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      用于閃爍探測(cè)器的位置表生成方法

      文檔序號(hào):5961534閱讀:412來源:國(guó)知局
      專利名稱:用于閃爍探測(cè)器的位置表生成方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及閃爍探測(cè)器,且特別涉及閃爍探測(cè)器的位置表生成方法。
      背景技術(shù)
      閃爍探測(cè)器是最為常用的核輻射探測(cè)器之一,可探測(cè)帶電粒子或中性粒子(如中子,Y射線),滿足快時(shí)間響應(yīng)、高探測(cè)效率、大面積靈敏、高能量分辨和高位置分辨等不同的物理要求。在核物理實(shí)驗(yàn)、粒子天體物理、核醫(yī)學(xué)、地質(zhì)探測(cè)和工業(yè)成像等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
      閃爍探測(cè)器包括晶體、光電倍增管。在使用閃爍探測(cè)器進(jìn)行位置探測(cè)時(shí),通常將晶體切割成一個(gè)個(gè)小晶體條組成晶體陣列,然后與多個(gè)光電倍增管或位置靈敏光電倍增管耦合。當(dāng)Y光子入射到晶體時(shí),相互作用產(chǎn)生熒光,光電倍增管將熒光信號(hào)轉(zhuǎn)為電信號(hào)放大輸出,利用該電信號(hào),采用加權(quán)的方法可計(jì)算出Y光子入射的位置坐標(biāo),最后根據(jù)位置坐標(biāo)判斷Y光子入射到哪個(gè)晶體條。
      理想情況下,由光電倍增管電信號(hào)加權(quán)得到的位置坐標(biāo)與晶體條位置呈線性關(guān)系,也就是每個(gè)晶體條線性對(duì)應(yīng)位置坐標(biāo)的一個(gè)區(qū)域。因此,通過判斷信號(hào)位置坐標(biāo)所在的區(qū)域,就可得到Y(jié)光子打到哪個(gè)晶體條。而在實(shí)際情況中,由于晶體條個(gè)體之間的差異,光電倍增管、電子學(xué)的非線性響應(yīng),以及光子康普頓散射等因素,使得這一對(duì)應(yīng)關(guān)系總是呈非線性特征。為確保對(duì)應(yīng)關(guān)系的準(zhǔn)確性,就必需建立信號(hào)位置坐標(biāo)與晶體條編號(hào)之間的映射表,通常稱為位置表。位置表的準(zhǔn)確程度將直接影響探測(cè)器的位置分辨性能。
      現(xiàn)有技術(shù)中,建立位置表的方法都是基于實(shí)驗(yàn)測(cè)量的位置散點(diǎn)圖。散點(diǎn)圖記錄的是每個(gè)坐標(biāo)位置上測(cè)量到的入射Y光子事例數(shù)。建立位置表的總體思路是首先通過一定的方法得到每個(gè)晶體條對(duì)應(yīng)散點(diǎn)圖的區(qū)域邊界,然后在每個(gè)邊界區(qū)域范圍內(nèi)填充不同的值,對(duì)應(yīng)相應(yīng)的晶體條。
      現(xiàn)有技術(shù)中的一種建立位置表的方案如下,首先利用尋找極值的方法找到每個(gè)晶體條對(duì)應(yīng)的標(biāo)記點(diǎn)(峰位),然后對(duì)位置表進(jìn)行賦值,賦值原則是尋找與賦值點(diǎn)最近的峰位, 將其對(duì)應(yīng)的晶體條編號(hào)賦到相應(yīng)的位置坐標(biāo)點(diǎn)上。
      另一方案是,采用峰值點(diǎn)周圍的局部極小值點(diǎn)作為晶體條的邊界點(diǎn),然后依次相連,將整個(gè)散點(diǎn)圖劃分為一個(gè)個(gè)區(qū)域,每個(gè)區(qū)域只包含一個(gè)峰值點(diǎn),將峰值點(diǎn)對(duì)應(yīng)的晶體條編號(hào)標(biāo)記到該區(qū)域的每一個(gè)位置坐標(biāo),最終建立起位置表。
