用于測試半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片模塊的方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體芯片面板，包括嵌入在封裝材料中的多個半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片中的至少一部分包括分別在第一主表面上的第一電接觸元件和在與第一主表面相對的第二主表面上的第二電接觸元件。通過在測試接觸裝置和第一電接觸元件之間以及在導(dǎo)電固定器和第二接觸元件之間建立電接觸來測試多個半導(dǎo)體芯片中的一個。
【專利說明】用于測試半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片模塊的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于測試半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片模塊的方法、一種用于測試半導(dǎo)體芯片的設(shè)備、以及一種導(dǎo)電固定器。
【背景技術(shù)】
[0002]在功率電子器件中，經(jīng)常使用具有像例如IGBT晶體管的垂直晶體管的半導(dǎo)體芯片，或者通常使用其中至少一個電接觸焊盤被布置在半導(dǎo)體芯片的第一主表面上并且至少一個其他電接觸焊盤被布置在與第一主表面相對的第二主表面上的晶體管?？梢詫⑦@些半導(dǎo)體芯片中的若干個安裝在陶瓷襯底或印刷電路板上并且電連接以形成功率模塊或功率系統(tǒng)。以此方式，例如，多至20個功率半導(dǎo)體芯片可以被相互組合并且電連接以形成電路。
[0003]這些模塊的一個示例是所謂的智能功率模塊(IPM)。在將半導(dǎo)體芯片模塊或各個半導(dǎo)體芯片輸送至客戶之前，重要的是知曉半導(dǎo)體芯片模塊或各個半導(dǎo)體芯片是否情況正常以及它們是否滿足預(yù)定的性能標(biāo)準(zhǔn)。因此，存在對于用于測試半導(dǎo)體芯片和/或半導(dǎo)體芯片模塊，特別是用于測試包括半導(dǎo)體功率晶體管芯片或具有垂直晶體管結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片的那些芯片和/或半導(dǎo)體芯片模塊的實際和有效方法的需求。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0004]包括附圖來提供對實施例的進一步理解，并且將附圖結(jié)合在該說明書中并構(gòu)成其一部分。附圖圖示出了實施例并且與描述一起用于解釋實施例的原理。將容易理解其他實施例以及實施例的許多預(yù)期優(yōu)點，因為通過參考以下詳細(xì)描述它們變得更好理解。附圖的元素不一定相對于彼此是按比例的。相同的附圖標(biāo)記表示對應(yīng)的相似部分。
[0005]圖1示出了用于圖示根據(jù)實施例的用于測試半導(dǎo)體芯片的方法的流程圖；
[0006]圖2示出了根據(jù)實施例的測試接觸裝置的透視圖；
[0007]圖3A和圖3B共同構(gòu)成圖3，示出了根據(jù)實施例的導(dǎo)電襯底的頂視圖(3A)和截面?zhèn)纫晥D(3B)；
[0008]圖4示出了根據(jù)實施例的半導(dǎo)體芯片面板的部分區(qū)段的示意性截面圖；
[0009]圖5A至圖5C共同構(gòu)成圖5，示出了在建立電接觸之前的測試接觸裝置、半導(dǎo)體芯片面板和導(dǎo)電襯底的部分截面圖(5A)、放大部分截面圖(5B)以及頂視圖(圖5C);
[0010]圖6A和圖6B共同構(gòu)成圖6，示出了在建立電接觸之后的測試接觸裝置、半導(dǎo)體芯片面板和導(dǎo)電襯底的部分截面圖(6A)和放大部分截面圖(6B)；
[0011]圖7示出了根據(jù)示例的包括多個半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片模塊的頂視圖；以及
[0012]圖8示出了用于圖示出根據(jù)示例的同時測試若干個模塊或芯片的包括半導(dǎo)體芯片模塊或各個半導(dǎo)體芯片的矩陣布置的半導(dǎo)體芯片面板的頂視圖。
【具體實施方式】
