本發(fā)明涉及電磁防護(hù)，特別是涉及一種強(qiáng)電磁攻擊告警裝置。

背景技術(shù)：

1、高功率微波(hpm，功率在兆瓦量級(jí))、強(qiáng)電磁脈沖等強(qiáng)電磁攻擊對(duì)電子系統(tǒng)具有強(qiáng)大的破壞效能，其通過(guò)輻照高能量的電磁脈沖對(duì)目標(biāo)的電子設(shè)備造成破壞，損傷或燒毀電子設(shè)備內(nèi)部的敏感元件，干擾電子系統(tǒng)正常工作。強(qiáng)電磁武器具有攻擊速度“快”、殺傷范圍“廣”、作戰(zhàn)時(shí)效“長(zhǎng)”等特點(diǎn)，在低空經(jīng)濟(jì)高速發(fā)展的當(dāng)下，對(duì)無(wú)人機(jī)的威脅十分巨大。

2、由于強(qiáng)電磁攻擊具有極強(qiáng)的隱蔽性與機(jī)動(dòng)性，如非其主動(dòng)攻擊，難以被偵測(cè)發(fā)現(xiàn)，其攻擊區(qū)域也難以被準(zhǔn)確標(biāo)定。在無(wú)人機(jī)飛行過(guò)程中，對(duì)強(qiáng)電磁信號(hào)的探測(cè)告警是無(wú)人機(jī)防電磁攻擊的前提。強(qiáng)電磁具有頻譜寬、功率高、脈沖時(shí)間短等特點(diǎn)，其超高的峰值功率嚴(yán)重影響普通電子偵測(cè)設(shè)備的正常工作，這為傳統(tǒng)偵測(cè)手段帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是提供一種強(qiáng)電磁攻擊告警裝置，能夠解決現(xiàn)有的電磁偵測(cè)手段不能探測(cè)同時(shí)具有寬頻譜、高功率、短脈沖特征的強(qiáng)電磁信號(hào)的問(wèn)題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下方案：

3、一種強(qiáng)電磁攻擊告警裝置，包括：依次連接的接收單元、信號(hào)處理單元和顯示控制終端；其中，所述接收單元包括：低頻段天線以及與所述低頻段天線連接的低頻段模擬接收單元；高頻段天線以及與所述高頻段天線連接的高頻段模擬接收單元；所述低頻段模擬接收單元和所述高頻段模擬接收單元的輸出端均與所述信號(hào)處理單元的輸入端連接。

4、可選地，所述低頻段模擬接收單元和所述高頻段模擬接收單元均包括在設(shè)定工作頻段內(nèi)的高功率限幅器、高功率衰減器和射頻接收模塊；其中，所述高功率限幅器、所述高功率衰減器和所述射頻接收模塊依次連接。

5、可選地，所述設(shè)定工作頻段包括：30mhz-4ghz的低頻段以及3ghz-18ghz的高頻段。

6、可選地，所述設(shè)定工作頻段包括：30mhz-3ghz的低頻段以及2ghz-18ghz的高頻段。

7、可選地，所述高功率限幅器由具有設(shè)定響應(yīng)頻段的等離子體限幅器與固態(tài)限幅器級(jí)聯(lián)構(gòu)成。

8、可選地，所述高功率限幅器在30mhz-18ghz頻段內(nèi)插損小于1db，響應(yīng)時(shí)間小于2ns，耐受峰值功率大于10kw。

9、可選地，所述信號(hào)處理單元包括依次連接的adc和fpga；其中，所述adc還與所述接收單元連接；所述fpga還與所述顯示控制終端連接。

10、可選地，所述低頻段天線和所述高頻段天線均分別采用多個(gè)定向天線，且各所述定向天線在同一平面上等角度布置。

11、可選地，所述低頻段天線和所述高頻段天線均分別采用多個(gè)全向天線，且各所述全向天線在同一平面上等角度布置。

12、可選地，當(dāng)所述強(qiáng)電磁攻擊告警裝置的數(shù)量設(shè)置為多個(gè)時(shí)，各所述強(qiáng)電磁攻擊告警裝置之間通過(guò)數(shù)據(jù)共享，利用強(qiáng)電磁源方位信息對(duì)強(qiáng)電磁源進(jìn)行交叉定位。

