時(shí)鐘芯片的測試方法和系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及集成電路測試領(lǐng)域，公開了一種時(shí)鐘芯片測試方法和系統(tǒng)。本發(fā)明中，根據(jù)時(shí)鐘芯片測試原理，設(shè)計(jì)并制造測試負(fù)載板和被測器件接口，在時(shí)鐘芯片的存儲器能夠正常工作時(shí)，檢驗(yàn)晶振頻率的精度，并在時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，采用高精密度頻率計(jì)對晶振頻率進(jìn)行測量，并根據(jù)測量值計(jì)算在時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，晶振頻率的溫度補(bǔ)償值，存入時(shí)鐘芯片的存儲器，之后再讀出，并在讀取的數(shù)值符合預(yù)先設(shè)定的模擬曲線時(shí)，判定時(shí)鐘芯片通過溫度補(bǔ)償測試。從而使得時(shí)鐘芯片的晶振頻率在零下40度至85度較寬的溫度范圍內(nèi)得到溫度補(bǔ)償測試，提高時(shí)鐘精度。
【專利說明】時(shí)鐘芯片的測試方法和系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路測試領(lǐng)域，特別涉及時(shí)鐘芯片測試方法和系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]時(shí)鐘芯片是內(nèi)置32.768kHz晶體振蕩器，以I2C總線接口為通信方式的，除了具有日歷和時(shí)鐘功能以外，還具有報(bào)警，固定周期定時(shí)中斷，時(shí)間更新中斷和使能OE的32.768kHz頻率輸出等功能，具體說明如下:
[0003]1.實(shí)時(shí)時(shí)鐘功能:該功能被用來設(shè)定和讀取年，月，日，星期，時(shí)，分，秒時(shí)間信息，年份為后倆位數(shù)字表示，任何可以被4整除的年份被當(dāng)成閏年處理；
[0004]2.定時(shí)中斷發(fā)生功能:固定周期定時(shí)中斷發(fā)生功能可以產(chǎn)生一個(gè)固定周期的中斷事件，固定周期可在244.14uS到4095分鐘之間的任意時(shí)間設(shè)定；
[0005]3.時(shí)間更新中斷功能:該功能可以根據(jù)內(nèi)部時(shí)鐘的定時(shí)設(shè)定，每秒或每分鐘產(chǎn)生一個(gè)中斷事件；
[0006]4.報(bào)警中斷功能:該功能可以根據(jù)報(bào)警設(shè)定來產(chǎn)生一個(gè)中斷。
[0007]時(shí)鐘芯片的時(shí)間誤差主要來源于時(shí)鐘芯片中晶振的頻率誤差，而晶振的頻率誤差主要是由于溫度變化引起的，所以一般在時(shí)鐘芯片設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮進(jìn)行溫度補(bǔ)償。目前，對此時(shí)鐘芯片的頻率誤差進(jìn)行測試是在零下40度，常溫25度，55度，80度四個(gè)環(huán)節(jié)測試，并做出模擬曲線；其補(bǔ)償方式為:采用的是數(shù)字溫度補(bǔ)償?shù)姆绞剑瑪?shù)字補(bǔ)償是晶體振蕩電路輸出32.768kHz之后，在分頻電路分頻的過程中進(jìn)行的補(bǔ)償，32.768kHz未進(jìn)行溫度補(bǔ)償；采用20S補(bǔ)償一次的工作方式，測試的時(shí)間門限值應(yīng)設(shè)置為20S或20S的整數(shù)倍，如果只能設(shè)置成10S，請連續(xù)倆次測試，取平均值。由于未進(jìn)行溫度補(bǔ)償測試，因此很有可能導(dǎo)致時(shí)鐘芯片在某些溫度范圍的精度不可靠，從而使時(shí)鐘芯片不能可靠地工作在較寬的溫度范圍。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種時(shí)鐘芯片測試方法和系統(tǒng)，使得時(shí)鐘芯片的晶振頻率在零下40度至85度較寬的溫度范圍內(nèi)得到溫度補(bǔ)償測試，提高時(shí)鐘精度。
