪示)提供一電壓差于所述電光調(diào)制裝置與待測(cè)基板之間。一光源系統(tǒng)12c 提供一檢測(cè)光，經(jīng)分光器22c抵達(dá)所述待測(cè)基板18上，其中所述檢測(cè)光經(jīng)反射后由一取像系統(tǒng)20c (例如(XD)接收。圖5顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的反射式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖。在圖5中， 一基板電性的測(cè)量設(shè)備IOe包括一電光調(diào)制裝置14e，設(shè)置于一檢測(cè)滾輪16e外圍。一硬性待測(cè)基板30與所述電光調(diào)制裝置He接觸。一電壓供應(yīng)裝置提供一電壓差于所述電光調(diào)制裝置14e與硬性待測(cè)基板30之間。一光源系統(tǒng)1 提供一檢測(cè)光，經(jīng)分光器2 抵達(dá)所述硬性待測(cè)基板30上，其中所述檢測(cè)光經(jīng)反射后由一取像系統(tǒng)20e接收。在另一實(shí)施例中，由于滾輪卷帶式制作工藝的速度快，因而可利用2組或多組檢測(cè)滾輪及取像系統(tǒng)，采分段檢測(cè)的方式，減少直接處理影像數(shù)據(jù)量，得以便宜的低速取像模塊取代昂貴的高速取像模塊，降低硬件成本。例如，請(qǐng)參閱圖6，基板電性的測(cè)量設(shè)備IOf 更包括一第二電光調(diào)制裝置14f，設(shè)置于一第二檢測(cè)滾輪16f的外圍，其中所述第一和第二電光調(diào)制裝置14e和14f分別設(shè)置于硬性待測(cè)基板30的對(duì)向側(cè)，用以測(cè)量待測(cè)基板上對(duì)向面上的圖案化導(dǎo)電層的電性。一第二電壓供應(yīng)裝置提供一電壓差于所述第二電光調(diào)制裝置 14f與硬性待測(cè)基板30之間。一第二光源系統(tǒng)12f提供一檢測(cè)光，經(jīng)分光器22f抵達(dá)所述硬性待測(cè)基板30上，該檢測(cè)光經(jīng)反射后由一第二取像系統(tǒng)20f接收。圖7顯示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的穿透式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖。在圖7中， 一種基板電性的測(cè)量設(shè)備IOg包括一電光調(diào)制裝置Ma，設(shè)置于一透明的檢測(cè)滾輪56a外圍。例如將軟性的電光調(diào)制裝置包覆于檢測(cè)滾輪上。一待測(cè)基板68傳輸于該檢測(cè)滾輪一側(cè)，并與所述電光調(diào)制裝置Ma接觸。一電壓供應(yīng)裝置(未繪示)提供一電壓差于所述電光調(diào)制裝置5 與待測(cè)基板68之間。例如以電壓驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)分別對(duì)電光調(diào)制裝置和待測(cè)基板， 分別施予正負(fù)電壓，待測(cè)基板和電光調(diào)制裝置形成電容效應(yīng)，產(chǎn)生感應(yīng)電場(chǎng)，驅(qū)動(dòng)電光調(diào)制裝置，使待測(cè)基板上的導(dǎo)電圖案間接呈現(xiàn)于電光調(diào)制裝置上。一光源系統(tǒng)5 設(shè)置于透明的檢測(cè)滾輪56a的內(nèi)部，提供一檢測(cè)光，穿透所述檢測(cè)滾輪56a和待測(cè)基板68由一取像系統(tǒng)60a(例如CCD)接收。應(yīng)注意的是，在另一實(shí)施例中，所述光源系統(tǒng)5 和取像系統(tǒng)60a 的位置可互換。