半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法、陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法、陣列基板，屬于陣列基板檢測(cè)【技術(shù)領(lǐng)域】，其可解決現(xiàn)有的陣列基板有源區(qū)接觸電阻檢測(cè)方法準(zhǔn)確性差的問題。本發(fā)明的半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法中，待檢測(cè)的半導(dǎo)體層上有至少3個(gè)形狀和尺寸相同，且相互平行、間隔、相對(duì)設(shè)置的金屬條；所述半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法包括：確定多個(gè)檢測(cè)組，每個(gè)檢測(cè)組中有兩個(gè)金屬條，不同檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條的兩相對(duì)表面間的距離不同；依次分別在各檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條間通電流，并檢測(cè)兩個(gè)金屬條間的電壓；根據(jù)各檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條間的電流和電壓計(jì)算出半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率。本發(fā)明可用于檢測(cè)陣列基板的薄膜晶體管的有源區(qū)與源漏極間的接觸電阻。
【專利說明】半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法、陣列基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于陣列基板檢測(cè)【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法、陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置、液晶顯示裝置等的陣列基板中，都設(shè)有大量薄膜晶體管。薄膜晶體管的有源區(qū)由半導(dǎo)體組成，該半導(dǎo)體層(有源區(qū))與金屬源漏極間的接觸電阻的大小對(duì)薄膜晶體管的性能有重要的影響。為保證產(chǎn)品質(zhì)量，應(yīng)對(duì)陣列基板有源區(qū)與源漏極間的接觸電阻進(jìn)行檢測(cè)。
[0003]現(xiàn)有的半導(dǎo)體-金屬接觸電阻(率)檢測(cè)方法是用市售的四探針式接觸電阻儀直接檢測(cè)半導(dǎo)體層與金屬間的接觸電阻(率)。但在用“四探針法”測(cè)接觸電阻時(shí)，理論上半導(dǎo)體層要無限大檢測(cè)結(jié)果才準(zhǔn)確，在其他領(lǐng)域中檢測(cè)的半導(dǎo)體雖然不是無限大但都是宏觀材料，故檢測(cè)結(jié)果差別不大；而對(duì)于陣列基板中的半導(dǎo)體層(有源區(qū))，其厚度在微米量級(jí)，這樣其檢測(cè)結(jié)果與實(shí)際值的差異會(huì)很大，檢測(cè)的準(zhǔn)確性差。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有的陣列基板有源區(qū)接觸電阻檢測(cè)方法準(zhǔn)確性差的問題，提供一種簡單、準(zhǔn)確的半導(dǎo)體層接觸電阻檢測(cè)方法。
[0005]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法，其中，待檢測(cè)的半導(dǎo)體層上有至少3個(gè)形狀和尺寸相同，且相互平行、間隔、相對(duì)設(shè)置的金屬條；所述半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法包括:
[0006]確定多個(gè)檢測(cè)組，每個(gè)檢測(cè)組中有兩個(gè)金屬條，不同檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條的兩相對(duì)表面間的距離不同；
[0007]依次分別在各檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條間通電流，并檢測(cè)兩個(gè)金屬條間的電壓；
[0008]根據(jù)各檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條間的電流和電壓計(jì)算出半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率。
[0009]優(yōu)選的是，所述根據(jù)各檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條間的電流和電壓計(jì)算出半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率包括:
[0010]建立坐標(biāo)系，其橫坐標(biāo)為距離，縱坐標(biāo)為電壓；
[0011]將與各檢測(cè)組對(duì)應(yīng)的檢測(cè)點(diǎn)標(biāo)在所述坐標(biāo)系中，其中，每個(gè)檢測(cè)組對(duì)應(yīng)的檢測(cè)點(diǎn)的橫坐標(biāo)為該檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條間的距離，縱坐標(biāo)為當(dāng)電流為預(yù)定Iy時(shí)該檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條間的電壓；
[0012]用作圖法做出與各檢測(cè)點(diǎn)擬合度最高的直線，該直線上對(duì)應(yīng)橫坐標(biāo)為O的點(diǎn)的電壓值為Vtl，根據(jù)PX = V0XS^2^Iy的公式計(jì)算出半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率P X，其中S為金屬條與半導(dǎo)體層的接觸面的面積。
[0013]優(yōu)選的是，第η個(gè)檢測(cè)組中兩個(gè)金屬條間的電流為In，距離為Dn，電壓為Vn;所述根據(jù)各檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條間的電流和電壓計(jì)算出半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率包括:
[0014]用兩個(gè)不同檢測(cè)組中的In、Dn、Vn值分別根據(jù)公式Vn =2X P x + SXIn+RbXDnXIn建立兩個(gè)方程，用兩個(gè)方程組成聯(lián)立方程組，解方程組以計(jì)算出半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率P X，其中S為金屬條與半導(dǎo)體層的接觸面的面積，Rb為兩金屬條間單位長度的半導(dǎo)體層的電阻。
[0015]優(yōu)選的是，向各所述檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條間通的電流值均相等。
[0016]優(yōu)選的是，每個(gè)檢測(cè)組中的兩個(gè)金屬條均是相鄰的金屬條。
[0017]優(yōu)選的是，所述金屬條的個(gè)數(shù)大于等于4個(gè)。
[0018]優(yōu)選的是，所述金屬條為直條狀。
[0019]優(yōu)選的是，在與各金屬條的排列方向垂直的方向上，各金屬條的尺寸等于半導(dǎo)體層的尺寸。
[0020]優(yōu)選的是，在所述確定多個(gè)檢測(cè)組之前，還包括:通過構(gòu)圖工藝在所述半導(dǎo)體層上形成所述至少3個(gè)金屬條。
[0021]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，包括用于進(jìn)行顯示的顯示區(qū)和位于顯示區(qū)外的檢測(cè)區(qū)，且
[0022]所述檢測(cè)區(qū)中設(shè)有半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層上有至少3個(gè)形狀和尺寸相同，且相互平行、間隔、相對(duì)設(shè)置的金屬條；
[0023]所述檢測(cè)半導(dǎo)體層是與顯示區(qū)中的薄膜晶體管的有源區(qū)同步形成的，所述金屬條是與顯示區(qū)中的薄膜晶體管的源漏極同步形成的。
[0024]本發(fā)明的半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法中，待檢測(cè)的半導(dǎo)體層上有多個(gè)金屬條，各金屬條與半導(dǎo)體層間的接觸電阻相等，因此，通過向不同金屬條間通入電流并檢測(cè)相應(yīng)的電壓，即可根據(jù)這些電流和電壓計(jì)算出半導(dǎo)體-金屬間的接觸電阻率；該檢測(cè)過程利用的是電阻、電流、電壓間的基本關(guān)系，與半導(dǎo)體層的尺寸無關(guān)，故結(jié)果準(zhǔn)確。
[0025]同時(shí)，本發(fā)明的陣列基板中設(shè)有相應(yīng)的金屬條和半導(dǎo)體層，故可通過上述方法求出其中薄膜晶體管的有源區(qū)和源漏極間的接觸電阻，以準(zhǔn)確評(píng)價(jià)陣列基板的薄膜晶體管的性能。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0026]圖1為本發(fā)明的實(shí)施例的待檢測(cè)的半導(dǎo)體層和金屬條的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2為本發(fā)明的實(shí)施例的待檢測(cè)的半導(dǎo)體層和金屬條的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖3為本發(fā)明的實(shí)施例一種半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法中用到的坐標(biāo)系的示意圖；