13、根據(jù)本發(fā)明提供的具體實(shí)施例，本發(fā)明公開(kāi)了以下技術(shù)效果：

14、本發(fā)明公開(kāi)了一種強(qiáng)電磁攻擊告警裝置，所述裝置包括依次連接的接收單元、信號(hào)處理單元和顯示控制終端；其中，所述接收單元包括：低頻段天線以及與所述低頻段天線連接的低頻段模擬接收單元；高頻段天線以及與所述高頻段天線連接的高頻段模擬接收單元；所述低頻段模擬接收單元和所述高頻段模擬接收單元的輸出端均與所述信號(hào)處理單元的輸入端連接。本發(fā)明能夠解決現(xiàn)有的電磁偵測(cè)手段不能探測(cè)同時(shí)具有寬頻譜、高功率、短脈沖特征的強(qiáng)電磁信號(hào)的問(wèn)題。

技術(shù)特征：

1.一種強(qiáng)電磁攻擊告警裝置，其特征在于，包括：依次連接的接收單元、信號(hào)處理單元和顯示控制終端；其中，所述接收單元包括：低頻段天線以及與所述低頻段天線連接的低頻段模擬接收單元；高頻段天線以及與所述高頻段天線連接的高頻段模擬接收單元；所述低頻段模擬接收單元和所述高頻段模擬接收單元的輸出端均與所述信號(hào)處理單元的輸入端連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的強(qiáng)電磁攻擊告警裝置，其特征在于，所述低頻段模擬接收單元和所述高頻段模擬接收單元均包括在設(shè)定工作頻段內(nèi)的高功率限幅器、高功率衰減器和射頻接收模塊；其中，所述高功率限幅器、所述高功率衰減器和所述射頻接收模塊依次連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的強(qiáng)電磁攻擊告警裝置，其特征在于，所述設(shè)定工作頻段包括：30mhz-4ghz的低頻段以及3ghz-18ghz的高頻段。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的強(qiáng)電磁攻擊告警裝置，其特征在于，所述設(shè)定工作頻段包括：30mhz-3ghz的低頻段以及2ghz-18ghz的高頻段。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的強(qiáng)電磁攻擊告警裝置，其特征在于，所述高功率限幅器由具有設(shè)定響應(yīng)頻段的等離子體限幅器與固態(tài)限幅器級(jí)聯(lián)構(gòu)成。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的強(qiáng)電磁攻擊告警裝置，其特征在于，所述高功率限幅器在30mhz-18ghz頻段內(nèi)插損小于1db，響應(yīng)時(shí)間小于2ns，耐受峰值功率大于10kw。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的強(qiáng)電磁攻擊告警裝置，其特征在于，所述信號(hào)處理單元包括依次連接的adc和fpga；其中，所述adc還與所述接收單元連接；所述fpga還與所述顯示控制終端連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的強(qiáng)電磁攻擊告警裝置，其特征在于，所述低頻段天線和所述高頻段天線均分別采用多個(gè)定向天線，且各所述定向天線在同一平面上等角度布置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的強(qiáng)電磁攻擊告警裝置，其特征在于，所述低頻段天線和所述高頻段天線均分別采用多個(gè)全向天線，且各所述全向天線在同一平面上等角度布置。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的強(qiáng)電磁攻擊告警裝置，其特征在于，當(dāng)所述強(qiáng)電磁攻擊告警裝置的數(shù)量設(shè)置為多個(gè)時(shí)，各所述強(qiáng)電磁攻擊告警裝置之間通過(guò)數(shù)據(jù)共享，利用強(qiáng)電磁源方位信息對(duì)強(qiáng)電磁源進(jìn)行交叉定位。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)一種強(qiáng)電磁攻擊告警裝置，涉及電磁防護(hù)技術(shù)領(lǐng)域。所述裝置包括：依次連接的接收單元、信號(hào)處理單元和顯示控制終端；其中，所述接收單元包括：低頻段天線以及與所述低頻段天線連接的低頻段模擬接收單元；高頻段天線以及與所述高頻段天線連接的高頻段模擬接收單元；所述低頻段模擬接收單元和所述高頻段模擬接收單元的輸出端均與所述信號(hào)處理單元的輸入端連接。本發(fā)明能夠解決現(xiàn)有的電磁偵測(cè)手段不能探測(cè)同時(shí)具有寬頻譜、高功率、短脈沖特征的強(qiáng)電磁信號(hào)的問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：袁忠才,鄧學(xué)松,李冠昌,劉杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥中隱新材料有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/5