[0013]現(xiàn)在參照附圖描述多個方面和實施例，其中相同的附圖標(biāo)記通常到處被用于涉及相同的元素。在以下描述中，出于解釋的目的，闡述了許多具體細(xì)節(jié)以便提供對實施例的一個或多個方面的透徹理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言可以明顯的是，可以利用較少程度的具體細(xì)節(jié)來實踐實施例的一個或多個方面。在其他情形下，以示意性形式示出已知的結(jié)構(gòu)和元件，以便促進描述實施例的一個或多個方面。要理解的是可以利用其他實施例，并且可以在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下做出結(jié)構(gòu)或邏輯改變。進一步應(yīng)當(dāng)注意的是，附圖不是或不一定是按比例的。
[0014]此外，盡管可以僅參照若干個實施方式中的一個來公開實施例的特定特征或方面，但當(dāng)可能期望并且對于任何給定或特定應(yīng)用有利時，此類特征或方面可以與其他實施方式的一個或多個其他特征或方面組合。此外，對于在詳細(xì)描述或者權(quán)利要求中使用術(shù)語“包含”、“具有”、“帶有”或其他變體的方面來說，這些術(shù)語意在以類似于術(shù)語“包括”的方式而是包括性的?？梢允褂眯g(shù)語“耦合的”和“連接的”以及派生詞。應(yīng)該理解的是，這些術(shù)語可以被用于指示兩個元素彼此協(xié)作或者交互而不論它們是彼此直接物理或電接觸，還是它們并未彼此直接接觸。而且，術(shù)語“示例性”僅僅意味著作為示例，而不是最佳或最優(yōu)的。因此，以下詳細(xì)描述并不以限制意義而進行，而是本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求所限定。
[0015]用于測試半導(dǎo)體芯片的方法以及用于測試半導(dǎo)體芯片的設(shè)備的實施例可以使用各種類型的半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片模塊或包含在半導(dǎo)體芯片中的電路，在它們之中包括邏輯集成電路、模擬集成電路、混合信號集成電路、傳感器電路、MEMS(微機電系統(tǒng))、功率集成電路、具有集成無源器件的芯片等等。實施例也可以使用包括MOS晶體管結(jié)構(gòu)或像例如IGBT (絕緣柵雙極晶體管)結(jié)構(gòu)的垂直晶體管結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片，或者通常其中至少一個電接觸焊盤被布置在半導(dǎo)體芯片的第一主表面上以及至少一個其他電接觸焊盤被布置在與半導(dǎo)體芯片的第一主表面相對的半導(dǎo)體芯片的第二主表面上的晶體管或其他結(jié)構(gòu)或器件。
[0016]半導(dǎo)體芯片可以包括在它們外側(cè)表面中的一個或多個上的接觸元件或接觸焊盤，其中接觸元件用于電接觸半導(dǎo)體芯片。接觸元件可以具有任何期望的形式或形吠。它們例如可以具有焊接區(qū)(land)的形式，即在半導(dǎo)體芯片的外側(cè)表面上的平接觸層。接觸元件或接觸焊盤可以由任何導(dǎo)電材料制成，例如由如鋁、金或銅的金屬制成，或由金屬合金、導(dǎo)電有機材料或?qū)щ姲雽?dǎo)體材料制成。接觸元件也可以被形成為上述材料中的一個或多個的層堆疊。
[0017]半導(dǎo)體芯片面板可以包括具有嵌入其中的半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片模塊的封裝劑或封裝材料。封裝材料可以是任何電絕緣材料，像例如任何種類的模制材料、任何種類的樹脂材料、或任何種類的環(huán)氧樹脂材料。封裝材料也可以是聚合物材料、聚酰亞胺材料、熱塑性材料、硅樹脂材料、陶瓷材料和玻璃材料。封裝材料也可以包括任何上述材料并且進一步包括嵌入其中的填充材料，像例如導(dǎo)熱增加物。這些填充增加物可以由例如A10、AlN或BrN制成。半導(dǎo)體芯片面板可以具有晶片的形式，即圓形形式，但是并不限于晶片的形式或形狀，而是可以具有任何尺寸和形狀以及嵌入其中的半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片模塊的任何合適布置。
[0018]在權(quán)利要求和以下說明書中，用于測試半導(dǎo)體芯片的方法的不同實施例被描述為過程或措施的特定序列，特別是在流程圖中。要注意的是實施例不應(yīng)被限于所述的特定序列。也可以同時或者以任何其他有用的并且合適的序列來進行不同過程或措施中的特定一個或所有。
