一種翻轉(zhuǎn)電極引出端的質(zhì)量傳感器芯片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種翻轉(zhuǎn)電極引出端的質(zhì)量傳感器芯片，屬于電子元器件【技術(shù)領(lǐng)域】。它包括石英晶體片本體以及石英晶體片表面的金屬膜電極，其特征是，所述石英晶體片本體的邊緣倒角，在該邊緣開一平面缺口，在所述石英晶體片本體一表面設(shè)置兩個(gè)對(duì)稱弧形金屬膜電極引線，其中一個(gè)工作面電極引線的中部對(duì)準(zhǔn)前述的平面缺口，并且沿著該平面缺口延伸翻轉(zhuǎn)至石英晶體片本體的另一表面，形成一個(gè)圓作為工作面電極，另一個(gè)電極引線與前述工作面電極引線對(duì)稱設(shè)置在石英晶體片本體的同一表面，其中部向著石英晶體片本體的圓心延伸并以該圓心形成一個(gè)圓作為另一個(gè)電極。本實(shí)用新型可簡化制作工藝，提高檢測靈敏度，使用靈活方便。
【專利說明】一種翻轉(zhuǎn)電極引出端的質(zhì)量傳感器芯片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種翻轉(zhuǎn)電極引出端的質(zhì)量傳感器芯片，屬于電子元器件【技術(shù)領(lǐng)域】。用于石英晶體振蕩器和石英晶體微天平傳感器等。

【背景技術(shù)】
[0002]石英晶體振子可以作為檢測微量物質(zhì)的傳感器，利用石英晶體振子的頻率變化與晶體表面的質(zhì)量變化成正比的原理，可檢測電極表面ng級(jí)的質(zhì)量變化及溶液的粘度、密度、修飾膜粘彈性和質(zhì)量等參數(shù)的變化，具有靈敏度高，可以實(shí)時(shí)測量等特點(diǎn)，可作為在線跟蹤監(jiān)測微觀過程變化的手段，在現(xiàn)代化學(xué)、材料科學(xué)、生物學(xué)和醫(yī)學(xué)等方面開展微觀過程和作用機(jī)理的探索研宄，在很多應(yīng)用領(lǐng)域呈現(xiàn)出良好的發(fā)展前景。石英晶體振蕩器的核心部件是石英晶體振子，它包括石英晶體片本體以及石英晶體片表面的鍍膜層，鍍膜層通常為優(yōu)良的導(dǎo)電體，以作為電極。一般地，作為電極的鍍膜層分別設(shè)置在石英晶體片的兩面，加電時(shí)以厚度切向方式激勵(lì)振蕩。美國專利US7075216B1公開了一種“側(cè)場激勵(lì)聲波傳感器” (Lateral field excited acoustic wave sensor)其特征是在石英晶體片表面鍛有兩個(gè)以對(duì)稱的半圓形金屬膜作為電極，此設(shè)計(jì)起動(dòng)振蕩困難，有電極的一面不易作為檢測工作面，且靈敏度較低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種翻轉(zhuǎn)電極引出端的質(zhì)量傳感器芯片，可簡化制作工藝，提高檢測靈敏度，使用靈活方便。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本實(shí)用新型采取以下技術(shù)方案:一種翻轉(zhuǎn)電極引出端的質(zhì)量傳感器芯片，包括石英晶體片本體以及石英晶體片表面的金屬膜電極，其特征是，將所述石英晶體片本體的邊緣倒角，在該邊緣開一平面缺口，在所述石英晶體片本體一表面設(shè)置兩個(gè)對(duì)稱弧形金屬膜電極引線，其中一個(gè)工作面電極引線的中部對(duì)準(zhǔn)前述的平面缺口，并且沿著該平面缺口延伸翻轉(zhuǎn)至石英晶體片本體的另一表面，形成一個(gè)圓作為工作面電極，另一個(gè)電極引線與前述工作面電極引線對(duì)稱設(shè)置在石英晶體片本體的同一表面，其中部向著石英晶體片本體的圓心延伸并以該圓心形成一個(gè)圓作為另一個(gè)電極，所述兩個(gè)電極及其弧形電極引線相互電絕緣。所述石英晶體片本體邊緣的平面缺口處倒圓角，以避免該處有棱邊而造成金屬膜磨損。
