專利名稱：探測結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種探測結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
微電子機(jī)械系統(tǒng)(MicroElectro Mechanical Systems, MEMS)技術(shù)具有微小、智能、可執(zhí)行、可集成、工藝兼容性好、成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)，故其已廣泛應(yīng)用在包括紅外探測技術(shù)領(lǐng)域的諸多領(lǐng)域。紅外探測裝置是紅外探測技術(shù)領(lǐng)域中一種具體的微電子機(jī)械系統(tǒng)MEMS產(chǎn)品，其利用敏感材料探測層如非晶硅或氧化釩吸收紅外線，從而引起其電阻的變化，據(jù)此來實(shí)現(xiàn)熱成像功能。據(jù)此，紅外探測裝置可以廣泛應(yīng)用于電力網(wǎng)絡(luò)的安全檢測、森林火警的探測以及人體溫度的探測等其他場所。
現(xiàn)有技術(shù)中，在制造紅外探測裝置時(shí)，先通過化學(xué)氣相沉積工藝(CVD)依次在硅襯底上沉積犧牲層、釋放保護(hù)層、支撐層，以及敏感材料層，接著在該敏感材料層上沉積金屬層，然后利用光刻膠光刻出金屬電極圖形，再通過濕法或者干法刻蝕工藝將敏感材料探測層上沒有光刻膠保護(hù)的金屬層去除并形成金屬電極；通過釋放工藝去除犧牲層以形成在硅襯底之上形成半懸空的微橋結(jié)構(gòu)，該微橋結(jié)構(gòu)包括支撐層，在具體制作時(shí)，可以采用兩層結(jié)構(gòu)分別作為釋放保護(hù)層和支撐層，也可以采用一層結(jié)構(gòu)同時(shí)實(shí)現(xiàn)釋放保護(hù)和支撐的作用。由此可見，現(xiàn)有技術(shù)的紅外探測制造工藝中，直接在探測器敏感材料層上沉積金屬層并通過光刻和刻蝕工藝形成金屬電極的工藝因直接在探測器敏感材料層上進(jìn)行刻蝕，一方面，對(duì)電極材料造成的損傷，另外一方面在后續(xù)工藝中會(huì)在熱敏感材料層上形成刻蝕損傷或污染，這些污染或損傷會(huì)對(duì)紅外探測裝置的質(zhì)量產(chǎn)生不良影響，例如其均勻性、靈敏度會(huì)大大降低，金屬電極間產(chǎn)生短路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種探測結(jié)構(gòu)的制造方法，用以避免刻蝕敏感層材料時(shí)對(duì)電極材料造成的損傷，以及電極間的短路，提高該紅外探測裝置的性能、成品率和可靠性。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種探測結(jié)構(gòu)的制造方法，該方法包括 在硅襯底上形成第一犧牲層，并在所述第一犧牲層上形成第一釋放保護(hù)層；
在所述第一釋放保護(hù)層上形成電極層，所述電極層包括第一電極和第二電極；
在所述電極層上形成第二犧牲層，使第一電極和第二電極嵌在其中，并圖形化所述第二犧牲層以去除第一電極和第二電極上的所述第二犧牲層；
在所述電極層和所述第二犧牲層之上形成熱敏感層，所述熱敏感層分別與所述第一電極和第二電極形成電連接，以將光信號(hào)轉(zhuǎn)換得到的電信號(hào)輸出到外圍電路；
在所述熱敏感層之上形成第二釋放保護(hù)層，并去除所述第一犧牲層，以形成微橋結(jié)構(gòu)。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種紅外探測裝置，該裝置包括
微橋結(jié)構(gòu)；設(shè)置在所述微橋結(jié)構(gòu)上的第一釋放保護(hù)層；
設(shè)置在所述第一釋放保護(hù)層之上的電極層，所述電極層包括第一電極和第二電極；
設(shè)置在所述第一電極層中第一電極和第二電極之上的第二犧牲層，所述第二犧牲層露出所述第一電極和第二電極；
設(shè)置在所述第二犧牲層之上且通過第二犧牲層中的露出部分分別與所述第一電極和第二電極連接的熱敏感層；
設(shè)置在所述熱敏感層之上的第二釋放保護(hù)層。與現(xiàn)有的方案相比，在制作完電極層之后，在電極層之上形成一第二犧牲層，將所述電極層中的嵌在其中，再通過圖形化處理裸露處所述電極層中的第一電極和第二電
