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      抗近區(qū)介質(zhì)影響的高頻微波探測裝置及智控?zé)艟叩闹谱鞣椒?

      文檔序號:40239518發(fā)布日期:2024-12-06 17:05閱讀:來源:國知局

      技術(shù)特征:

      1.抗近區(qū)介質(zhì)影響的高頻微波探測裝置,其特征在于,包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗近區(qū)介質(zhì)影響的高頻微波探測裝置,其中所述微波探測模塊被設(shè)置以對所述多普勒中頻信號進行模擬濾波的信號處理方式形成以dmin為最小探測距離閾值的設(shè)置。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗近區(qū)介質(zhì)影響的高頻微波探測裝置,其中所述微波探測模塊被設(shè)置在對所述多普勒中頻信號進行數(shù)字化采樣后,以對特定頻率范圍的數(shù)字化信號進行識別的信號處理方式形成以dmin為最小探測距離閾值的設(shè)置。

      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗近區(qū)介質(zhì)影響的高頻微波探測裝置,其中所述微波探測模塊被設(shè)置在對所述多普勒中頻信號進行數(shù)字化采樣時,以不低于10位的超高位數(shù)adc進行數(shù)字化采樣。

      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的抗近區(qū)介質(zhì)影響的高頻微波探測裝置,其中所述微波探測模塊被設(shè)置在對所述多普勒中頻信號進行數(shù)字化采樣前,以電容隔直的信號處理方式處理所述多普勒中頻信號。

      6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗近區(qū)介質(zhì)影響的高頻微波探測裝置,其中所述微波探測模塊被設(shè)置在對所述多普勒中頻信號進行數(shù)字化采樣前,對所述多普勒中頻信號進行模擬濾波,其中對所述多普勒中頻信號進行模擬濾波的相應(yīng)濾波電路的高通截止頻率小于該特定頻率范圍的下限頻值。

      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗近區(qū)介質(zhì)影響的高頻微波探測裝置,所述微波探測模塊被設(shè)置在對所述多普勒中頻信號進行數(shù)字化采樣后,以對不同頻率范圍的數(shù)字化信號設(shè)置不同的閾值的信號處理方式形成對與所述接收天線之間的距離大于dmin的運動物體的相對較高的探測靈敏度設(shè)置,對應(yīng)等效形成以dmin為最小探測距離閾值的設(shè)置。

      8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一所述的抗近區(qū)介質(zhì)影響的高頻微波探測裝置,其中所述發(fā)射天線和所述接收天線以收發(fā)分離形態(tài)被設(shè)置。

      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的抗近區(qū)介質(zhì)影響的高頻微波探測裝置,其中所述發(fā)射天線和所述接收天線分別以多輻射源陣列形態(tài)的貼片天線被設(shè)置。

      10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的抗近區(qū)介質(zhì)影響的高頻微波探測裝置,其中以第一旋向定義順時針旋向和逆時針旋向中的一個旋向,和以第二旋向定義順時針旋向和逆時針旋向中的另一個旋向,所述發(fā)射天線的各輻射源分別以第一旋向的圓極化形態(tài)被設(shè)置,并且所述發(fā)射天線的各輻射源在第一旋向以360°/n的相位差被等相差饋電,其中n為所述發(fā)射天線的輻射源數(shù)量,所述接收天線的各輻射源分別以第二旋向的圓極化形態(tài)被設(shè)置,并且所述接收天線的各輻射源在第二旋向以360°/m的相位差被等相差饋電,其中m為所述接收天線的輻射源數(shù)量。

      11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的抗近區(qū)介質(zhì)影響的高頻微波探測裝置,其中所述發(fā)射天線的輻射源數(shù)量n和所述接收天線的輻射源數(shù)量m均為4個。

      12.智控?zé)艟?,其特征在于,包括?/p>

      13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的智控?zé)艟?,其中所述微波探測模塊被設(shè)置以對所述多普勒中頻信號進行模擬濾波的信號處理方式形成以dmin為最小探測距離閾值的設(shè)置。