[0009]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施方式提供了一種時(shí)鐘芯片測試方法，包含以下步驟:
[0010]A.根據(jù)時(shí)鐘芯片的測試原理，做好測試前準(zhǔn)備，包含:在測試平臺上編輯測試程序；連接所述測試平臺、測試負(fù)載板、被測器件接口、所述時(shí)鐘芯片和頻率計(jì)；
[0011]B.執(zhí)行所述測試程序，判斷所述時(shí)鐘芯片的存儲器是否能正常工作；并在判定所述存儲器正常工作時(shí)，采用所述頻率計(jì)測量所述時(shí)鐘芯片的晶振頻率，檢驗(yàn)所述晶振頻率的精度；并將測量得到的晶振頻率換算得到的數(shù)值寫入所述存儲器的第一預(yù)設(shè)地址內(nèi)；
[0012]C.如果所述晶振頻率的精度符合所述時(shí)鐘芯片的頻率要求，則在所述時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，取至少四個(gè)溫度點(diǎn)，采用頻率計(jì)測量所述時(shí)鐘芯片的晶振頻率，并將測量得到的晶振頻率換算得到的數(shù)值和所述第一預(yù)設(shè)地址內(nèi)的數(shù)值分別寫入第二預(yù)設(shè)地址段內(nèi)；其中，所述第二預(yù)設(shè)地址段的個(gè)數(shù)與所述溫度點(diǎn)的個(gè)數(shù)相對應(yīng)；
[0013]D.根據(jù)所述第二預(yù)設(shè)地址段內(nèi)的數(shù)值，計(jì)算在所述時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，所述晶振頻率的溫度補(bǔ)償值，并存入所述存儲器的第三預(yù)設(shè)地址段內(nèi)；
[0014]E.讀出所述第三預(yù)設(shè)地址段內(nèi)的數(shù)值，觀察所述讀取的數(shù)值；并在所述讀取的數(shù)值符合預(yù)先設(shè)定的模擬曲線時(shí)，判定所述時(shí)鐘芯片通過溫度補(bǔ)償測試。
[0015]本發(fā)明的實(shí)施方式還提供了一種時(shí)鐘芯片測試系統(tǒng)，包含:測試平臺、測試負(fù)載板、被測器件接口和頻率計(jì)；所述測試平臺連接所述測試負(fù)載板；所述測試負(fù)載板連接所述被測器件接口，所述被測器件接口連接所述時(shí)鐘芯片；所述頻率計(jì)分別與所述時(shí)鐘芯片和所述測試平臺連接；
[0016]其中，在所述測試平臺上編輯測試程序；
[0017]所述測試平臺執(zhí)行所述測試程序，判斷所述時(shí)鐘芯片的存儲器是否能正常工作；并在判定所述存儲器正常工作時(shí)，采用所述頻率計(jì)測量所述時(shí)鐘芯片的晶振頻率，檢驗(yàn)所述晶振頻率的精度；并將測量得到的晶振頻率換算得到的數(shù)值寫入所述存儲器的第一預(yù)設(shè)地址內(nèi)；
[0018]在判定所述晶振頻率的精度符合所述時(shí)鐘芯片的頻率要求時(shí)，所述測試平臺在所述時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，取至少四個(gè)溫度點(diǎn)，采用頻率計(jì)測量所述時(shí)鐘芯片的晶振頻率，并將測量得到的晶振頻率換算得到的數(shù)值和所述第一預(yù)設(shè)地址內(nèi)的數(shù)值分別寫入第二預(yù)設(shè)地址段內(nèi)；其中，所述第二預(yù)設(shè)地址段的個(gè)數(shù)與所述溫度點(diǎn)的個(gè)數(shù)相對應(yīng)；
[0019]所述測試平臺根據(jù)所述第二預(yù)設(shè)地址段內(nèi)的數(shù)值，計(jì)算在所述時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，所述晶振頻率的溫度補(bǔ)償值，并存入所述存儲器的第三預(yù)設(shè)地址段內(nèi)；
[0020]所述測試平臺讀出所述第三預(yù)設(shè)地址段內(nèi)的數(shù)值，觀察所述讀取的數(shù)值；并在所述讀取的數(shù)值符合預(yù)先設(shè)定的模擬曲線時(shí)，判定所述時(shí)鐘芯片通過溫度補(bǔ)償測試。
