對(duì)脈沖信號(hào)頻率的比較能夠獲知待測(cè)單元中待測(cè)晶體管的閾值電壓的波動(dòng)情況，進(jìn)而獲知待測(cè)晶體管的工藝波動(dòng)情況。本實(shí)施例提供的檢測(cè)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單，能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單且快速地對(duì)待測(cè)晶體管的工藝波動(dòng)情況進(jìn)行檢測(cè)，尤其對(duì)于同一芯片內(nèi)部不同晶體管之間的隨機(jī)波動(dòng)進(jìn)行較為便捷地檢測(cè)。
[0096]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，在晶體管工藝波動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)中還可以設(shè)置分頻器5,連接在振蕩器2的輸出端，可參照?qǐng)D1。分頻器5用于對(duì)振蕩器2輸出的脈沖信號(hào)進(jìn)行分頻，以降低脈沖信號(hào)的頻率，易于分析和比較。
[0097]上述技術(shù)方案是在振蕩器中同時(shí)包括了第一類振蕩器和第二類振蕩器，然而對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，振蕩器2也可以只包括一套振蕩器的電路結(jié)構(gòu)，根據(jù)選中的待測(cè)單元的類別將振蕩器中各級(jí)反相器的第一連接端接高電平或接地，第二連接端接待測(cè)單元。具體的，技術(shù)人員可設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)碾娐方Y(jié)構(gòu)，以在選定的待測(cè)單元為第一類待測(cè)單元時(shí)，將振蕩器中的各級(jí)反相器的第一連接端接高電平，將第二連接端連接至待測(cè)單元的輸出端，以及在選定的待測(cè)單元為第二類待測(cè)單元時(shí)，將振蕩器中的各級(jí)反相器的第一連接端接地，將第二連接端連接至待測(cè)單元的輸出端。
[0098]實(shí)施例五
[〇〇99]圖9為本發(fā)明實(shí)施例五提供的晶體管工藝波動(dòng)檢測(cè)方法的流程圖。如圖9所示，
本實(shí)施例提供的晶體管工藝波動(dòng)檢測(cè)方法，可以包括如下幾個(gè)步驟：
[0100]步驟101、對(duì)由至少兩個(gè)待測(cè)單元組成的待測(cè)單元陣列中的待測(cè)單元進(jìn)行選定。
[0101]該步驟可以由晶體管工藝波動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)中的行列譯碼器來(lái)執(zhí)行。待測(cè)單元陣列中包括有至少兩個(gè)待測(cè)單元，各待測(cè)單元組成矩陣，行列譯碼器分別與各待測(cè)單元連接，用于選定某一個(gè)待測(cè)單元。
[0102]步驟102、將選定的待測(cè)單元中的待測(cè)晶體管的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為脈沖信號(hào)，脈沖信號(hào)的頻率與待測(cè)晶體管的閾值電壓對(duì)應(yīng)，以通過(guò)脈沖信號(hào)頻率的波動(dòng)確定待測(cè)晶體管的閾值電壓的波動(dòng)。
[0103]該步驟可以通過(guò)行列選擇器先將待測(cè)單元中的待測(cè)晶體管連接至振蕩器，然后通過(guò)振蕩器對(duì)待測(cè)晶體管的輸出信號(hào)進(jìn)行轉(zhuǎn)換。
[0104]上述各步驟的具體實(shí)現(xiàn)方式均可參照上述各實(shí)施例，此處不再贅述。
[0105]本實(shí)施例提供的技術(shù)方案通過(guò)對(duì)由至少一個(gè)待測(cè)單元組成陣列結(jié)構(gòu)中的待測(cè)單元進(jìn)行選定，然后將選定的待測(cè)單元中的待測(cè)晶體管的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為脈沖信號(hào)，通過(guò)對(duì)脈沖信號(hào)頻率的比較能夠獲知待測(cè)單元中待測(cè)晶體管的閾值電壓的波動(dòng)情況，進(jìn)而獲知待測(cè)晶體管的工藝波動(dòng)情況。本實(shí)施例提供的檢測(cè)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單，能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單且快速地對(duì)待測(cè)晶體管的工藝波動(dòng)情況進(jìn)行檢測(cè)，尤其對(duì)于同一芯片內(nèi)部不同晶體管之間的隨機(jī)波動(dòng)進(jìn)行較為便捷地檢測(cè)。
