一種大口徑晶體缺陷檢測方法及裝置制造方法
【專利摘要】一種大口徑晶體缺陷檢測方法及裝置，涉及一種晶體缺陷檢測方法及裝置。以解決目前尚無使晶體在恒溫狀態(tài)下利用倍頻效率測量方法檢測晶體存在生長缺陷的方法及裝置。將裝有晶體的大口徑晶體缺陷檢測裝置置于檢測裝置缺陷檢測光路中；裝置：銅環(huán)外固定有加熱器，兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)套裝在銅環(huán)內(nèi)且與銅環(huán)可拆卸連接，兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)之間固定有豎直設(shè)置的大口徑晶體，內(nèi)固定端蓋與銅環(huán)固定連接，窗口玻璃片通過內(nèi)固定端蓋密封固定在內(nèi)擋環(huán)斜端面上，加熱器外側(cè)套裝外殼，外殼兩端與外固定端蓋固定，測溫?zé)犭娕脊潭ㄔ阢~環(huán)上，測溫?zé)犭娕纪ㄟ^導(dǎo)線與測溫?zé)犭娕嫉娘@示儀表相連，顯示儀表輸出溫度給溫控儀，溫控儀通過導(dǎo)線與加熱器相連。本發(fā)明用于大口徑晶體缺陷檢測。
【專利說明】 一種大口徑晶體缺陷檢測方法及裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種晶體缺陷檢測方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]倍頻轉(zhuǎn)換技術(shù)是獲得高能量激光的重要方法，主要通過晶體如KDP、DKDP, ADP等的倍頻效應(yīng)來得到高頻率、高能量的激光。晶體在生長過程中的缺陷嚴(yán)重影響了倍頻轉(zhuǎn)換效率。至目前為止，尚無使晶體在恒溫狀態(tài)下利用倍頻效率測量方法檢測晶體存在生長缺陷的方法及裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供一種大口徑晶體缺陷檢測方法及裝置，以解決至目前為止，尚無使晶體在恒溫狀態(tài)下利用倍頻效率測量方法檢測晶體存在生長缺陷的方法及裝置的問題。
[0004]本發(fā)明的方法是在密閉空間內(nèi)加熱大口徑晶體，將大口徑晶體控制在最佳匹配溫度下，采用缺陷檢測光路檢測大口徑晶體缺陷位置，通過測量大口徑晶體不同位置的倍頻轉(zhuǎn)換效率值來檢測大口徑晶體的缺陷。
[0005]本發(fā)明解決上述問題采取以下技術(shù)方案:
[0006]本發(fā)明的一種大口徑晶體缺陷檢測方法，所述方法包括以下步驟:
[0007]步驟一、先將晶體裝入大口徑晶體缺陷檢測裝置內(nèi)，再將所述大口徑晶體缺陷檢測裝置設(shè)置在檢測光路中，控制大口徑晶體缺陷檢測裝置中溫控儀的溫度值，使得晶體以±0.1°C的溫度梯度進(jìn)行升溫或降溫，得到晶體在不同溫度下的倍頻效率值，并通過高斯擬合方法得到晶體在最高倍頻轉(zhuǎn)換效率條件下的溫度值，即為最佳匹配溫度，將所述溫控儀的溫度值設(shè)為所述最佳匹配溫度；
[0008]步驟二、當(dāng)晶體溫度達(dá)到最佳匹配溫度并穩(wěn)定后，所述檢測光路中的固體激光器發(fā)出基頻光，通過分光板一將雜散光分離，通過KDP晶體對(duì)激光進(jìn)行二倍頻轉(zhuǎn)換，得到2 ω激光，再通過分光板二將雜散光和基頻光分離，通過劈板一和卡計(jì)一測量二倍頻光的能量，通過檢測晶體對(duì)2 ω進(jìn)行頻率轉(zhuǎn)換，得到4 ω光，最后通過30°劈板和卡計(jì)二得到4 ω激光的能量，根據(jù)4 ω和2ω激光的能量得到晶體不同位置的2 ω-4 ω倍頻轉(zhuǎn)換效率，所述基頻光的波長為1053nm ；
[0009]步驟三、調(diào)整大口徑晶體缺陷檢測裝置的位置，檢測晶體不同位置的2ω-4ω倍頻轉(zhuǎn)換效率，得到晶體不同點(diǎn)處的的效率分布，當(dāng)存在缺陷時(shí)，晶體的轉(zhuǎn)換效率趨于0，故通過效率分布得到晶體的缺陷位置分布。