[0021]本發(fā)明實(shí)施方式相對于現(xiàn)有技術(shù)而言，根據(jù)時(shí)鐘芯片測試原理，設(shè)計(jì)并制造測試負(fù)載板和被測器件接口，在時(shí)鐘芯片的存儲器能夠正常工作時(shí)，檢驗(yàn)晶振頻率的精度，并在時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，采用高精密度頻率計(jì)對晶振頻率進(jìn)行測量，并根據(jù)測量值計(jì)算在時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，晶振頻率的溫度補(bǔ)償值，存入時(shí)鐘芯片的存儲器，之后再讀出，并在讀取的數(shù)值符合預(yù)先設(shè)定的模擬曲線時(shí)，判定時(shí)鐘芯片通過溫度補(bǔ)償測試。使得時(shí)鐘芯片的晶振頻率在零下40度至85度較寬的溫度范圍內(nèi)得到溫度補(bǔ)償測試，提高時(shí)鐘精度。
[0022]另外，可以通過如下子步驟判斷所述時(shí)鐘芯片的存儲器是否能正常工作:
[0023]按照時(shí)鐘400kHz，向所述存儲器預(yù)留地址之后的所有地址寫入任意數(shù)，并讀出，進(jìn)行比較，如果讀出數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)一致，則判定所述存儲器能正常工作；
[0024]其中，寫時(shí)，后面多寫一個(gè)地址；寫入時(shí)占用8個(gè)時(shí)鐘周期，并在第六個(gè)時(shí)鐘周期等待2.5毫秒；讀時(shí)，前面多讀一個(gè)地址。
[0025]通過向存儲器內(nèi)寫入任意數(shù)，并讀出，加以比較，可以檢驗(yàn)存儲器是否能正常工作，操作簡單，易于實(shí)現(xiàn)。
[0026]另外，可以通過如下公式換算測量得到的晶振頻率:(f-32768) /32768*1000000 ；其中，f為測量得到的晶振頻率。通過該換算使時(shí)鐘芯片的存儲器精度達(dá)到0.00001Hz，以滿足時(shí)鐘芯片對頻率精度的嚴(yán)格要求。[0027]另外，可以取四個(gè)溫度點(diǎn)，分別為零下40度，25度，55度，80度。通過測量典型溫度下時(shí)鐘芯片的晶振頻率，可以反映晶振的頻率誤差隨溫度變化的關(guān)系，使溫度補(bǔ)償測試更貼近實(shí)際應(yīng)用，從而使測試結(jié)果更可靠。
[0028]另外，可以采用高精密度，帶通用接口總線GPIB接口的頻率計(jì)；所述頻率計(jì)測量得到的晶振頻率通過通用接口總線GPIB通訊傳送到所述測試平臺上。通過高精密度的頻率計(jì)測量時(shí)鐘芯片的晶振頻率，可以滿足時(shí)鐘芯片對頻率精度的嚴(yán)格要求。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的時(shí)鐘芯片測試方法的流程圖；
[0030]圖2是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的時(shí)鐘芯片測試系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的各實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的闡述。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，在本發(fā)明各實(shí)施方式中，為了使讀者更好地理解本申請而提出了許多技術(shù)細(xì)節(jié)。但是，即使沒有這些技術(shù)細(xì)節(jié)和基于以下各實(shí)施方式的種種變化和修改，也可以實(shí)現(xiàn)本申請各權(quán)利要求所要求保護(hù)的技術(shù)方案。
[0032]本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及一種時(shí)鐘芯片測試方法，該方法使得時(shí)鐘芯片的晶振頻率在零下40度至85度較寬的溫度范圍內(nèi)得到溫度補(bǔ)償測試，提高時(shí)鐘精度，從而使時(shí)鐘芯片能適用于零下40度至85度較寬的溫度范圍，具體流程如圖1所示，包含以下步驟:
[0033]步驟101，根據(jù)時(shí)鐘芯片的測試原理，做好測試前準(zhǔn)備，包含:在測試平臺上編輯測試程序；連接測試平臺、測試負(fù)載板、被測器件接口、時(shí)鐘芯片和頻率計(jì)。
