專利名稱：微流體細(xì)胞儀及制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及醫(yī)學(xué)檢測領(lǐng)域，具體為一種微流體細(xì)胞儀及制作方法。
背景技術(shù)：
流式細(xì)胞儀是使用流式細(xì)胞術(shù)進(jìn)行的一種單細(xì)胞定量分析和分選技術(shù)。流式細(xì)胞術(shù)(Flow Cytometry, FCM),是七十年代發(fā)展起來的高科學(xué)技術(shù)，它集計算機(jī)技術(shù)、激光技術(shù)、流體力學(xué)、細(xì)胞化學(xué)、細(xì)胞免疫學(xué)于一體，同時具有分析和分選細(xì)胞功能。它不僅可測量細(xì)胞大小、內(nèi)部顆粒的性狀，還可檢測細(xì)胞表面和細(xì)胞漿抗原、細(xì)胞內(nèi)DNA、RNA含量等，在血液學(xué)、免疫學(xué)、腫瘤學(xué)、藥物學(xué)、分子生物學(xué)等學(xué)科廣泛應(yīng)用。傳統(tǒng)的流體細(xì)胞儀的結(jié)構(gòu)主要包括流動室，流動室的兩側(cè)對稱設(shè)有一對鞘液管；兩個鞘液管的一端均與流動室的一端共同連接有一個檢測通道；流體細(xì)胞儀的工作原理是首先將待測細(xì)胞經(jīng)熒光染色后制成單細(xì)胞懸液，然后用一定壓力將單細(xì)胞懸液壓入至流動室，另外將不含細(xì)胞的磷酸緩沖液(又稱為鞘液)從鞘液管中壓出，并使得鞘液與單細(xì)胞懸液匯合；鞘液管入口方向與待測樣品流(即單細(xì)胞懸液流)成一定角度，這樣，鞘液就能夠包繞著單細(xì)胞懸液流高速流動，形成一個截面呈圓形的流束，一般該截面的直徑為1(Γ20 μ m。單細(xì)胞懸液中的待測細(xì)胞在鞘液的包繞下呈單行排列，并依次通過檢測通道；流式細(xì)胞儀的檢測通道上通常設(shè)有激光光源，激光光源發(fā)射的激光經(jīng)過聚焦整形后垂直照射在被鞘液包繞的樣品流上，被熒光染色的細(xì)胞在激光的照射下，產(chǎn)生散射光和激發(fā)熒光，這兩種信號分別被前向光電二極管和90°方向的光電倍增管接收；所述90°方向是指激光在照射到樣品流上后，產(chǎn)生激發(fā)熒光，激發(fā)熒光與入射激光的方向垂直同時與樣品流的流動方向垂直；光散射信號在前向小角度進(jìn)行檢測，這種信號基本上反映了細(xì)胞體積的大??；熒光信號與光電倍增管之間還設(shè)有一系列雙色性反射鏡和帶通濾光片；熒光信號經(jīng)過一系列雙色性反射鏡和帶通濾光片的分離，形成多個不同波長的熒光信號。這些熒光信號的強(qiáng)度代表了所測細(xì) 胞膜表面抗原的強(qiáng)度或其核內(nèi)物質(zhì)的濃度，經(jīng)光電倍增管接收后可轉(zhuǎn)換為電信號，再通過模/數(shù)轉(zhuǎn)換器，將連續(xù)的電信號轉(zhuǎn)換為可被計算機(jī)識別的數(shù)字信號。計算機(jī)通過專門的軟件對所測量到的各種信號進(jìn)行處理，并將分析結(jié)果顯示在計算機(jī)屏幕上，也可以打印出來，還可以數(shù)據(jù)文件的形式存儲在硬盤上以備日后的查詢或進(jìn)一步分析。
以上所述的流式細(xì)胞儀廣泛應(yīng)用于細(xì)胞動力學(xué)功能研究、環(huán)境微生物分析、流式細(xì)胞術(shù)與分子生物學(xué)研究等的科學(xué)研究，同時也應(yīng)用于腫瘤學(xué)、血液學(xué)、免疫學(xué)等中的臨床應(yīng)用中。但是，現(xiàn)在市場上的傳統(tǒng)的血細(xì)胞儀大多體積龐大、價格昂貴，特別是使用中每個被測試的細(xì)胞樣本均通過同一個流動室及檢測通道，導(dǎo)致互染率高，檢測結(jié)果不夠準(zhǔn)確，每次檢測完畢后必須進(jìn)行相關(guān)醫(yī)學(xué)處理，費(fèi)時費(fèi)力，影響檢測的效率。
近年來發(fā)展起來的微流控芯片制造技術(shù)由于具有體積小、試樣及試劑消耗少、散熱性好、靈活方便等優(yōu)點(diǎn)，受到了分析化學(xué)界的重視，并取得了很多有意義的研究成果。但迄今關(guān)于它的研究主要集中于毛細(xì)管電泳、毛細(xì)管凝膠電泳、膠束電動色譜及PCR檢測等分離分析方面。微流控芯片的設(shè)計和研制也主要針對樣品引入、分離以及柱前及柱后反應(yīng)等方面；制作中多利用高分子聚合物的光刻、模塑等工藝形成三維空間的流體通道以滿足分析檢測的要求。而對于細(xì)胞及其它微粒物質(zhì)在微芯片上的計數(shù)及分選的研究卻未得到應(yīng)有的重視，研究成果也十分有限。相關(guān)的制作工藝還達(dá)不到生物細(xì)胞檢測的要求。
本發(fā)明的目的在于解決傳統(tǒng)的流動細(xì)胞儀體積龐大、價格昂貴、互染率高，以及在檢測之前還需對樣本使用另外裝置進(jìn)行特殊預(yù)處理的技術(shù)問題，通過采用微流控芯片制造技術(shù)，制造一種集成有樣本預(yù)處理單元的體積小巧、成本低廉、且不存在相互感染的高效的細(xì)胞檢測裝置。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決目前傳統(tǒng)的血細(xì)胞儀大多體積龐大、價格昂貴、樣本預(yù)處理過程繁瑣，特別是互染率高的技術(shù)問題，提供一種微流式細(xì)胞儀及制作方法。
