本發(fā)明屬于可植入柔性器件領(lǐng)域，特別是一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、肺動(dòng)脈高壓（ph）是一種嚴(yán)重疾病，導(dǎo)致肺血管阻力和肺動(dòng)脈壓力升高，可能引發(fā)右心力衰竭甚至死亡。ph的病因復(fù)雜多樣，影響全球至少1%的人口。目前診斷方法包括心電圖、胸部x線、超聲心動(dòng)圖、肺功能檢查和右心導(dǎo)管檢查（rhc），但rhc的侵入性限制了其應(yīng)用，因此需要新的診斷方法。人工智能和柔性電子設(shè)備的發(fā)展為ph診斷提供了新機(jī)會(huì)。傳統(tǒng)傳感器難以滿足生物相容性和靈活性的要求，而憶阻器集成的傳感和計(jì)算能力更適合處理復(fù)雜生物數(shù)據(jù)。基于鈦酸鋇和二氧化錳的壓敏憶阻器，因其優(yōu)異的電化學(xué)性能和生物相容性，展示出監(jiān)測(cè)肺動(dòng)脈壓力的潛力。因此，因此，制備對(duì)生物相容性高、壓力敏感的高穩(wěn)定性柔性可植入憶阻器對(duì)于未來(lái)實(shí)現(xiàn)肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)和輔助診療具有重大的應(yīng)用前景。

2、在背景技術(shù)部分中公開(kāi)的上述信息僅僅用于增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明背景的理解，因此可能包含不構(gòu)成本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，本發(fā)明提出一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器及其制備方法,?以pet柔性材料作為襯底以符合生物相容性要求，利用batio3、mno2薄膜作為中間層以實(shí)現(xiàn)對(duì)生物信息的響應(yīng)，使用ag作為器件上電極，fto作為器件下電極，開(kāi)發(fā)了一種對(duì)磁場(chǎng)敏感的柔性憶阻器件。

2、本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)，一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法包括：

3、步驟1：清洗襯底，將pet基片依次放入去離子水、酒精、丙酮、酒精、去離子水中超聲20-30min，pet基片使用n2吹干后作為柔性pet襯底放入磁控濺射室中；

4、步驟2：采用磁控濺射方法在柔性pet襯底上濺射沉積fto電極；

5、步驟3：采用磁控濺射方法在所述fto電極上沉積batio3薄膜；

6、步驟4：采用磁控濺射方法在所述batio3薄膜上沉積mno2薄膜；

7、步驟5：利用磁控濺射方法在所述mno2薄膜制備上電極ag，在所述mno2薄膜表面覆蓋上具有孔的金屬掩模版，采用直流濺射法沉積上電極ag；

8、步驟6：利用銀膠將銀絲分別固定在電極ag和fto電極上構(gòu)成柔性可植入憶阻器；

9、步驟7：將混合后的pdms溶液澆筑在柔性可植入憶阻器上對(duì)其進(jìn)行封裝。

10、所述的一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法中，優(yōu)選的，在步驟2中，在磁控濺射靶槍上安裝fto金屬靶材，設(shè)置靶基距為9-11厘米，將濺射室本底真空度抽至3×10-4?pa，通入純度為99.999%的氬氣作為工作氣體，濺射氣壓為0.6?pa，濺射功率60?w/cm2，濺射時(shí)間為50?min。

11、所述的一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法中，在步驟3中，在磁控濺射靶槍上安裝batio3氧化物靶材，ba、ti、o原子比為1:1:3，設(shè)置靶基距為9-11厘米，將濺射室本底真空度抽至3×10-4?pa，通入純度為99.999%的氬氣作為工作氣體，濺射氣壓為0.6?pa，濺射功率為60?w/cm2，濺射時(shí)間為70?min。