[0034]具體地說，包含以下子步驟:
[0035]根據(jù)時(shí)鐘芯片的測試原理，設(shè)計(jì)并制造測試負(fù)載板和被測器件(DUT)接口。
[0036]根據(jù)時(shí)鐘芯片的測試規(guī)范，在測試平臺上編輯測試程序；比如，根據(jù)測試規(guī)范，在MTS747上編輯測試程序。
[0037]連接好測試負(fù)載板和被測器件接口，并準(zhǔn)備好時(shí)鐘芯片與被測器件接口和頻率計(jì)的連接。
[0038]步驟102，執(zhí)行測試程序，對時(shí)鐘芯片的存儲器是否能正常工作進(jìn)行測試；
[0039]步驟103，判斷時(shí)鐘芯片的存儲器是否能正常工作；如是，則執(zhí)行步驟104，；如否，則結(jié)束本次測試。
[0040]可以通過如下子步驟判斷時(shí)鐘芯片的存儲器是否能正常工作:
[0041]按照時(shí)鐘400kHz，向存儲器預(yù)留地址之后的所有地址寫入任意數(shù)，并讀出，進(jìn)行比較，如果讀出數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)一致，則判定存儲器能正常工作；其中，寫時(shí)，后面多寫一個(gè)地址；寫入時(shí)占用8個(gè)時(shí)鐘周期，并在第六個(gè)時(shí)鐘周期等待2.5毫秒；讀時(shí)，前面多讀一個(gè)地址。
[0042]比如說，時(shí)鐘芯片內(nèi)有255個(gè)存儲地址，00H-(FH地址作為預(yù)留地址，按照時(shí)鐘400kHz寫入之后的所有地址，寫時(shí)，后面多寫一個(gè)地址(地址數(shù)據(jù)可以寫任意數(shù))，8個(gè)時(shí)鐘周期(clk)，在第六個(gè)elk等待2.5mS ;讀時(shí)，前面多讀一個(gè)地址。[0043]通過向存儲器內(nèi)寫入任意數(shù)，并讀出，加以比較，可以檢驗(yàn)存儲器是否能正常工作，操作簡單，易于實(shí)現(xiàn)。
[0044]步驟104，采用頻率計(jì)測量時(shí)鐘芯片的晶振頻率，檢驗(yàn)晶振頻率的精度；并將測量得到的晶振頻率換算得到的數(shù)值寫入存儲器的第一預(yù)設(shè)地址內(nèi)。
[0045]時(shí)鐘芯片對于頻率要求比較嚴(yán)格，精確到0.00001Hz，所以需要外接專業(yè)頻率計(jì)，將頻率計(jì)上的值傳到MTS747上；將根測量得到的晶振頻率據(jù)公式(f-32768 )/32768*1000000進(jìn)行換算，并將換算得到的值寫入12H(B卩，12H為第一預(yù)設(shè)地址)。通過該換算使時(shí)鐘芯片的存儲器精度達(dá)到0.00001Hz,以滿足時(shí)鐘芯片對頻率精度的嚴(yán)格要求。
[0046]此外，值得說明的是，本實(shí)施方式采用高精密度，帶通用接口總線(GPIB)接口的頻率計(jì)，頻率計(jì)測量得到的晶振頻率通過GPIB通訊傳送到測試平臺上。通過高精密度的頻率計(jì)測量時(shí)鐘芯片的晶振頻率，可以滿足時(shí)鐘芯片對頻率精度的嚴(yán)格要求。
[0047]步驟105，判斷晶振頻率的精度是否符合時(shí)鐘芯片的頻率要求，如是，則執(zhí)行步驟106 ;如否，則結(jié)束本次測試。
[0048]步驟106，在時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，取至少四個(gè)溫度點(diǎn)，采用頻率計(jì)測量時(shí)鐘芯片的晶振頻率，并將測量得到的晶振頻率換算得到的數(shù)值和第一預(yù)設(shè)地址內(nèi)的數(shù)值分別寫入第二預(yù)設(shè)地址段內(nèi)。其中，第二預(yù)設(shè)地址段的個(gè)數(shù)與溫度點(diǎn)的個(gè)數(shù)相對應(yīng)。
[0049]比如說，在對時(shí)鐘芯片進(jìn)行測試時(shí)，可以取四個(gè)溫度點(diǎn)，分別為零下40度，25度，55度，80度測試，隨著溫度的變化，12H地址里的值和讀出的頻率值都不一樣，分別讀出12H地址的值和各溫度測量得到的晶振頻率換算之后的數(shù)值；通過測量典型溫度下時(shí)鐘芯片的晶振頻率，可以反映晶振的頻率誤差隨溫度變化的關(guān)系，使溫度補(bǔ)償測試更貼近實(shí)際應(yīng)用，從而使測試結(jié)果更可靠。