圖8顯示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的穿透式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖。在圖8中， 一基板電性的測(cè)量設(shè)備IOh包括一電光調(diào)制裝置Mb，設(shè)置于一透明的檢測(cè)滾輪56b外圍。 一待測(cè)基板68傳輸一透明的傳動(dòng)滾輪62b的外圈并與所述電光調(diào)制裝置54b接觸。一電壓供應(yīng)裝置提供一電壓差于所述電光調(diào)制裝置54b與待測(cè)基板68之間。一光源系統(tǒng)52b 設(shè)置于透明的傳動(dòng)滾輪62b的內(nèi)部，提供一檢測(cè)光，穿透所述傳動(dòng)滾輪62b待測(cè)基板68和檢測(cè)滾輪56b，由透明檢測(cè)滾輪56b內(nèi)部的取像系統(tǒng)60b (例如(XD)接收。應(yīng)注意的是，在另一實(shí)施例中，所述光源系統(tǒng)52b和取像系統(tǒng)60b的位置可互換。圖9顯示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的穿透式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖。在圖9中， 一基板電性的測(cè)量設(shè)備IOi包括一電光調(diào)制裝置Mc，設(shè)置于不透明的檢測(cè)滾輪56c的外圍，此檢測(cè)滾輪56c具有一開(kāi)口 64c。一待測(cè)基板68傳輸于該檢測(cè)滾輪一側(cè)，并與所述電光調(diào)制裝置5 接觸。一電壓供應(yīng)裝置(未繪示)提供一電壓差于所述電光調(diào)制裝置5 與待測(cè)基板68之間。一光源系統(tǒng)52c設(shè)置于透明的檢測(cè)滾輪56c的內(nèi)部，提供一檢測(cè)光，穿透所述檢測(cè)滾輪56c和待測(cè)基板68，經(jīng)過(guò)開(kāi)口 64c，由取像系統(tǒng)60c (例如(XD)接收。應(yīng)注意的是，在另一實(shí)施例中，所述光源系統(tǒng)52c和取像系統(tǒng)60c的位置可互換。圖10顯示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的穿透式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖。在圖10 中，一基板電性的測(cè)量設(shè)備IOj包括一電光調(diào)制裝置Md，設(shè)置于不透明的檢測(cè)滾輪56d外圍。一待測(cè)基板68傳輸于不透明的傳動(dòng)滾輪62d的一側(cè)，并與所述電光調(diào)制裝置54b接觸。 應(yīng)注意的是，所述檢測(cè)滾輪56d和傳動(dòng)滾輪62d皆為不透明且分別具有一開(kāi)口，致使該檢測(cè)光穿透該電光調(diào)制裝置由一取像系統(tǒng)接收。一電壓供應(yīng)裝置提供一電壓差于所述電光調(diào)制裝置54b與待測(cè)基板68之間。一光源系統(tǒng)52d設(shè)置于不透明的傳動(dòng)滾輪62d的內(nèi)部，提供一檢測(cè)光，經(jīng)開(kāi)口 64d和66d，穿透所述傳動(dòng)滾輪62d待測(cè)基板68和檢測(cè)滾輪56d，由透明檢測(cè)滾輪56d內(nèi)部的取像系統(tǒng)60d接收。應(yīng)注意的是，在另一實(shí)施例中，所述光源系統(tǒng)52d 和取像系統(tǒng)60d的位置可互換。圖11顯示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的穿透式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖。在圖11 中，一基板電性的測(cè)量設(shè)備IOk包括一電光調(diào)制裝置Me，設(shè)置于一檢測(cè)滾輪56e外圍。一硬性待測(cè)基板58與所述電光調(diào)制裝置5 接觸。一電壓供應(yīng)裝置提供一電壓差于所述電光調(diào)制裝置5 與硬性待測(cè)基板58之間。一光源系統(tǒng)5 設(shè)置于透明的檢測(cè)滾輪56e的內(nèi)部，提供一檢測(cè)光，穿透所述檢測(cè)滾輪56e和待測(cè)基板58由一取像系統(tǒng)60e接收。應(yīng)注意的是，在另一實(shí)施例中，所述光源系統(tǒng)5 和取像系統(tǒng)60e的位置可互換。在另一實(shí)施例中，由于滾輪卷帶式制作工藝的速度快，因而可利用2組或多組檢測(cè)滾輪及取像系統(tǒng)，采分段檢測(cè)的方式，減少直接處理影像數(shù)據(jù)量，得以便宜的低速取像模塊取代昂貴的高速取像模塊，降低硬件成本。例如，請(qǐng)參閱圖12，基板電性的測(cè)量設(shè)備101 更包括一第二電光調(diào)制裝置Mf，設(shè)置于一第二檢測(cè)滾輪56f的外圍，其中所述第一和第二電光調(diào)制裝置5 和54f分別設(shè)置于硬性待測(cè)基板58的對(duì)向側(cè)，用以測(cè)量待測(cè)基板上對(duì)向面上的圖案化導(dǎo)電層的電性。一第二電壓供應(yīng)裝置提供一電壓差于所述第二電光調(diào)制裝置 54f與硬性待測(cè)基板58之間。一第二光源系統(tǒng)52f設(shè)置于第二檢測(cè)滾輪56f的內(nèi)部，提供一檢測(cè)光，穿透所述第二檢測(cè)滾輪56f和待測(cè)基板58由一取像系統(tǒng)60f接收。應(yīng)注意的是， 在另一實(shí)施例中，所述第二光源系統(tǒng)52f和第二取像系統(tǒng)60f的位置可互換。圖13顯示根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的穿透式基板電性測(cè)量設(shè)備的示意圖。在圖13 中，一基板電性的測(cè)量設(shè)備IOm包括一電光調(diào)制裝置Mg，設(shè)置于一透明的檢測(cè)滾輪56g外圍。一硬性待測(cè)基板58傳輸一透明的傳動(dòng)滾輪62g的外圈并與所述電光調(diào)制裝置54g接觸。一電壓供應(yīng)裝置提供一電壓差于所述電光調(diào)制裝置54g與硬性待測(cè)基板58之間。一光源系統(tǒng)52g設(shè)置于透明的傳動(dòng)滾輪62g的內(nèi)部，提供一檢測(cè)光，穿透所述傳動(dòng)滾輪62g、 硬性待測(cè)基板58和檢測(cè)滾輪56g，由透明檢測(cè)滾輪56g內(nèi)部的取像系統(tǒng)60g(例如CCD)接收。應(yīng)注意的是，在另一實(shí)施例中，所述光源系統(tǒng)52g和取像系統(tǒng)60g的位置可互換。在另一實(shí)施例中，可利用2組或多組檢測(cè)滾輪及取像系統(tǒng)，采分段檢測(cè)的方式，減少直接處理影像數(shù)據(jù)量，得以便宜的低速取像模塊取代昂貴的高速取像模塊。例如，請(qǐng)參閱圖14，基板電性的測(cè)量設(shè)備IOn更包括一第二電光調(diào)制裝置Mh，設(shè)置于一第二檢測(cè)滾輪 56h的外圍，其中所述第一和第二電光調(diào)制裝置54g和54h分別設(shè)置于硬性待測(cè)基板58的對(duì)向側(cè)，用以測(cè)量待測(cè)基板上對(duì)向面上的圖案化導(dǎo)電層的電性。所述硬性待測(cè)基板58傳輸于第二傳動(dòng)滾輪62h的外圈并與所述第二電光調(diào)制裝置54h接觸。一第二電壓供應(yīng)裝置提供一電壓差于所述第二電光調(diào)制裝置54h與硬性待測(cè)基板58之間。