[0010]本發(fā)明的大口徑晶體缺陷檢測裝置，所述大口徑晶體缺陷檢測裝置包括加熱器、外殼、銅環(huán)、溫度控制系統(tǒng)、兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)、兩個(gè)窗口玻璃片、兩個(gè)內(nèi)固定端蓋及兩個(gè)外固定端蓋，所述溫度控制系統(tǒng)包括測溫?zé)犭娕己蜏乜貎x；
[0011]每個(gè)內(nèi)擋環(huán)的兩個(gè)相對(duì)端面的其中一個(gè)端面為直端面，另一個(gè)端面為斜端面，所述銅環(huán)的外圓周面固定有加熱器，兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)的直端面相對(duì)設(shè)置并套裝在銅環(huán)內(nèi)，兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)均與銅環(huán)徑向可拆卸連接，且兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)的直端面之間固定有豎直設(shè)置的所述晶體，每個(gè)內(nèi)擋環(huán)的斜端面上設(shè)置有一個(gè)窗口玻璃片，兩個(gè)窗口玻璃片的外側(cè)面各設(shè)置有一個(gè)內(nèi)固定端蓋，內(nèi)固定端蓋的內(nèi)端面為斜內(nèi)端面，內(nèi)固定端蓋的斜內(nèi)端面與內(nèi)擋環(huán)的斜端面傾斜度相一致，每個(gè)內(nèi)固定端蓋與銅環(huán)的相鄰端固定連接，每個(gè)窗口玻璃片通過內(nèi)固定端蓋的斜內(nèi)端面密封固定在內(nèi)擋環(huán)的斜端面上，加熱器的外側(cè)套裝一個(gè)外殼，外殼為圓筒狀，夕卜殼的兩端各與一個(gè)外固定端蓋固定，測溫?zé)犭娕即┻^外殼和加熱器固定在銅環(huán)上，測溫?zé)犭娕嫉娘@示儀表安裝在溫控儀上，測溫?zé)犭娕纪ㄟ^導(dǎo)線與測溫?zé)犭娕嫉娘@示儀表相連，顯示儀表輸出的溫度數(shù)據(jù)給溫控儀，溫控儀通過導(dǎo)線與加熱器相連。
[0012]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較的有益效果是:
[0013]1、由于晶體具有較高的溫度敏感度，在較小的溫度變化下就能大幅度降低晶體的倍頻效率，因此，本發(fā)明的方法可使晶體在恒溫狀態(tài)下，通過倍頻轉(zhuǎn)換效率來確定晶體的缺陷位置。
[0014]2、本發(fā)明的裝置通過安裝溫度傳感器測試銅環(huán)的溫度值作為反饋信號(hào)控制加熱器的閉合，維持大口徑晶體的熱源溫度，能夠得到精準(zhǔn)的銅環(huán)溫度值并控制在±0.rc內(nèi)。本發(fā)明的裝置還具有結(jié)構(gòu)簡單、控制精度高和制造成本低等優(yōu)點(diǎn)。
[0015]3、本發(fā)明裝置可以使晶體以±0.1°C的溫度梯度進(jìn)行升溫或降溫，得到晶體在不同溫度下的倍頻效率值，通過溫度與轉(zhuǎn)換效率之間的關(guān)系，通過高斯擬合方法得到晶體的最佳匹配溫度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)主視示意圖，圖2是內(nèi)擋環(huán)的主剖視圖，圖3是銅環(huán)的主剖視圖，圖4是缺陷檢測光路示意圖。
[0017]附圖標(biāo)記說明:加熱器1、晶體2、窗口玻璃片3、外固定端蓋6、外殼7、銅環(huán)10、鍵
11、內(nèi)擋環(huán)12、內(nèi)固定端蓋13、測溫?zé)犭娕?4、溫控儀15、直端面20、斜端面21、顯示儀表22、鍵槽23、通槽24、螺紋孔25、大口徑晶體缺陷檢測裝置26、固體激光器27、分光板一 28、KDP晶體29、分光板二 30、劈板一 31、30°劈板32、卡計(jì)一 33、卡計(jì)二 34。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合具體【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】。