本發(fā)明所述的微流式細(xì)胞儀是采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種微流體細(xì)胞儀，包括微流體芯片，所述微流體芯片包括由聚二甲基硅氧烷制成的底板以及與底板相配合的由聚二甲基硅氧烷制成的蓋片；底板的表面開有微流體溝道；所述微流體溝道包括縱向設(shè)置的樣本通道，樣本通道的兩側(cè)以樣本通道的縱向中心線為對稱軸分別設(shè)有一個鞘流儲液池；樣本通道的兩側(cè)以樣本通道的縱向中心線為對稱軸還分別設(shè)有一個鞘流通道；所述兩個鞘流通道各通過一端和與其同側(cè)的鞘流儲液池相連接；兩個鞘流通道的另一端與樣本通道的輸出端共同連接有聚焦檢測通道；所述聚焦檢測通道與樣本通道處于同一直線上；聚焦檢測通道的橫截面尺寸與包繞待測細(xì)胞液的鞘流及細(xì)胞液所形成的流束的橫截面直徑相配合，以使進(jìn)入聚焦檢測通道的待檢樣品中的細(xì)胞全部為單行排列且被鞘液所包繞；所述鞘流通道與樣本通道所成角度為3(Γ45° ;聚焦檢測通道不與樣本通道連接的一端設(shè)有出口 ；底板通過上表面與蓋片鍵合；所述蓋片的下部與樣本通道相對應(yīng)的位置還設(shè)有微柱陣列，所述微柱陣列包括若干個平行排列、相互間距一定且與樣本通道底面垂直的柱體；微柱陣列的排列方向與樣本通道縱向中心線相垂直；所述最外側(cè)的柱體與樣本通道的側(cè)壁的間距不大于相鄰柱體之間的間距。
聚二甲基娃氧燒(Polydimethylsiloxane,簡稱PDMS)是一種高分子有機(jī)娃化合物，通常被稱為有機(jī)硅。是一種非易燃性、透明彈性體。二甲基硅氧烷的制程簡便且快速， 材料成本遠(yuǎn)低于硅晶圓，且其透光性良好、生物相容性佳、易與多種材質(zhì)室溫接合、以及因?yàn)榈蜅钍夏Ａ?Young，s modulus)導(dǎo)致的結(jié)構(gòu)高彈性(structural flexibility)等特點(diǎn)， 廣泛運(yùn)用在生物微機(jī)電中的微流道系統(tǒng)、填縫劑、潤滑劑、隱形眼鏡。聚二甲基硅氧烷在液態(tài)時為一種黏稠液體，稱做硅油，是一種具有不同聚合度鏈狀結(jié)構(gòu)的有機(jī)硅氧烷混合物；在固態(tài)時為一種硅膠。實(shí)驗(yàn)室中通常用主劑與固化劑以一定比例(10:1、20:1或者根據(jù)具體要求的其它比例)混合均勻后，利用抽真空的方式使混合液中的氣泡浮至表面并破裂，再在一定溫度下烘烤一定時間后使其固化，主劑和固化劑的比例、加熱溫度、加熱時間等參數(shù)的不同將會制作出不同硬度的PDMS。
鞘流儲液池內(nèi)預(yù)先灌注有磷酸緩沖液；工作時，首先將待測樣品經(jīng)熒光染色后制成單細(xì)胞懸液，然后通過壓力將待測樣品壓入樣本通道，一般使用注射器穿過蓋片將由待測樣品制得的單細(xì)胞懸液注射至樣本通道。通過對蓋片上方與兩個鞘流儲液池相對應(yīng)的位置施加壓力，鞘流儲液池中的磷酸緩沖液在外界壓力的作用下從鞘流儲液池中流出；鞘流儲液池及鞘流通道對稱排列在樣本通道的兩側(cè)，鞘流通道入口方向與待測樣品流所成角度為3(Γ45°，這些設(shè)計能夠保證鞘液包繞著單細(xì)胞懸液高速流動，組成一個截面呈圓形的流束；所述待測樣品在鞘液的包圍下進(jìn)入聚焦檢測溝道，由于不同種類的細(xì)胞大小不一致，所以在進(jìn)行檢測時，需要根據(jù)待檢測的細(xì)胞大小來選擇相應(yīng)的微流體芯片；由于聚焦檢測通道的橫截面尺寸與包繞待測細(xì)胞液的鞘流及細(xì)胞液所形成的流束的橫截面直徑相配合，以使進(jìn)入聚焦檢測通道的待檢樣品中的細(xì)胞全部為單行排列且被鞘液所包繞(聚焦檢測通道橫截面的尺寸不能太大，以保證進(jìn)入聚焦檢測通道的細(xì)胞在鞘液的包裹下呈單行排列； 同時聚焦檢測通道的橫截面的尺寸也不能太小，應(yīng)該保證單行排列的細(xì)胞在進(jìn)入聚焦檢測通道以后四周被鞘液所包圍；達(dá)到上述條件以后，所述的流束方能滿足檢測要求)；通過在特定位置設(shè)置相應(yīng)的光學(xué)檢測器件，即可得到待檢測樣品的相關(guān)信息。被鞘液包繞的樣品由聚焦檢測通道的出口流出。
本發(fā)明所設(shè)置的微柱陣列能夠?qū)Υ郎y細(xì)胞液進(jìn)行預(yù)濃縮處理。檢測前要對待測細(xì)胞液進(jìn)行濃縮，以滿足檢測時對待測細(xì)胞液濃度的要求；微柱陣列的排列方向與樣本通道縱向中心線相垂直，微柱陣列的設(shè)置，可以在樣本通道內(nèi)對待測樣本進(jìn)行濃縮；微柱陣列各個柱體之間的間隙可依待檢測的細(xì)胞的大小來制作，需要檢測某種細(xì)胞，就選用適合于這種細(xì)胞的微流體芯片；使用時是通過外部壓力使蓋片上方與微柱陣列相對應(yīng)的位置下移， 使微柱陣列與樣本通道的底面接觸，樣品通道就形成一端有梳狀柱體的腔室，柱體擋住待檢測顆粒，被擋住的細(xì)胞就逐漸聚集起來，而液體則流走。外力撤去后，這些被聚集的細(xì)胞顆粒被后續(xù)注入到樣本流中的稀釋液帶走并流過樣本通道，完成濃縮，并在兩邊鞘流的作用下，在聚焦檢測通道中排成單行隊(duì)列，依次通過聚焦檢測通道。圖4a為未施加外力時的微柱陣列，圖4b顯示微柱陣列下移，擋住待測細(xì)胞，而液體可以流過，箭頭所指方向?yàn)闃悠妨鞯牧鲃臃较?；圖4c顯示微柱陣列前富集了眾多的待測細(xì)胞；圖4d顯示微柱陣列上移，聚集的細(xì)胞被后續(xù)注入的稀釋液帶走完成濃縮。所述最外側(cè)的柱體與樣本通道的側(cè)壁的間距不大于相鄰柱體之間的間距，是為了確保待測樣品在進(jìn)行濃縮時，細(xì)胞不至于從最外側(cè)的柱體與樣本通道的側(cè)壁之間的間隙進(jìn)入聚焦檢測通道。
目前常用的流動細(xì)胞儀不能對待測細(xì)胞液進(jìn)行濃縮處理，需要將待測細(xì)胞液預(yù)先濃縮處理后再進(jìn)行檢測，操作較為 繁瑣。而本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了在微流體芯片內(nèi)對待測細(xì)胞液進(jìn)行濃縮的過程，且實(shí)現(xiàn)方法簡單巧妙，且?guī)缀醪辉黾由a(chǎn)成本。