[0050]具體地說，在零下40度，將測量得到的晶振頻率換算之后的數(shù)值和12H地址數(shù)據(jù)分別寫入地址1AH，1BH, ICH,在此，1AH, 1BH, ICH為零下40度對應(yīng)的第二預(yù)設(shè)地址段；在零下10度，將測量得到的晶振頻率換算之后的數(shù)值和12H地址數(shù)據(jù)分別寫入地址23H, 24H, 25H ;在25度，將測量得到的晶振頻率換算之后的數(shù)值和12H地址數(shù)據(jù)分別寫入地址17H，18H, 19H ;在55度，將測量得到的晶振頻率換算之后的數(shù)值和12H地址數(shù)據(jù)分別寫入地址1DH，1EH, IFH ;在80度，將測量得到的晶振頻率換算之后的數(shù)值和12H地址數(shù)據(jù)分別寫入地址20H, 21H, 22H。
[0051]步驟107，根據(jù)第二預(yù)設(shè)地址段內(nèi)的數(shù)值，計(jì)算在時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，晶振頻率的溫度補(bǔ)償值，并存入存儲器的第三預(yù)設(shè)地址段內(nèi)。
[0052]在本實(shí)施方式中，可以采用求解四元三次方程來模擬溫度補(bǔ)償曲線，具體地說，零下40度，讀出1AH，IBH地址的值當(dāng)做yl，讀出ICH地址的值當(dāng)做xl ;25度，讀出17H，18H地址的值當(dāng)做12，讀出19H地址的值當(dāng)做x2 ；55度，讀出1DH，IEH地址的值當(dāng)做y3，讀出IFH地址的值當(dāng)做x3 ；80度，讀出20H，21H地址的值當(dāng)做y4，讀出22H地址的值當(dāng)做x4 ;分別代入y=A*x*x*x+B*x*x+C*x+D，求取四元三次方程，得出A，B，C，D。接著，從25H地址開始到FFH (25H-FFH這218個(gè)地址即為第三預(yù)設(shè)地址段)，將十六進(jìn)制(25H-FFH)轉(zhuǎn)換成十進(jìn)制數(shù)，當(dāng)做X，全部代入y=A*x*x*x+B*x*x+C*x+D中，得出y，再將y值分別寫入25H-FFH這218個(gè)地址內(nèi)。
[0053]步驟108，讀出第三預(yù)設(shè)地址段內(nèi)的數(shù)值，觀察讀取的數(shù)值。也就是讀取25H-FFH這段地址內(nèi)的數(shù)據(jù)，得到模擬曲線。由于步驟107內(nèi)采用四元三次方程，因此，本步驟得到的應(yīng)該為拋物線。
[0054]步驟109，判斷讀取的數(shù)值符合預(yù)先設(shè)定的模擬曲線，如是，則判定時(shí)鐘芯片通過溫度補(bǔ)償測試(步驟110);如否，則判定時(shí)鐘芯片沒有通過溫度補(bǔ)償測試(步驟111)，結(jié)束本次測試。
[0055]也就是說，通過觀察讀出的拋物線是否與預(yù)期一樣，如果一致，則認(rèn)為被測時(shí)鐘芯片通過了溫度補(bǔ)償測試。
[0056]與現(xiàn)有技術(shù)相比，根據(jù)時(shí)鐘芯片測試原理，設(shè)計(jì)并制造測試負(fù)載板和被測器件接口，在時(shí)鐘芯片的存儲器能夠正常工作時(shí)，檢驗(yàn)晶振頻率的精度，并在時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，采用高精密度頻率計(jì)對晶振頻率進(jìn)行測量，并根據(jù)測量值計(jì)算在時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，晶振頻率的溫度補(bǔ)償值，存入時(shí)鐘芯片的存儲器，之后再讀出，并在讀取的數(shù)值符合預(yù)先設(shè)定的模擬曲線時(shí)，判定時(shí)鐘芯片通過溫度補(bǔ)償測試。使得時(shí)鐘芯片的晶振頻率在零下40度至85度較寬的溫度范圍內(nèi)得到溫度補(bǔ)償測試，提高時(shí)鐘精度。
