激光雕刻系統(tǒng)、各向異性的閃爍體及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及激光雕刻系統(tǒng)、各向異性的閃爍體及其制造方法，具體揭示一種各向異性的閃爍體，其用于捕獲成像系統(tǒng)中的光子。各向異性的閃爍體包括閃爍體元件及形成于閃爍體元件內(nèi)的三維結構。三維結構包括多個各向異性的部分。多個各向異性的部分包括從多種光學特性中選擇出的至少一種光學特性，以用于保存空間信息。每個各向異性的部分包括多個空隙或氣泡，每個空隙或氣泡的直徑小于1微米。三維結構用于控制光子在形成于各向異性的閃爍體中的多個通道區(qū)域內(nèi)傳播，從而降低能夠在多個通道區(qū)域之間傳播的光子的數(shù)量。本發(fā)明還提供一種用于制造各向異性的閃爍體的方法以及激光雕刻系統(tǒng)。
【專利說明】
激光雕刻系統(tǒng)、各向異性的閃爍體及其制造方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及一種在閃爍體材料內(nèi)產(chǎn)生光學各向異性的方法，具體而言，涉及一種在閃爍體元件內(nèi)產(chǎn)生光學各向異性的方法，以應用于醫(yī)學成像。
【背景技術】
[0002]醫(yī)學成像利用閃爍體將伽馬射線或X射線轉換成光學光子。閃爍體通常耦合至光電探測器，從而將上述光學光子轉換為電流。通過這種方式，伽馬射線和X射線可以被探測到，并被利用于例如計算機斷層掃描(computed tomography，簡稱CT)、正電子發(fā)射斷層掃描(positron emiss1n tomography，簡稱PET)、單光子發(fā)射計算機斷層掃描(singlephoton emiss1n computed tomography，簡稱SPECT)、以及X射線成像等應用中。在這些應用中，伽馬射線或者X射線的相互作用的位置由光電探測器對光學光子的響應來確定。
[0003]閃爍體的特點和性能對成像性能起著顯著的作用。例如，閃爍體的厚度通常必須被增加，為了實現(xiàn)以所需的效率來阻止輸入的伽馬射線或X射線。然而，隨著厚度的增加，所發(fā)射的光學光子在閃爍體內(nèi)部的傳播會降低探測器的空間分辨率。
[0004]為了保存光學光子中所包含的空間信息，需要有一種光學各向異性的閃爍體，使得所發(fā)射的光學光子被優(yōu)先地傳送到閃爍體中靠近光電探測器的位置點，伽馬射線或X射線與閃爍體在該位置點相互作用。
[0005]在依賴于形心探測以確定相互作用的位置的應用中，光學各向異性的精確控制是必需的，以保存空間?目息。
[0006]此外，精確的控制是必需的，以確保信號能夠足夠地傳播，使得信號能夠在離散的探測器元件之間共享以達到可靠的質心測定。因此，非常需要一種改進方法以控制光學光子在閃爍體內(nèi)傳播。
[0007]現(xiàn)有的方法是使用一個鋸在閃爍體內(nèi)形成網(wǎng)格圖案狀的深槽，以在閃爍體的不同區(qū)域之間提供光學隔離。通常，這樣的隔離僅是部分的。鋸痕通常填充有反射材料以改善光學性能。但是，這種通過除去閃爍體材料的鋸切割方法的缺點是產(chǎn)生了相對大的死區(qū)。
[0008]因此，非常需要一種制造各向異性的閃爍體的方法，各向異性的閃爍體可精確控制光學光子在所獲得的閃爍體中傳播。此外，也非常需要一種制造各向異性的閃爍體的方法，該方法具有成本效益，可靠且沒有產(chǎn)生不期望的死區(qū)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]結合本公開的一個或多個實施例，本發(fā)明在于提供了一種各向異性的閃爍體。
[0010]—種各向異性的閃爍體，其用于捕獲成像系統(tǒng)中的光子，該各向異性的閃爍體包括:
[0011]閃爍體元件；及
[0012]形成于閃爍體元件內(nèi)的三維結構，該三維結構包括多個各向異性的部分；