針對每個待檢測的細(xì)胞樣品，使用一個微流體細(xì)胞儀，避免了過去傳統(tǒng)的流式細(xì)胞儀容易出現(xiàn)的相互感染的技術(shù)問題，檢測結(jié)果更加準(zhǔn)確可靠；本發(fā)明將待檢測液與緩沖液的匯合過程集約在一個很小的生物芯片上完成，整體呈微型化，成本低廉，攜帶使用都非常方便。
使用中保持微柱陣列一直處于與樣品通道底面接觸的位置，還可以阻止直徑大于待檢測細(xì)胞的雜質(zhì)細(xì)胞進(jìn)入到聚焦檢測通道，進(jìn)一步保證檢測結(jié)果的精確度。
本發(fā)明所述的微流體細(xì)胞儀的制作方法是采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種微流體細(xì)胞儀的制作方法，所述的聚二甲基硅氧烷簡稱為PDMS ;包括以下步驟第一部分微流體溝道的制作；步驟1:對硅片表面進(jìn)行預(yù)處理；步驟2 :在硅片上甩第一層膠SU-8 100，甩膠機(jī)轉(zhuǎn)速為53(T550rpm，得到590 610 μ m的光刻膠層；步驟3 :前烘；將表面附著有光刻膠層的硅片放在烘箱里進(jìn)行烘烤，首先由室溫緩慢升溫至6(T68°C，在此溫度范圍內(nèi)保持15 17min，然后加熱至9(T95°C，在此溫度范圍內(nèi)保持 5(T65min ;最后降溫至60 68°C，然后再降溫到20 25°C ；步驟4 :曝光JiSU-S光刻膠層執(zhí)行紫外光斜曝光，曝光時采用與斜面相配合的掩膜板進(jìn)行掩膜，所用紫外光與硅片所成角度為3(Γ45°，曝光過程要充分，得到與斜面位置對應(yīng)的隱斜面；步驟5 :后烘；將已斜曝光的光刻膠層放在烘箱內(nèi)加熱，由室溫升溫至6(T70°C，在此溫度范圍內(nèi)保持2(T25min，再升溫至9(T98°C，在此溫度范圍保持4(T45min，最后降溫至 60 65°C，再降溫到20 25°C ；步驟6 :甩第二層膠；旋涂SU-8 100膠，速度為149(Tl520rpm，獲得第二層795 810 μ m 厚的第二光刻膠層；步驟7 :二次前烘；首先由2(T25°C升溫至6(T66°C，在此溫度范圍內(nèi)保持15 17min， 然后加熱至9(T98°C，在此溫度范圍保持85 lOOmin，最后再降溫至6(T68°C，然后再降溫到 20^25 0C ；步驟8 :垂直曝光；在第二光刻膠層上放置與微流體溝道相配合的第二掩模板，第二掩模板的放置位置與隱斜面的位置相配合，從而形成樣本預(yù)處理區(qū)域與緩沖區(qū)域之間的斜面，然后進(jìn)行垂直曝光，曝光出底板上所有的SU-8邊墻；所述邊墻即微流體溝道的側(cè)壁；曝光過程要充分；步驟9 :后烘；在烘箱上加熱，由2(T25°C升溫至6(T68°C，在此溫度范圍內(nèi)保持 8 lOmin，然后升溫至90 95°C，并保持5(T60min，最后降溫至60 68°C，再降溫到20 25°C ； 步驟10 :顯影；用SU-8顯影液顯影，并用異丙醇和去離子水清洗，空氣中干燥；得到 SU-8制作的微流體溝道；步驟11 :配制PDMS，按照預(yù)聚物固化劑=10 1比例配置PDMS，并抽真空； 步驟12 :倒出微流體溝道的負(fù)模；將制作好的SU-8的微流體溝道上澆注配置好的 PDMS，抽真空，加熱至60 65°C，并保存ll(Tl30min，PDMS固化后，將PDMS從SU-8結(jié)構(gòu)上剝離，形成原結(jié)構(gòu)的反模，即微流體溝道的負(fù)模；步驟13 :倒出PDMS正模，得到與SU-8模具一致的PDMS微流體溝道；對PDMS負(fù)模表面進(jìn)行清潔處理后，澆注已配置好的PDMS，抽真空，加熱至6(T70°C，并保存ll(Tl30min，PDMS 固化后，將PDMS從PDMS負(fù)模上剝離，得到PDMS的正模；以上所有步驟中的升降溫速度均為8 1(TC /min ;曝光所用紫外光波長為30(T400nm ； 第二部分微流體芯片的蓋片制作；步驟1:對硅片的預(yù)處理；步驟2 :甩膠；在硅片上甩膠SU-8 100，轉(zhuǎn)速為169(Tl720rpm，得到95 105 μ m的光刻膠層；步驟3 :前烘；把表面附著有第三光刻膠層的硅片放在烘箱里進(jìn)行烘烤，首先由室溫緩慢升溫至6(T68°C，在此溫度范圍內(nèi)保持15 17min，然后加熱至9(T98°C，在此溫度范圍內(nèi)保持15 20min，最后降溫至60 65°C，再降溫到20 25°C ；步驟4 :垂直曝光；在前烘好的硅片上垂直曝光，得到用于樣本濃縮預(yù)處理的微柱陣列；曝光過程要充分；步驟5 :后烘；在烘箱上加熱，由室溫升溫至6(T68°C，在此溫度范圍內(nèi)保持15 17min， 然后加熱至9(T98°C，在此溫度范圍內(nèi)保持15 20min，最后降溫至6(T65°C，再降溫到 20^25 0C ；步驟6 :顯影；用SU-8顯影液顯影，用異丙醇和去離子水清洗，空氣中干燥；步驟7 :配制PDMS，按照預(yù)聚物固化劑=10 1比例配置PDMS，并抽真空；步驟8 :倒模；將配制好的PDMS澆注在SU-8模具上，脫模，得到帶有微柱狀陣列的PDMS蓋片； 上述所有步驟中的升降溫速度均為8 10°C /min ;曝光所用紫外光波長為30(T400nm ； 第三部分鍵合，得到微流體芯片；將PDMS制成的與底板相配合的蓋片在顯微鏡下對準(zhǔn)底板后，將其蓋合，并采用 63飛5° C真空加熱2 3小時后，得到不可逆鍵合。