      在以上的位置表生成方法中,有兩個(gè)關(guān)鍵的步驟一是準(zhǔn)確尋找每個(gè)晶體條在散點(diǎn)圖中的標(biāo)記點(diǎn)(上述方法用峰值點(diǎn)做標(biāo)記),該晶體條標(biāo)記點(diǎn)選取的準(zhǔn)確程度將直接影響到生成位置表的好壞;二是對(duì)第一步找到的晶體條標(biāo)記點(diǎn)進(jìn)行二維排序,也就是確定標(biāo)記點(diǎn)與晶體條的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
      在對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的方案進(jìn)行研究后,發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)的方案存在如下的問題 (O峰值點(diǎn)可能不在散點(diǎn)區(qū)域的幾何中心上;(2)對(duì)于大尺寸散點(diǎn)圖,散點(diǎn)分布的疏密特性不同,將會(huì)導(dǎo)致大量的誤尋峰,增加了手動(dòng)校正的工作量;(3)對(duì)于發(fā)生形變、散點(diǎn)排列不規(guī)則的散點(diǎn)圖,采用標(biāo)記點(diǎn)的絕對(duì)位置進(jìn)行二維排序發(fā)生錯(cuò)誤的概率較高。發(fā)明內(nèi)容
      為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題,本發(fā)明提供了一種閃爍探測(cè)器生成位置表的方法,該方法能夠準(zhǔn)確地生成閃爍探測(cè)器的位置表,能適用于散點(diǎn)圖中散點(diǎn)分布疏密特性不同的閃爍探測(cè)器。
      本發(fā)明提供了一種閃爍探測(cè)器的位置表生成方法,包括
      步驟SI :根據(jù)閃爍探測(cè)器的散點(diǎn)圖的數(shù)據(jù),采用區(qū)域提取的方式,尋找該閃爍探測(cè)器中的每個(gè)晶體條在散點(diǎn)圖中對(duì)應(yīng)的標(biāo)記點(diǎn);
      步驟S2 :根據(jù)所述標(biāo)記點(diǎn)在散點(diǎn)圖中的二維坐標(biāo),對(duì)所有的標(biāo)記點(diǎn)進(jìn)行相對(duì)位置二維排序;
      步驟S3 :確定散點(diǎn)圖中的位置表邊界點(diǎn),每個(gè)所述位置表邊界點(diǎn)是由四個(gè)相鄰的標(biāo)記點(diǎn)的平均位置而確定;
      步驟S4 :依次連接各個(gè)位置表邊界點(diǎn),生成位置表。
      該步驟SI包括采用區(qū)域提取的方式,將散點(diǎn)圖劃分為與晶體條對(duì)應(yīng)的互不連通的多個(gè)區(qū)域;
      將每個(gè)區(qū)域提取出來,并計(jì)算各區(qū)域的幾何中心作為與區(qū)域?qū)?yīng)的晶體條的標(biāo)記點(diǎn)。
      該步驟S2包括對(duì)各標(biāo)記點(diǎn)進(jìn)行二維排序時(shí),根據(jù)前一個(gè)標(biāo)記點(diǎn)的位置排序后一個(gè)標(biāo)記點(diǎn);
      該步驟S3包括在選取位置表邊界點(diǎn)時(shí),計(jì)算相鄰四個(gè)標(biāo)記點(diǎn)的平均位置,并采用向上或向下取整的方式得到位置表邊界點(diǎn)。
      本發(fā)明能使閃爍探測(cè)器生成位置表更加準(zhǔn)確、快捷,不僅適用于一般的、質(zhì)量較好的散點(diǎn)圖,而且對(duì)于大尺寸、散點(diǎn)分布稀疏特性差異大、散點(diǎn)排列不規(guī)則的散點(diǎn)圖也具有較好的效果。


      圖I為本發(fā)明的用于閃爍探測(cè)器的位置表生成方法的流程圖2為尋找晶體條標(biāo)記點(diǎn)的流程圖3為邊界點(diǎn)向上取整的情況位置表生成示意圖4-8為生成位置表的效果圖。
      具體實(shí)施方式
      體現(xiàn)本發(fā)明特征與優(yōu)點(diǎn)的典型實(shí)施例將在以下的說明中詳細(xì)敘述。應(yīng)理解的是本發(fā)明能夠在不同的實(shí)施例上具有各種的變化,其皆不脫離本發(fā)明的范圍,且其中的說明及所附附圖在本質(zhì)上是當(dāng)作說明之用,而非用以限制本發(fā)明。