[0005]本實(shí)用新型的有益效果是，由于石英晶體振子的一對(duì)電極引線設(shè)置在晶體片的同一面，因此在應(yīng)用中安裝方便，容易與引線接觸連接；電極的對(duì)稱弧形延伸消除晶體片的各向異性；電極反轉(zhuǎn)電阻減小，降低晶體阻抗。另外，石英晶體片邊緣的平面缺口及倒圓角處理，能避免該處有棱邊而造成金屬膜磨損，且平面缺口易加工。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]附圖均為軸測圖，圖1為本實(shí)用新型的石英晶體片本體的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為石英晶體片本體覆膜后的對(duì)稱弧形電極引線面的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為石英晶體片本體覆膜后的工作面的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0007]圖中，1、石英晶體片本體邊緣倒角，2、平面缺口，3、工作面電極引線，3'工作面電極，4、另一個(gè)電極引線。

【具體實(shí)施方式】
[0008]如圖1、圖2及圖3所示，一種翻轉(zhuǎn)電極引出端的質(zhì)量傳感器芯片，包括石英晶體片本體以及石英晶體片表面的金屬膜電極，將所述石英晶體片本體的邊緣倒角1，在該邊緣開一平面缺口 2，該平面缺口 2邊緣處倒圓角，以避免該處有棱邊而造成金屬膜磨損，在所述石英晶體片本體的一個(gè)表面設(shè)置兩個(gè)對(duì)稱弧形金屬膜電極引線，其中一個(gè)工作面電極引線3的中部對(duì)準(zhǔn)前述的平面缺口 2，并且沿著該平面缺口 2延伸翻轉(zhuǎn)至石英晶體片本體的另一表面，形成一個(gè)圓作為工作面電極3'，另一個(gè)電極引線4與前述工作面電極引線3對(duì)稱設(shè)置在石英晶體片本體的同一表面，其中部向著石英晶體片本體的圓心延伸并以該圓心形成一個(gè)圓作為另一個(gè)電極，所述兩個(gè)電極及其弧形電極引線相互電絕緣。所述設(shè)置金屬膜可采用蒸鍍和磁控濺射等現(xiàn)有技術(shù)實(shí)施。
【權(quán)利要求】
1.一種翻轉(zhuǎn)電極引出端的質(zhì)量傳感器芯片，包括石英晶體片本體以及石英晶體片表面的金屬膜電極，其特征是，將所述石英晶體片本體的邊緣倒角(I )，在該邊緣開一平面缺口(2)，在所述石英晶體片本體一表面設(shè)置兩個(gè)對(duì)稱弧形金屬膜電極引線，其中一個(gè)工作面電極引線(3)的中部對(duì)準(zhǔn)前述的平面缺口(2)，并且沿著該平面缺口延伸翻轉(zhuǎn)至石英晶體片本體的另一表面，形成一個(gè)圓作為工作面電極(3')，另一個(gè)電極引線(4)與前述工作面電極引線(3)對(duì)稱設(shè)置在石英晶體片本體的同一表面，其中部向著石英晶體片本體的圓心延伸并以該圓心形成一個(gè)圓作為另一個(gè)電極，所述兩個(gè)電極及其弧形電極引線相互電絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的翻轉(zhuǎn)電極引出端的質(zhì)量傳感器芯片，其特征是，所述石英晶體片本體邊緣的平面缺口(2)處倒圓角。
【文檔編號(hào)】G01N5/00GK204203023SQ201420677647
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月14日
【發(fā)明者】崔學(xué)晨, 俞宏, 李靖靖, 崔實(shí), 張利群, 孫憲光 申請(qǐng)人:崔學(xué)晨