SU-8膠為微光刻領(lǐng)域最常見的用于制模的一種膠，其專門用于在非常厚的底層上光刻出具有高深寬比的微結(jié)構(gòu)。此光刻膠在近紫外光范圍內(nèi)光吸收率低，這使得它在整個光刻膠厚度上都有較好的曝光均勻性。即使膜厚達(dá)ΙΟΟΟμπι，所得到的圖形邊緣仍近乎垂直，深寬比可達(dá)50:1。
對SU-8膠進(jìn)行的甩膠是通過甩膠機(jī)來實(shí)現(xiàn)的；甩膠機(jī)是指利用旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生離心力的原理，將膠液均勻甩開，平鋪到材料表面的一種機(jī)械裝置。由于PDMS材料的性質(zhì)不適合直接加工成底板和蓋片，因此需要先采用SU-8膠制出底板和蓋片的模型，再通過相關(guān)工藝制作出微流體溝道的PDMS負(fù)模，并進(jìn)一步制作出PDMS的正模。所述的硅片表面預(yù)處理、 甩膠、前烘、曝光、后烘、顯影、倒模、鍵合等工藝均為本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知技術(shù)，是易于實(shí)現(xiàn)的；所述的充分曝光是指曝光后的SU-8膠在顯影后被曝光部分能夠全部留下，而未曝光部分則被去除；所述隱斜面是指在顯影后能夠形成斜面的光 刻膠層部分；本發(fā)明所采用的 PDMS是由美國Dow Corning Corp生產(chǎn)的SYLGARD 184型硅橡膠，它是由液體組分組成的雙組分套件產(chǎn)品，包括預(yù)聚物與固化劑；使用時，按照預(yù)聚物固化劑為10:1的比例配制好 PDMS液體，然后將其傾倒在SU-8膠制成的微流體溝道上，倒出負(fù)模，然后再倒出正模。
采用本發(fā)明公開的工藝可以制作出各項(xiàng)性能指標(biāo)均符合醫(yī)學(xué)檢測標(biāo)準(zhǔn)的微流體細(xì)胞儀。
在進(jìn)行第二層甩膠時，由硅片表面到光刻膠層的表面的垂直高度為795 810μπι ; 圖5 圖10為整個微流體芯片的制作流程圖。圖5為傾斜曝光的示意圖，經(jīng)過傾斜曝光后， 斜面的形狀已經(jīng)確定；圖7為垂直曝光，經(jīng)過垂直曝光后就獲得了微流體溝道的全部結(jié)構(gòu)； 垂直曝光時，先前已經(jīng)制出的斜面由于已經(jīng)進(jìn)過顯影而固化，不會再受到曝光的影響，因此斜面仍然保持原先的結(jié)構(gòu)，并與垂直曝光后的結(jié)構(gòu)一同形成微流體溝道。圖8為得到全部微流體溝道的底板結(jié)構(gòu)示意圖，圖9為蓋片的結(jié)構(gòu)示意圖，圖10為整個微流體芯片裝配后的結(jié)構(gòu)示意圖。
本發(fā)明所述方法在現(xiàn)有光刻技術(shù)的基礎(chǔ)上制作出了符合相關(guān)檢測要求的微流體芯片，制作出的芯片經(jīng)檢測能夠很好的完成細(xì)胞檢測的工作要求，實(shí)現(xiàn)了流式細(xì)胞以的微型化，從根本上避免了檢測過程中待測樣品的相互感染。


圖1微流體芯片的用于檢測時的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2微流體芯片的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3微流體芯片的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4微流體芯片中使用微柱陣列進(jìn)行樣本預(yù)處理的原理圖。圖a為樣本流通道微柱陣列的截面圖，圖b為微柱陣列受到擠壓后，開始截斷符合要求的樣本的直視圖，圖c為富集了相當(dāng)多的符合要求的樣本，圖d為松開微柱陣列，樣本通過樣本通道。
圖5傾斜曝光，制作出斜面的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6斜面的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7垂直曝光結(jié)構(gòu)示意圖。
圖8負(fù)膠垂直曝光后得到全部微流體溝道的底板結(jié)構(gòu)示意圖。
圖9帶有微柱陣列的PDMS蓋板結(jié)構(gòu)示意圖。
圖10整個微流體芯片裝配后的結(jié)構(gòu)示意圖。
1-鞘流儲液池，2-樣本通道，3-微柱陣列，4-鞘流通道，5-斜面，6_聚焦檢測通道；7_激光光源，8-電機(jī)，9-輸送軟管，10-電磁器件，11-注射泵，12-底板，13-蓋片，14-聚焦透鏡，15-目鏡鏡頭，16-濾光片，17-電荷耦合器件，18-計算機(jī)系統(tǒng)，19 -硅片，20-光刻膠層，21-掩模板，22-第二掩膜板，23-第二光刻膠層。
具體實(shí)施方式
一種微流體細(xì)胞儀，包括微流體芯片，所述微流體芯片包括由聚二甲基硅氧烷制成的底板12以及與底板12相配合的由聚二甲基硅氧烷制成的蓋片13 ;底板12的表面開有微流體溝道；所述微流體溝道包括縱向設(shè)置的樣本通道2，樣本通道2的兩側(cè)以樣本通道 2的縱向中心線為對稱軸分別設(shè)有一個鞘流儲液池I ;樣本通道2的兩側(cè)以樣本通道2的縱向中心線為對稱軸還分別設(shè)有一個鞘流通道4 ;所述兩個鞘流通道4各通過一端和與其同側(cè)的鞘流儲液池I相連接；兩個鞘流通道4的另一端與樣本通道2的輸出端共同連接有聚焦檢測通道6 ;所述聚焦檢測通道6與樣本通道2處于同一直線上；聚焦檢測通道6的橫截面尺寸與包繞待測細(xì)胞液的鞘流及細(xì)胞液所形成的流束的橫截面直徑相配合，以使進(jìn)入聚焦檢測通道6的待檢樣品中的細(xì)胞全部為單行排列且被鞘液所包繞；所述鞘流通道4與樣本通道2所成角度為3(Γ45° (可選擇30°、35°、40°、45° );聚焦檢測通道6不與樣本通道2連接的一端設(shè)有出口 ；底板12通過上表面與蓋片13鍵合；所述蓋片13的下部與樣本通道2相對應(yīng)的位置還設(shè)有微柱陣列3，所述微柱陣列3包括若干個平行排列、相互間距一定且與樣本通道2底面垂直的柱體；微柱陣列3的排列方向與樣本通道2縱向中心線相垂直；所述最外側(cè)的柱體與樣本通道2的側(cè)壁的間距不大于相鄰柱體之間的間距。