[0019]根據(jù)第一方面，用于測試半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片模塊的方法可以包括提供包括嵌入在密封材料中的多個半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片模塊的半導(dǎo)體芯片面板，其中半導(dǎo)體芯片中的至少一部分包括分別在第一主表面上的第一電接觸元件和在與第一主表面相對的第二主表面上的第二電接觸元件，以及通過在測試接觸裝置和第一電接觸元件之間并且在導(dǎo)電固定器和第二接觸元件之間建立電接觸來測試多個半導(dǎo)體芯片中的一個。
[0020]半導(dǎo)體芯片面板可以包括各個半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片模塊中的一個或多個。半導(dǎo)體芯片模塊可以包括兩個或更多個半導(dǎo)體芯片，特別是功率晶體管芯片，并且它們可以包括至少一個另外的半導(dǎo)體芯片，其包括邏輯電路或驅(qū)動器電路中的一個或多個。特別地，半導(dǎo)體芯片模塊可以包括所謂智能功率模塊(IPM)。
[0021]圖1示出了根據(jù)實施例的用于圖示用于測試半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片模塊的方法的流程圖。方法10包括提供包括測試接觸裝置和導(dǎo)電固定器(卡盤)的測試設(shè)備(探針)(框11)。以下將示出測試設(shè)備的實施例，特別是測試接觸裝置和卡盤。
[0022]方法10進一步包括提供包括嵌入在封裝材料中的多個半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片模塊的半導(dǎo)體芯片面板(框12)。半導(dǎo)體芯片中的每一個包括電學(xué)器件、第一主表面和與第一主表面相對的第二主表面，第一主表面具有第一接觸元件，以及第二主表面具有第二接觸元件。在先前步驟中，半導(dǎo)體芯片可以已經(jīng)被制造在半導(dǎo)體晶片上，從半導(dǎo)體晶片切出并且隨后被嵌入在封裝材料中，以各個半導(dǎo)體芯片的形式或者以半導(dǎo)體芯片模塊的形式。以下將示出半導(dǎo)體芯片面板的實施例。
[0023]方法10進一步包括以與導(dǎo)電固定器一定距離來定位半導(dǎo)體芯片面板，使得測試接觸裝置被定位在要被測試的特定半導(dǎo)體芯片或者模塊上方(框13)。半導(dǎo)體芯片面板和測試接觸裝置必須相對彼此被橫向移動。因此測試接觸裝置被橫向移動，同時固定半導(dǎo)體芯片面板，或者半導(dǎo)體芯片被橫向移動，同時固定測試接觸裝置。這將在以下被更詳細(xì)示出。
[0024]方法10進一步包括在測試接觸裝置和多個半導(dǎo)體芯片中的一個半導(dǎo)體芯片的第一接觸元件之間建立電接觸(框14)。這可以例如通過以下來實現(xiàn):在要被測試的半導(dǎo)體芯片的方向向下移動測試接觸裝置，直至測試接觸裝置的測試引腳與半導(dǎo)體芯片的第一主表面上的第一接觸元件相接觸，并且或許直至測試接觸裝置的另外的測試引腳與半導(dǎo)體芯片的第一主表面上的另外的接觸元件相接觸。
[0025]方法10進一步包括在半導(dǎo)體芯片的第二接觸元件與卡盤之間建立電接觸(框15)。這可以例如通過以下來實現(xiàn):在測試接觸裝置上施加向下的力并且由此將半導(dǎo)體芯片向下按壓至卡盤上。也有可能的是，首先通過將半導(dǎo)體芯片面板吸取至卡盤上來在第二接觸元件和卡盤之間建立電接觸，并且此后通過向下移動測試接觸裝置直至建立電接觸來在測試接觸裝置和第一接觸元件之間建立電接觸。
[0026]方法10進一步包括通過測量半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片模塊的電學(xué)器件的功能、性能和電學(xué)特性中的一個或多個來測試半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體芯片模塊(框16)。
[0027]根據(jù)方法10的實施例，流程圖可以繼續(xù)至框17，其中進行是否已經(jīng)測試了所有的多個半導(dǎo)體芯片或模塊的詢問。如果答案是“是(YES) ”，則流程圖結(jié)束于框19。如果答案是“否(NO)”，則流程圖移至框18，據(jù)此橫向移動測試接觸裝置或半導(dǎo)體芯片面板中的一個，使得測試接觸裝置位于下一個半導(dǎo)體芯片或模塊上方。此后，流程圖再次移至框14以便對新的半導(dǎo)體芯片或模塊重復(fù)框14-16的步驟。
