UX) 51及A/D轉(zhuǎn)換器(A/D)52等。積分放大器49分別連接于各信號線45。積分放大器49由運算放大器49a及連接于運算放大器49a的輸入輸出端子之間的電容器49b構(gòu)成，信號線45與運算放大器49a的一方的輸入端子連接。運算放大器49a的另一方的輸入端子與地面(GND)連接。復位開關(guān)49c與電容器49b并聯(lián)連接。積分放大器49對從信號線45輸入的電荷進行累計，并轉(zhuǎn)換為模擬電壓信號Vl?Vm而輸出。各列的運算放大器49a的輸出端子經(jīng)由放大器53、⑶S50而與MUX51連接。在MUX51的輸出側(cè)連接有A/D52。
[0059]CDS50具有采樣保持電路，對積分放大器49的輸出電壓信號實施相關(guān)雙采樣而除去噪聲，并且通過采樣保持電路將積分放大器49的輸出電壓信號保持(采樣保持)預定期間。MUX51基于來自移位寄存器(未圖示)的動作控制信號，通過電子開關(guān)從并聯(lián)連接的各列的⑶S50依次選擇一個⑶S50，并將從所選擇的⑶S50輸出的電壓信號Vl?Vm串行地輸入至A/D52。另外，也可以在MUX51與A/D52之間連接放大器。
[0060]A/D52將所輸入的I行量的模擬的電壓信號Vl?Vm轉(zhuǎn)換為數(shù)字值，并輸出至內(nèi)置于電子暗盒13的存儲器54。在存儲器54中，將I行量的數(shù)字值與各自的像素41的坐標建立對應(yīng)，并作為表示I行量的X射線圖像的圖像數(shù)據(jù)而進行存儲。如此完成I行量的讀出。
[0061]當通過MUX51讀出來自積分放大器49的I行量的電壓信號Vl?Vm時，控制部48對積分放大器49輸出復位脈沖RST而將復位開關(guān)49c接通。由此，蓄積于電容器49b的I行量的信號電荷被放電而被復位。在對積分放大器49進行了復位后，再次使復位開關(guān)49c斷開并在經(jīng)過預定時間后選取一個CDS50的采樣保持電路，而對積分放大器49的kTC噪聲成分進行采樣。然后，從柵極驅(qū)動器46輸出下一行的柵極脈沖，并開始下一行的像素41的信號電荷的讀出。此外輸出柵極脈沖，并在經(jīng)過預定時間后通過CDS50的另一個采樣保持電路選取下一行的像素41的信號電荷。依次重復這些動作而讀出全部行的像素41的信號電荷。
[0062]當完成了全部行的讀出時，在存儲器54中記錄有表示I張量的X射線圖像的圖像數(shù)據(jù)。該圖像數(shù)據(jù)從存儲器54被讀出，通過控制部48實施各種圖像處理后，經(jīng)由通信I/F55而輸出至控制臺14。如此對被攝體的X射線圖像進行檢測。
[0063]另外，在復位動作中，在TFT43成為接通狀態(tài)的期間，暗電荷從像素41經(jīng)由信號線45流向積分放大器49的電容器49b。與讀出動作不同地，不進行MUX51對蓄積于電容器49b的電荷的讀出，與各柵極脈沖Gl?Gn的產(chǎn)生同步地從控制部48輸出復位脈沖RST而將復位開關(guān)49c接通，在電容器49b中蓄積的電荷被放電而積分放大器49被復位。
[0064]在控制部48設(shè)有對存儲器54的X射線圖像數(shù)據(jù)實施偏置校正、靈敏度校正及缺陷校正的各種圖像處理的電路(未圖示)。偏置校正電路將未照射X射線并由圖像檢測部30取得的偏置校正圖像從X射線圖像以像素為單位減去，從而除去因信號處理電路47的個體差異、攝影環(huán)境引起的固定模式噪聲。靈敏度校正電路也被稱作增益校正電路，對各像素41的光電轉(zhuǎn)換部的靈敏度的偏差、信號處理電路47的輸出特性的偏差等進行校正。缺陷校正電路基于出廠時、定期檢查時生成的缺陷像素信息，以周圍的正常的像素的像素值對缺陷像素的像素值進行線性插值。另外，缺陷校正電路也對檢測像素41b的像素值同樣地進行插值。另外，也可以將上述各種圖像處理電路設(shè)置于控制臺14，通過控制臺14進行各種圖像處理。