所述樣本通道2包括順次連接的樣本預(yù)處理區(qū)域和緩沖區(qū)域；緩沖區(qū)域的一端與樣本預(yù)處理區(qū)域相連接，緩沖區(qū)域的另一端與聚焦檢測通道6相連接；所述緩沖區(qū)域高于樣本預(yù)處理區(qū)域，聚焦檢測通道6與緩沖區(qū)域位于同一高度；緩沖區(qū)域與樣本預(yù)處理區(qū)域相連接的部位呈一個斜面5;所述斜面5與底板12底面所成角度為3(Γ45° (可選擇30°、 35°、40°、45° )。緩沖區(qū)域與樣本預(yù)處理區(qū)域之間的斜面能夠使樣品流及鞘液在流動中的速度相對較緩慢，更易于控制；緩沖區(qū)域高于樣本預(yù)處理區(qū)域，這樣可以防止待測樣品還未經(jīng)過濃縮以及被鞘液包繞就進(jìn)入聚焦檢測通道，影響檢測結(jié)果。
還包括一個帶有可開合蓋子的外殼，外殼內(nèi)底面上設(shè)有微位移平臺，所述微流體芯片設(shè)置在微位移平臺上；外殼內(nèi)還設(shè)有激光光源7，所述激光光源7位于微流體芯片的聚焦檢測通道6的正上方，激光光源7與聚焦檢測通道6之間還設(shè)有位于激光光源出射光路上的聚焦透鏡14;外殼內(nèi)與出射光路呈90°角的位置設(shè)有目鏡鏡頭15，所述的目鏡鏡頭15 后部設(shè)有濾光片16，濾光片16的后部設(shè)有電荷耦合元件17 ;電荷耦合元件17連接有計算機(jī)系統(tǒng)18 ;外殼內(nèi)部靠近聚焦檢測通道6的前端還設(shè)有光電探頭；光電探頭與計算機(jī)系統(tǒng)相連接；蓋片13的上部與鞘流儲液池I及微柱陣列3相對應(yīng)的位置上方均設(shè)有由電機(jī)8驅(qū)動的電磁器件10 ;所述電機(jī)8設(shè)在外殼的內(nèi)部；外殼的外表面設(shè)有與計算機(jī)系統(tǒng)18相連接的顯示屏；外殼表面設(shè)有外接電源插口 ；所述激光光源7、電荷耦合器件17、計算機(jī)系統(tǒng)18、 電機(jī)8、顯示屏和光電探頭均與外接電源插口連接。
一種微流體細(xì)胞儀的制作方法，所述的聚二甲基硅氧烷簡稱為PDMS ;包括以下步驟第一部分微流體溝道的制作；步驟1:對硅片19表面進(jìn)行預(yù)處理；步驟2 :在硅片19上甩第一層膠SU-8 100，甩膠機(jī)轉(zhuǎn)速為53(T550rpm(可選用530 rpm、 535 rpm、540 rpm、545 rpm、550 rpm),得到 590 610 μ m (可選擇 590 μ m、595 μ m、600 μ m、 605 μ m、610 μ m)的光刻膠層；步驟3 :前烘；將表面附著有光刻膠層20的硅片19放在烘箱里進(jìn)行烘烤，首先由室溫緩慢升溫至60 68°C (可選擇60°C、62°C、64°C、66°C、68°C)，在此溫度范圍內(nèi)保持15 17min (可選擇 15 min、16 min、17 min)，然后加熱至 90 95°C (可選擇 90°C、91°C、92°C、93°C、 94°C、95°C)，在此溫度范圍內(nèi)保持 50 65min (可選擇 50 min,55 min,60 min,65 min);最后降溫至60 68°C (可選擇601、621、641、661、68°0，然后再降溫到20 25°C (可選擇 20。。、21。。、22。。、23。。、24。。、25。0 ；步驟4 :曝光；對SU-8光刻膠層執(zhí)行紫外光斜曝光，曝光時采用與斜面5相配合的掩膜板21進(jìn)行掩膜，所用紫外光與硅片19所成角度為3(Γ45° (可選擇30°、35°、40°、45° )， 曝光過程要充分，得到與斜面5位置對應(yīng)的隱斜面；步驟5 :后烘；將已斜曝光的光刻膠層20放在烘箱內(nèi)加熱，由室溫升溫至6(T70°C (可選擇 60°C、62°C、64°C、66 V、68°C、70°C )，在此溫度范圍內(nèi)保持 20 25min(可選擇 20 min,21 min,22 min,23 min,24 min,25 min)，再升溫至 90 98°C (可選擇 90°C、92°C、94°C、96°C、 98°C ),在此溫度范圍保持 40 45min (可選擇 40 min、41 min、42 min、43 min、44 min、45 min)，最后降溫至 60 65 V (可選擇 60°C、61°C、62°C、63°C、64°C、65°C )，再降溫到 20 25°C (可選擇 20°C、21°C、22°C、23°C、24°C、25°C);得到斜面 5 ；步驟6 :甩第二層膠；旋涂SU-8 100膠，速度為149(Tl520rpm (可選擇1490 rpm、1495 rpm> 1500 rpm> 1505 rpm> 1510 rpm> 1515 rpm> 1520 rpm),獲得第二層 795 810 μ m(可選擇 795 μ m、800 μ m、805 μ m、810 μ m)厚的第二光刻膠層 23 ； 步驟7 :二次前烘；首先由20 25°C (可選擇201、211、221、231、241、25°0升溫至 60^660C (可選擇60°〇、621、641、66°0，在此溫度范圍內(nèi)保持15 171^11 (可選擇15 min、 