[0019]【具體實(shí)施方式】一:結(jié)合圖1及圖4說明，本實(shí)施方式的一種大口徑晶體缺陷檢測方法，所述方法包括以下步驟:
[0020]步驟一、先將晶體2裝入大口徑晶體缺陷檢測裝置26內(nèi)，再將所述大口徑晶體缺陷檢測裝置26設(shè)置在檢測光路中，控制大口徑晶體缺陷檢測裝置26中溫控儀15的溫度值，使得晶體2以±0.1°C的溫度梯度進(jìn)行升溫或降溫，得到晶體2在不同溫度下的倍頻效率值，并通過高斯擬合方法得到晶體2在最高倍頻轉(zhuǎn)換效率條件下的溫度值，即為最佳匹配溫度，將所述溫控儀15的溫度值設(shè)為所述最佳匹配溫度；
[0021]步驟二、當(dāng)晶體2溫度達(dá)到最佳匹配溫度并穩(wěn)定后，所述檢測光路中的固體激光器27發(fā)出基頻光，通過分光板一 28將雜散光分離，通過KDP晶體29對(duì)激光進(jìn)行二倍頻轉(zhuǎn)換，得到2ω激光，再通過分光板二 30將雜散光和基頻光分離，通過劈板一 31和卡計(jì)一 33測量二倍頻光的能量，通過檢測晶體2對(duì)2ω進(jìn)行頻率轉(zhuǎn)換，得到4ω光，最后通過30°劈板32和卡計(jì)二 34得到4ω激光的能量，根據(jù)4ω和2ω激光的能量得到晶體2不同位置的2ω-4ω倍頻轉(zhuǎn)換效率，所述基頻光的波長為1053nm ;
[0022]步驟三、調(diào)整大口徑晶體缺陷檢測裝置26的位置，檢測晶體2不同位置的2 ω -4 ω倍頻轉(zhuǎn)換效率，得到晶體2不同點(diǎn)處的的效率分布，當(dāng)存在缺陷時(shí)，晶體2的轉(zhuǎn)換效率趨于0，故通過效率分布得到晶體2的缺陷位置分布。
[0023]晶體2的最佳匹配溫度與具體晶體有關(guān)，即不同晶體有不同的最佳匹配溫度值。
[0024]【具體實(shí)施方式】二:結(jié)合圖1-圖3說明，本實(shí)施方式的實(shí)現(xiàn)【具體實(shí)施方式】一所述方法所采用的大口徑晶體缺陷檢測裝置，所述大口徑晶體缺陷檢測裝置26包括加熱器1、外殼7、銅環(huán)10、溫度控制系統(tǒng)、兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)12、兩個(gè)窗口玻璃片3、兩個(gè)內(nèi)固定端蓋13及兩個(gè)外固定端蓋6，所述溫度控制系統(tǒng)包括測溫?zé)犭娕?4和溫控儀15 ；
[0025]每個(gè)內(nèi)擋環(huán)12的兩個(gè)相對(duì)端面的其中一個(gè)端面為直端面20，另一個(gè)端面為斜端面21，所述銅環(huán)10的外圓周面固定有加熱器1，兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)12的直端面20相對(duì)設(shè)置并套裝在銅環(huán)10內(nèi)，兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)12均與銅環(huán)10徑向可拆卸連接，且兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)12的直端面20之間固定有豎直設(shè)置的所述晶體2，每個(gè)內(nèi)擋環(huán)12的斜端面21上設(shè)置有一個(gè)窗口玻璃片3，兩個(gè)窗口玻璃片3的外側(cè)面各設(shè)置有一個(gè)內(nèi)固定端蓋13，內(nèi)固定端蓋13的內(nèi)端面為斜內(nèi)端面，內(nèi)固定端蓋13的斜內(nèi)端面與內(nèi)擋環(huán)12的斜端面21傾斜度相一致,每個(gè)內(nèi)固定端蓋13與銅環(huán)10的相鄰端固定連接(采用螺釘固定連接)，每個(gè)窗口玻璃片3通過內(nèi)固定端蓋13的斜內(nèi)端面密封固定在內(nèi)擋環(huán)12的斜端面21上，加熱器I的外側(cè)套裝一個(gè)外殼7(起保護(hù)作用)，外殼7為圓筒狀，外殼7的兩端各與一個(gè)外固定端蓋6固定(采用螺釘固定連接)，測溫?zé)犭娕?4穿過外殼7和加熱器I固定在銅環(huán)10上，測溫?zé)犭娕?4的顯示儀表22安裝在溫控儀15上，測溫?zé)犭娕?4通過導(dǎo)線與測溫?zé)犭娕?4的顯示儀表22相連(測溫?zé)犭娕?4用于檢測銅環(huán)10的溫度)，顯示儀表22輸出的溫度數(shù)據(jù)給溫控儀15，溫控儀15通過導(dǎo)線與加熱器I相連(通過控制系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)加熱器I的電路的閉合)。