      為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題,本發(fā)明提供了一種用于閃爍探測(cè)器的位置表生成方法,該方法能夠準(zhǔn)確建立入射光子事例的信號(hào)位置坐標(biāo)與晶體條編號(hào)之間的映射關(guān)系O
      參見圖1所示的本發(fā)明的用于閃爍探測(cè)器的位置表生成方法的流程圖,本發(fā)明基于散點(diǎn)圖區(qū)域提取尋找晶體條標(biāo)記點(diǎn)的方法,以及對(duì)標(biāo)記點(diǎn)進(jìn)行相對(duì)位置二維排序的方法,將以上兩種方法結(jié)合應(yīng)用于位置表生成方法中。以下對(duì)本發(fā)明的位置表生成方法進(jìn)行詳細(xì)介紹,如圖1所示,該方法包括
      步驟S1:根據(jù)閃爍探測(cè)器的散點(diǎn)圖數(shù)據(jù),采用區(qū)域提取的方式,尋找該閃爍探測(cè)器中的每個(gè)晶體條在散點(diǎn)圖中對(duì)應(yīng)的標(biāo)記點(diǎn)。
      尋找晶體條標(biāo)記點(diǎn)是整個(gè)位置表生成方法中的最重要的一步,分為自動(dòng)尋找標(biāo)記點(diǎn)和手動(dòng)校正操作。
      自動(dòng)尋找標(biāo)記點(diǎn)采用的是基于區(qū)域提取的算法,即先對(duì)散點(diǎn)圖進(jìn)行處理,得到一個(gè)二值圖像,使得每個(gè)晶體條對(duì)應(yīng)的散點(diǎn)圖區(qū)域相互分離,然后再提取出每一個(gè)區(qū)域,并計(jì)算區(qū)域的幾何中心作為晶體條標(biāo)記點(diǎn)。由于自動(dòng)尋找晶體條標(biāo)記點(diǎn)無法保證將所有的標(biāo)記點(diǎn)找全,故需要進(jìn)行判斷和手動(dòng)校正,若找到的標(biāo)記點(diǎn)數(shù)不等于晶體條總數(shù),則進(jìn)行手動(dòng)校正操作。手動(dòng)校正的具體操作為,在散點(diǎn)圖上沒有找到標(biāo)記點(diǎn)或找錯(cuò)標(biāo)記點(diǎn)的散點(diǎn)區(qū)域,手動(dòng)增加或刪減標(biāo)記點(diǎn),直到散點(diǎn)圖的每個(gè)散點(diǎn)區(qū)域都對(duì)應(yīng)一個(gè)標(biāo)記點(diǎn)。
      下面對(duì)尋找晶體條標(biāo)記點(diǎn)的過程進(jìn)行詳細(xì)介紹,參見圖2所示為尋找晶體條標(biāo)記點(diǎn)的流程圖,包括步驟S11-S19,具體介紹如下
      步驟Sll :轉(zhuǎn)換散點(diǎn)圖的數(shù)據(jù)到預(yù)定的范圍。
      為了避免后續(xù)操作的計(jì)算量過大,對(duì)于光子入射事例的計(jì)數(shù)值(以下簡(jiǎn)稱計(jì)數(shù)值) 較高的散點(diǎn)圖,通常將其按比例轉(zhuǎn)化到一定范圍,如(Γ1023,以減少色階。而對(duì)于計(jì)數(shù)值較低的散點(diǎn)圖可以選擇不進(jìn)行轉(zhuǎn)換,可忽略此步驟。
      步驟S12 :在散點(diǎn)圖的各像素中,篩選出計(jì)數(shù)值大于平均值的像素。而對(duì)于小于平均值的像素,將其像素計(jì)數(shù)值置為特定值P,P的取值包括O ;對(duì)于小于平均值的像素,不進(jìn)行后續(xù)的處理,如不進(jìn)行局部歸一化等處理,以此減小后續(xù)處理的數(shù)據(jù)量,增加算法的效率。
      步驟S13 :對(duì)篩選后的散點(diǎn)圖進(jìn)行局部歸一化處理,使得散點(diǎn)圖各部分的平均計(jì)數(shù)相近。