16 min、17 min)，然后加熱至 90 98°C (可選擇 90°C、92°C、94°C、96°C、98°C )，在此溫度范圍保持85 IOOmin (可選擇85 min、90 min、95 min、100 min),最后再降溫至60 68°C (可選擇 60 °C、62 °C、64°C、66 °C、68 °C )，然后再降溫到 20 25 °C (可選擇 20 °C、21 °C、22 °C、23 °C、 24°C>25°C)；步驟8 :垂直曝光；在第二光刻膠層23上放置與微流體溝道相配合的第二掩模板22， 第二掩模板22的放置位置與隱斜面的位置相配合，從而形成樣本預(yù)處理區(qū)域與緩沖區(qū)域之間的斜面，然后進(jìn)行垂直曝光，曝光出底板12上所有的SU-8邊墻；所述邊墻即微流體溝道的側(cè)壁；曝光過程要充分；步驟9 :后烘；在烘箱上加熱，由20 25°C (可選擇20°C、21°C、22°C、23°C、24°C、25°C) 升溫至60 68 V (可選擇60°C、62°C、64°C、66°C、68°C )，在此溫度范圍內(nèi)保持8 IOmin (可選擇 8 min,9 min、10 min)，然后升溫至 90 95°C (可選擇 90°C、91°C、92°C、93°C、94°C、 95°C ),并保持 50 60min (可選擇 50 min、52 min、54 min、56 min、58 min、60 min),最后降溫至 60 68V(可選擇 60°C、62°C、64°C、66°C、68°C )，再降溫到 20 25°C(可選擇 20°C、21°C、 22。。、23。。、24。。、25。。)；步驟10 :顯影；用SU-8顯影液顯影，并用異丙醇和去離子水清洗，空氣中干燥；得到 SU-8制作的微流體溝道；步驟11 :配制PDMS，按照預(yù)聚物固化劑=10 1比例配置PDMS，并抽真空；步驟12 :倒出微流體溝道的負(fù)模；將制作好的SU-8的微流體溝道上澆注配置好的 PDMS，抽真空，加熱至 60 65°C (可選擇 60°C、61 °C、62 °C、63 °C、64 °C、65 °C )，并保存 ll(Tl30min (可選擇 110 min、120 min、130 min), PDMS 固化后，將 PDMS 從 SU-8 結(jié)構(gòu)上剝離，形成原結(jié)構(gòu)的反模，即微流體溝道的負(fù)模；步驟13 :倒出PDMS正模，得到與SU-8模具一致的PDMS微流體溝道；對PDMS負(fù)模進(jìn)行表面處理后，澆注已 配置好的PDMS，抽真空，加熱至6(T70°C (可選擇60°C、62°C、64°C、 66°C、68°C、70°C)，并保存 110 130min (可選擇 110 min、120 min、130 min)，PDMS 固化后， 將PDMS從PDMS負(fù)模上剝離，得到I3DMS的正模；以上所有步驟中的升降溫速度均為8 10°C /min (可選擇8°C /min,9°C /min、10°C / min);曝光所用紫外光波長為 300 400nm (可選擇 300 nm、320 nm、340 nm、360 nm、380 nm、 400 nm)；第二部分微流體芯片的蓋片制作；步驟1:對硅片的預(yù)處理；步驟2 :甩膠；在硅片上甩膠SU-8 100，轉(zhuǎn)速為169(Tl720rpm (可選擇1690 rpm、1700 rpm、1710 rpm、1720rpm)，得到 95 105 μ m (可選擇 95 μ m、100 μ m、105 μ m)的第三光刻膠層；步驟3 :前烘；把表面附著有第三光刻膠層的硅片放在烘箱里進(jìn)行烘烤，首先由室溫緩慢升溫至60 68V(可選擇60°C、62°C、64°C、66°C、68°C )，在此溫度范圍內(nèi)保持15 17min(可選擇 15 min、16 min、17 min)，然后加熱至 90 98°C (可選擇 90°C、92°C、94°C、96°C、98°C )， 在此溫度范圍內(nèi)保持 15 20min (可選擇 15 min、16 min、17 min、18 min、19 min、20 min), 最后降溫至60 65°C (可選擇60°C、61°C、62°C、63°C、64°C、65°C)，再降溫到20 25°C (可選擇 20。。、21。。、22。。、23。。、24。。、25。0 ；步驟4 :垂直曝光；在前烘好的表面附著有第三光刻膠層的硅片上垂直曝光，得到用于樣本濃縮預(yù)處理的微柱陣列；曝光過程要充分；步驟5 :后烘；在烘箱上加熱，由室溫升溫至6(T68°C (可選擇60°C、62°C、64°C、66°C、 68°C)，在此溫度范圍內(nèi)保持15 17min (可選擇)，然后加熱至9(T98°C (可選擇90°C、92°C、 94°C、96°C、98°C ),在此溫度范圍內(nèi)保持 15 20min(可選擇 15 min、16 min、17 min、18 min、 19 min,20 min)，最后降溫至 60 65°C (可選擇 60°C、61°C、62°C、63°C、64°C、65°C )，再降溫 到 20 25°C (可選擇 20°C、21°C、22°C、23°C、24°C、25°C)；步驟6 :顯影；用SU-8顯影液顯影，用異丙醇和去離子水清洗，空氣中干燥；步驟7 :配制PDMS，按照預(yù)聚物固化劑=10 1比例配置PDMS，并抽真空；步驟8 :倒模；將配制好的PDMS澆注在SU-8模具上，脫模，得到帶有微柱狀陣列的PDMS蓋片13 ； 上述所有步驟中的升降溫速度均為8 10°C /min (可選擇8°C /min、9°C /min、10°C / min);曝光所用紫外光波長為 300 400nm (可選擇 300 nm、320 nm、340 nm、360 nm、380 nm、 400 nm)；第三部分鍵合，得到微流體芯片；將PDMS制成的與底板12相配合的蓋片13在顯微鏡下對準(zhǔn)底板12后，將其蓋合，并采 用63飛5°C (可選擇601、611、621、631、641、65°0真空加熱2 3小時(可選擇2小時、 2. 5小時、3小時)后，得到不可逆鍵合。