[0029]其中，附圖標(biāo)記為:1、半導(dǎo)體層；2、金屬條。
【具體實(shí)施方式】
[0030]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0031]實(shí)施例1:
[0032]如圖1至圖3所示，本實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法。
[0033]其中，用于進(jìn)行上述檢測(cè)的半導(dǎo)體層I上設(shè)有至少3個(gè)形狀和尺寸相同，且相互平行、間隔、相對(duì)設(shè)置的金屬條2。
[0034]也就是說，如圖1、圖2所示，在要檢測(cè)的半導(dǎo)體層I上，設(shè)有多個(gè)金屬條2，這些金屬的形狀和尺寸完全相同，并且相互平行，而各金屬條2沿同一方向依次排列，且相鄰的金屬條2間隔開一定距離。
[0035]上述的檢測(cè)方法具體包括:
[0036]S100、可選的，若待檢測(cè)的半導(dǎo)體層I上沒有上述金屬條2，則先要通過構(gòu)圖工藝在半導(dǎo)體層I上形成上述的金屬條2。
[0037]S101、確定多個(gè)檢測(cè)組，每個(gè)檢測(cè)組中有兩個(gè)金屬條2，不同檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條2的兩相對(duì)表面間的距離不同；
[0038]S102、依次分別在各檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條2間通電流，并檢測(cè)兩個(gè)金屬條2間的電壓；
[0039]S103、根據(jù)各檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條2間的電流和電壓計(jì)算出半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率。
[0040]也就是說，選擇兩個(gè)金屬條2為一個(gè)檢測(cè)組，并在二者間用通一定的電流(例如通過恒流電源)，并檢測(cè)此時(shí)兩個(gè)金屬條2間的電壓(例如在恒流電源上直接顯示，或用電壓表檢測(cè))，從而得到一組電流和電壓的對(duì)應(yīng)值；之后，選擇其他的金屬條2作為檢測(cè)組，并重復(fù)以上過程，最終得到多組電流和電壓對(duì)應(yīng)關(guān)系；最后，通過以上各組的電流和電壓計(jì)算出半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率。
[0041]對(duì)于第η個(gè)檢測(cè)組，其兩個(gè)金屬條2間的電流In和電壓為Vn必定滿足公式:Vn=2X Px + SXIn+RbXDnXIn ;其中，P x為半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率，S為金屬條2與半導(dǎo)體層I的接觸面的面積，故“2X P x + S”即為兩個(gè)金屬條2與半導(dǎo)體層I間的總接觸電阻；Rb為兩金屬條間單位長度的半導(dǎo)體層的電阻，Dn為該檢測(cè)組中的兩個(gè)金屬條2間的距離，故RbXDn為兩個(gè)金屬條2間的半導(dǎo)體層I的電阻；故當(dāng)用這兩部分的電阻分別乘以電流In并相加后，自然等于兩個(gè)金屬條2間的電壓Vn。
[0042]由于各金屬條2的尺寸和形狀相同，故在各檢測(cè)組中的接觸電阻值相同；兩個(gè)金屬條2間的半導(dǎo)體層I的電阻與兩個(gè)金屬條2間的距離成正比，而該距離是已知的；因此，通過多個(gè)檢測(cè)組中的電流和電壓，即可計(jì)算出金屬條2與半導(dǎo)體層I間的接觸電阻，也就是可計(jì)算出接觸電阻率。
[0043]具體的，可通過多種不同的方法計(jì)算得到半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率。例如作為本實(shí)施例的一種方法，上述步驟S103可包括:
[0044]S1031、建立坐標(biāo)系，其橫坐標(biāo)為距離，縱坐標(biāo)為電壓。
[0045]也就是說，如圖3所示，建立一個(gè)橫坐標(biāo)為距離D而縱坐標(biāo)為電壓V的坐標(biāo)系。
[0046]S1032、將與各檢測(cè)組對(duì)應(yīng)的檢測(cè)點(diǎn)標(biāo)在該坐標(biāo)系中，其中，每個(gè)檢測(cè)組對(duì)應(yīng)的檢測(cè)點(diǎn)的橫坐標(biāo)為該檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條2間的距離，縱坐標(biāo)為當(dāng)電流為預(yù)定值Iy時(shí)該檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條2間的電壓。
