技術特征：

技術總結
本發(fā)明涉及磁性傳感器設備和用于具有磁阻結構的磁性傳感器設備的方法。實施例涉及包括磁阻結構（501）的磁性傳感器設備（500）。磁阻結構（501）包括磁性自由層（502），該磁性自由層（502）配置成自發(fā)地生成自由層（502）中的閉合通量磁化模式。磁阻結構（500）還包括具有非閉合通量參考磁化模式的磁性參考層（506）。磁性傳感器設備（500）還包括電流發(fā)生器（580），該電流發(fā)生器（580）配置成生成磁阻結構（501）的一個或多個層中的電流。所述電流具有垂直于參考磁化模式的非零定向分量。

技術研發(fā)人員：A.巴赫萊特納霍夫曼;H.布呂克爾;K.普呂格爾;W.拉貝格;A.扎茨;D.聚斯;T.武爾夫特
受保護的技術使用者：英飛凌科技股份有限公司
技術研發(fā)日：2017.02.09
技術公布日：2017.08.18