向樣本通道內(nèi)注射待測樣品時，可以采用注射泵11進(jìn)行注射，注射泵11通過輸送 軟管9將待測樣品注射入樣本通道2。
斜面5的設(shè)置可以減緩待檢測樣本的流速，從而保證待檢測細(xì)胞在進(jìn)入聚焦檢測 溝道6時細(xì)胞間排列的更加均勻，使得檢測結(jié)果更為準(zhǔn)確可靠。
將微流體細(xì)胞儀以及相關(guān)檢測裝置設(shè)置在一個外殼內(nèi)，使整個檢測裝置儀器化， 小型化；方便攜帶；外殼的表面設(shè)有用于控制計算機(jī)系統(tǒng)18、電機(jī)8、電荷耦合器件17、激光 光源7、顯示屏的開關(guān)或按鈕；外殼插頭與外部電源接通后，整個裝置就可以工作；微流體 芯片檢測結(jié)束后，可以取出換一個新的芯片；電機(jī)驅(qū)動電磁器件上下運(yùn)動，以實(shí)現(xiàn)對鞘流儲 液池I以及樣本通道2的壓力；計算機(jī)系統(tǒng)采用相應(yīng)的軟件對微流體芯片內(nèi)的待檢測樣本 進(jìn)行檢測，所述相應(yīng)軟件是現(xiàn)有公知技術(shù)，是易于編寫的。
權(quán)利要求
1.一種微流體細(xì)胞儀，其特征在于，包括微流體芯片，所述微流體芯片包括由聚二甲基硅氧烷制成的底板(12)以及與底板(12)相配合的由聚二甲基硅氧烷制成的蓋片(13);底板(12)的表面開有微流體溝道；所述微流體溝道包括縱向設(shè)置的樣本通道(2)，樣本通道(2)的兩側(cè)以樣本通道(2)的縱向中心線為對稱軸分別設(shè)有一個鞘流儲液池(I);樣本通道(2)的兩側(cè)以樣本通道(2)的縱向中心線為對稱軸還分別設(shè)有一個鞘流通道(4);所述兩個鞘流通道(4)各通過一端和與其同側(cè)的鞘流儲液池(I)相連接；兩個鞘流通道(4)的另一端與樣本通道(2)的輸出端共同連接有聚焦檢測通道(6);所述聚焦檢測通道(6)與樣本通道(2)處于同一直線上；聚焦檢測通道(6)的橫截面尺寸與包繞待測細(xì)胞液的鞘流及細(xì)胞液所形成的流束的橫截面直徑相配合，以使進(jìn)入聚焦檢測通道(6)的待檢樣品中的細(xì)胞全部為單行排列且被鞘液所包繞；所述鞘流通道(4)與樣本通道(2)所成角度為3(Γ45° ;聚焦檢測通道(6)不與樣本通道(2)連接的一端設(shè)有出口 ；底板(12)通過上表面與蓋片(13)鍵合；所述蓋片(13)的下部與樣本通道(2)相對應(yīng)的位置還設(shè)有微柱陣列(3)，所述微柱陣列(3)包括若干個平行排列、相互間距一定且與樣本通道(2)底面垂直的柱體；微柱陣列(3) 的排列方向與樣本通道(2)縱向中心線相垂直；所述微柱陣列(3)最外側(cè)的柱體與樣本通道(2)的側(cè)壁的間距不大于相鄰柱體之間的間距。
2.如權(quán)利要求1所述的微流體細(xì)胞儀，其特征在于，所述樣本通道(2)包括順次連接的樣本預(yù)處理區(qū)域和緩沖區(qū)域；緩沖區(qū)域的一端與樣本預(yù)處理區(qū)域相連接，緩沖區(qū)域的另一端與聚焦檢測通道(6)相連接；所述緩沖區(qū)域高于樣本預(yù)處理區(qū)域，聚焦檢測通道(6)與緩沖區(qū)域位于同一高度；緩沖區(qū)域與樣本預(yù)處理區(qū)域相連接的部位呈一個斜面(5);所述斜面 (5)與底板(12)底面所成角度為3(Γ45°。
3.如權(quán)利要求1或2所述的微流體細(xì)胞儀，其特征在于，還包括一個帶有可開合蓋子的外殼，外殼內(nèi)底面上設(shè)有微位移平臺，所述微流體芯片設(shè)置在微位移平臺上；外殼內(nèi)還設(shè)有激光光源(7)，所述激光光源(7)位于微流體芯片的聚焦檢測通道(6)的正上方，激光光源(7)與聚焦檢測通道(6)之間還設(shè)有位于激光光源(7)出射光路上的聚焦透鏡(14);外殼內(nèi)與出射光路呈90°角的位置設(shè)有目鏡鏡頭(15)，所述的目鏡鏡頭(15)后部設(shè)有濾光片(16)，濾光片(16)的后部設(shè)有電荷耦合元件(17);電荷耦合元件(17)連接有計算機(jī)系統(tǒng)(18);外殼內(nèi)部靠近聚焦檢測通道(6)的前端還設(shè)有光電探頭；光電探頭與計算機(jī)系統(tǒng)相連接；蓋片(13)的上部與鞘流儲液池(I)及微柱陣列(3)相對應(yīng)的位置上方均設(shè)有由電機(jī)(8)驅(qū)動的電磁器件(10);所述電機(jī)(8)設(shè)在外殼的內(nèi)部；外殼的外表面設(shè)有與計算機(jī)系統(tǒng)(18)相連接的顯示屏；外殼表面設(shè)有外接電源插口 ；所述激光光源(7)、電荷耦合器件 (17)、計算機(jī)系統(tǒng)(18)、電機(jī)(8)、顯示屏和光電探頭均與外接電源插口連接。