[0065]像素41具有普通像素41a和檢測像素41b。普通像素41a用于生成X射線圖像。另一方面，檢測像素41b作為檢測X射線對攝像區(qū)域40的到達劑量的劑量檢測傳感器而發(fā)揮功能。檢測像素41b為了在X射線的累積劑量達到了目標劑量時使X射線源10的X射線的照射停止的AEC而使用。檢測像素41b的位置在制造傳感器面板30時就已知，傳感器面板30將所有檢測像素41b的位置(坐標)預先存儲于非易失性的存儲器(未圖示)。另夕卜，在圖中，對檢測像素41b施加陰影線而與普通像素41a加以區(qū)分。
[0066]普通像素41a與檢測像素41b的光電轉(zhuǎn)換部42等基本結(jié)構(gòu)完全相同。因此能夠以大致相同的制造過程形成。檢測像素41b的TFT43的源極與漏極被短路。因此由檢測像素41b的光電轉(zhuǎn)換部42產(chǎn)生的電荷無論TFT43的通斷如何都向信號線45流出，即使相同行的普通像素41a處于使TFT43為斷開狀態(tài)而蓄積信號電荷的蓄積動作中，也能夠讀出電荷。
[0067]由檢測像素41b的光電轉(zhuǎn)換部42產(chǎn)生的電荷經(jīng)由信號線45而流入到積分放大器49的電容器49b。蓄積于積分放大器49的來自檢測像素41b的電荷被輸出至A/D52，并通過A/D52轉(zhuǎn)換成數(shù)字電壓信號(以下，稱為劑量信號)。劑量信號被輸出至存儲器54。在存儲器54中，與攝像區(qū)域40內(nèi)的各檢測像素41b的坐標信息建立對應(yīng)地存儲劑量信號。傳感器面板30以預定的采樣速率多次重復這樣的劑量檢測動作。另外，也可以為，在被攝體的體厚較厚的情況下，每單位時間的劑量信號的電平較低，所以增大采樣速率，相反在體厚較薄的情況下減小采樣速率等。
[0068]AEC部60由控制部48驅(qū)動控制。AEC部60從存儲器54讀出以預定的采樣速率多次取得的劑量信號，并基于所讀出的劑量信號進行AEC。
[0069]AEC部60對應(yīng)每個坐標對通過多次的劑量檢測動作從存儲器54讀出的劑量信號依次相加，由此測定到達攝像區(qū)域40的X射線的累積劑量。更具體地說，AEC部60對應(yīng)每個沿X、Y方向?qū)z像區(qū)域40進行等分割而成的大塊75 (參照圖6)求出累積劑量。各大塊75的累積劑量例如如下述那樣求出。首先，求出構(gòu)成存在于各大塊75內(nèi)的各小塊76的多個檢測像素41b的劑量信號的累積值，并對應(yīng)每個小塊76求出用其累積值除以構(gòu)成小塊76的檢測像素41b的個數(shù)而得到的平均值。此外，將對應(yīng)每個大塊75使該平均值相加并除以小塊76的個數(shù)而得到的平均值作為各大塊75的累積劑量而使用。AEC部60將各大塊75中的例如累積劑量最低的大塊75確定為構(gòu)成AEC的判定對象區(qū)域的采光場區(qū)域。
[0070]另外，采光場區(qū)域的決定方法是一例，也可以根據(jù)攝影部位決定采光場區(qū)域，也可以通過用戶設(shè)定來指定任意的區(qū)域作為采光場區(qū)域。另外，各大塊75的累積劑量也可以不是平均值，可以是各大塊75內(nèi)的各小塊76的劑量信號的累積值的合計值、累積值中的最大值或頻率最高的值。