極，使得與后續(xù)形成的熱敏感層電連接，從而形成一個(gè)熱阻，由于第二犧牲層的存在，避免了刻蝕敏感層材料時(shí)對(duì)電極材料造成的損傷，以及在熱敏感材料層上形成刻蝕損傷或污染，從而避免了電極間的短路，相應(yīng)地可提高該紅外探測裝置的性能、成品率和可靠性。


圖I為本發(fā)明探測結(jié)構(gòu)的制造方法實(shí)施例一流程示意 圖2為本發(fā)明上述方法實(shí)施例一對(duì)應(yīng)方法形成的紅外探測裝置結(jié)構(gòu)示意圖，其中未去除第一犧牲層；
圖3為本發(fā)明上述方法實(shí)施例一對(duì)應(yīng)方法形成的紅外探測裝置結(jié)構(gòu)示意圖，其中去除了第一犧牲層。圖4為本發(fā)明探測結(jié)構(gòu)的制造方法實(shí)施例二流程示意 圖5為上述方法實(shí)施例一中形成了第一釋放保護(hù)層、電極層、第二犧牲層的結(jié)構(gòu)示意
圖6為上述方法實(shí)施例一中形成了露出電極層的結(jié)構(gòu)示意 圖7為上述方法實(shí)施例一中形成熱敏層后的結(jié)構(gòu)示意 圖8為上述方法實(shí)施例一中在所述熱敏層之上形成介質(zhì)層。圖9為上述方法實(shí)施例一中對(duì)介質(zhì)層和熱敏層進(jìn)行圖形化處理；
圖10為上述方法實(shí)施例一中在所述介質(zhì)層之上形成第二釋放保護(hù)層，并去除了第二犧牲層。
具體實(shí)施例方式以下將配合圖式及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，藉此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題并達(dá)成技術(shù)功效的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。本發(fā)明的下述實(shí)施例中，在制作完電極層之后，在電極層之上形成一第二犧牲層，將所述電極層中的嵌在其中，再通過圖形化處理裸露處所述電極層中的第一電極和第二電極，使得與后續(xù)形成的熱敏感層電連接，從而形成一個(gè)熱阻，由于第二犧牲層的存在，避免了刻蝕敏感層材料時(shí)對(duì)電極材料造成的損傷，避免了電極間的短路，相應(yīng)地可提高該紅外探測裝置的性能、成品率和可靠性。圖I為本發(fā)明探測結(jié)構(gòu)的制造方法實(shí)施例一流程示意圖，如圖I所示，該方法包括步驟101、在硅襯底上形成第一犧牲層，并在所述第一犧牲層上形成第一釋放保護(hù)層；本實(shí)施例中，所述第一犧牲層的材料可以為有機(jī)物，優(yōu)選地，所述有機(jī)物可以為聚酰亞胺。對(duì)應(yīng)有機(jī)物材料的第一犧牲層，所述第一釋放保護(hù)層的可以材料為硅、二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅和碳化硅；或者，第一釋放保護(hù)層的材料可以為非化學(xué)計(jì)量比的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅和碳化硅；或者，所述第一釋放保護(hù)層的材料可以為摻有雜質(zhì)的氮氧化硅、氮化硅和碳化硅磷；或者，所述第一釋放保護(hù)層的材料可以為摻有雜質(zhì)的非化學(xué)計(jì)量比的二氧化硅、氮氧化硅；所述雜質(zhì)包括氮化硅和碳化硅。在另外一實(shí)施例中,所述第一犧牲層的材料還可以為娃。對(duì)應(yīng)娃材料的第一犧牲層，所述第一釋放保護(hù)層的材料可以為二氧化硅、氮氧化硅，或者，所述第一釋放保護(hù)層的材料可以為非化學(xué)計(jì)量比的二氧化硅、氮氧化硅；或者所述第一釋放保護(hù)層的材料可以為摻有雜質(zhì)的二氧化硅、氮氧化硅；或者，所述第一釋放保護(hù)層的材料可以為摻有雜質(zhì)的非化學(xué)計(jì)量比的二氧化硅、氮氧化硅，所述雜質(zhì)包括硼、磷、碳或氟。在另外一實(shí)施例中，所述第一犧牲層的材料還可以為二氧化硅。對(duì)應(yīng)二氧化硅材料的第一犧牲層，所述第一釋放保護(hù)層的材料可以為氮化硅、碳化硅，或者，所述第一釋放保護(hù)層的材料可以為非化學(xué)計(jì)量比的富硅氮化硅、富硅碳化硅；或者所述第一釋放保護(hù)層·的材料可以為摻有雜質(zhì)的氮化硅、碳化硅；或者，所述第一釋放保護(hù)層的材料可以為摻有雜質(zhì)的非化學(xué)計(jì)量比的富硅氮化硅、富硅碳化硅，所述雜質(zhì)包括硼、磷、碳或氟。步驟102、在所述第一釋放保護(hù)層上形成電極層，所述電極層包括第一電極和第二電極；