一第二光源系統(tǒng)5 設(shè)置于第二傳動(dòng)滾輪6 的內(nèi)部，提供一檢測(cè)光，穿透所述第二檢測(cè)滾輪5 和待測(cè)基板58 由一取像系統(tǒng)60h接收。應(yīng)注意的是，在另一實(shí)施例中，所述第二光源系統(tǒng)5 和第二取像系統(tǒng)60h的位置可互換。由于上述實(shí)施例中所揭露的待測(cè)基板和電光調(diào)制裝置是緊密接觸測(cè)量，因而檢測(cè)速度不必受電控實(shí)作的困難而降低。再者，電光調(diào)制器可為PDLC液晶軟板，因此可以大面積制作，達(dá)到大面積檢測(cè)的功能，制作費(fèi)用相當(dāng)便宜，并可直接修改現(xiàn)有卷帶式設(shè)備，并搭配目前已發(fā)展成熟的二維影像檢測(cè)技術(shù)，就可達(dá)到Roll-to-Roll的快速大面積檢測(cè)蝕刻圖案制作工藝后的ITO蝕刻線(xiàn)路和殘留量的檢測(cè)需求。 本發(fā)明雖以各種實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可做些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種基板電性的測(cè)量設(shè)備，包括第一電光調(diào)制裝置，設(shè)置于一第一檢測(cè)滾輪外圍； 待測(cè)基板，傳輸于多個(gè)傳動(dòng)滾輪之間，并與該第一電光調(diào)制裝置接觸； 電壓供應(yīng)裝置，提供一電壓差于該第一電光調(diào)制裝置與該待測(cè)基板之間；以及第一取像系統(tǒng)，接收由該待測(cè)基板的一第一面反射的一第一檢測(cè)光。
2.如權(quán)利要求1所述的基板電性的測(cè)量設(shè)備，還包括 第二電光調(diào)制裝置，設(shè)置于一第二檢測(cè)滾輪外圍；第二電壓供應(yīng)裝置，提供一電壓差于該第二電光調(diào)制裝置與該待測(cè)基板之間；以及一第二取像系統(tǒng)，接收由該待測(cè)基板的該第一面反射的一第二檢測(cè)光。
3.如權(quán)利要求1所述的基板電性的測(cè)量設(shè)備，其中該第一電光調(diào)制裝置為一履帶，環(huán)繞包覆該多個(gè)檢測(cè)滾輪的外圍。
4.如權(quán)利要求1所述的基板電性的測(cè)量設(shè)備，還包括第二電光調(diào)制裝置，設(shè)置于一第二檢測(cè)滾輪外圍，其中該第一和第二電光調(diào)制裝置分別設(shè)置于該待測(cè)基板的對(duì)向側(cè)；第二電壓供應(yīng)裝置，提供一電壓差于該第二電光調(diào)制裝置與該待測(cè)基板之間；以及第二取像系統(tǒng)，接收由該待測(cè)基板的一第二面反射的一第二檢測(cè)光。
5.一種基板電性的測(cè)量設(shè)備，包括第一電光調(diào)制裝置，設(shè)置于一第一檢測(cè)滾輪外圍； 待測(cè)基板，傳輸于該第一檢測(cè)滾輪一側(cè)，并與該第一電光調(diào)制裝置接觸； 電壓供應(yīng)裝置，提供一電壓差于該第一電光調(diào)制裝置與該待測(cè)基板之間；以及第一光源系統(tǒng)提供一第一檢測(cè)光于該待測(cè)基板上，其中該第一光源系統(tǒng)設(shè)置于該第一檢測(cè)滾輪的內(nèi)部，致使該第一檢測(cè)光穿透該第一電光調(diào)制裝置由一第一取像系統(tǒng)接收。