[0013]其中，該多個各向異性的部分包括從多種光學特性中選擇出的至少一種光學特性，以用于保存空間信息；每個各向異性的部分包括多個空隙或氣泡，每個空隙或氣泡的直徑小于I微米；
[0014]其中，該三維結構用于控制光子在形成于各向異性的閃爍體中的多個通道區(qū)域內(nèi)傳播，從而降低能夠在多個通道區(qū)域之間傳播的光子的數(shù)量。
[0015]—種用于制造各向異性的閃爍體的方法，該各向異性的閃爍體用于捕獲成像系統(tǒng)中的光子并且包括閃爍體元件及形成于閃爍體元件內(nèi)的三維結構，該三維結構包括多個各向異性的部分；該方法包括:
[0016]使用激光將閃爍體元件內(nèi)的多個離散位置的光學特性修改為光學各向異性，從而產(chǎn)生該多個各向異性的部分；
[0017]其中，該多個各向異性的部分包括從多種光學特性中選擇出的至少一種光學特性，以用于保存空間信息；每個各向異性的部分包括多個空隙或氣泡，每個空隙或氣泡的直徑小于I微米；
[0018]其中，該三維結構用于控制光子在形成于各向異性的閃爍體中的多個通道區(qū)域內(nèi)傳播，從而降低能夠在多個通道區(qū)域之間傳播的光子的數(shù)量。
[0019]—種激光雕刻系統(tǒng)，其包括:
[0020]各向異性的閃爍體，用于捕獲成像系統(tǒng)中的光子并包括:
[0021]閃爍體元件；及
[0022]形成于閃爍體元件內(nèi)的三維結構，該三維結構包括多個各向異性的部分；
[0023]及激光發(fā)生器，用于產(chǎn)生激光以將閃爍體元件內(nèi)的多個離散位置的光學特性修改為光學各向異性，從而產(chǎn)生多個各向異性的部分；
[0024]其中，該多個各向異性的部分包括從多種光學特性中選擇出的至少一種光學特性，以用于保存空間信息；每個各向異性的部分包括多個空隙或氣泡，每個空隙或氣泡的直徑小于I微米；
[0025]其中，該三維結構用于控制光子在形成于各向異性的閃爍體中的多個通道區(qū)域內(nèi)傳播，從而降低能夠在多個通道區(qū)域之間傳播的光子的數(shù)量。
[0026]上述各向異性的閃爍體及其制造方法、激光雕刻系統(tǒng)，其中三維結構包括多個各向異性的部分，每個各向異性的部分包括多個空隙或氣泡，每個空隙或氣泡的直徑小于I微米。由于每個空隙或氣泡的直徑較小，因此能夠在多個通道區(qū)域之間傳播的光子的數(shù)量比現(xiàn)有技術少，該各向異性的閃爍體的光學性能更好。
【附圖說明】
[0027]通過結合附圖對于本發(fā)明的實施方式進行描述，可以更好地理解本發(fā)明，在附圖中:
[0028]圖1是利用本發(fā)明一種實施方式的成像組件的醫(yī)學成像系統(tǒng)的示意圖。
[0029]圖2是激光雕刻系統(tǒng)產(chǎn)生圖1所述成像組件的示意圖，該成像組件未被處理。
[0030]圖3是圖1所示成像組件的示意圖，該成像組件被部分處理。
[0031]圖4是圖1所示成像組件的示意圖，該成像組件被全部處理。
[0032]圖5是圖3所示各向異性部分所包括的多個空隙或氣泡的示意圖。
[0033]圖6是圖5所示的一個空隙或氣泡的示意圖。
[0034]圖7是利用脈沖激光以逐層的方式來產(chǎn)生位于閃爍體元件內(nèi)部的三維結構的示意圖。
[0035]圖8是利用激光聚焦線來產(chǎn)生位于閃爍體元件內(nèi)的三維結構的示意圖
[0036]圖9是本發(fā)明一種實施方式的溫度控制室的示意圖。
[0037]圖10是用于圖9所示溫度控制室的傳感器和控制器的示意圖。
【具體實施方式】
[0038]在這些實施方式的具體描述過程中，為了進行簡明扼要的描述，本說明書不可能對實際的實施方式的所有特征均作詳盡的描述。應當可以理解的是，在任意一種實施方式的實際實施過程中，正如在任意一個工程項目或者設計項目的過程中，為了實現(xiàn)開發(fā)者的具體目標，或者為了滿足系統(tǒng)相關的或者商業(yè)相關的限制，常常會做出各種各樣的具體決策，而這也會從一種實施方式到另一種實施方式之間發(fā)生改變。