本實(shí)施例中，兩個(gè)電極采用同一種材料，即所述第一電極和第二電極的材料為鉭Ta、氮化鉭TaNJi Ti、氮化鈦TiN、鋁Al任意一種或多種的復(fù)合材料。步驟103、在所述電極層上形成第二犧牲層，并圖形化所述第二犧牲層以去除第一電極和第二電極上的所述第二犧牲層；
本實(shí)施例中，在步驟103中還可以包括首先，去除所述電極層中第一電極和第二電極上的氧化物；之后，在去除了氧化物的所述電極層上形成第二犧牲層，使第一電極和第二電極嵌在其中，并圖形化所述第二犧牲層以去除第一電極和第二電極上的所述第二犧牲層。本實(shí)施例中，在步驟103中圖形化所述第二犧牲層以去除第一電極和第二電極上的所述第二犧牲層可以通過使用刻蝕氣體刻蝕實(shí)現(xiàn)所述第二犧牲層的圖形化。本實(shí)施例中，對(duì)第二犧牲層進(jìn)行圖形化時(shí)，在第一電極和第二電極之間形成了W形的圖形，以只要露出第一電極和第二電極的部分即可。優(yōu)選地，利用基于氟F或氯Cl氣氛的離子干法刻蝕工藝，通過使用刻蝕氣體刻蝕實(shí)現(xiàn)所述第二犧牲層的圖形化。優(yōu)選地，所述電極層和所述第二釋放保護(hù)層的刻蝕選擇比可以大于5: I。本實(shí)施例中，刻蝕氣體為氬氣、氮?dú)釴2、三氟甲烷、四氟化碳CF4、三氟甲烷CHF3、八氟異丁烯C4F8、三氯化硼或氯氣。本實(shí)施例中，所述第二犧牲層的材料可以為大馬士革工藝的犧牲層材料。優(yōu)選地，所述大馬士革工藝的犧牲層材料可以為硅、二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅，或者，所述大馬士革工藝的犧牲層材料可以為非化學(xué)計(jì)量比的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅；或者，所述大馬士革工藝的犧牲層材料可以為摻雜有雜質(zhì)的硅、二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅；或者所述大馬士革工藝的犧牲層材料可以為摻雜有雜質(zhì)的非化學(xué)計(jì)量比的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅，所述雜質(zhì)包括硼、磷、碳或氟元素。步驟104、在所述電極層和所述第二犧牲層之上形成熱敏感層，并圖形化所述熱敏感層使得所述熱敏感層分別與所述第一電極和第二電極形成電連接，以將光信號(hào)轉(zhuǎn)換得到的電信號(hào)輸出到外圍電路；
本實(shí)施例中，所述熱敏感層的材料可以為氧化釩或非晶硅；或者，所述熱敏感層的材料可以為非化學(xué)劑量比的氧化釩或非晶硅；或者，所述熱敏感層的材料可以為摻有雜質(zhì)的氧化釩或非晶硅；或者，所述熱敏感層的材料可以為摻有雜質(zhì)的非化學(xué)劑量比的氧化釩或非晶娃。步驟105、在所述熱敏感層之上形成第二釋放保護(hù)層，并去除所述第一犧牲層，以形成微橋結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，所述熱敏感層與所述第二釋放保護(hù)層的刻蝕選擇比可以大于5:1。在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，還可以包括在所述探測結(jié)構(gòu)中的第一釋放保護(hù)層和第二 釋放保護(hù)層之間形成功能輔助層，比如，在第一釋放保護(hù)層和電極層之間形成功能輔助層，或者，在第二釋放保護(hù)層之下形成功能輔助層，只要保證探測結(jié)構(gòu)的電連接關(guān)系不受影響即可。優(yōu)選地，所述功能輔助層可以包括支撐層、應(yīng)力平衡層、紅外吸收層。