基板檢測裝置及基板檢測方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及在基板檢測裝置中用于消除熱電動勢的影響的構成。
【背景技術】
[0002]以往，知曉有檢測在電路基板上形成的復數個電路圖形的基板檢測裝置。例如，專利文獻I記載了這類基板檢測裝置。
[0003]在圖9中示意性地例示了現有的基板檢測裝置檢測電路基板11上形成的電路圖形12的狀態(tài)。在圖9中例示的電路圖形12上形成有檢測點13、14。基板檢測裝置具有能接觸各檢測點13、14的復數個檢測用探針15。
[0004]基板檢測裝置具有測定檢測點13、14之間電位差的電壓測定部19(電壓表)。而且，基板檢測裝置具有可對電路圖形12供應所定的電流的電流供應部17。
[0005]如上構成的基板檢測裝置由電流供應部17對電路圖形12供應所定的電流i[A]，同時由電壓測定部19測定此時在檢測點13、14之間產生的電壓降。電路圖形12的檢測點13、14之間電阻為R[Q]時，則其檢測點13、14之間產生的電壓降大小為iR[V]。
[0006]基板檢測裝置基于對電路圖形12供應的電流i大小，和由電壓測定部19測定的電壓降iR大小，求得該電路圖形12的電阻R。基板檢測裝置將求得的電阻R值作為基礎，可以判斷電路圖形12是否正常。
[0007]在這類基板檢測裝置，由于檢測用探針15和檢測點13或14相接觸，從而可能產生由塞貝克效應(seebeck effect)引起的熱電動勢。因此受到熱電動勢的影響，圖9的電壓測定部19不能只單純地測定在檢測點13、14之間產生的電壓降iR。在此，賽貝克效應引起的熱電動勢對電壓測定部19的測定結果V[V]產生的影響為VJV]時，其測定結果V可以表示如下。
[0008]V = iR+V0
[0009]因此，為了正確地測定在電路圖形12產生的電壓降iR大小，優(yōu)選地校正以從電壓測定部19的測定結果V消除熱電動勢V。的影響。然而，一般來講，熱電動勢V。的大小是未知的。
[0010]以往，認為熱電動勢V。是誤差的范圍。因此，沒有特別采取消除熱電動勢V。影響的校正。
[0011]可是，由于隨著近來制作工作的薄芯化或無芯化，電路基板11的厚度變薄，電路圖形12的電阻也變小。由此，最近的檢測裝置需要以良好的精密度能測定微小電阻，所以不能忽視熱電動勢V。的影響。
[0012]因此，近來有意采取校正來消除熱電動勢V。的影響。為此，執(zhí)行圖9的測定后，改變對電路圖形12供應的電流大小，再測定一次。例如，如圖10所示，對電路圖形12供應與第一次測定(圖9)方向相反的電流_i[A]，由電壓測定部19測定電壓。此時由電壓測定部19測定電壓的測定結果(第二次測定結果)為V’時，則V’ =-1R+V。。在此，認定第一次測定(圖9)和第二次測定(圖10)的熱電動勢V。大小不變時，求取第一次的測定結果V和第二次的測定結果V’的相差，由此可以抵消熱電動勢V。的影響。S卩，v-v’ =2iRo因此，根據R= (V-V’)/2i，以良好的精密度可以求得電路圖形12的電阻R。另外，在以下的說明，對如上所述抵消熱電動勢V。影響的方法，簡稱為“現有檢測方法”。
[0013]所述現有檢測方法，為了消除熱電動勢V。的影響，對I個電路圖形至少需要2次的測定。由此，相比于不校正熱電動勢影響的情況，以單純的計算需要2倍的檢測時間。
[0014]如此，在現有的基板檢測裝置，執(zhí)行消除熱電動勢V。影響的校正時，具有電路基板的檢測時間變長的問題。
[0015]本發(fā)明是鑒于以上情況而完成，其目的是提供一種在消除熱電動勢影響的同時，能高速檢測的基板檢測裝置。
[0016]【現有技術文獻】
[0017]【專利文獻I】
[0018]日本專利公開第2009-139182號公報

【發(fā)明內容】

[0019]本發(fā)明要解決的課題同上，接著對解決該課題的方案及其效果進行說明。