[0039]除非另作定義，在本說明書和權利要求書中使用的技術術語或者科學術語應當為本發(fā)明所屬技術領域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本說明書以及權利要求書中使用的“第一”或者“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分?！耙粋€”或者“一”等類似詞語并不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個。“或者”包括所列舉的項目中的任意一者或者全部?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在“包括”或者“包含”后面列舉的元件或者物件及其等同元件，并不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。此外，“電路”或者“電路系統(tǒng)”以及“控制器”等可以包括單一組件或者由多個主動元件或者被動元件直接或者間接相連的集合，例如一個或者多個集成電路芯片，以提供所對應描述的功能。
[0040]圖1所示為醫(yī)學成像系統(tǒng)100的示意圖，醫(yī)學成像系統(tǒng)100利用本發(fā)明一種實施方式的成像組件12。醫(yī)學成像系統(tǒng)100是說明性的，并且意在表示多種成像系統(tǒng)，例如計算機斷層掃描(computed tomography，簡稱CT)、正電子發(fā)射斷層掃描(positron emiss1ntomography，簡稱 PET)、單光子發(fā)射計算機斷層掃描(single photon emiss1n computedtomography，簡稱SPECT)、以及X射線成像等。但是應當理解的是，示出的醫(yī)學成像系統(tǒng)100是表示一個CT或X射線系統(tǒng)，但是可能不是PET或SPECT系統(tǒng)的精確表示。在這些后來的系統(tǒng)中，病人通常被注射具生物活性的放射性示蹤劑，這些示蹤劑被允許在病人體內(nèi)停留一段時間，使得其分布由待成像的生物學功能來決定。示蹤劑的放射性衰變產(chǎn)生的伽馬射線是來源于病人體，并且可以通過成像組件12來檢測。圖示的醫(yī)學成像系統(tǒng)100并不意在限制本發(fā)明。
[0041]醫(yī)學成像系統(tǒng)100包括射線發(fā)生器14，射線發(fā)生器14產(chǎn)生成像射線16，例如X射線或伽馬射線等。成像射線16通過成像對象18，例如一個病人，通過這樣做被給予可用于醫(yī)學成像的信息。為了將成像射線16轉變?yōu)榭捎眯问?，成像組件12包括閃爍體組件20和與閃爍體組件20通信的光電探測器22。閃爍體組件20將成像射線16轉變?yōu)楣庾?，光電探測器22將光子轉變?yōu)榭杀焕脕硇纬舍t(yī)學圖像的電流。
[0042]光學各向異性的閃爍體是許多醫(yī)學成像應用所必須的，本發(fā)明利用獨特的方法來產(chǎn)生一種改進的閃爍體。
[0043]如圖2所示，激光雕刻系統(tǒng)200用于對閃爍體元件24進行處理，從而制造上述光學各向異性的閃爍體。激光雕刻系統(tǒng)200包括激光發(fā)生器26、聚焦裝置28及控制裝置42。
[0044]可以預見的是，本發(fā)明可以采用很多種閃爍體元件24，舉例來說，玻璃閃爍體，單晶閃爍體，陶瓷元件均是預期的選擇。圖2所示閃爍體元件24處于預處理狀態(tài)30。
[0045]在預處理狀態(tài)30中，閃爍體元件24包括各向同性部分32，各向同性部分32的光學特性是恒定的。在一種實施方式中，整個閃爍體元件24是各向同性的。在其他實施方式中，僅有一部分的閃爍體元件24是各向同性的。