      14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的智控?zé)艟撸渲兴鑫⒉ㄌ綔y模塊被設(shè)置在對所述多普勒中頻信號進行數(shù)字化采樣后,以對特定頻率范圍的數(shù)字化信號進行識別的信號處理方式形成以dmin為最小探測距離閾值的設(shè)置。

      15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的智控?zé)艟?,其中所述微波探測模塊被設(shè)置在對所述多普勒中頻信號進行數(shù)字化采樣時,以不低于10位的超高位數(shù)adc進行數(shù)字化采樣。

      16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的智控?zé)艟?,其中所述微波探測模塊被設(shè)置在對所述多普勒中頻信號進行數(shù)字化采樣前,以電容隔直的信號處理方式處理所述多普勒中頻信號。

      17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的智控?zé)艟?,其中所述微波探測模塊被設(shè)置在對所述多普勒中頻信號進行數(shù)字化采樣前,對所述多普勒中頻信號進行模擬濾波,其中對所述多普勒中頻信號進行模擬濾波的相應(yīng)濾波電路的高通截止頻率小于該特定頻率范圍的下限頻值。

      18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的智控?zé)艟?,所述微波探測模塊被設(shè)置在對所述多普勒中頻信號進行數(shù)字化采樣后,以對不同頻率范圍的數(shù)字化信號設(shè)置不同的閾值的信號處理方式形成對與所述接收天線之間的距離大于dmin的運動物體的相對較高的探測靈敏度設(shè)置,對應(yīng)等效形成以dmin為最小探測距離閾值的設(shè)置。

      19.根據(jù)權(quán)利要求12至18中任一所述的智控?zé)艟?,其中所述發(fā)射天線和所述接收天線以收發(fā)分離形態(tài)被設(shè)置。

      20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的智控?zé)艟?,其中所述發(fā)射天線和所述接收天線分別以多輻射源陣列形態(tài)的貼片天線被設(shè)置。

      21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的智控?zé)艟?,其中以第一旋向定義順時針旋向和逆時針旋向中的一個旋向,和以第二旋向定義順時針旋向和逆時針旋向中的另一個旋向,所述發(fā)射天線的各輻射源分別以第一旋向的圓極化形態(tài)被設(shè)置,并且所述發(fā)射天線的各輻射源在第一旋向以360°/n的相位差被等相差饋電,其中n為所述發(fā)射天線的輻射源數(shù)量,所述接收天線的各輻射源分別以第二旋向的圓極化形態(tài)被設(shè)置,并且所述接收天線的各輻射源在第二旋向以360°/m的相位差被等相差饋電,其中m為所述接收天線的輻射源數(shù)量。


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明提供一種抗近區(qū)介質(zhì)影響的高頻微波探測裝置及智控?zé)艟?,其中所述抗近區(qū)介質(zhì)影響的高頻微波探測裝置及智控?zé)艟吣軌蛟诨谙鄳?yīng)殼體或燈罩的結(jié)構(gòu)設(shè)計存在距相應(yīng)發(fā)射天線較近的近區(qū)介質(zhì)而受近區(qū)介質(zhì)影響的狀態(tài)等效降低近區(qū)介質(zhì)對收發(fā)隔離度的影響,因而在保障所述抗近區(qū)介質(zhì)影響的高頻微波探測裝置及智能燈具的實際探測性能的同時,能夠適應(yīng)于不同的殼體或燈罩的選材和結(jié)構(gòu)設(shè)計,對應(yīng)有利于在保障所述抗近區(qū)介質(zhì)影響的高頻微波探測裝置及智控?zé)艟叩倪m用性的同時,避免在殼體或燈罩的選材和結(jié)構(gòu)設(shè)計上產(chǎn)生額外的成本。

      技術(shù)研發(fā)人員:鄒高迪,孫毅,汪磊
      受保護的技術(shù)使用者:深圳邁睿智能科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/12/5
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