[0028]根據(jù)方法10的實施例，可以提供包括多個測試接觸引腳的測試接觸裝置。在圖2中，以透視圖示出了這種測試接觸裝置的示例。圖2的測試接觸裝置100包括用于在基板110的中心部分中固定多個引腳120的金屬基板110。多個引腳120可以包括電接觸引腳以及距離引腳。電接觸引腳可以被劃分成與要被測試的半導(dǎo)體芯片的電接觸區(qū)域或焊盤相對應(yīng)的不同區(qū)域。距離引腳可以被配置為固定地附著到基板110并相對于基板110靜止，以及測試接觸引腳120可以被配置為可滑動地安裝在基板110內(nèi)，特別是如以下將詳細(xì)示出的以彈簧裝載的引腳的形式。
[0029]根據(jù)方法10的實施例，可以提供包括規(guī)則圖案的立面(elevation) 210的導(dǎo)電固定器(卡盤)200。圖3A和圖3B以頂視圖(A)和沿圖3A的線B-B的截面?zhèn)纫晥D⑶示出了導(dǎo)電固定器200的示例。圖3A和圖3B的導(dǎo)電固定器200的立面210可以包括被示為圖3A中陰影區(qū)域的共面平整上表面，以及被示為陰影區(qū)域之間的區(qū)域的傾斜壁。當(dāng)將半導(dǎo)體芯片按壓至導(dǎo)電固定器200上時，半導(dǎo)體芯片的金屬化背表面將被放置在立面210的多個上表面上，使得與將半導(dǎo)體背表面按壓至平整固定器相比將增加接觸壓力。結(jié)構(gòu)化的表面也減小了不需要的顆粒的影響。相鄰立面210之間的距離可以在從0.5mm至1.5mm的范圍中，并且立面的高度可以在從0.1mm至Imm的范圍中。立面210的上表面可以具有矩形或方形形式并且側(cè)壁可以在所有四個側(cè)面上是傾斜的。
[0030]導(dǎo)電固定器200可以進一步包括距離元件，像例如從主表面沿垂直于主表面平面的方向延伸且可以位于固定器邊緣區(qū)域中的距離引腳。距離元件的長度可以確定半導(dǎo)體芯片面板相對于導(dǎo)電固定器200所定位的距離，如相對于圖1的框14所解釋的。
[0031]導(dǎo)電固定器200可以進一步包括開口，其垂直貫穿固定器直至導(dǎo)電固定器200的主表面，并且可以被連接至真空泵以便將半導(dǎo)體芯片面板吸取至導(dǎo)電固定器200的主表面。
[0032]根據(jù)圖1的方法10的實施例，將半導(dǎo)體芯片或模塊嵌入在封裝材料中以便形成半導(dǎo)體芯片面板。圖4示出了根據(jù)實施例的半導(dǎo)體芯片面板的一部分的截面表示。圖4的半導(dǎo)體芯片面板300包括多個半導(dǎo)體芯片310，僅示出了其中的兩個。半導(dǎo)體芯片310可以由像例如IGBT晶體管芯片的垂直晶體管芯片所構(gòu)成。半導(dǎo)體芯片310均可以包括第一主表面311和與第一主表面311相對的第二主表面312。第一主表面311可以具有兩個接觸元件311.1和311.2，即源極接觸元件311.1和柵極接觸元件311.2，并且第二主表面312可以具有漏極接觸元件312.1。漏極接觸元件312.1可以與可以由例如銅制成的厚導(dǎo)體元件312.2相連接。半導(dǎo)體芯片310均可以在第一和第二主表面311和312之間具有處于從50μπι至IOOym的范圍中的厚度。半導(dǎo)體芯片310可以基于S1、SiC，或者像例如GaN的II1-V族半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體芯片310可以通常在半導(dǎo)體晶片中被加工，并且隨后從半導(dǎo)體晶片切出。此后，將單片化的半導(dǎo)體芯片嵌入在封裝材料中。
[0033]以使得半導(dǎo)體芯片310被并排橫向布置的方式將半導(dǎo)體芯片310嵌入在封裝材料320內(nèi)，使得半導(dǎo)體芯片310的第一主表面311彼此共面并且與封裝材料320的第一主表面321共面，以及半導(dǎo)體芯片310的第二主表面312彼此共面并且與封裝材料320的第二主表面322共面。可以以使得半導(dǎo)體芯片310彼此電流分離或電電隔離的方式將半導(dǎo)體芯片310嵌入在封裝材料320中。此外，多個半導(dǎo)體芯片310可以在半導(dǎo)體芯片面板內(nèi)以矩陣形式被布置，其可以在圖7A中看到。
[0034]封裝材料320可以包括絕緣材料、模制材料、聚合物材料、樹脂材料、以及環(huán)氧樹脂材料中的一個或多個。封裝材料320也可以是聚合物材料、聚酰亞胺材料、熱塑性材料、硅樹脂材料、陶瓷材料和玻璃材料。封裝材料也可以包括上述材料中的任意，并且進一步包括嵌入其中的填充材料，像例如導(dǎo)熱增加物。這些填充增加物可以由例如A10、AlN或BrN制成。