4.一種微流體細(xì)胞儀的制作方法，用于制作如權(quán)利要求2所述的微流體細(xì)胞儀；所述的聚二甲基硅氧烷簡稱為PDMS ;其特征在于，包括以下步驟第一部分微流體溝道的制作；步驟1:對硅片(19)表面進(jìn)行預(yù)處理；步驟2:在硅片(19)上甩第一層膠SU-8 100，甩膠機(jī)轉(zhuǎn)速為53(T550rpm，得到 59(Γ610μπι的光刻膠層(20)；步驟3 :前烘；將表面附著有光刻膠層(20)的硅片(19)放在烘箱里進(jìn)行烘烤，首先由室溫緩慢升溫至6(T68°C，在此溫度范圍內(nèi)保持15 17min，然后加熱至9(T95°C，在此溫度范圍內(nèi)保持5(T65min ;最后降溫至6(T68°C，然后再降溫到2(T25°C ；步驟4 :曝光；對SU-8光刻膠層(20)執(zhí)行紫外光斜曝光，曝光時采用與斜面(5)相配合的掩膜板(21)進(jìn)行掩膜，所用紫外光與硅片(19)所成角度為3(Γ45°，曝光過程要充分，得到與斜面(5)位置對應(yīng)的隱斜面；步驟5 :后烘；將已斜曝光的光刻膠層(20)放在烘箱內(nèi)加熱，由室溫升溫至6(T70°C，在此溫度范圍內(nèi)保持2(T25min，再升溫至9(T98°C，在此溫度范圍保持4(T45min，最后降溫至 60 65°C，再降溫到20 25°C ；步驟6 :甩第二層膠；旋涂SU-8 100膠，速度為149(Tl520rpm，獲得第二層795 810 μ m 厚的第二光刻膠層(23);步驟7 :二次前烘；首先由2(T25°C升溫至6(T66°C，在此溫度范圍內(nèi)保持15 17min， 然后加熱至9(T98°C，在此溫度范圍保持85 lOOmin，最后再降溫至6(T68°C，然后再降溫到 20^25 0C ；步驟8 :垂直曝光；在第二光刻膠層(23)上放置與微流體溝道相配合的第二掩模板 (22)，第二掩模板(22)的放置位置與隱斜面的位置相配合從而形成樣本預(yù)處理區(qū)域與緩沖區(qū)域之間的斜面，然后進(jìn)行垂直曝光，曝光出底板(12)上所有的SU-8邊墻；所述邊墻即微流體溝道的側(cè)壁；曝光過程要充分；步驟9 :后烘；在烘箱上加熱，由2(T25°C升溫至6(T68°C，在此溫度范圍內(nèi)保持 8 lOmin，然后升溫至90 95°C，并保持5(T60min，最后降溫至60 68°C，再降溫到20 25°C ； 步驟10 :顯影；用SU-8顯影液顯影，并用異丙醇和去離子水清洗，空氣中干燥；得到 SU-8制作的微流體溝道；步驟11 :配制PDMS，按照預(yù)聚物固化劑=10 1比例配置PDMS，并抽真空；步驟12 :倒出微流體溝道的負(fù)模；將制作好的SU-8的微流體溝道上澆注配置好的 PDMS，抽真空，加熱至60 65°C，并保存ll(Tl30min，PDMS固化后，將PDMS從SU-8結(jié)構(gòu)上剝離，形成原結(jié)構(gòu)的反模，即微流體溝道的負(fù)模；步驟13 :倒出PDMS正模，得到與SU-8模具一致的PDMS微流體溝道；對PDMS負(fù)模表面進(jìn)行表面處理后，澆注已配置好的PDMS，抽真空，加熱至6(T70°C，并保存Il(Tl30min，PDMS 固化后，將PDMS從PDMS負(fù)模上剝離，得到PDMS的正模；以上所有步驟中的升降溫速度均為8 1(TC /min ;曝光所用紫外光波長為30(T400nm ； 第二部分微流體芯片的蓋片制作；步驟1:對硅片的預(yù)處理；步驟2 :甩膠；在硅片上甩膠SU-8 100，轉(zhuǎn)速為169(Tl720rpm，得到95 105 μ m的第三光刻膠層；步驟3 :前烘；把表面附著有第三光刻膠層的硅片放在烘箱里進(jìn)行烘烤，首先由室溫緩慢升溫至6(T68°C，在此溫度范圍內(nèi)保持15 17min，然后加熱至9(T98°C，在此溫度范圍內(nèi)保持15 20min，最后降溫 至60 65°C，再降溫到20 25°C ；步驟4 :垂直曝光；在前烘好的硅片上垂直曝光，得到用于樣本濃縮預(yù)處理的微柱陣列(3);曝光過程要充分；步驟5 :后烘；在烘箱上加熱，由室溫升溫至6(T68°C，在此溫度范圍內(nèi)保持15 17min， 然后加熱至9(T98°C，在此溫度范圍內(nèi)保持15 20min，最后降溫至6(T65°C，再降溫到20^25 0C ；步驟6 :顯影；用SU-8顯影液顯影，用異丙醇和去離子水清洗，空氣中干燥；步驟7 :配制PDMS，按照預(yù)聚物固化劑=10 1比例配置PDMS，并抽真空； 步驟8 :倒模；將配制好的PDMS澆注在SU-8模具上，脫模，得到帶有微柱狀陣列的PDMS 蓋片(13)；上述所有步驟中的升降溫速度均為8 10°c /min ;曝光所用紫外光波長為30(T400nm ； 第三部分鍵合，得到微流體芯片；將PDMS制成的與底板(12)相配合的蓋片(13)在顯微鏡下對準(zhǔn)底板(12)后，將其蓋合，并采用63飛5° C真空加熱2 3小時后，得到不可逆鍵合。
全文摘要
本發(fā)明涉及醫(yī)學(xué)檢測領(lǐng)域，具體為一種微流體細(xì)胞儀及制作方法。解決了目前傳統(tǒng)的血細(xì)胞儀體積龐大、價格昂貴，特別是互染率高的技術(shù)問題。一種微流體細(xì)胞儀，主要包括微流體芯片和特制的外部檢測部件，所述微流體芯片上設(shè)有樣本通道、聚焦檢測通道和鞘流儲液池；樣本通道集成有對待測細(xì)胞液進(jìn)行濃縮處理的樣本預(yù)處理區(qū)域和緩沖區(qū)域；所述樣本預(yù)處理區(qū)域設(shè)有微柱陣列。一種微流體細(xì)胞儀的制作方法，包括以下步驟微流體溝道的制作、微流體芯片的蓋片制作以及鍵合。本發(fā)明所述產(chǎn)品整體呈微型化，成本低廉，能夠在芯片內(nèi)部實(shí)現(xiàn)對待測細(xì)胞液的濃縮處理，且為一次性使用，針對每一個樣本進(jìn)行一次測量，徹底避免了樣本之間相互影響的問題。
文檔編號G01N15/14GK102998242SQ20121048214
公開日2013年3月27日 申請日期2012年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月25日
發(fā)明者王萬軍, 楊潞霞, 段俊萍, 張斌珍, 王春水, 郝曉劍, 張勇, 范新磊, 李向紅, 邵國成 申請人:中北大學(xué)