[0046]利用激光發(fā)生器26和聚焦裝置28，對各向同性部分32進行修改。
[0047]激光發(fā)生器26用于產(chǎn)生激光34。聚焦裝置28用于對激光34進行聚焦以產(chǎn)生焦點36。在一種實施方式中，為了產(chǎn)生較小的焦點36，聚焦裝置28的數(shù)值孔徑大于0.1。術語焦點36也旨在包括焦體積。激光34被用來改變在焦點36的位置處的閃爍體元件24的光學特性。以這種方式，各向同性部分32被修改為各向異性。
[0048]如圖3所示，通過使用由激光發(fā)生器26和聚焦裝置28組成的翻譯裝置38，焦點36的位置相對于閃爍體元件24移動，從而使得閃爍體元件24內(nèi)的多個離散位置的光學特性被修改為光學各向異性，并且復雜的各向異性部分40可以產(chǎn)生。盡管翻譯裝置38被示出為改變焦點36的位置，但是應當理解的是，同樣的效果可以通過閃爍體元件24的相對運動來完成。
[0049]如圖4所示，與激光發(fā)生器26和聚焦裝置28通信的控制裝置42可以被進一步利用來創(chuàng)建復雜的三維結構44。控制裝置42也有利于通過允許一致和可靠的再生閃爍體元件24。
[0050]可以預見的是，各種各樣的光學特性可能被修改來產(chǎn)生在焦點36的位置具有各向異性特性的三維結構44。可以預見的是，這些特性可以包括，但不限于，改變結晶閃爍體的晶體結構，在單晶體中創(chuàng)建與周圍的結晶材料具有不同晶向的局部晶疇(英文名為crystal domains)，在其它非結晶材料(例如玻璃)內(nèi)創(chuàng)建局部結晶區(qū)域，在閃爍體元件24內(nèi)產(chǎn)生微空隙，改變焦點36位置的折射率，改變焦點36位置的光學吸收，改變焦點36位置的光子散射特性，或者通過其他的方式損壞閃爍體元件24。
[0051]利用可重復的方法，激光34可以構造出復雜結構。在一個實施方式中，三維結構44包括形成于閃爍體元件24內(nèi)的多個第一平面46和多個第二平面48。多個第二平面48與多個第一平面46垂直。多個第二平面48與多個第一平面46相交，以在閃爍體元件24內(nèi)形成多個通道區(qū)域50。通道區(qū)域50可以被利用來引導光學光子進入光電探測器22。
[0052]三維結構44用于控制光子在形成于各向異性的閃爍體40中的多個通道區(qū)域50內(nèi)傳播，從而降低能夠在多個通道區(qū)域50之間傳播的光子的數(shù)量。三維結構44包括多個各向異性的部分40。
[0053]作為一種非限制的例子，如圖5所示，每個各向異性的部分40包括多個空隙或氣泡400，每個空隙或氣泡400的直徑小于I微米(如圖6所示)。在一種實施方式中，每個空隙或氣泡400的直徑在I X 10 7m到5 X 10 6m范圍內(nèi)。
[0054]在一種實施方式中，在每個激光焦點區(qū)域產(chǎn)生的空隙或氣泡400的數(shù)量大于1000個。因此，可以阻止或者降低相鄰通道區(qū)域50之間的串擾。
[0055]雖然激光發(fā)生器26至此已經(jīng)作了一般地描述，可以預見的是，激光發(fā)生器26最好是脈沖激光發(fā)生器。雖然納秒脈沖可能被利用，本發(fā)明有可能從通常被稱為“超快”脈沖的極短脈沖中受益。這些脈沖的一個例子被稱為皮秒和飛秒激光。超快脈沖的使用提供了很多優(yōu)點。焦點36和閃爍體元件24之間的相互作用機制通常是非諧振，非線性，多光子相互作用。由于非諧振相互作用，相互作用過程幾乎是獨立于激光波長，從而允許相同的激光發(fā)生器26被利用于多種材料。
[0056]相互作用的非線性性質:(相互作用強度不線性地依賴于激光強度，而是隨著強度的冪增加)相互作用在比焦點36小的區(qū)域內(nèi)是最強的。采用多光子相互作用的相互作用傾向于表現(xiàn)出閾值行為。低于某一閾值時，相互作用不會發(fā)生。當超過某一閾值時，相互作用突然地發(fā)生。