12、所述的一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法中，在步驟4中，在磁控濺射靶槍上安裝mno2化合物靶材，mn、o原子比為1:2，設(shè)置靶基距為9-11厘米，將濺射室本底真空度抽至3×10-4pa，通入純度為99.999%的氬氣作為工作氣體，濺射氣壓為0.6pa，濺射功率為60?w/cm2，濺射時(shí)間為70?min。

13、所述的一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法中，在步驟5中，在磁控濺射直流靶上安裝ag金屬靶材，設(shè)置靶基距為9-11厘米，將濺射室本底真空度抽至2×10-4?pa，通入純度為99.999%的氬氣作為工作氣體，濺射氣壓為0.5?pa，濺射功率60?w/cm2，濺射時(shí)間為12min。

14、所述的一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法中，所述金屬掩模版的孔為圓孔，上電極ag為圓形。

15、所述的一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法中，batio3薄膜是具有壓電行為的鈣鈦礦薄膜。

16、所述的一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法中，batio3薄膜、mno2薄膜以及上電極ag用pdms完全封裝。

17、所述的一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法中，fto薄膜為透明導(dǎo)電薄膜且作為底電極。

18、一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器根據(jù)用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法的制備。

19、和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)：本發(fā)明制備出對(duì)壓力敏感的ag/mno2/batio3/fto/pet柔性憶阻器件，該器件采用壓電行為的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的batio3以及mno2作為憶阻器功能層，利用pdms對(duì)器件進(jìn)行封裝并植入sd大鼠體內(nèi)，使得憶阻器件達(dá)到生物體內(nèi)長(zhǎng)期穩(wěn)定，效應(yīng)明顯，重復(fù)性好。在新型存儲(chǔ)器、柔性電子器件集成、可植入電子設(shè)備等電子器件領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用前景。

技術(shù)特征：

1.一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法，其特征在于，其包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法，其特征在于，優(yōu)選的，在步驟2中，在磁控濺射靶槍上安裝fto金屬靶材。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法，其特征在于，在步驟3中，在磁控濺射靶槍上安裝batio3氧化物靶材。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法，其特征在于，在步驟4中，在磁控濺射靶槍上安裝mno2化合物靶材。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法，其特征在于，在步驟5中，在磁控濺射直流靶上安裝ag金屬靶材。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法，其特征在于，所述金屬掩模版的孔為圓孔，上電極ag為圓形。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法，其特征在于，batio3薄膜是具有壓電行為的鈣鈦礦薄膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法，其特征在于，batio3薄膜、mno2薄膜以及上電極ag用pdms完全封裝。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法，其特征在于，fto薄膜為透明導(dǎo)電薄膜且作為底電極。

10.一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器，其特征在于，其根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的一種用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器的制備方法的制備。

技術(shù)總結(jié)
公開(kāi)了用于肺動(dòng)脈高壓監(jiān)測(cè)的柔性可植入憶阻器及其制備方法。方法中，清洗襯底，將PET基片依次放入去離子水、酒精、丙酮、酒精、去離子水中超聲20?30min，PET基片使用N<subgt;2</subgt;吹干后作為柔性PET襯底放入磁控濺射室中；采用磁控濺射方法在柔性PET襯底上濺射沉積FTO電極、在所述FTO電極上沉積BaTiO<subgt;3</subgt;薄膜、在所述BaTiO<subgt;3</subgt;薄膜上沉積MnO<subgt;2</subgt;薄膜、在所述MnO<subgt;2</subgt;薄膜制備上電極Ag，在所述MnO<subgt;2</subgt;薄膜表面覆蓋上具有孔的金屬掩模版，采用直流濺射法沉積上電極Ag；利用銀膠將銀絲分別固定在電極Ag和FTO電極上構(gòu)成柔性可植入憶阻器；將混合后的PDMS溶液澆筑在柔性可植入憶阻器上對(duì)其進(jìn)行封裝。

技術(shù)研發(fā)人員：孫柏,曹澤霖,劉熠瑋,郜凱凱,王夢(mèng)娜,秦思達(dá)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安交通大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/5