[0047]也就是說，對(duì)每個(gè)檢測(cè)組，其中的兩個(gè)金屬條2間有已知的距離，而根據(jù)以上測(cè)得的電流和電壓，就可知道在電流統(tǒng)一為一個(gè)預(yù)定值Iy時(shí)，該檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條2間應(yīng)有的電壓值。
[0048]其中，優(yōu)選的，在進(jìn)行檢測(cè)時(shí)可直接使向各檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條2間通入的電流就等于預(yù)定值Iy，這樣，其檢測(cè)出的電壓值就是相應(yīng)檢測(cè)點(diǎn)的縱坐標(biāo)值。
[0049]當(dāng)然，若對(duì)檢測(cè)組進(jìn)行檢測(cè)時(shí)通入的實(shí)際電流值不是以上的預(yù)定值Iy，則可根據(jù)實(shí)際電流值與預(yù)定值Iy的關(guān)系計(jì)算出當(dāng)電流值為預(yù)定值時(shí)兩個(gè)金屬條2間應(yīng)有的電壓值；例如若實(shí)際電流值等于預(yù)定值Iy的一半，則當(dāng)電流值為預(yù)定值Iy時(shí)，兩個(gè)金屬條2間應(yīng)有的電壓值就應(yīng)為實(shí)測(cè)電壓值的2倍；由于這種對(duì)應(yīng)關(guān)系是已知的，在此不再詳細(xì)描述。
[0050]S1033、用作圖法做出與各檢測(cè)點(diǎn)擬合度最高的直線，該直線上對(duì)應(yīng)橫坐標(biāo)為O的點(diǎn)的電壓值為V0，根據(jù)PX = VOXS + 2 + Iy的公式計(jì)算出半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率P X，其中S為金屬條2與半導(dǎo)體層的接觸面的面積。
[0051]在不考慮誤差的情況下，以上的各檢測(cè)點(diǎn)應(yīng)位于一條直線上，故可用作圖法，做出與各檢測(cè)點(diǎn)的擬合度最好的直線，也就是各點(diǎn)縱坐標(biāo)與該直線間的差別的平方的和最小(最小二乘法)。這樣，該曲線上對(duì)應(yīng)橫坐標(biāo)為O的點(diǎn)的電壓值Vtl，就應(yīng)當(dāng)滿足V。=2X P x + SXIn，由此可知 Px = VOXS + 2 + Iy。
[0052]或者，作為本實(shí)施例的另一種方式，由于每個(gè)檢測(cè)組都可得出一個(gè)Vn =2X Px + SXIn+RbXDnXIn的等式，該等式中存在未知數(shù)，也就是一個(gè)方程，故只要將兩個(gè)檢測(cè)組的上述方程組合起來組成聯(lián)立方程組，則通過解聯(lián)立方程組的方式也可計(jì)算得出半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率Px。
[0053]顯然，以上方程組中只有P X和Rb兩個(gè)未知數(shù)，故只要兩個(gè)方程即可解出，即只要兩個(gè)檢測(cè)組的數(shù)據(jù)就可得到PX。為此，當(dāng)有3個(gè)或更多檢測(cè)組時(shí)，可采用多種不同的方式:例如，可從中選取兩個(gè)檢測(cè)組的數(shù)據(jù)建立聯(lián)立方組，并求解P X ;或者，也可選取多對(duì)檢測(cè)組的數(shù)據(jù)建立多個(gè)聯(lián)立方組，并分別用這些聯(lián)立方程組解出多個(gè)PX，再用P X的平均值作為最終的半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率等。
[0054]優(yōu)選的，對(duì)各檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條間通的電流均相等。
[0055]也就是說，在進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，優(yōu)選在對(duì)各檢測(cè)組的檢測(cè)過程中，均使用相等的電流值，以簡化操作和計(jì)算過程。
[0056]優(yōu)選的，金屬條2的個(gè)數(shù)大于等于4個(gè)。
[0057]理論上說，從3個(gè)金屬條2中即可選出3個(gè)不同的檢測(cè)組，已近可以得出半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率PX 了。但為提高準(zhǔn)確率，降低材料不均勻、環(huán)境誤差等對(duì)檢測(cè)結(jié)果的影響，故優(yōu)選可對(duì)更多的檢測(cè)組進(jìn)行檢測(cè)，因此，相應(yīng)的金屬條2的個(gè)數(shù)優(yōu)選大于等于4個(gè)。
[0058]優(yōu)選的，每個(gè)檢測(cè)組中的兩個(gè)金屬條2均是相鄰的金屬條2。