具體地，這些功能輔助層的材料可以為硅、二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅和碳化硅，或所述功能輔助層的材料可以為非化學(xué)計(jì)量比的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅和碳化硅，或者，所述功能輔助層的材料可以為摻有雜質(zhì)的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅和碳化硅，或者所述功能輔助層的材料可以為摻有雜質(zhì)的非化學(xué)計(jì)量比的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅和碳化硅，所述雜質(zhì)包括硼、磷、碳或氟。圖2為本發(fā)明上述方法實(shí)施例一對(duì)應(yīng)方法形成的紅外探測裝置結(jié)構(gòu)示意圖，其中未去除第一犧牲層，圖3為本發(fā)明上述方法實(shí)施例一對(duì)應(yīng)方法形成的紅外探測裝置結(jié)構(gòu)示意圖，其中去除了第一犧牲層。該紅外探測裝置包括通過去除硅襯底200上的第一犧牲層201形成的微橋結(jié)構(gòu)202、設(shè)置在所述微橋結(jié)構(gòu)202上的第一釋放保護(hù)層203、設(shè)置在所述第一釋放保護(hù)層203之上的電極層，所述電極層包括第一電極214和第二電極224、設(shè)置在所述第一電極層之上的第二犧牲層205,所述第二犧牲層205露出所述第一電極214和第二電極224、設(shè)置在所述第二犧牲層205之上且通過第二犧牲層205中的露出部分分別與所述第一電極214和第二電極224連接的熱敏感層206、設(shè)置在所述熱敏感層206之上的第二釋放保護(hù)層207。本實(shí)施例中，第一電極214和第二電極224之間的第二犧牲層205形成了形的圖形，即該部分第二犧牲層205厚度大于第二犧牲層并部分包裹著第一電極214和第二電極224，以只要露出第一電極和第二電極的部分即可。
圖4為本發(fā)明探測結(jié)構(gòu)的制造方法實(shí)施例二流程示意圖，如圖4所示，該方法包括 步驟201、在硅襯底上形成第一犧牲層，并在所述第一犧牲層上形成第一釋放保護(hù)層； 步驟202、在所述第一釋放保護(hù)層上形成電極層，所述電極層包括第一電極和第二電
極；
步驟203、在所述電極層上形成第二犧牲層，并圖形化所述第二犧牲層以去除第一電極和第二電極上的所述第二犧牲層；在步驟203中，在圖形化的過程中，需要利用CMP-化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行平坦化處理，使得
第二犧牲層、第一電極、第二電極表面平滑。圖5所示，為方法實(shí)施例二中形成了第一釋放保護(hù)層、電極層、第二犧牲層的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6所示，為方法實(shí)施例二中形成了露出電極層的結(jié)構(gòu)示意圖。在所述第一釋放保護(hù)層203之上的電極層，所述電極層包括第一電極214和第二電極224、在所述第一電極層之上設(shè)置第二犧牲層205。上述步驟201-203類似于方法實(shí)施例一中的步驟101-103，在此不再贅述。唯一不同的是，在上述實(shí)施例一中，對(duì)第二犧牲層進(jìn)行圖形化時(shí)，在第一電極和第二電極之間形成了Hjj形的圖形，以只要露出第一電極和第二電極的部分即可。而本實(shí)施例中，則完全將第一電極和第二電極形成的第二犧牲層部分與第一電極和第二電極厚度相同，。步驟204、在所述電極層和所述第二犧牲層之上形成熱敏感層，分別與所述第一電極和第二電極形成電連接，以將光信號(hào)轉(zhuǎn)換得到的電信號(hào)輸出到外圍電路；
圖7為方法實(shí)施例二中形成熱敏層后的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，沿著第二犧牲層205、所述第一電極214、第二電極224形成熱敏層206。步驟205、在所述熱敏層之上形成介質(zhì)層，并對(duì)所述介質(zhì)層和所述熱敏層進(jìn)行圖形化處理。如圖8所示，為方法實(shí)施例二中在所述熱敏層之上形成介質(zhì)層。沿著熱敏層206形成一層介質(zhì)層208。如圖9所示，為方法實(shí)施例二中對(duì)介質(zhì)層208和熱敏層206進(jìn)行圖形化處理。由于介質(zhì)層208和第二犧牲層205包裹著熱敏層206，避免了熱敏層206上形成刻蝕損失或污染