[0035]根據(jù)一個實施例，半導(dǎo)體芯片面板300可以包括要被單獨測試的多個電流分離的相同半導(dǎo)體芯片。根據(jù)一個實施例，半導(dǎo)體芯片面板也可以包括多個半導(dǎo)體模塊，其中兩個或更多個半導(dǎo)體芯片相互電連接以形成電路。以下將進一步示出其示例。
[0036]圖5A至圖5C、圖6A和圖6B示出了用于在非接觸情形和接觸情形下測試半導(dǎo)體芯片的設(shè)備的不同視圖。用于測試半導(dǎo)體芯片的設(shè)備500包括可以按照與圖3的導(dǎo)電固定器300相同方式配置的導(dǎo)電固定器(卡盤)510，以及可以按照與圖2中所示和所述的測試接觸裝置100相同方式配置的測試接觸裝置520。測試接觸裝置520可以在朝向且遠(yuǎn)離導(dǎo)電固定器510的方向上被可移動地布置在設(shè)備500內(nèi)，如由垂直雙箭頭所示的。
[0037]根據(jù)設(shè)備500的實施例，測試接觸裝置520或半導(dǎo)體芯片面板中的一個或多個可在平行于導(dǎo)電固定器510的上表面的水平平面中移動。圖5C示出了位于半導(dǎo)體芯片面板530之上的測試接觸裝置520的頂視圖，可以按照與圖4的半導(dǎo)體芯片面板300相同的方式配置半導(dǎo)體芯片面板530。半導(dǎo)體芯片面板530可以包括各個半導(dǎo)體芯片541的陣列540，其以如此的方式被嵌入在封裝材料550中，使得半導(dǎo)體芯片541以矩陣形式被并排橫向地布置并且被相互電流分離或電絕緣。各個半導(dǎo)體芯片可以由像例如IGBT晶體管芯片的垂直晶體管芯片構(gòu)成。替代各個半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片模塊也可以是面板的一部分并且被嵌入在其內(nèi)，并且以與各個芯片同樣的方式被測試。
[0038]測試接觸裝置520可以包括多個測試接觸引腳521，可以按照結(jié)合圖2所示和所述的相同方式來布置該多個測試接觸引腳521。圖5A示出了沿著圖5C中所描繪的線A-A的截面圖。測試接觸裝置520被示為處于其中測試接觸引腳521被固定在如圖5B中所示要被測試的半導(dǎo)體芯片上方的位置中，圖5B示出了測試接觸裝置520的中心的放大截面圖。半導(dǎo)體芯片面板530位于導(dǎo)電固定器510的上表面上，并且可以由于與真空泵相連接的導(dǎo)電固定器510中的開口(二者在圖中均未被不出)而通過吸氣機構(gòu)固定至導(dǎo)電固定器510。測試接觸引腳521可以由彈簧裝載的引腳構(gòu)成。在如圖5A-圖5C中所示的情形下，半導(dǎo)體芯片面板530的背表面并未接觸導(dǎo)電固定器510的上表面,而是由于置于導(dǎo)電固定器510上表面上的距離元件而以小距離保持遠(yuǎn)離。
[0039]圖6A和圖6B圖示出了降低測試接觸裝置520、并在測試接觸引腳521與半導(dǎo)體芯片的上表面處的電接觸區(qū)域之間建立電接觸、同時將半導(dǎo)體芯片的背表面對著導(dǎo)電固定器510的上表面進行按壓的過程。測試接觸裝置520也可以包括距離引腳522。
[0040]為了朝向?qū)щ姽潭ㄆ?10降低測試接觸裝置520，從上方向測試接觸裝置520施加壓力直至距離引腳522的下端面到達半導(dǎo)體芯片面板530的上表面。在此發(fā)生之前，測試接觸引腳521的下端面已經(jīng)到達了要被測試的半導(dǎo)體芯片的電接觸區(qū)域的上表面，并且由于測試接觸裝置520的進一步向下移動，彈簧裝載的引腳521對著彈簧力同時一直與半導(dǎo)體芯片的電接觸區(qū)域相接觸而在測試接觸裝置520的主體內(nèi)側(cè)被移位。與此同時，由于測試接觸引腳521的向下擠壓，要被測試的半導(dǎo)體芯片被向下按壓直至半導(dǎo)體芯片的金屬化背表面與導(dǎo)電固定器510的上表面相接觸。結(jié)果，在一個半導(dǎo)體芯片的一個測試階段期間，只有要被測試的特定半導(dǎo)體芯片被測試接觸引腳521接觸并且用其金屬化背表面對著導(dǎo)電固定器510的上表面進行按壓，同時半導(dǎo)體芯片面板530的剩余部分仍然與導(dǎo)電固定器510的上表面分離。
[0041]在測試接觸引腳521和半導(dǎo)體芯片的上表面處的電接觸區(qū)域之間、以及在半導(dǎo)體芯片的金屬化背表面和導(dǎo)電固定器510的上表面之間建立了滿意的電接觸之后，可以執(zhí)行電學(xué)測量。例如可以通過由附圖中并未示出的其他測試接觸引腳施加電壓至柵極接觸區(qū)域，并且測量經(jīng)由垂直晶體管至背側(cè)漏極接觸區(qū)域以及由此進入導(dǎo)電固定器510中的流過測試接觸引腳521和源極接觸區(qū)域的電流來完成測量。