[0057]上面各種方法的步驟劃分，只是為了描述清楚，實(shí)現(xiàn)時(shí)可以合并為一個(gè)步驟或者對某些步驟進(jìn)行拆分，分解為多個(gè)步驟，只要包含相同的邏輯關(guān)系，都在本專利的保護(hù)范圍內(nèi)；對算法中或者流程中添加無關(guān)緊要的修改或者引入無關(guān)緊要的設(shè)計(jì)，但不改變其算法和流程的核心設(shè)計(jì)都在該專利的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0058]本發(fā)明第二實(shí)施方式涉及一種時(shí)鐘芯片測試系統(tǒng)，如圖2所示，包含:測試平臺、測試負(fù)載板、被測器件接口和頻率計(jì)；測試平臺連接測試負(fù)載板；測試負(fù)載板連接被測器件接口，被測器件接口連接時(shí)鐘芯片；頻率計(jì)分別與時(shí)鐘芯片和測試平臺連接；
[0059]其中，在測試平臺上編輯測試程序；
[0060]測試平臺執(zhí)行測試程序，判斷時(shí)鐘芯片的存儲器是否能正常工作；其具體測試如下:
[0061]按照時(shí)鐘400kHz，向存儲器預(yù)留地址之后的所有地址寫入任意數(shù)，并讀出，進(jìn)行比較，如果讀出數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)一致，則判定存儲器能正常工作；其中，寫時(shí)，后面多寫一個(gè)地址；寫入時(shí)占用8個(gè)時(shí)鐘周期，并在第六個(gè)時(shí)鐘周期等待2.5毫秒；讀時(shí)，前面多讀一個(gè)地址。
[0062]測試平臺在判定存儲器正常工作時(shí)，采用頻率計(jì)測量時(shí)鐘芯片的晶振頻率，檢驗(yàn)晶振頻率的精度；并將測量得到的晶振頻率換算得到的數(shù)值寫入存儲器的第一預(yù)設(shè)地址內(nèi)；通過如下公式換算測量得到的晶振頻率:(f-32768)/32768*1000000 ;其中，f為測量得到的晶振頻率。
[0063]在判定晶振頻率的精度符合時(shí)鐘芯片的頻率要求時(shí)，測試平臺在時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，取至少四個(gè)溫度點(diǎn)，比如說，取四個(gè)溫度點(diǎn)，分別為零下40度，25度，55度，80度；采用頻率計(jì)測量時(shí)鐘芯片的晶振頻率，并將測量得到的晶振頻率換算得到的數(shù)值和第一預(yù)設(shè)地址內(nèi)的數(shù)值分別寫入第二預(yù)設(shè)地址段內(nèi)；其中，第二預(yù)設(shè)地址段的個(gè)數(shù)與溫度點(diǎn)的個(gè)數(shù)相對應(yīng)；
[0064]測試平臺根據(jù)第二預(yù)設(shè)地址段內(nèi)的數(shù)值，計(jì)算在時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，晶振頻率的溫度補(bǔ)償值，并存入存儲器的第三預(yù)設(shè)地址段內(nèi)；
[0065]測試平臺讀出第三預(yù)設(shè)地址段內(nèi)的數(shù)值，觀察讀取的數(shù)值；并在讀取的數(shù)值符合預(yù)先設(shè)定的模擬曲線時(shí)，判定時(shí)鐘芯片通過溫度補(bǔ)償測試。
[0066]此外，值得說明的是，由于時(shí)鐘芯片對于頻率要求比較嚴(yán)格，精確到0.00001Hz，所以本實(shí)施方式采用高精密度，帶通用接口總線(GPIB)接口的頻率計(jì)，頻率計(jì)測量得到的晶振頻率通過GPIB通訊傳送到測試平臺上。
[0067]不難發(fā)現(xiàn)，本實(shí)施方式為與第一實(shí)施方式相對應(yīng)的系統(tǒng)實(shí)施例，本實(shí)施方式可與第一實(shí)施方式互相配合實(shí)施。第一實(shí)施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)在本實(shí)施方式中依然有效，為了減少重復(fù)，這里不再贅述。相應(yīng)地，本實(shí)施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)也可應(yīng)用在第一實(shí)施方式中。