步驟205中，在對(duì)所述介質(zhì)層和所述熱敏層進(jìn)行圖形化處理的同時(shí)，需要借助CMP-化學(xué)機(jī)械拋光實(shí)現(xiàn)所述介質(zhì)層和所述熱敏層表面平坦化。步驟206、在所述介質(zhì)層之上形成第二釋放保護(hù)層。如圖10所示，為方法實(shí)施例二中在所述介質(zhì)層208之上形成第二釋放保護(hù)層207，并去除了第一犧牲層201形成完整的探測結(jié)構(gòu)。之后，還開以對(duì)該第二釋放保護(hù)層207進(jìn)行拋光處理以實(shí)現(xiàn)平坦化。上述實(shí)施例一和二去除了第一電極和第二電極上的部分第二犧牲層，以實(shí)現(xiàn)與熱敏層的電連接?？商娲?，也可以將第一電極和第二電極上的全部第二犧牲層去除，以實(shí)現(xiàn)與熱敏層的電連接。上述說明示出并描述了本發(fā)明的若干優(yōu)選實(shí)施例，但如前所述，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對(duì)其他實(shí)施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述發(fā)明構(gòu)想范圍內(nèi)，通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識(shí)進(jìn)行改動(dòng)。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動(dòng)和變化不脫離本發(fā)明的精神和范圍，則都應(yīng)在本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種探測結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括 在硅襯底上形成第一犧牲層，并在所述第一犧牲層上形成第一釋放保護(hù)層； 在所述第一釋放保護(hù)層上形成電極層，所述電極層包括第一電極和第二電極； 在所述電極層上形成第二犧牲層，使第一電極和第二電極嵌在其中，并圖形化所述第二犧牲層以去除第一電極和第二電極上的所述第二犧牲層； 在所述電極層和所述第二犧牲層之上形成熱敏感層，所述熱敏感層分別與所述第一電極和第二電極形成電連接，以將光信號(hào)轉(zhuǎn)換得到的電信號(hào)輸出到外圍電路； 在所述熱敏感層之上形成第二釋放保護(hù)層，并去除所述第一犧牲層，以形成微橋結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在所述電極層上形成第二犧牲層，使第一電極和第二電極嵌在其中，并圖形化所述第二犧牲層以去除第一電極和第二電極上的所述第二犧牲層，包括 去除所述電極層中第一電極和第二電極上的氧化物； 在去除了氧化物的所述電極層上形成第二犧牲層，使第一電極和第二電極嵌在其中，并圖形化所述第二犧牲層以去除第一電極和第二電極上的所述第二犧牲層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在所述電極層上形成第二犧牲層，使第一電極和第二電極嵌在其中，圖形化所述第二犧牲層以去除第一電極和第二電極上的所述第二犧牲層，包括 通過使用刻蝕氣體刻蝕實(shí)現(xiàn)所述第二犧牲層的圖形化。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，利用基于F或Cl氣氛的離子干法刻蝕工藝，通過使用刻蝕氣體刻蝕實(shí)現(xiàn)所述第二犧牲層的圖形化。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述電極層和所述第二釋放保護(hù)層的刻蝕選擇比大于5:1。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述熱敏感層與所述第二釋放保護(hù)層的刻蝕選擇比大于5: I。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的方法，其特征在于，刻蝕氣體為氬氣、氮?dú)狻⑷淄?