[0106]另外，在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，還可以對(duì)脈沖信號(hào)進(jìn)行分頻，以降低脈沖信號(hào)的頻率，通過(guò)對(duì)分頻后的脈沖信號(hào)的頻率波動(dòng)來(lái)確定該脈沖信號(hào)的頻率波動(dòng)情況，以利于對(duì)各脈沖信號(hào)的頻率進(jìn)行比較和分析。具體可通過(guò)分頻器來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0107]最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶體管工藝波動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，包括待測(cè)單元陣列、行列譯碼器、行列選擇器和振蕩器； 所述待測(cè)單元陣列為由至少兩個(gè)待測(cè)單元組成的陣列； 所述行列譯碼器分別與各所述待測(cè)單元連接，用于選定待測(cè)單元； 所述行列選擇器分別與所述振蕩器和各所述待測(cè)單元中的待測(cè)晶體管連接，用于將選定的待測(cè)晶體管連接至所述振蕩器；所述振蕩器將所述待測(cè)晶體管的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為脈沖信號(hào)，所述脈沖信號(hào)的頻率與所述待測(cè)晶體管的閾值電壓對(duì)應(yīng)，以通過(guò)所述脈沖信號(hào)頻率的波動(dòng)確定所述待測(cè)晶體管的閾值電壓的波動(dòng)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管工藝波動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述待測(cè)單元還包括輔助檢測(cè)晶體管，所述輔助檢測(cè)晶體管與所述待測(cè)晶體管的結(jié)構(gòu)相同； 所述輔助檢測(cè)晶體管的數(shù)據(jù)端與所述待測(cè)晶體管的數(shù)據(jù)端串聯(lián)，所述輔助檢測(cè)晶體管的控制端與所述待測(cè)晶體管的控制端分別接收互為反相的使能信號(hào)，以在所述待測(cè)晶體管關(guān)斷時(shí)，所述輔助檢測(cè)晶體管導(dǎo)通而抑制所述振蕩器工作。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體管工藝波動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述待測(cè)晶體管和輔助檢測(cè)晶體管為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管； 所述輔助檢測(cè)晶體管的源極接收高電平信號(hào)，漏極與所述待測(cè)晶體管的源極連接，所述待測(cè)晶體管的漏極接地； 所述待測(cè)晶體管的源極還作為所述待測(cè)晶體管的輸出端，與所述振蕩器連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體管工藝波動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述振蕩器包括依次連接成環(huán)狀的奇數(shù)級(jí)反相器，其中一級(jí)反相器的輸出端作為所述振蕩器的輸出端； 各級(jí)反相器的第一連接端接收高電平信號(hào)，第二連接端均與所述待測(cè)單元的輸出端連接。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體管工藝波動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述奇數(shù)級(jí)反相器中的每一級(jí)反相器包括第一場(chǎng)效應(yīng)管和第二場(chǎng)效應(yīng)管，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管為η溝道場(chǎng)效應(yīng)管； 所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的源極接收高電平信號(hào)，漏極與所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接；所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的源極作為所述振蕩器的輸入端，與所述輔助晶體管的輸出端連接； 所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接，且作為所述反相器的輸入端與前一級(jí)反相器的輸出端連接，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的漏極作為所述反相器的輸出端。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體管工藝波動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述待測(cè)晶體管和輔助檢測(cè)晶體管為η溝道場(chǎng)效應(yīng)管； 所述輔助檢測(cè)晶體管的源極接地，漏極與所述待測(cè)晶體管的源極連接，所述待測(cè)晶體管的漏極接收高電平信號(hào)； 所述待測(cè)晶體管的源極還作為所述待測(cè)晶體管的輸出端，與所述振蕩器連接。