6.一種基板電性的測(cè)量設(shè)備，包括第一電光調(diào)制裝置，設(shè)置于一第一檢測(cè)滾輪外圍 待測(cè)基板，傳輸于一第一傳動(dòng)滾輪一側(cè)，并與該第一電光調(diào)制裝置接觸； 電壓供應(yīng)裝置，提供一電壓差于該第一電光調(diào)制裝置與該待測(cè)基板之間；以及第一光源系統(tǒng)提供一第一檢測(cè)光于該待測(cè)基板上，其中該第一光源系統(tǒng)設(shè)置于該第一傳動(dòng)滾輪的內(nèi)部，致使該第一檢測(cè)光穿透該第一電光調(diào)制裝置由該第一檢測(cè)滾輪內(nèi)部的一第一取像系統(tǒng)接收。
7.如權(quán)利要求5所述的基板電性的測(cè)量設(shè)備，還包括第二電光調(diào)制裝置，設(shè)置于一第二檢測(cè)滾輪外圍，其中該第一和第二電光調(diào)制裝置分別設(shè)置于該待測(cè)基板的對(duì)向側(cè)；第二電壓供應(yīng)裝置，提供一電壓差于該第二電光調(diào)制裝置與該待測(cè)基板之間；以及第二光源系統(tǒng)提供一第二檢測(cè)光于該待測(cè)基板上，其中該第二光源系統(tǒng)設(shè)置于該第二檢測(cè)滾輪的內(nèi)部，致使該第二檢測(cè)光穿透該第二電光調(diào)制裝置由一第二取像系統(tǒng)接收。
8.如權(quán)利要求6所述的基板電性的測(cè)量設(shè)備，還包括第二電光調(diào)制裝置，設(shè)置于一第二檢測(cè)滾輪外圍，其中該第一和第二電光調(diào)制裝置分別設(shè)置于該待測(cè)基板的對(duì)向側(cè)；第二電壓供應(yīng)裝置，提供一電壓差于該第二電光調(diào)制裝置與該待測(cè)基板之間；以及第二光源系統(tǒng)提供一第二檢測(cè)光于該待測(cè)基板上，其中該第二光源系統(tǒng)設(shè)置于該第二傳動(dòng)滾輪的內(nèi)部，致使該第二檢測(cè)光穿透該第二電光調(diào)制裝置由一第二檢測(cè)滾輪內(nèi)部的一第二取像系統(tǒng)接收。
9.一種基板電性的測(cè)量設(shè)備，包括第一電光調(diào)制裝置，設(shè)置于一第一檢測(cè)滾輪外圍； 待測(cè)基板，傳輸于該第一檢測(cè)滾輪一側(cè)，并與該第一電光調(diào)制裝置接觸； 電壓供應(yīng)裝置，提供一電壓差于該第一電光調(diào)制裝置與該待測(cè)基板之間；以及第一光源系統(tǒng)提供一第一檢測(cè)光于該待測(cè)基板上，其中該第一光源系統(tǒng)設(shè)置于該第一檢測(cè)滾輪相對(duì)于該待測(cè)基板的對(duì)向側(cè)，致使該第一檢測(cè)光穿透該第一電光調(diào)制裝置由該第一檢測(cè)滾輪內(nèi)部的一第一取像系統(tǒng)接收。
10.如權(quán)利要求9所述的基板電性的測(cè)量設(shè)備，還包括第二電光調(diào)制裝置，設(shè)置于一第二檢測(cè)滾輪外圍，其中該第一和第二電光調(diào)制裝置分別設(shè)置于該待測(cè)基板的對(duì)向側(cè)；第二電壓供應(yīng)裝置，提供一電壓差于該第二電光調(diào)制裝置與該待測(cè)基板之間；以及第二光源系統(tǒng)提供一第二檢測(cè)光于該待測(cè)基板上，其中該第二光源系統(tǒng)設(shè)置于該第二檢測(cè)滾輪相對(duì)于該待測(cè)基板的對(duì)向側(cè)，致使該第二檢測(cè)光穿透該第二電光調(diào)制裝置由該第二檢測(cè)滾輪內(nèi)部的一第二取像系統(tǒng)接收。
11.一種基板電性的測(cè)量設(shè)備，包括第一電光調(diào)制裝置，設(shè)置于一第一檢測(cè)滾輪外圍； 待測(cè)基板，傳輸于一第一傳動(dòng)滾輪一側(cè)，并與該第一電光調(diào)制裝置接觸； 電壓供應(yīng)裝置，提供一電壓差于該第一電光調(diào)制裝置與該待測(cè)基板之間；以及第一光源系統(tǒng)提供一第一檢測(cè)光于該待測(cè)基板上，其中該第一光源系統(tǒng)設(shè)置于該第一檢測(cè)滾輪的內(nèi)部，致使該第一檢測(cè)光穿透該第一電光調(diào)制裝置由該第一傳動(dòng)滾輪內(nèi)部的一第一取像系統(tǒng)接收。