、四氟化碳、三氟甲烷、八氟異丁烯、三氯化硼或氯氣?br> 8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，還包括在所述探測結(jié)構(gòu)的第一釋放保護(hù)層和第二釋放保護(hù)層之間形成功能輔助層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述功能輔助層包括支撐層、應(yīng)力平衡層、紅外吸收層中的任意一層或多層的組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在所述熱敏感層和所述第一釋放保護(hù)層之間形成介質(zhì)層。
11.一種紅外探測裝置，其特征在于，包括 微橋結(jié)構(gòu)； 設(shè)置在所述微橋結(jié)構(gòu)上的第一釋放保護(hù)層； 設(shè)置在所述第一釋放保護(hù)層之上的電極層，所述電極層包括第一電極和第二電極； 設(shè)置在所述第一電極層中第一電極和第二電極之上的第二犧牲層，所述第二犧牲層露出所述第一電極和第二電極； 設(shè)置在所述第二犧牲層之上且通過第二犧牲層中的露出部分分別與所述第一電極和第二電極連接的熱敏感層； 設(shè)置在所述熱敏感層之上的第二釋放保護(hù)層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的紅外探測裝置，其特征在于，在所述熱敏感層和第二釋放保護(hù)層之間設(shè)置有介質(zhì)層。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的紅外探測裝置，其特征在于，所述第一犧牲層的材料為有機(jī)物。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的紅外探測裝置，其特征在于，所述有機(jī)物為聚酰亞胺。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的紅外探測裝置，其特征在于，所述第一釋放保護(hù)層的材料為硅、二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅和碳化硅；或者，第一釋放保護(hù)層的材料為非化學(xué)計(jì)量比的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅和碳化硅；或者，所述第一釋放保護(hù)層的材料為摻有雜質(zhì)的氮氧化硅、氮化硅和碳化硅磷；或者，所述第一釋放保護(hù)層的材料為摻有雜質(zhì)的非化學(xué)計(jì)量比的二氧化硅、氮氧化硅；所述雜質(zhì)包括氮化硅和碳化硅。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的紅外探測裝置，其特征在于，所述第一犧牲層的材料為硅。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的紅外探測裝置，其特征在于，所述第一釋放保護(hù)層的材料為二氧化硅、氮氧化硅，或者，所述第一釋放保護(hù)層的材料為非化學(xué)計(jì)量比的二氧化硅、氮氧化硅；或者所述第一釋放保護(hù)層的材料為摻有雜質(zhì)的二氧化硅、氮氧化硅；或者，所述第一釋放保護(hù)層的材料為摻有雜質(zhì)的非化學(xué)計(jì)量比的二氧化硅、氮氧化硅，所述雜質(zhì)包括硼、磷、碳或氟。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的紅外探測裝置，其特征在于，所述第一犧牲層的材料為二氧化硅。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的紅外探測裝置，其特征在于，所述第一釋放保護(hù)層的材料為氮化硅、碳化硅，或者，所述第一釋放保護(hù)層的材料為非化學(xué)計(jì)量比的富硅氮化硅、富硅碳化硅；或者所述第一釋放保護(hù)層的材料為摻有雜質(zhì)的氮化硅、碳化硅；或者，所述第一釋放保護(hù)層的材料為摻有雜質(zhì)的非化學(xué)計(jì)量比的富硅氮化硅、富硅碳化硅，所述雜質(zhì)包括硼、磷、碳或氟。