[0026]本實(shí)施方式中的測溫?zé)犭娕?4測試精度為±0.10C ;所選的溫控儀15可以以
0.10C /step進(jìn)行升高或降低熱源的控制溫度。測溫?zé)犭娕?4的溫度信號(hào)輸出給溫控儀15，溫控儀15控制加熱器I供電回路通或斷。
[0027]【具體實(shí)施方式】三:結(jié)合圖1和圖2說明，本實(shí)施方式所述兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)12的外側(cè)壁各開設(shè)有一個(gè)鍵槽23，兩個(gè)鍵槽23設(shè)置在同一直線上(保證窗口玻璃片3平行放置)，銅環(huán)10的內(nèi)壁上沿長度方向開設(shè)有通槽24，通槽24與兩個(gè)鍵槽23相對(duì)應(yīng)，每個(gè)相對(duì)應(yīng)的鍵槽23和通槽24內(nèi)裝有一個(gè)鍵11，兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)12各通過一個(gè)鍵11與銅環(huán)10徑向可拆卸連接，且兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)12的外側(cè)壁與銅環(huán)10的內(nèi)側(cè)壁之間緊密接觸。連接穩(wěn)定，方便，同時(shí)還便于安裝，本實(shí)施方式中未公開的技術(shù)特征與【具體實(shí)施方式】二相同。
[0028]【具體實(shí)施方式】四:結(jié)合圖2說明，本實(shí)施方式所述每個(gè)內(nèi)擋環(huán)12的斜端面21與直端面20之間的夾角為α，α=5°，以消除雜散光的影響。本實(shí)施方式中未公開的技術(shù)特征與【具體實(shí)施方式】二相同。
[0029]【具體實(shí)施方式】五:結(jié)合圖1和圖3說明，本實(shí)施方式所述銅環(huán)10的外側(cè)壁上開設(shè)有至少一個(gè)螺紋孔25，測溫?zé)犭娕?4與銅環(huán)10的一個(gè)螺紋孔25連接。本實(shí)施方式中未公開的技術(shù)特征與【具體實(shí)施方式】四相同。
[0030]本實(shí)施方式中，銅環(huán)10的外側(cè)壁上開設(shè)的螺紋孔25的數(shù)量為五個(gè)，根據(jù)需要選擇其中一個(gè)螺紋孔25與測溫?zé)犭娕?4連接。
[0031]【具體實(shí)施方式】六:結(jié)合圖1說明，本實(shí)施方式所述加熱器I為電阻絲加熱器。本實(shí)施方式中未公開的技術(shù)特征與【具體實(shí)施方式】二相同。
[0032]【具體實(shí)施方式】七:結(jié)合圖1說明，本實(shí)施方式所述兩個(gè)窗口玻璃片3平行設(shè)置，保證光路平行。本實(shí)施方式中未公開的技術(shù)特征與【具體實(shí)施方式】二相同。
[0033]【具體實(shí)施方式】八:結(jié)合圖1說明，本實(shí)施方式所述晶體2、窗口玻璃片3及兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)12的中心線在同一直線上。本實(shí)施方式中未公開的技術(shù)特征與【具體實(shí)施方式】二相同。