[0042]此后，可以再次抬升測試接觸裝置520，并且可以通過重復(fù)如上所述的過程來將測試接觸裝置520和半導(dǎo)體芯片面板530中的一個或多個橫向移位至要被測試的下一個半導(dǎo)體芯片。在已經(jīng)測試了半導(dǎo)體芯片面板530的所有半導(dǎo)體芯片之后，半導(dǎo)體芯片面板530可以被單片化，并且可以例如通過并聯(lián)連接良好的半導(dǎo)體芯片來將它們構(gòu)建在功率模塊內(nèi)。
[0043]圖7示出了根據(jù)示例的半導(dǎo)體芯片模塊的頂視圖。圖7的半導(dǎo)體芯片模塊700可以是所謂的智能功率模塊(IPM)。其可以包括三個功率晶體管701(P1)、702(P2)和703 (P3)，以及邏輯電路704(L1)?？梢詫⑦壿嬰娐?04配置成控制并且驅(qū)動功率晶體管。其也可以包括其他功能，像例如溫度傳感器功能?？梢詫⒍鄠€這種半導(dǎo)體芯片模塊以陣列形式嵌入在封裝材料中，并且因此形成諸如圖5C中所示那樣的半導(dǎo)體芯片面板。半導(dǎo)體芯片模塊中的每一個都可以作為整體而被測試，或者可以測試半導(dǎo)體芯片模塊中的每一個的各個芯片。
[0044]圖8示出了根據(jù)示例的用于圖示出同時測試若干個模塊或芯片的包括半導(dǎo)體芯片模塊831的矩陣布置或各個半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片面板830的一部分的頂視圖。為了同時測試兩個或更多個芯片或模塊，可以利用包括兩個或更多個測試接觸元件821的測試接觸裝置820，兩個或更多個測試接觸元件821可以被同時向下移動，使得可以一次接觸并且同時測試兩個或更多個芯片或模塊。測試接觸元件821可以彼此具有一定距離，該距離大于矩陣中兩個相鄰芯片或模塊之間的距離。
[0045]盡管已經(jīng)相對于一個或多個實施方式圖示出并且描述了本發(fā)明，但是可以在不脫離所附權(quán)利要求的精神和范圍的情況下對所圖示的示例做出變更和/或修改。特別是關(guān)于由上述部件或結(jié)構(gòu)(組件、器件、電路、系統(tǒng)等等)所執(zhí)行的各種功能，除非另有指示，否則用于描述這種部件的術(shù)語(包括對“裝置”的引用)意在對應(yīng)于執(zhí)行所描述的部件的具體功能的任何部件或結(jié)構(gòu)(例如，其是功能上等價的)，即便在結(jié)構(gòu)上并不等價于執(zhí)行本發(fā)明在此圖示的示例性實施方式中的功能的所公開的結(jié)構(gòu)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于測試半導(dǎo)體芯片的方法，所述方法包括: 提供半導(dǎo)體芯片面板，所述半導(dǎo)體芯片面板包括嵌入在封裝材料中的多個半導(dǎo)體芯片，其中所述半導(dǎo)體芯片中的至少一部分包括分別在第一主表面上的第一電接觸元件和在與所述第一主表面相對的第二主表面上的第二電接觸元件；以及 通過在測試接觸裝置和所述第一電接觸元件之間以及在導(dǎo)電固定器和所述第二接觸元件之間建立電接觸來測試所述多個半導(dǎo)體芯片中的一個。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，測試所述半導(dǎo)體芯片包括由所述測試接觸裝置將所述半導(dǎo)體芯片按壓到所述導(dǎo)電固定器上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體芯片中的一個包括功率晶體管、垂直晶體管、MOS晶體管、絕緣柵雙極晶體管、邏輯電路或無源部件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體芯片包括相似的或者同等的電學(xué)器件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體芯片包括不同的電學(xué)器件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，以矩陣形式布置所述多個半導(dǎo)體芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體芯片面板包括半導(dǎo)體芯片模塊，所述半導(dǎo)體芯片模塊包括兩個或更多個半導(dǎo)體芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體芯片模塊包括智能功率模塊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體芯片面板包括以矩陣形式布置的多個半導(dǎo)體芯片模塊。