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      一種高頻電場探頭的制作方法

      文檔序號:6206391閱讀:349來源:國知局
      一種高頻電場探頭的制作方法
      【專利摘要】本實用新型公開了一種高頻電場探頭,包括兩個相互絕緣的半球形電極,兩個半球形電極之間設(shè)置有PCB電路板,PCB電路板上設(shè)置有電容,電容的兩個引腳分別通過導(dǎo)線連接兩個半球形電極,PCB電路板上還設(shè)置有SMA插座,同軸電纜的兩端分別設(shè)置有SMA插頭和BNC插座,同軸電纜設(shè)置有SMA插頭的一端穿過一個半球形電極連接PCB電路板上設(shè)置的SMA插座,電容的兩個引腳還分別連接PCB電路板上設(shè)置的SMA插座和同軸電纜的屏蔽層。本實用新型采用互相絕緣的兩個半球形電極構(gòu)成球形結(jié)構(gòu),通過標(biāo)定出天線系數(shù),可以用于測量變電站中由于遭受故障、雷擊和開關(guān)操作而產(chǎn)生的暫態(tài)高頻電磁場,同時還具有制作簡單、測量結(jié)果易于獲取、引起被測電場的畸變較小和可測場強大等優(yōu)點。
      【專利說明】一種高頻電場探頭
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實用新型涉及一種傳感裝置,尤其涉及一種高頻電場探頭。
      【背景技術(shù)】
      [0002]由于變電站內(nèi)GIS周圍存在著各種穩(wěn)態(tài)的和暫態(tài)的電場、磁場,這些電磁干擾源將對安裝在GIS附近匯控柜內(nèi)的自動控制、通訊和保護系統(tǒng)等二次設(shè)備造成干擾。尤其是當(dāng)變電站遭受故障、雷擊和開關(guān)操作時,會產(chǎn)生很強的瞬態(tài)電磁脈沖,這種瞬態(tài)電磁場分布在空間各點的幅值變化范圍很大,而且具有很寬的頻譜范圍,如果電磁屏蔽措施做的不好,將會引發(fā)二次設(shè)備的誤動而導(dǎo)致出現(xiàn)不必要的麻煩和損失。為了評估這種瞬態(tài)電磁干擾的嚴(yán)重性,亟需一種能夠?qū)λ矐B(tài)場進行測量和研究的裝置。
      實用新型內(nèi)容
      [0003]本實用新型的目的是提供一種高頻電場探頭,能夠?qū)ψ冸娬驹馐芄收?、雷擊和開關(guān)操作時產(chǎn)生的強瞬態(tài)電磁脈沖進行測量和研究,避免引發(fā)二次設(shè)備的誤動,保證二次設(shè)備的正常工作。
      [0004]本實用新型采用下述技術(shù)方案:
      [0005]一種高頻電場探頭,包括兩個相互絕緣的半球形電極,兩個半球形電極之間設(shè)置有PCB電路板,PCB電路板上設(shè)置有電容,電容的兩個引腳分別通過導(dǎo)線連接兩個半球形電極,PCB電路板上還設(shè)置有SMA插座,同軸電纜的兩端分別設(shè)置有SMA插頭和BNC插座,同軸電纜設(shè)置有SMA插頭的一端穿過一個半球形電極連接PCB電路板上設(shè)置的SMA插座,電容的兩個引腳還分別連接PCB電路板上設(shè)置的SMA插座和同軸電纜的屏蔽層。
      [0006]所述的兩個半球形電極采用兩個對稱的銅質(zhì)半球殼。
      [0007]所述的半球形電極的半徑為25mm,半球形電極的厚度為1.6mm。
      [0008]所述的兩個半球形電極中任意一個半球形電極殼體上設(shè)置有同軸電纜穿孔,同軸電纜穿孔的直徑為5mm。
      [0009]所述的同軸電纜的直徑為5mm。
      [0010]所述的電容容量為490pF。
      [0011]所述的PCB電路板的厚度為2mm。
      [0012]所述的導(dǎo)線焊接在半球形電極的底面邊緣。
      [0013]本實用新型采用互相絕緣的兩個半球形電極構(gòu)成球形結(jié)構(gòu),兩個半球形電極由電容相連,通過標(biāo)定出天線系數(shù),可以用于測量變電站中由于遭受故障、雷擊和開關(guān)操作而產(chǎn)生的暫態(tài)高頻電磁場,同時還具有制作簡單、測量結(jié)果易于獲取、引起被測電場的畸變較小和可測場強大等優(yōu)點。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0014]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖?!揪唧w實施方式】