      對(duì)篩選后的散點(diǎn)圖進(jìn)行局部歸一化處理,即對(duì)上述篩選出的計(jì)數(shù)值大于平均值的像素進(jìn)行局部歸一化處理,其余像素不參與計(jì)算和處理,以減少數(shù)據(jù)處理量。該局部歸一化處理的具體操作為首先,計(jì)算篩選出的各像素的平均計(jì)數(shù)量Ag ;然后,將散點(diǎn)圖劃分為多個(gè)小的區(qū)域,如劃分為32X32個(gè)方形區(qū)域,并計(jì)算第i個(gè)區(qū)域的平均計(jì)數(shù)Ali ;最后,用$作為第i個(gè)區(qū)域的歸一化因子進(jìn)行歸一化處理。
      步驟S14 :對(duì)局部歸一化處理的散點(diǎn)圖進(jìn)行均衡化處理。
      進(jìn)行均衡化處理的作用是將像素取各個(gè)值的計(jì)數(shù)均勻化,使得整個(gè)散點(diǎn)圖取每個(gè)值的像素?cái)?shù)相近,在顯示上起到增加對(duì)比度的作用,在整個(gè)算法中配合后續(xù)的篩選步驟,能更好的劃分晶體條在散點(diǎn)圖對(duì)應(yīng)的各個(gè)區(qū)域。
      本步驟中可采用直方圖均衡化處理,具體的執(zhí)行步驟如下首先,統(tǒng)計(jì)散點(diǎn)圖取各個(gè)值的像素?cái)?shù)Nk,總像素?cái)?shù)N= Σ Nk,其中k=0,1,…,L 一 1,L為散點(diǎn)圖灰度級(jí)總數(shù)目,本發(fā)明中L的取值為1024 ;其次,將灰度級(jí)為i的像素映射到灰度級(jí)Ti,映射公式為。k=0 N
      在該處理步驟中,也可以采用其它圖像增強(qiáng)的方法,替代尋找晶體條標(biāo)記點(diǎn)中的直方圖均衡化方法。比如可采用設(shè)置窗位窗寬的方法對(duì)圖像進(jìn)行增強(qiáng)。通過設(shè)置適當(dāng)?shù)拇拔淮皩?,得到一個(gè)數(shù)據(jù)判選上下限Lower、Upper,若散點(diǎn)圖像素的數(shù)值小于Lower,則將其賦值為O ;若散點(diǎn)圖像素的數(shù)值大于Upper,則將其賦值為1023 ;散點(diǎn)圖像素的數(shù)值在 Lower和Upper之間的線性變化到0 1023。
      步驟S15 :對(duì)均衡化處理的散點(diǎn)圖進(jìn)行平滑濾波處理。
      例如可采用3X3模板的均值濾波。這一步的主要目的在于排除一些噪聲引起的假峰,避免篩選出多余的區(qū)域,增加手動(dòng)校正的負(fù)擔(dān)。
      步驟S16 :根據(jù)預(yù)設(shè)的臨界值,對(duì)經(jīng)過上述局部歸一化、均衡化處理和平滑濾波處理后的該散點(diǎn)圖的各像素進(jìn)行二值化處理,以此得到二值圖像。
      對(duì)于從散點(diǎn)圖中篩選出的計(jì)數(shù)值大于平均值且經(jīng)過了上述處理的像素,進(jìn)一步從中篩選出計(jì)數(shù)量大于臨界值的像素,取值為一特定值A(chǔ)。而散點(diǎn)圖中的其余像素,取值為一特定值B。其中,A的取值包括但不限于I ;B的取值包括但不限于0,A和B取值不同,以此標(biāo)記不同計(jì)數(shù)量的像素。以下僅以A為1,B為O為例進(jìn)行說明,本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解 A和B也可以采用其他的取值,于此不再贅述。
      設(shè)散點(diǎn)圖中的各像素的計(jì)數(shù)值中的最大值為M,則該臨界值可以選取散為M的O. 8 倍。像素大于該臨界值取1,否則取O。這樣就得到一個(gè)二值圖像,圖像中取I的部分表示晶體條在散點(diǎn)圖上對(duì)應(yīng)的區(qū)域。臨界值的選取與步驟S14采用的圖像增強(qiáng)方法、散點(diǎn)圖的質(zhì)量有關(guān)。臨界值選取過小,將導(dǎo)致散點(diǎn)圖的相鄰散點(diǎn)區(qū)域分不開,多個(gè)散點(diǎn)區(qū)域合為一個(gè); 臨界值選取過大,將導(dǎo)致散點(diǎn)圖的一些散點(diǎn)區(qū)域完全小于臨界值,使得一些散點(diǎn)區(qū)域消失。 若采用直方圖均衡化的方法,臨界值的取值范圍為O. 7(Γ0. 90倍的M之間,具體取值可對(duì)具體設(shè)備產(chǎn)生的散點(diǎn)圖進(jìn)行實(shí)驗(yàn)測(cè)試,根據(jù)結(jié)果選取最佳的臨界值,以使得找到的標(biāo)記點(diǎn)數(shù)目和晶體條數(shù)目最接近;也可在算法中對(duì)每一個(gè)臨界值進(jìn)行循環(huán),以選取最佳臨界值。
