半導(dǎo)體芯片測試底板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體芯片測試底板，其上開設(shè)定位孔，所述定位孔為橢圓形。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是對測試底板上的定位孔進(jìn)行改進(jìn)，使測試底板相對于測試底座具有一定的位置調(diào)節(jié)范圍，并且調(diào)節(jié)方向不單一，擴(kuò)大了測試裝置的位置調(diào)節(jié)范圍，提高定位精度，從而保證芯片正確的下壓到socket中，滿足測試要求。
【專利說明】半導(dǎo)體芯片測試底板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體測試行業(yè)的測試裝置，特別是一種半導(dǎo)體芯片測試底板。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的半導(dǎo)體芯片測試裝置，是將測試板固定在測試底板上，測試底板再固定在測試底座上。測試底座左右前后均可調(diào)節(jié)，起精調(diào)作用。而測試底板相對測試底座固定時(shí)僅起粗調(diào)作用，因此其上的兩個(gè)定位孔，無法實(shí)現(xiàn)位置調(diào)節(jié)。由于機(jī)加工存在誤差，僅僅通過調(diào)節(jié)測試底座位置，有時(shí)候是無法滿足測試要求的，即芯片無法正確下壓到測試板的socket 中。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]實(shí)用新型目的:針對上述問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種位置可調(diào)的半導(dǎo)體芯片測試底板，進(jìn)一步擴(kuò)大測試裝置的位置調(diào)節(jié)范圍，提高定位精度。
[0004]技術(shù)方案:一種半導(dǎo)體芯片測試底板，其上開設(shè)定位孔，所述定位孔為橢圓形。
[0005]每個(gè)所述定位孔為一組橢圓形以同心呈輻射狀開設(shè)，為測試底板的位置調(diào)整提供多個(gè)方向上的調(diào)節(jié)空間，并且能夠起到一定范圍的限定作用。
[0006]所述一組橢圓形尺寸相同。
[0007]有益效果:與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是對測試底板上的定位孔進(jìn)行改進(jìn)，使測試底板相對于測試底座具有一定的位置調(diào)節(jié)范圍，并且調(diào)節(jié)方向不單一，擴(kuò)大了測試裝置的位置調(diào)節(jié)范圍，提高定位精度，從而保證芯片正確的下壓到socket中，滿足測試要求。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例1結(jié)構(gòu)示意圖；
[0009]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例2結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本實(shí)用新型，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍，在閱讀了本實(shí)用新型之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對本實(shí)用新型的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。
[0011]實(shí)施例1:如附圖1所示，一種半導(dǎo)體芯片測試底板，其上開設(shè)兩個(gè)定位孔1，定位孔I的形狀為橢圓形，橢圓形開設(shè)的角度方向決定了測試底板可以實(shí)現(xiàn)的位置調(diào)節(jié)方向，兩個(gè)定位孔I的橢圓形開設(shè)的角度方向應(yīng)當(dāng)一致。
[0012]測試底板固定在測試底座上時(shí)，相對測試底座粗調(diào)節(jié)定位，再通過測試底座進(jìn)行精調(diào)定位，滿足測試要求，保證芯片正確的下壓到socket中，對socket起到保護(hù)作用，提高測試良率。
[0013]實(shí)施例2:與實(shí)施例1基本相同，區(qū)別在于:如附圖2所示，每個(gè)定位孔I是由一組中心相同的橢圓形形成，以中心點(diǎn)呈輻射狀開設(shè)，為測試底板的位置調(diào)整提供多個(gè)方向上的調(diào)節(jié)空間，每個(gè)定位孔I的一組橢圓形尺寸相同。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體芯片測試底板，其上開設(shè)定位孔(I)，其特征在于:所述定位孔(I)為橢圓形，每個(gè)所述定位孔(I)為一組橢圓形以同心呈輻射狀開設(shè)，所述一組橢圓形尺寸相同。
【文檔編號】G01D11/00GK203587130SQ201320584092
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年9月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月18日
【發(fā)明者】王剛, 毛丹輝 申請人:鎮(zhèn)江艾科半導(dǎo)體有限公司