[0059]也就是說，在選擇檢測(cè)組時(shí)，優(yōu)選均以兩個(gè)相鄰的金屬條2為一個(gè)檢測(cè)組，而不“跨過”金屬條2選擇檢測(cè)組。例如，對(duì)于如圖1、圖2所示的半導(dǎo)體層1，可用其中標(biāo)有a、b的金屬條2組成第一個(gè)檢測(cè)組，標(biāo)有b、c的金屬條2組成第二個(gè)檢測(cè)組，標(biāo)有c、d的金屬條2組成第三個(gè)檢測(cè)組；這是因?yàn)楦鶕?jù)以上的選擇方式，沒有半導(dǎo)體層I被“重復(fù)”檢測(cè)，故可將由材料不均勻性造成的影響降到最低；同時(shí)，在一檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條2間的半導(dǎo)體層I上，沒有其他的金屬條2，故不會(huì)因?yàn)檫@些金屬條2對(duì)半導(dǎo)體層I的導(dǎo)電性能造成影響。
[0060]優(yōu)選的，如圖1、圖2所示，金屬條2為直條狀。
[0061]也就是說，金屬條2優(yōu)選是直的條狀，而沒有彎折或彎曲部分，這樣有利于保證電流在金屬條2間傳遞時(shí)的均勻性。
[0062]優(yōu)選的，在與各金屬條2的排列方向垂直的方向上，各金屬條2的尺寸等于半導(dǎo)體層I的尺寸。
[0063]也就是說，如圖1、圖2所示，若各金屬條2是沿圖中的橫向方向排列的，則在圖中的縱向方向上，半導(dǎo)體層I各處的尺寸相等，且其尺寸等于各金屬條2在該方向上的尺寸，或者說金屬條2是在縱向方向上“貫穿”半導(dǎo)體層I的。以上的設(shè)計(jì)同樣有利于保證電流在金屬條2間傳遞時(shí)的均勻性。
[0064]顯然，根據(jù)以上的方法可測(cè)出半導(dǎo)體-金屬間的接觸電阻率，且該檢測(cè)方法利用的是電阻、電壓、電流間的最基本的關(guān)系，不受:半導(dǎo)體的尺寸等因素的影響，精確度聞。
[0065]本實(shí)施例還提供一種陣列基板，其可為液晶顯示裝置、有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置等中的陣列基板。通過以上方法，可檢測(cè)出該陣列基板中有源層與源漏極之間的接觸電阻，從而準(zhǔn)確評(píng)價(jià)其中薄膜晶體管的性能。
[0066]具體的，該陣列基板包括用于進(jìn)行顯示的顯示區(qū)和位于顯示區(qū)外的檢測(cè)區(qū)，且檢測(cè)區(qū)中設(shè)有半導(dǎo)體層1，半導(dǎo)體層I上有至少3個(gè)形狀相同且相互平行、間隔、相對(duì)設(shè)置的金屬條2 ;
[0067]檢測(cè)半導(dǎo)體層I是與顯示區(qū)中的薄膜晶體管的有源區(qū)同步形成的；金屬條2是與顯示區(qū)中的薄膜晶體管的源漏極同步形成的。
[0068]也就是說，陣列基板包括用于進(jìn)行顯示的顯示區(qū)，而在顯示區(qū)外，還設(shè)有用于檢測(cè)的檢測(cè)區(qū)；其中，一塊陣列基板上可同時(shí)設(shè)有多個(gè)顯示區(qū)(即其可被制成多個(gè)顯示面板)，但只要設(shè)置有一個(gè)檢測(cè)區(qū)即可。該檢測(cè)區(qū)中用于設(shè)置各種檢測(cè)陣列基板性能的結(jié)構(gòu)，其可在陣列基板制備完成后被切割下來以專門進(jìn)行各種檢測(cè)。
[0069]在檢測(cè)區(qū)中，設(shè)有上述的半導(dǎo)體層I和金屬條2，且其中半導(dǎo)體層I與顯示區(qū)的薄膜晶體管的有源區(qū)是用同一個(gè)材料層，在同一次構(gòu)圖工藝中形成的；而金屬條2則是與薄膜晶體管的源漏極用同一個(gè)材料層，在同一次構(gòu)圖工藝中形成的。這樣，該半導(dǎo)體層I和金屬條2的形成并不需要增加額外的新步驟，而只要稍微改變有源區(qū)和源漏極的形成工藝中所用的掩膜板的圖形即可；同時(shí)，該半導(dǎo)體層I和金屬條2的材料和所經(jīng)歷的工藝過程，也分別與薄膜晶體管的有源區(qū)和源漏極相同，故它們之間的接觸電阻率必然等于薄膜晶體管的有源區(qū)與源漏極間的接觸電阻率。
[0070]可見，由于該陣列基板中具有上述的半導(dǎo)體層I和金屬條2，故可通過上述方法檢測(cè)出該半導(dǎo)體層I和金屬條2間的接觸電阻率，也就是檢測(cè)出薄膜晶體管的有源區(qū)與源漏極間的接觸電阻率；而接觸電阻的值又與接觸面積成反比，故通過該接觸電阻率和有源區(qū)與源漏極的接觸面積，即可計(jì)算出陣列基板中薄膜晶體管的有源區(qū)與源漏極間的接觸電阻。
[0071]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法，其特征在于，待檢測(cè)的半導(dǎo)體層上有至少3個(gè)形狀和尺寸相同，且相互平行、間隔、相對(duì)設(shè)置的金屬條；所述半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法包括: 確定多個(gè)檢測(cè)組，每個(gè)檢測(cè)組中有兩個(gè)金屬條，不同檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條的兩相對(duì)表面間的距離不同； 依次分別在各檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條間通電流，并檢測(cè)兩個(gè)金屬條間的電壓； 