      步驟S17 :提取散點(diǎn)圖的每個(gè)區(qū)域并計(jì)算各區(qū)域的幾何中心作為標(biāo)記點(diǎn)。
      提取散點(diǎn)圖區(qū)域的算法中采用了遞歸的方法,當(dāng)搜索到某一像素取值為I時(shí),記錄該像素的坐標(biāo)并置零,判斷其周圍8個(gè)像素的取值情況,若某像素取值為1,記錄該像素的坐標(biāo)并置零,繼續(xù)判斷它周圍8個(gè)像素的取值情況,以此類推,直到周圍8個(gè)像素都為零停止,由此提取到了一個(gè)區(qū)域;然后,將記錄的像素點(diǎn)的坐標(biāo)取平均作為標(biāo)記點(diǎn)的坐標(biāo);若某一區(qū)域只有一個(gè)記錄的像素,則將該區(qū)域視為假峰排除掉。
      步驟S18 :判斷標(biāo)記點(diǎn)數(shù)是否等于晶體條總數(shù),若是,則直接執(zhí)行步驟S2 ;否則執(zhí)行步驟S19,再執(zhí)行步驟S2。
      步驟S19 :進(jìn)行手動(dòng)尋峰操作,直到尋得的標(biāo)記點(diǎn)數(shù)目和晶體條總數(shù)相等為止。
      通過上述操作,就完成了找尋該閃爍探測(cè)器中的每個(gè)晶體條在散點(diǎn)圖中對(duì)應(yīng)的標(biāo)記點(diǎn)。接下進(jìn)行步驟S2 :根據(jù)標(biāo)記點(diǎn)在散點(diǎn)圖中的二維坐標(biāo),對(duì)所有的標(biāo)記點(diǎn)進(jìn)行相對(duì)位置二維排序。
      由于在步驟SI中找到的晶體條標(biāo)記點(diǎn)并不是按照順序存儲(chǔ)的,而是雜亂無章排列的。也就是我們無法將找到的標(biāo)記點(diǎn)對(duì)應(yīng)到相應(yīng)晶體條上。因此,在生成位置表之前,需要將晶體條標(biāo)記點(diǎn)進(jìn)行二維排序。對(duì)于一個(gè)非常規(guī)則的散點(diǎn)圖,各散點(diǎn)之間行列分明,可以 很容易的采用各標(biāo)記點(diǎn)的絕對(duì)位置坐標(biāo)進(jìn)行二維排序。而對(duì)于散點(diǎn)排列不規(guī)則的散點(diǎn)圖, 行的上下波動(dòng)或列的左右波動(dòng)比較大,不能再用標(biāo)記點(diǎn)的絕對(duì)位置進(jìn)行二維排序。本發(fā)明是利用標(biāo)記點(diǎn)相對(duì)位置進(jìn)行二維排序的方法,二維排序的具體過程如下假設(shè)要進(jìn)行排序的晶體陣列為m行n列,“(i,j)點(diǎn)”表示第i行第j列的標(biāo)記點(diǎn)。(1)對(duì)已找到的mXn個(gè)標(biāo)記點(diǎn)按照y坐標(biāo)進(jìn)行升序排序。(2)提取編號(hào)iXn到(i+2)Xn的標(biāo)記點(diǎn),準(zhǔn)備對(duì)第i行進(jìn)行排序。(i=0, 1,2,-, m - 2)(3)從提取的2n個(gè)標(biāo)記點(diǎn)中選取距原點(diǎn)最近的點(diǎn)作為(i,0)點(diǎn)。(4)從提取的第j到2n個(gè)標(biāo)記點(diǎn)中選擇滿足以下情況的兩個(gè)點(diǎn)Pl,P2 :P1、P2的 x坐標(biāo)大于(i,j _ 1)點(diǎn)的x坐標(biāo),PI、P2與(i,j - 1)點(diǎn)的x距離大于y距離,在滿足以上 條件的情況下,取距離(i,j_l)點(diǎn)最近的為P1,次近的為P2。(j = l,2,…,n-1)(5)判斷P1和P2的x間距Ax和y間距Ay。若Ax> A y,則取P1點(diǎn)為(i,j ) 點(diǎn);否則,取P1、P2中y坐標(biāo)較小的作為(i,j)點(diǎn)。(6)對(duì)最后一行單獨(dú)進(jìn)行排序。