[0068]值得一提的是，本實(shí)施方式中所涉及到的各模塊均為邏輯模塊，在實(shí)際應(yīng)用中，一個(gè)邏輯單元可以是一個(gè)物理單元，也可以是一個(gè)物理單元的一部分，還可以以多個(gè)物理單元的組合實(shí)現(xiàn)。此外，為了突出本發(fā)明的創(chuàng)新部分，本實(shí)施方式中并沒有將與解決本發(fā)明所提出的技術(shù)問題關(guān)系不太密切的單元引入，但這并不表明本實(shí)施方式中不存在其它的單
J Li ο
[0069]本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，上述各實(shí)施方式是實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的具體實(shí)施例，而在實(shí)際應(yīng)用中，可以在形式上和細(xì)節(jié)上對其作各種改變，而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種時(shí)鐘芯片測試方法，其特征在于，包含以下步驟: A.根據(jù)時(shí)鐘芯片的測試原理，做好測試前準(zhǔn)備，包含:在測試平臺上編輯測試程序；連接所述測試平臺、測試負(fù)載板、被測器件接口、所述時(shí)鐘芯片和頻率計(jì)； B.執(zhí)行所述測試程序，判斷所述時(shí)鐘芯片的存儲器是否能正常工作；并在判定所述存儲器正常工作時(shí)，采用所述頻率計(jì)測量所述時(shí)鐘芯片的晶振頻率，檢驗(yàn)所述晶振頻率的精度；并將測量得到的晶振頻率換算得到的數(shù)值寫入所述存儲器的第一預(yù)設(shè)地址內(nèi)； C.如果所述晶振頻率的精度符合所述時(shí)鐘芯片的頻率要求，則在所述時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，取至少四個(gè)溫度點(diǎn)，采用頻率計(jì)測量所述時(shí)鐘芯片的晶振頻率，并將測量得到的晶振頻率換算得到的數(shù)值和所述第一預(yù)設(shè)地址內(nèi)的數(shù)值分別寫入第二預(yù)設(shè)地址段內(nèi)；其中，所述第二預(yù)設(shè)地址段的個(gè)數(shù)與所述溫度點(diǎn)的個(gè)數(shù)相對應(yīng)； D.根據(jù)所述第二預(yù)設(shè)地址段內(nèi)的數(shù)值，計(jì)算在所述時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，所述晶振頻率的溫度補(bǔ)償值，并存入所述存儲器的第三預(yù)設(shè)地址段內(nèi)； E.讀出所述第三預(yù)設(shè)地址段內(nèi)的數(shù)值，觀察所述讀取的數(shù)值；并在所述讀取的數(shù)值符合預(yù)先設(shè)定的模擬曲線時(shí)，判定所述時(shí)鐘芯片通過溫度補(bǔ)償測試。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘芯片測試方法，其特征在于，在所述步驟B中，通過如下子步驟判斷所述時(shí)鐘芯片的存儲器是否能正常工作: 按照時(shí)鐘400kHz，向所述存儲器預(yù)留地址之后的所有地址寫入任意數(shù)，并讀出，進(jìn)行比較，如果讀出數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)一致，則判定所述存儲器能正常工作； 其中，寫時(shí)，后面多寫一個(gè)地址；寫入時(shí)占用8個(gè)時(shí)鐘周期，并在第六個(gè)時(shí)鐘周期等待2.5毫秒；讀時(shí),前面多讀一個(gè)地址。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘芯片測試方法，其特征在于，在所述步驟B和所述步驟C中，通過如下公式換算測量得到的晶振頻率:
(f-32768) /32768*1000000 ； 其中，f為測量得到的晶振頻率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘芯片測試方法，其特征在于，在所述步驟C中，取四個(gè)溫度點(diǎn)，分別為零下40度，25度，55度，80度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的時(shí)鐘芯片測試方法，其特征在于，在所述步驟B和步驟C中，采用高精密度，帶通用接口總線GPIB接口的頻率計(jì)；所述頻率計(jì)測量得到的晶振頻率通過GPIB通訊傳送到所述測試平臺上。