[0071]AEC部60將作為采光場區(qū)域而確定的大塊75的累積劑量與預先設(shè)定的照射停止閾值(目標劑量)進行比較，并對累積劑量是否達到照射停止閾值進行判定。在判定為采光場區(qū)域的累積劑量超過了照射停止閾值、X射線的累積劑量達到了目標劑量時，AEC部60向控制部48輸出照射停止信號。
[0072]在照射信號I/F61上有線或無線連接有線源控制裝置11的照射信號I/F26。照射信號I/F61在進行線源控制裝置11之間的同步控制時對收發(fā)的同步信號、具體來說對來自線源控制裝置11的照射開始要求信號的接收和作為對應(yīng)于照射開始要求信號的響應(yīng)的照射許可信號向線源控制裝置11的發(fā)送起到介質(zhì)作用。另外，經(jīng)由控制部48接收AEC部60輸出的照射停止信號并向線源控制裝置11發(fā)送。
[0073]通信I/F55與控制臺14有線或無線連接，起到控制臺14之間的信息的收發(fā)的介質(zhì)作用。通信I/F55從控制臺14接收由操作員輸入的攝影條件，并將這些信息輸入到控制部48。
[0074]在圖5中，在控制臺14的存儲裝置14c中存儲有預先記錄了多個攝影條件的攝影條件表格70。攝影條件包括:攝影部位、管電壓、管電流及照射停止閾值。照射停止閾值如上所述，是與AEC部60作為采光場區(qū)域而確定的大塊75的累積劑量進行比較而用于對X射線的照射停止進行判定的信息。
[0075]控制臺14從攝影條件表格70讀出與操作員的輸入指示對應(yīng)的攝影條件?？刂婆_14將所讀出的攝影條件發(fā)送至電子暗盒13。電子暗盒13通過通信I/F55接收攝影條件并輸入到控制部48。控制部48將攝影條件中的照射停止閾值提供給AEC部60。
[0076]在圖6中，攝像區(qū)域40被等分割成3X3 = 9個正方形形狀的大塊75。在左端的第I列的各大塊75中，如例示那樣，在各大塊75中存在多個小塊76。各小塊76內(nèi)的多個檢測像素41b (在本例中為3個)與I條信號線45連接。各小塊76以在Y方向上不重疊的方式配置。
[0077]各小塊76在Y方向上不重疊的意思更具體來說，是指各小塊76內(nèi)的檢測像素41b以與其他小塊76內(nèi)的檢測像素41b在Y方向上不重疊的方式配置。由附圖標記Al?A3、BI?B3、Cl?C3表示的單點劃線是為了表示各小塊76在Y方向上不重疊為了方便起見而從各小塊76內(nèi)的檢測像素41b引出的直線。附圖標記Al?A3是從標以附圖標記Aa的大塊75內(nèi)的各小塊76引出的直線。同樣，附圖標記BI?B3是從標以附圖標記Ba的大塊75內(nèi)的各小塊76引出的直線，附圖標記Cl?C3是從標以附圖標記Ca的大塊75內(nèi)的各小塊76引出的直線。由附圖標記Al?A3、BI?B3、Cl?C3表示的直線全部在Y方向上不重疊。另外，標以其他附圖標記Ab、Ac、Bb、Bc、Cb、Cc的大塊75內(nèi)的小塊76也相同。
[0078]各小塊76在Y方向上不重疊，在結(jié)構(gòu)上可以說是I條信號線45上只設(shè)有I個小塊76。因此，如圖4所示的攝像區(qū)域40那樣，在像素以矩陣排列的情況下，各小塊76包含的檢測像素41b在各小塊76之間錯開至少I列像素量。以在Y方向上不重疊的方式配置各小塊76這一限制條件適用于I個大塊75內(nèi)、也適用于在Y方向上相連的3個大塊75 (Aa、Ba、Ca和Ab、Bb、Cb和Ac、Be、Ce)。另外各小塊76在X方向上相連的3個大塊