對(duì)于以上的排序過程做如下說明(a)從第(2)到第(5)步是完成對(duì)第i行進(jìn)行排序,i的取值為從0到m - 2依次 遞增,需要循環(huán)m-1次。(b)從第(4)到第(5)步是完成對(duì)第j列標(biāo)記點(diǎn)的選取,j的取值為從1到n-1依 次遞增,需要循環(huán)n-1次。(c)第(4)步之所以要選擇兩個(gè)點(diǎn)PI、P2,是因?yàn)榕懦龍D三a的情況。圖3a會(huì)誤 選C點(diǎn)作為A點(diǎn)的下一個(gè)點(diǎn)。(d)第(5)步中,若Ax < Ay,對(duì)應(yīng)圖3b ;若Ax彡Ay,對(duì)應(yīng)圖3c。通過上述操作,就完成了標(biāo)記點(diǎn)的二維排序,之后執(zhí)行步驟S3 :確定散點(diǎn)圖中的 位置表邊界點(diǎn)。為了將散點(diǎn)圖分割為一個(gè)個(gè)與晶體條對(duì)應(yīng)的區(qū)域,需要確定位置表的邊界點(diǎn)。位 置表的邊界點(diǎn)是由四個(gè)相鄰晶體條標(biāo)記點(diǎn)的平均位置確定的,邊界點(diǎn)V的位置為
      權(quán)利要求
      1.一種閃爍探測(cè)器的位置表生成方法,其特征在于,包括 步驟Si:根據(jù)閃爍探測(cè)器的散點(diǎn)圖的數(shù)據(jù),采用區(qū)域提取的方式,尋找該閃爍探測(cè)器中的每個(gè)晶體條在散點(diǎn)圖中對(duì)應(yīng)的標(biāo)記點(diǎn); 步驟S2 :根據(jù)所述標(biāo)記點(diǎn)在散點(diǎn)圖中的ニ維坐標(biāo),對(duì)所有的標(biāo)記點(diǎn)進(jìn)行相對(duì)位置ニ維排序; 步驟S3 :確定散點(diǎn)圖中的位置表邊界點(diǎn),每個(gè)所述位置表邊界點(diǎn)是由四個(gè)相鄰的標(biāo)記點(diǎn)的平均位置而確定; 步驟S4 :依次連接各個(gè)位置表邊界點(diǎn),生成位置表。
      2.如權(quán)利要求I所述的方法,其特征在干,該步驟SI包括 采用區(qū)域提取的方式,將散點(diǎn)圖劃分為與晶體條對(duì)應(yīng)的互不連通的多個(gè)區(qū)域; 將每個(gè)區(qū)域提取出來,并計(jì)算各區(qū)域的幾何中心作為與區(qū)域?qū)?yīng)的晶體條的標(biāo)記點(diǎn)。
      3.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在干,該步驟SI包括 在散點(diǎn)圖的各像素中,提取出光子入射事例計(jì)數(shù)值大于平均值的像素, 從提取出的像素中進(jìn)ー步篩選出光子入射事例計(jì)數(shù)值大于預(yù)設(shè)臨界值的像素,取值為特定值A(chǔ) ;而散點(diǎn)圖中的其余像素取值為特定值B ;以獲得散點(diǎn)圖的ニ值圖像;其中,A與B取值不同; 采用遞歸的方法在該ニ值圖像中計(jì)算每個(gè)晶體條的標(biāo)記點(diǎn),計(jì)算方法包括 當(dāng)捜索到一像素的取值為A吋,記錄該像素的坐標(biāo)并置為B,判斷其周圍8個(gè)像素的取值情況; 若該8個(gè)像素中的某一像素取值為A,則記錄該像素的坐標(biāo)并置為B,并繼續(xù)判斷它周圍8個(gè)像素的取值情況,若取值為A則進(jìn)行記錄并置為B ;循環(huán)執(zhí)行上述步驟,直到周圍8個(gè)像素都為B時(shí)停止,被記錄的各像素構(gòu)成本次提取的區(qū)域; 將該區(qū)域內(nèi)的各像素的坐標(biāo)取平均得到一平均坐標(biāo),將該平均坐標(biāo)作為該區(qū)域所對(duì)應(yīng)的晶體條的標(biāo)記點(diǎn)的坐標(biāo)。
      4.如權(quán)利要求3所述的方法,其特征在干,該計(jì)算方法中,若提取到的一區(qū)域中只有一個(gè)像素點(diǎn),則將該區(qū)域視為假峰排除。