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體芯片中的一個包括從30μπι至150 μ m，特別是從50 μ m至120 μ m的范圍中的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述封裝材料包括模制材料、聚合物材料、聚酰亞胺材料、樹脂材料、環(huán)氧樹脂材料、硅樹脂材料、陶瓷材料和玻璃材料中的一個或多個。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電固定器包括與其連接的距離元件，并且其中測試所述半導(dǎo)體芯片中的一個包括通過將所述半導(dǎo)體芯片面板放置在所述距離元件上來以到所述導(dǎo)電固定器的一定距離定位所述半導(dǎo)體芯片面板。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括: 相對于所述導(dǎo)電固定器移動所述測試接觸裝置，使得所述測試接觸裝置被定位在所述半導(dǎo)體芯片上方，并且此后測試所述半導(dǎo)體芯片；以及此后 相對于所述導(dǎo)電固定器移動所述測試接觸裝置，以繼續(xù)測試其他半導(dǎo)體芯片。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，測試所述半導(dǎo)體芯片包括將一個或多個電壓施加至所述測試接觸裝置和導(dǎo)電襯底中的一個或多個，并且測量電流、導(dǎo)電率或電阻率中的一個或多個。
15.一種用于測試半導(dǎo)體芯片的設(shè)備，所述設(shè)備包括: 導(dǎo)電固定器；以及 測試接觸裝置，其在朝向所述導(dǎo)電固定器的方向上是可移動的。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中，所述測試接觸裝置是在空間中所有三個方向上可移動的。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中，所述測試接觸裝置包括多個測試接觸引腳。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中，所述測試接觸引腳的布置對應(yīng)于在特定半導(dǎo)體芯片的主表面上的電接觸元件的布置。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中，所述導(dǎo)電固定器的主表面包括規(guī)則圖案的立面。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其中，所述導(dǎo)電固定器包括從所述導(dǎo)電固定器的主表面延伸的距離元件。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè) 備，其中，所述導(dǎo)電固定器包括貫穿所述固定器至所述固定器的主表面的開口。
22.—種導(dǎo)電固定器,包括: 主表面，包括規(guī)則圖案的立面，其中 所述立面包括共面的平整上表面，并且相鄰立面之間的距離在從0.5mm至1.5mm的范圍中。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的導(dǎo)電固定器，其中，所述立面的上表面包括矩形或方形形式。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的導(dǎo)電固定器，其中，所述立面包括傾斜的側(cè)壁。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的導(dǎo)電固定器，進一步包括從所述主表面延伸的距離元件。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的導(dǎo)電固定器，進一步包括貫穿所述固定器至所述主表面的開口。
【文檔編號】G01R31/28GK103983911SQ201310757087
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2013年12月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月14日
【發(fā)明者】E·菲爾古特, H·格勒寧格 申請人:英飛凌科技股份有限公司