[0057]當利用緊密聚焦的光束時，閾值僅在焦體積36的中心被超過，以提供嚴格控制。通過將非線性特征與多光子相互作用結合，可導致形成的特征小于激光34的焦點36產(chǎn)生的特征。因此，使用超快激光形成的特征小于那些長脈沖產(chǎn)生的特征。
[0058]通過超快激光產(chǎn)生的快速相互作用可以改變小區(qū)域內(nèi)的光學特性，而不會傳遞大量的熱量到周圍的材料。
[0059]在使用燒蝕以產(chǎn)生空隙或氣泡400的實例中，過多的熱傳遞會導致產(chǎn)生裂紋或者其他損壞。超快激光可引起燒蝕，然而，通過從固體直接過渡到等離子體，導致相對較小的熱量被傳遞到周圍的材料。
[0060]如圖7所示，其描述了利用脈沖激光以逐層的方式來形成位于閃爍體元件24內(nèi)部的三維結構44。
[0061]如圖8所示，其描述了利用激光聚焦線260來形成位于閃爍體元件24內(nèi)部的三維結構44。相對于激光聚焦點的掃描方式，激光聚焦線260的掃描方式可以縮短激光掃描時間以及達到較高的效率。
[0062]如圖9所示，激光雕刻系統(tǒng)100還包括溫度控制室202。閃爍體元件24被設置于溫度控制室202內(nèi)。激光發(fā)生器26產(chǎn)生的激光通過溫度控制室202的光學窗口 204被導向閃爍體元件24。
[0063]激光雕刻系統(tǒng)100還包括裝載/卸載機構件900。裝載/卸載機構件900可以將閃爍體元件24裝載入溫度控制室202或將閃爍體元件24從溫度控制室202卸載出來。
[0064]如圖10所示，激光雕刻系統(tǒng)200還包括加熱器205、傳感器206和控制器208。作為一個非限定的例子，溫度控制室202被設置于加熱器205上(請參圖9)。在其它實施方式中，激光雕刻系統(tǒng)200包括兩個或多于兩個傳感器206。
[0065]在激光雕刻過程中，加熱器205用于加熱溫度控制室202，以升高閃爍體元件24的溫度。傳感器206用于偵測溫度控制室202的溫度?？刂破?08用于根據(jù)偵測到的溫度控制加熱器205，以調整閃爍體元件24的溫度。
[0066]在一種實施方式中，閃爍體元件24的溫度在100攝氏度到600攝氏度的范圍內(nèi)。
[0067]溫度控制室202用于降低閃爍體元件102內(nèi)部的溫度梯度，因此在激光雕刻過程中，閃爍體元件102的裂紋問題得到了降低，從而提高了良率。
[0068]雖然結合特定的實施方式對本發(fā)明進行了說明，但本領域的技術人員可以理解，對本發(fā)明可以作出許多修改和變型。因此，要認識到，權利要求書的意圖在于涵蓋在本發(fā)明真正構思和范圍內(nèi)的所有這些修改和變型。
【主權項】
1.一種各向異性的閃爍體，其用于捕獲成像系統(tǒng)中的光子，該各向異性的閃爍體包括: 閃爍體元件；及 形成于閃爍體元件內(nèi)的三維結構，該三維結構包括多個各向異性的部分； 其中，該多個各向異性的部分包括從多種光學特性中選擇出的至少一種光學特性，以用于保存空間信息；每個各向異性的部分包括多個空隙或氣泡，每個空隙或氣泡的直徑小于I微米； 其中，該三維結構用于控制光子在形成于各向異性的閃爍體中的多個通道區(qū)域內(nèi)傳播，從而降低能夠在多個通道區(qū)域之間傳播的光子的數(shù)量。2.如權利要求1所述的各向異性的閃爍體，其特征在于:每個空隙或氣泡的直徑在1X10 7m 到 5X10 6m 范圍內(nèi)。3.如權利要求1所述的各向異性的閃爍體，其特征在于:該三維結構包括形成于閃爍體元件內(nèi)的多個第一平面和多個第二平面，該多個第二平面垂直于多個第一平面，該多個第二平面與多個第一平面相交以形成多個通道區(qū)域。4.