[0020]根據本發(fā)明的觀點，提供一種用于檢測電路基板上形成的電路圖形的基板檢測裝置的構成。該基板檢測裝置具備電壓測定回路形成部、電壓測定部、電流供應部和控制部。所述電壓測定回路形成部是經過測定對象的電路圖形而形成電壓測定回路。所述電壓測定部配置在所述電壓測定回路上。所述電流供應部能對所述測定對象的電路圖形供應電流。所述控制部至少能執(zhí)行校正電壓測定工序、電路圖形測定工序和校正工序。所述校正電壓測定工序是對所述測定對象的電路圖形不供應電流的狀態(tài)下，由所述電壓測定部測定電壓。所述電路圖形測定工序是對所述測定對象的電路圖形供應電流的狀態(tài)下，由所述電壓測定部測定電壓。所述校正工序是將所述電路圖形測定工序中測定的電壓由所述校正電壓測定工序中測定的電壓來校正。
[0021]根據上述的校正電壓測定工序，可以測定在電壓測定回路產生的熱電動勢的影響。因此，使用校正電壓測定工序中的測定值，可以執(zhí)行消除熱電動勢影響的校正。在校正電壓測定工序中，由于對電路圖形不流入電流，因此沒有浪涌電流，可以立即測定電壓。由此，校正電壓測定工序相比于測定電路圖形的電壓降，能高速完成。所以，相比于為了消除熱電動勢的影響而測定2次電路圖形的電壓降的現有檢測方法，可以縮短測定所需的時間。
[0022]所述基板檢測裝置構成如下較好。S卩，所述電壓測定回路形成部是經過測定對象的復數個電路圖形而形成所述電壓測定回路。而且，所述控制部是對所述測定對象的復數個電路圖形分別執(zhí)行所述電路圖形測定工序及所述校正工序。
[0023]如此，由于經過測定對象的復數個電路圖形形成電壓測定回路，所以由I個電壓測定回路可以測定復數個電路圖形。熱電動勢的影響測定I次即可，且測定對象的各電路圖形也測定I次即可。因此，相比于為了消除熱電動勢的影響而對各電路圖形需要測定2次的現有檢測方法，減少測定次數，可以縮短測定所需的時間。
[0024]在所述基板檢測裝置，所述電壓測定回路形成部是經過測定對象的3個以上的電路圖形而形成所述電壓測定回路較好。
[0025]如此，可以經過多數的電路圖形而形成電壓測定回路。由此，通過I個電壓測定回路能測定的電路圖形個數增加，所以能提高縮短測定所需時間的效果。
[0026]在所述基板檢測裝置，所述電壓測定回路包含偶數個導通所述電路基板兩面的電路圖形較好。
[0027]由此，不需要用于連接基板的表面和背面的配線，而可以閉合電壓測定回路。據此，能使電壓測定回路的面積變小，很難受到干擾(noise)的影響，可以提高測定精度。
[0028]根據本發(fā)明的另一觀點，如下，提供一種用于檢測電路基板上形成的電路圖形的基板檢測方法。即，該基板檢測方法至少包含電壓測定回路形成工序、校正電壓測定工序、電路圖形測定工序和校正工序。所述電壓測定回路形成工序是經過測定對象的電路圖形而形成電壓測定回路。所述校正電壓測定工序是對所述測定對象的電路圖形不供應電流的狀態(tài)下，由配置在所述電壓測定回路的電壓測定部測定電壓。所述電路圖形測定工序是對所述測定對象的電路圖形供應電流的狀態(tài)下，由所述電壓測定部測定電壓。所述校正工序是將所述電路圖形測定工序中測定的電壓由所述校正電壓測定工序中測定的電壓來校正。
【附圖說明】
[0029]圖1是根據本發(fā)明一實施形態(tài)的基板檢測裝置的整體構成正面圖。
[0030]圖2是第一實施形態(tài)的校正電壓測定工序的示意圖。
[0031]圖3是電壓測定回路的說明圖。
[0032]圖4是第一電路圖形測定工序的示意圖。
[0033]圖5是第二電路圖形測定工序的示意圖。
[0034]圖6是第二實施形態(tài)的示意圖。
[0035]圖7是第二實施形態(tài)的電壓測定回路的說明圖。
[0036]圖8是示出變形例的圖。
[0037]圖9是現有基板檢測方法的說明圖。
[0038]圖10是現有基板檢測方法的說明圖。
[0039][附圖標記說明]
[0040]10:基板檢測裝置
[0041]11:電路基板
[0042]17:電流供應部
[0043]19:電壓測定部
[0044]26:信號切換部(電壓測定回路形成部)
[0045]27:控制部(電壓測定回路形成部)
[0046]41、42:電路圖形
【具體實施方式】
[0047]以下，結合附圖對本發(fā)明的第一實施