12.如權(quán)利要求11所述的基板電性的測(cè)量設(shè)備，還包括第二電光調(diào)制裝置，設(shè)置于一第二檢測(cè)滾輪外圍，其中該第一和第二電光調(diào)制裝置分別設(shè)置于該待測(cè)基板的對(duì)向側(cè)；第二電壓供應(yīng)裝置，提供一電壓差于該第二電光調(diào)制裝置與該待測(cè)基板之間；以及第二光源系統(tǒng)提供一第二檢測(cè)光于該待測(cè)基板上，其中該第二光源系統(tǒng)設(shè)置于該第二檢測(cè)滾輪的內(nèi)部，致使該第二檢測(cè)光穿透該第二電光調(diào)制裝置由一第二傳動(dòng)滾輪內(nèi)部的一第二取像系統(tǒng)接收。
13.如權(quán)利要求1、5、6、9或11所述的基板電性的測(cè)量設(shè)備，其中該待測(cè)基板為一硬性基板或一軟性基板。
14.如權(quán)利要求7、8、10或12所述的基板電性的測(cè)量設(shè)備，其中該第一和第二電光調(diào)制裝置均為軟性電光調(diào)制裝置，且分別環(huán)繞包覆該第一和第二檢測(cè)滾輪外圍。
15.如權(quán)利要求7所述的基板電性的測(cè)量設(shè)備，其中該多個(gè)檢測(cè)滾輪的至少一者是透明的檢測(cè)滾輪，致使該多個(gè)檢測(cè)光穿透該多個(gè)電光調(diào)制裝置由該多個(gè)取像系統(tǒng)接收。
16.如權(quán)利要求7所述的基板電性的測(cè)量設(shè)備，其中該多個(gè)檢測(cè)滾輪的至少一者是不透明的檢測(cè)滾輪且具有一開(kāi)口，致使相應(yīng)的該多個(gè)檢測(cè)光穿透相應(yīng)的該多個(gè)電光調(diào)制裝置由相應(yīng)的該多個(gè)取像系統(tǒng)接收。
17.如權(quán)利要求7、8、10或12所述的基板電性的測(cè)量設(shè)備，其中該多個(gè)檢測(cè)滾輪的至少一組是透明的檢測(cè)滾輪，致使該多個(gè)檢測(cè)光穿透該多個(gè)電光調(diào)制裝置由相應(yīng)的該多個(gè)取像系統(tǒng)接收。
18.如權(quán)利要求7、8、10或12所述的基板電性的測(cè)量設(shè)備，其中該多個(gè)檢測(cè)滾輪的至少一組是不透明的檢測(cè)滾輪且具有一開(kāi)口，致使該多個(gè)檢測(cè)光穿透該多個(gè)電光調(diào)制裝置由相應(yīng)的該多個(gè)取像系統(tǒng)接收。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種基板電性的測(cè)量設(shè)備。上述基板電性的測(cè)量設(shè)備包括一第一電光調(diào)制裝置，設(shè)置于一第一檢測(cè)滾輪外圍。一待測(cè)基板，傳輸于多個(gè)傳動(dòng)滾輪之間，并與該第一電光調(diào)制裝置接觸。一電壓供應(yīng)裝置，提供一電壓差于該電光調(diào)制裝置與該待測(cè)基板之間，以及一第一取像系統(tǒng)，接收由該待測(cè)基板的一第一面反射的一第一檢測(cè)光。
文檔編號(hào)G01R31/02GK102411099SQ20101029249
公開(kāi)日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2010年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月25日
發(fā)明者劉定坤, 王浩偉, 詹智翔, 鄒永桐 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院