6.一種時(shí)鐘芯片測試系統(tǒng)，其特征在于，包含:測試平臺、測試負(fù)載板、被測器件接口和頻率計(jì)；所述測試平臺連接所述測試負(fù)載板；所述測試負(fù)載板連接所述被測器件接口，所述被測器件接口連接所述時(shí)鐘芯片；所述頻率計(jì)分別與所述時(shí)鐘芯片和所述測試平臺連接; 其中，在所述測試平臺上編輯測試程序； 所述測試平臺執(zhí)行所述測試程序，判斷所述時(shí)鐘芯片的存儲器是否能正常工作；并在判定所述存儲器正常工作時(shí)，采用所述頻率計(jì)測量所述時(shí)鐘芯片的晶振頻率，檢驗(yàn)所述晶振頻率的精度；并將測量得到的晶振頻率換算得到的數(shù)值寫入所述存儲器的第一預(yù)設(shè)地址內(nèi)； 在判定所述晶振頻率的精度符合所述時(shí)鐘芯片的頻率要求時(shí)，所述測試平臺在所述時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，取至少四個(gè)溫度點(diǎn)，采用頻率計(jì)測量所述時(shí)鐘芯片的晶振頻率，并將測量得到的晶振頻率換算得到的數(shù)值和所述第一預(yù)設(shè)地址內(nèi)的數(shù)值分別寫入第二預(yù)設(shè)地址段內(nèi)；其中，所述第二預(yù)設(shè)地址段的個(gè)數(shù)與所述溫度點(diǎn)的個(gè)數(shù)相對應(yīng)； 所述測試平臺根據(jù)所述第二預(yù)設(shè)地址段內(nèi)的數(shù)值，計(jì)算在所述時(shí)鐘芯片的工作溫度范圍內(nèi)，所述晶振頻率的溫度補(bǔ)償值，并存入所述存儲器的第三預(yù)設(shè)地址段內(nèi)； 所述測試平臺讀出所述第三預(yù)設(shè)地址段內(nèi)的數(shù)值，觀察所述讀取的數(shù)值；并在所述讀取的數(shù)值符合預(yù)先設(shè)定的模擬曲線時(shí)，判定所述時(shí)鐘芯片通過溫度補(bǔ)償測試。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的時(shí)鐘芯片測試系統(tǒng)，其特征在于，所述測試平臺通過如下方式判斷所述時(shí)鐘芯片的存儲器是否能正常工作: 按照時(shí)鐘400kHz，向所述存儲器預(yù)留地址之后的所有地址寫入任意數(shù)，并讀出，進(jìn)行比較，如果讀出數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)一致，則判定所述存儲器能正常工作； 其中，寫時(shí)，后面多寫一個(gè)地址；寫入時(shí)占用8個(gè)時(shí)鐘周期，并在第六個(gè)時(shí)鐘周期等待2.5毫秒；讀時(shí),前面多讀一個(gè)地址。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的時(shí)鐘芯片測試系統(tǒng)，其特征在于，所述測試平臺通過如下公式換算測量得到的晶振頻率:
(f-32768)/32768*1000000 ； 其中，f為測量得到的晶 振頻率。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的時(shí)鐘芯片測試系統(tǒng)，其特征在于，所述測試平臺取四個(gè)溫度點(diǎn)，分別為零下40度，25度，55度，80度。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的時(shí)鐘芯片測試系統(tǒng)，其特征在于，所述頻率計(jì)為高精密度，帶通用接口總線GPIB接口的頻率計(jì)；所述頻率計(jì)測量得到的晶振頻率通過GPIB通訊傳送到所述測試平臺上。
【文檔編號】G01R31/28GK104035021SQ201310074100
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2013年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月7日
【發(fā)明者】郭寶膽 申請人:上海宏測半導(dǎo)體科技有限公司