      5.如權(quán)利要求I所述的方法,其特征在干,該步驟S2包括 對(duì)各標(biāo)記點(diǎn)進(jìn)行ニ維排序時(shí),根據(jù)前ー個(gè)標(biāo)記點(diǎn)的位置排序后一個(gè)標(biāo)記點(diǎn);該排序方法包括 按照各標(biāo)記點(diǎn)的縱坐標(biāo)將各標(biāo)記點(diǎn)排列成mXn陣列; 循環(huán)執(zhí)行以下步驟,依次對(duì)每行標(biāo)記點(diǎn)進(jìn)行排序 提取陣列中第i行和i+Ι行的標(biāo)記點(diǎn);(i=0,1,2,…,m-2); 從提取的標(biāo)記點(diǎn)中選取距離該散點(diǎn)圖的ニ維坐標(biāo)原點(diǎn)最近的點(diǎn)作為(i,0)點(diǎn); 循環(huán)執(zhí)行以下步驟依次對(duì)各標(biāo)記點(diǎn)進(jìn)行排序 從提取的第j到2n個(gè)標(biāo)記點(diǎn)中選擇滿足以下情況的兩個(gè)點(diǎn)橫坐標(biāo)大于(i,j - I)點(diǎn)的橫坐標(biāo),與(i,j - O點(diǎn)的橫坐標(biāo)距離大于縱坐標(biāo)距離;(j=l,2,…,η - I); 設(shè)兩個(gè)點(diǎn)中距離(i,j - O點(diǎn)最近的為P1,次近的為P2 ;判斷Pl和P2的橫坐標(biāo)間距Λχ和縱坐標(biāo)間距Ay ;若Δχ > Ay,則取Pl點(diǎn)為(i,j)點(diǎn);否則,取P1、P2中縱坐標(biāo)較小的作為(i,j)點(diǎn)。
      6.如權(quán)利要求I所述的方法,其特征在干,該步驟S3包括 在選取位置表邊界點(diǎn)時(shí),計(jì)算相鄰四個(gè)標(biāo)記點(diǎn)的平均位置,并采用向上或向下取整的方式得到位置表邊界點(diǎn)。
      7.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,還包括 進(jìn)行邊界分配,若選取位置表邊界點(diǎn)時(shí)采用了向上取整的方式,則將每個(gè)區(qū)域的左邊界和下邊界歸在該區(qū)域,右邊界和上邊界歸在其相鄰的區(qū)域;若選取位置表邊界點(diǎn)采用了向下取整,則將每個(gè)區(qū)域的右邊界和上邊界歸在該區(qū)域,左邊界和下邊界歸在其相鄰的區(qū)域。
      8.如權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,在獲得散點(diǎn)圖的ニ值圖像之前,還包括對(duì)所述提取出的光子入射事例計(jì)數(shù)值大于平均值的像素,進(jìn)行局部歸ー化處理、均衡化處理和平滑濾波處理。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種閃爍探測(cè)器的位置表生成方法,包括尋找該閃爍探測(cè)器中的每個(gè)晶體條在散點(diǎn)圖中對(duì)應(yīng)的標(biāo)記點(diǎn);對(duì)所有標(biāo)記點(diǎn)進(jìn)行二維排序;確定位置表的邊界點(diǎn);依次連接位置表邊界點(diǎn),生成位置表。本發(fā)明能使閃爍探測(cè)器生成位置表更加準(zhǔn)確、快捷,不僅適用于一般的、質(zhì)量較好的散點(diǎn)圖,對(duì)于大尺寸、散點(diǎn)分布稀疏特性差異大、散點(diǎn)排列不規(guī)則的散點(diǎn)圖也具有較好的效果。
      文檔編號(hào)G01T3/06GK102981179SQ20121043659
      公開日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2012年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月5日
      發(fā)明者王海鵬, 柴培, 劉雙全, 黃先超, 李道武, 張玉包, 章志明, 單保慈, 魏龍 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所
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