根據(jù)各檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條間的電流和電壓計(jì)算出半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法，其特征在于，所述根據(jù)各檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條間的電流和電壓計(jì)算出半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率包括: 建立坐標(biāo)系，其橫坐標(biāo)為距離，縱坐標(biāo)為電壓； 將與各檢測(cè)組對(duì)應(yīng)的檢測(cè)點(diǎn)標(biāo)在所述坐標(biāo)系中，其中，每個(gè)檢測(cè)組對(duì)應(yīng)的檢測(cè)點(diǎn)的橫坐標(biāo)為該檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條間的距離，縱坐標(biāo)為當(dāng)電流為預(yù)定值Iy時(shí)該檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條間的電壓； 用作圖法做出與各檢測(cè)點(diǎn)擬合度最高的直線，該直線上對(duì)應(yīng)橫坐標(biāo)為O的點(diǎn)的電壓值為Vci,根據(jù)P X = V0XS-2-1y的公式計(jì)算出半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率P X，其中S為金屬條與半導(dǎo)體層的接觸面的面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法，其特征在于，第η個(gè)檢測(cè)組中兩個(gè)金屬條間的電流為In，距離為Dn，電壓為Vn ;所述根據(jù)各檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條間的電流和電壓計(jì)算出半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率包括: 用兩個(gè)不同檢測(cè)組中的In、Dn、Vn值分別根據(jù)公式Vn = 2X P x + SX In+RbXDnX In建立兩個(gè)方程，用兩個(gè)方程組成聯(lián)立方程組，解方程組以計(jì)算出半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率P X，其中S為金屬條與半導(dǎo)體層的接觸面的面積，Rb為兩金屬條間單位長度的半導(dǎo)體層的電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法，其特征在于， 向各所述檢測(cè)組的兩個(gè)金屬條間通的電流值均相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法，其特征在于， 每個(gè)檢測(cè)組中的兩個(gè)金屬條均是相鄰的金屬條。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法，其特征在于， 所述金屬條的個(gè)數(shù)大于等于4個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法，其特征在于， 所述金屬條為直條狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法，其特征在于， 在與各金屬條的排列方向垂直的方向上，各金屬條的尺寸等于半導(dǎo)體層的尺寸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體-金屬接觸電阻率檢測(cè)方法，其特征在于，在所述確定多個(gè)檢測(cè)組之前，還包括: 通過構(gòu)圖工藝在所述半導(dǎo)體層上形成所述至少3個(gè)金屬條。
10.一種陣列基板，包括用于進(jìn)行顯示的顯示區(qū)和位于顯示區(qū)外的檢測(cè)區(qū)，其特征在于， 所述檢測(cè)區(qū)中設(shè)有半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層上有至少3個(gè)形狀和尺寸相同，且相互平行、間隔、相對(duì)設(shè)置的金屬條； 所述檢測(cè)半導(dǎo)體層是與顯示區(qū)中的薄膜晶體管的有源區(qū)同步形成的，所述金屬條是與顯示區(qū)中的薄膜晶體管的源漏極同步形成的。
【文檔編號(hào)】G01R27/08GK104407224SQ201410705018
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年11月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月27日
【發(fā)明者】李紀(jì), 陳傳寶 申請(qǐng)人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司