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一電極和第二電極的材料為鉭、氮化鉭、鈦、氮化鈦、鋁任意一種或多種的復(fù)合材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述第二犧牲層的材料為硅、二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅，或者，所述大馬士革工藝的犧牲層的材料為非化學(xué)計(jì)量比的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅；或者，所述第二犧牲層的材料為摻雜有雜質(zhì)的硅、二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅；或者所述第二犧牲層的材料為摻雜有雜質(zhì)的非化學(xué)計(jì)量比的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅，所述雜質(zhì)包括硼、磷、碳或氟元素。
22.根據(jù)權(quán)利要求11所述的紅外探測裝置，其特征在于，還包括功能輔助層，設(shè)置在所述第一釋放保護(hù)層和第二釋放保護(hù)層之間。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的紅外探測裝置，其特征在于，所述功能輔助層包括支撐層、應(yīng)力平衡層、紅外吸收層中的任意一層或多層的組合。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的紅外探測裝置，其特征在于，所述功能輔助層的材料為硅、二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅和碳化硅，或所述功能輔助層的材料為非化學(xué)計(jì)量比的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅和碳化硅，或者，所述功能輔助層的材料為摻有雜質(zhì)的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅和碳化硅，或所述功能輔助層的材料為摻有雜質(zhì)的非化學(xué)計(jì)量比的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅和碳化硅，所述雜質(zhì)包括硼、磷、碳或氟。
25.根據(jù)權(quán)利要求11所述的紅外探測裝置，其特征在于，所述熱敏感層的材料為氧化釩或非晶硅；或者，所述熱敏感層的材料為非化學(xué)劑量比的氧化釩或非晶硅；或者，所述熱敏感層的材料為摻有雜質(zhì)的氧化釩或非晶硅；或者，所述熱敏感層的材料為摻有雜質(zhì)的非化學(xué)劑量比的氧化釩或非晶硅。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種探測結(jié)構(gòu)的制造方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括在硅襯底上形成第一犧牲層，并在所述第一犧牲層上形成第一釋放保護(hù)層；在所述第一釋放保護(hù)層上形成電極層，所述電極層包括第一電極和第二電極；在所述電極層上形成第二犧牲層，使第一電極和第二電極嵌在其中，并圖形化所述第二犧牲層以去除第一電極和第二電極上的所述第二犧牲層；在所述電極層和所述第二犧牲層之上形成熱敏感層，所述熱敏感層分別與所述第一電極和第二電極形成電連接，以將光信號(hào)轉(zhuǎn)換得到的電信號(hào)輸出到外圍電路；在所述熱敏感層之上形成第二釋放保護(hù)層，并去除所述第一犧牲層，以形成微橋結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提高了該紅外探測裝置的性能、成品率和可靠性。
文檔編號(hào)G01J5/20GK102942158SQ201210436520
公開日2013年2月27日 申請日期2012年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月5日
發(fā)明者康曉旭, 左青云, 袁超 申請人:上海集成電路研發(fā)中心有限公司