      [0015]如圖1所示,本實用新型包括兩個相互絕緣的半球形電極1,半球形電極I的外表面分為半球形殼體表面和底面,兩個半球形電極I之間設(shè)置有PCB電路板2,PCB電路板2上設(shè)置有電容3,電容3的兩個引腳分別通過導(dǎo)線連接兩個半球形電極I。連接半球形電極I的導(dǎo)線焊接到半球形電極I的底面邊緣并盡可能的短,焊點應(yīng)該盡量小并且光滑,同時半球形電極I的底面邊緣處應(yīng)打磨光滑,以防止由于焊點突出或者尖端效應(yīng)引起的電荷分布不均。PCB電路板2上還設(shè)置有SMA插座4,同軸電纜5的兩端分別設(shè)置有SMA插頭6和BNC插座7,兩個半球形電極I中任意一個半球形電極I殼體上設(shè)置有同軸電纜穿孔,同軸電纜5設(shè)置有SMA插頭6的一端穿過同軸電纜穿孔連接PCB電路板2上設(shè)置的SMA插座4,電容3的兩個引腳還分別連接PCB電路板2上設(shè)置的SMA插座4和同軸電纜5的屏蔽層。
      [0016]本實施例中,半球形電極I的半徑為25mm,半球形電極I的厚度為1.6mm,兩個半球形電極I采用兩個對稱的銅質(zhì)半球殼。半球形電極I殼體上設(shè)置的同軸電纜穿孔的直徑為5mm,所述的同軸電纜5的直徑為5mm。電容3容量為490pF。PCB電路板2的厚度為2mm o
      [0017]本實用新型在使用過程中,互相絕緣的兩個對稱的半球形電極I構(gòu)成球形結(jié)構(gòu),兩個半球形電極I通過電容3相連,實質(zhì)上構(gòu)成了球形結(jié)構(gòu)的電容探頭。球形結(jié)構(gòu)的電容探頭具有以下優(yōu)點:
      [0018](I)半球形電極I中半球形殼體表面的感應(yīng)電荷與所施加電場強度的關(guān)系易于計算;
      [0019](2)可以方便地估算出球形結(jié)構(gòu)的電容3探頭對被測電場的影響;
      [0020](3)電場的畸變較小,可以避免尖端放電現(xiàn)象;
      [0021](4)通過標(biāo)定天線系數(shù),可以用于測量變電站中的暫態(tài)高頻電磁場。
      【權(quán)利要求】
      1.一種高頻電場探頭,其特征在于:包括兩個相互絕緣的半球形電極,兩個半球形電極之間設(shè)置有PCB電路板,PCB電路板上設(shè)置有電容,電容的兩個引腳分別通過導(dǎo)線連接兩個半球形電極,PCB電路板上還設(shè)置有SMA插座,同軸電纜的兩端分別設(shè)置有SMA插頭和BNC插座,同軸電纜設(shè)置有SMA插頭的一端穿過一個半球形電極連接PCB電路板上設(shè)置的SMA插座,電容的兩個引腳還分別連接PCB電路板上設(shè)置的SMA插座和同軸電纜的屏蔽層。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻電場探頭,其特征在于:所述的兩個半球形電極采用兩個對稱的銅質(zhì)半球殼。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高頻電場探頭,其特征在于:所述的半球形電極的半徑為25mm,半球形電極的厚度為1.6mm。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高頻電場探頭,其特征在于:所述的兩個半球形電極中任意一個半球形電極殼體上設(shè)置有同軸電纜穿孔,同軸電纜穿孔的直徑為5mm。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高頻電場探頭,其特征在于:所述的同軸電纜的直徑為5mm。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高頻電場探頭,其特征在于:所述的電容容量為490pF。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高頻電場探頭,其特征在于:所述的PCB電路板的厚度為2mm o
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高頻電場探頭,其特征在于:所述的導(dǎo)線焊接在半球形電極的底面邊緣。
      【文檔編號】G01R29/08GK203551671SQ201320733635
      【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月20日
      【發(fā)明者】張少鋒, 韓金華, 趙磊, 郭磊, 陳豪然, 李曉綱, 陳瑞, 張曉鵬, 屈少平, 王廣周 申請人:國家電網(wǎng)公司, 國網(wǎng)河南省電力公司電力科學(xué)研究院
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