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體管工藝波動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述振蕩器包括依次連接成環(huán)狀的奇數(shù)級(jí)反相器，其中一級(jí)反相器的輸出端作為所述振蕩器的輸出端； 各級(jí)反相器的第一連接端接地，第二連接端均與所述待測(cè)單元的輸出端連接。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體管工藝波動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，所述奇數(shù)級(jí)反相器中的每一級(jí)反相器包括第三場(chǎng)效應(yīng)管和第四場(chǎng)效應(yīng)管，所述第三場(chǎng)效應(yīng)管為η溝道場(chǎng)效應(yīng)管，所述第四場(chǎng)效應(yīng)管為P溝道場(chǎng)效應(yīng)管； 所述第三場(chǎng)效應(yīng)管的源極接地，漏極與所述第四場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接；所述第四場(chǎng)效應(yīng)管的源極作為所述振蕩器的輸入端，與所述輔助晶體管的輸出端連接； 所述第三場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與所述第四場(chǎng)效應(yīng)管的柵極連接，且作為所述反相器的輸入端與前一級(jí)反相器的輸出端連接，所述第三場(chǎng)效應(yīng)管的漏極作為所述反相器的輸出端。9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的晶體管工藝波動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，還包括分頻器；所述分頻器與所述振蕩器連接，用于對(duì)所述振蕩器輸出的脈沖信號(hào)進(jìn)行分頻。10.一種晶體管工藝波動(dòng)檢測(cè)方法，其特征在于，包括: 對(duì)由至少兩個(gè)待測(cè)單元組成的待測(cè)單元陣列中的待測(cè)單元進(jìn)行選定； 將選定的所述待測(cè)單元中的待測(cè)晶體管的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為脈沖信號(hào)，所述脈沖信號(hào)的頻率與所述待測(cè)晶體管的閾值電壓對(duì)應(yīng)，以通過(guò)所述脈沖信號(hào)頻率的波動(dòng)確定所述待測(cè)晶體管的閾值電壓的波動(dòng)。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶體管工藝波動(dòng)檢測(cè)方法，其特征在于，還包括: 對(duì)所述脈沖信號(hào)進(jìn)行分頻，以通過(guò)分頻后的脈沖信號(hào)的頻率波動(dòng)確定所述脈沖信號(hào)的頻率波動(dòng)。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種晶體管工藝波動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法，其中，系統(tǒng)包括待測(cè)單元陣列、行列譯碼器、行列選擇器和振蕩器；待測(cè)單元陣列為由至少兩個(gè)待測(cè)單元組成的陣列；行列譯碼器分別與各待測(cè)單元連接，用于選定待測(cè)單元；行列選擇器分別與振蕩器和各待測(cè)單元中的待測(cè)晶體管連接，用于將選定的待測(cè)晶體管連接至振蕩器；振蕩器將待測(cè)晶體管的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為脈沖信號(hào)，脈沖信號(hào)的頻率與待測(cè)晶體管的閾值電壓對(duì)應(yīng)，以通過(guò)脈沖信號(hào)頻率的波動(dòng)確定待測(cè)晶體管的閾值電壓的波動(dòng)。本發(fā)明提供的晶體管工藝波動(dòng)檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法能夠解決現(xiàn)有的半導(dǎo)體晶體管工藝波動(dòng)的檢測(cè)方法較復(fù)雜的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了對(duì)晶體管工藝波動(dòng)進(jìn)行快速、簡(jiǎn)便地檢測(cè)。
【IPC分類】G01R31/26
【公開(kāi)號(hào)】CN105353288
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410409294
【發(fā)明人】秦石強(qiáng), 張譯夫, 楊梁, 崔明艷, 肖斌
【申請(qǐng)人】龍芯中科技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2016年2月24日
【申請(qǐng)日】2014年8月19日