[0034]晶體加熱的工作過程(參見圖1-圖3):將晶體2豎直夾緊在兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)12的直端面20之間，將測溫?zé)犭娕?4固定在銅環(huán)10的合適的螺紋孔上，將不用的螺紋孔用銅塞密封，顯示儀表22固定在溫控儀15上，同時(shí)將電源線固定在溫控儀15上。根據(jù)需要設(shè)定控制儀15的最佳匹配溫度，使得晶體2達(dá)到最佳匹配溫度，并在50min后達(dá)到穩(wěn)定，同時(shí)可以設(shè)置控制儀15上的溫度值，當(dāng)需要微調(diào)晶體2表面溫度時(shí)，可通過控制儀15來控制。本發(fā)明是一種在密閉空間內(nèi)加熱晶體2，可使晶體2具有較高的溫度控制精度并維持穩(wěn)定的控制狀態(tài)。本發(fā)明所檢測的晶體2為大口徑晶體，口徑為Φ80πιπι。
【權(quán)利要求】
1.一種大口徑晶體缺陷檢測方法，其特征在于:所述方法包括以下步驟: 步驟一、先將晶體(2 )裝入大口徑晶體缺陷檢測裝置(26 )內(nèi)，再將所述大口徑晶體缺陷檢測裝置(26)設(shè)置在檢測光路中，控制大口徑晶體缺陷檢測裝置(26)中溫控儀(15)的溫度值，使得晶體(2)以±0.1°C的溫度梯度進(jìn)行升溫或降溫，得到晶體(2)在不同溫度下的倍頻效率值，并通過高斯擬合方法得到晶體(2)在最高倍頻轉(zhuǎn)換效率條件下的溫度值，即為最佳匹配溫度，將所述溫控儀(15)的溫度值設(shè)為所述最佳匹配溫度； 步驟二、當(dāng)晶體(2)溫度達(dá)到最佳匹配溫度并穩(wěn)定后，所述檢測光路中的固體激光器(27)發(fā)出基頻光，通過分光板一(28)將雜散光分離，通過KDP晶體(29)對(duì)激光進(jìn)行二倍頻轉(zhuǎn)換，得到2ω激光，再通過分光板二(30)將雜散光和基頻光分離，通過劈板一(31)和卡計(jì)一(33)測量二倍頻光的能量，通過檢測晶體(2)對(duì)2ω進(jìn)行頻率轉(zhuǎn)換，得到4ω光，最后通過30°劈板(32)和卡計(jì)二(34)得到4ω激光的能量，根據(jù)4ω和2ω激光的能量得到晶體(2)不同位置的2ω-4ω倍頻轉(zhuǎn)換效率，所述基頻光的波長為1053nm ； 步驟三、調(diào)整大口徑晶體缺陷檢測裝置(26)的位置，檢測晶體(2)不同位置的2ω-4ω倍頻轉(zhuǎn)換效率，得到晶體(2)不同點(diǎn)處的的效率分布，當(dāng)存在缺陷時(shí)，晶體(2)的轉(zhuǎn)換效率趨于0，故通過效率分布得到晶體(2)的缺陷位置分布。
2.一種實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1所述方法所采用的大口徑晶體缺陷檢測裝置，其特征在于:所述大口徑晶體缺陷檢測裝置(26)包括加熱器(I)、外殼(7)、銅環(huán)(10)、溫度控制系統(tǒng)、兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)(12)、兩個(gè)窗口玻璃片(3)、兩個(gè)內(nèi)固定端蓋(13)及兩個(gè)外固定端蓋(6)，所述溫度控制系統(tǒng)包括測溫?zé)犭娕?14)和溫控儀(15)； 每個(gè)內(nèi)擋環(huán)(12)的兩個(gè)相對(duì)端面的其中一個(gè)端面為直端面(20)，另一個(gè)端面為斜端面(21)，所述銅環(huán)(10)的外圓周面固定有加熱器(1)，兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)(12)的直端面(20)相對(duì)設(shè)置并套裝在銅環(huán)(10)內(nèi)，兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)(12)均與銅環(huán)(10)徑向可拆卸連接，且兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)(12)的直端面(20)之間固定有豎直設(shè)置的所述晶體(2)，每個(gè)內(nèi)擋環(huán)(12)的斜端面(21)上設(shè)置有一個(gè)窗口玻璃片(3),兩個(gè)窗口玻璃片(3)的外側(cè)面各設(shè)置有一個(gè)內(nèi)固定端蓋(13),內(nèi)固定端蓋(13)的內(nèi)端面為斜內(nèi)端面，內(nèi)固定端蓋(13)的斜內(nèi)端面與內(nèi)擋環(huán)(12)的斜端面(21)傾斜度相一致，每個(gè)內(nèi)固定端蓋(13)與銅環(huán)(10)的相鄰端固定連接，每個(gè)窗口玻璃片(3)通過內(nèi)固定端蓋(13)的斜內(nèi)端面密封固定在內(nèi)擋環(huán)(12)的斜端面(21)上，加熱器(O的外側(cè)套裝一個(gè)外殼(7),外殼(7)為圓筒狀,外殼(7)的兩端各與一個(gè)外固定端蓋(6)固定，測溫?zé)犭娕?14)穿過外殼(7)和加熱器(I)固定在銅環(huán)(10)上，測溫?zé)犭娕?14)的顯示儀表(22)安裝在溫控儀(15)上，測溫?zé)犭娕?14)通過導(dǎo)線與測溫?zé)犭娕?14)的顯示儀表(22)相連，顯示儀表(22)輸出的溫度數(shù)據(jù)給溫控儀(15)，溫控儀(15)通過導(dǎo)線與加熱器(I)相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述大口徑晶體缺陷檢測裝置，其特征在于:所述兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)(12)的外側(cè)壁各開設(shè)有一個(gè)鍵槽(23)，兩個(gè)鍵槽(23)設(shè)置在同一直線上，銅環(huán)(10)的內(nèi)壁上沿長度方向開設(shè)有通槽(24 )，通槽(24 )與兩個(gè)鍵槽(23 )相對(duì)應(yīng)，每個(gè)相對(duì)應(yīng)的鍵槽(23 )和通槽(24)內(nèi)裝有一個(gè)鍵(11 )，兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)(12)各通過一個(gè)鍵(11)與銅環(huán)(10)徑向可拆卸連接，且兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)(12)的外側(cè)壁與銅環(huán)(10)的內(nèi)側(cè)壁之間緊密接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述大口徑晶體缺陷檢測裝置，其特征在于:所述每個(gè)內(nèi)擋環(huán)(12)的斜端面(21)與直端面(20)之間的夾角為α，α=5°。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述大口徑晶體缺陷檢測裝置，其特征在于:所述銅環(huán)(10)的外側(cè)壁上開設(shè)有至少一個(gè)螺紋孔(25)，測溫?zé)犭娕?14)與銅環(huán)(10)的一個(gè)螺紋孔(25)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述大口徑晶體缺陷檢測裝置，其特征在于:所述加熱器(1)為電阻絲加熱器。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述大口徑晶體缺陷檢測裝置，其特征在于:所述兩個(gè)窗口玻璃片(3)平行設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述大口徑晶體缺陷檢測裝置，其特征在于:所述晶體(2)、窗口玻璃片(3)及兩個(gè)內(nèi)擋環(huán)(12)的中心線在同一直線上。
【文檔編號(hào)】G01N21/63GK103808694SQ201410066535
【公開日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2014年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月26日
【發(fā)明者】張鵬, 梁迎春, 孫付仲, 盧禮華 申請(qǐng)人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)