一種用于制造各向異性的閃爍體的方法，該各向異性的閃爍體用于捕獲成像系統(tǒng)中的光子并且包括閃爍體元件及形成于閃爍體元件內(nèi)的三維結構，該三維結構包括多個各向異性的部分；該方法包括: 使用激光將閃爍體元件內(nèi)的多個離散位置的光學特性修改為光學各向異性，從而產(chǎn)生該多個各向異性的部分； 其中，該多個各向異性的部分包括從多種光學特性中選擇出的至少一種光學特性，以用于保存空間信息；每個各向異性的部分包括多個空隙或氣泡，每個空隙或氣泡的直徑小于I微米； 其中，該三維結構用于控制光子在形成于各向異性的閃爍體中的多個通道區(qū)域內(nèi)傳播，從而降低能夠在多個通道區(qū)域之間傳播的光子的數(shù)量。5.如權利要求4所述的方法，其特征在于:在每個激光焦點區(qū)域產(chǎn)生的空隙或氣泡的數(shù)量大于1000個。6.如權利要求4所述的方法，其特征在于，該方法還包括: 使用聚焦裝置對激光進行聚焦以產(chǎn)生焦點； 其中，該聚焦裝置的數(shù)值孔徑大于0.1。7.如權利要求4所述的方法，其特征在于:每個空隙或氣泡的直徑在1X107m到5 X 10 6m范圍內(nèi)。8.如權利要求4所述的方法，其特征在于:該激光包括超快脈沖激光，該超快脈沖激光的預定波長在750nm到IlOOnm范圍內(nèi)。9.如權利要求4所述的方法，其特征在于，該方法還包括: 設置閃爍體元件于溫度控制室內(nèi)；及 通過溫度控制室的光學窗口將激光導向閃爍體元件； 其中，該溫度控制室用于降低閃爍體元件內(nèi)的溫度梯度。10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，該方法還包括: 使用加熱器對溫度控制室進行加熱，以升高閃爍體元件的溫度； 偵測溫度控制室的溫度； 根據(jù)偵測到的溫度控制加熱器對閃爍體元件的溫度進行調節(jié)。11.如權利要求10所述的方法，其特征在于:所述閃爍體元件的溫度在100攝氏度到600攝氏度的范圍內(nèi)。12.—種激光雕刻系統(tǒng)，其包括: 各向異性的閃爍體，用于捕獲成像系統(tǒng)中的光子并包括: 閃爍體元件；及 形成于閃爍體元件內(nèi)的三維結構，該三維結構包括多個各向異性的部分； 及激光發(fā)生器，用于產(chǎn)生激光以將閃爍體元件內(nèi)的多個離散位置的光學特性修改為光學各向異性，從而產(chǎn)生多個各向異性的部分； 其中，該多個各向異性的部分包括從多種光學特性中選擇出的至少一種光學特性，以用于保存空間信息；每個各向異性的部分包括多個空隙或氣泡，每個空隙或氣泡的直徑小于I微米； 其中，該三維結構用于控制光子在形成于各向異性的閃爍體中的多個通道區(qū)域內(nèi)傳播，從而降低能夠在多個通道區(qū)域之間傳播的光子的數(shù)量。13.如權利要求12所述的激光雕刻系統(tǒng)，其特征在于，該激光雕刻系統(tǒng)還包括: 具有光學窗口的溫度控制室； 其中，該閃爍體元件設置于溫度控制室內(nèi)，該光學窗口用于將激光導向閃爍體元件，該溫度控制室用于降低閃爍體元件內(nèi)的溫度梯度。14.如權利要求13所述的激光雕刻系統(tǒng)，其特征在于，該激光雕刻系統(tǒng)還包括: 加熱器，用于對溫度控制室進行加熱，以升高閃爍體元件的溫度； 至少一個傳感器，用于偵測溫度控制室的溫度；以及 控制器，用于根據(jù)偵測到的溫度控制加熱器對閃爍體元件的溫度進行調節(jié)。15.如權利要求14所述的激光雕刻系統(tǒng)，其特征在于:所述閃爍體元件的溫度在100攝氏度到600攝氏度的范圍內(nèi)。16.如權利要求12所述的激光雕刻系統(tǒng)，其特征在于:在每個激光焦點區(qū)域產(chǎn)生的空隙或氣泡的數(shù)量大于1000個。17.如權利要求12所述的激光雕刻系統(tǒng)，其特征在于，該激光雕刻系統(tǒng)還包括: 聚焦裝置，用于對激光進行聚焦以產(chǎn)生焦點； 其中，該聚焦裝置的數(shù)值孔徑大于0.1。18.如權利要求12所述的激光雕刻系統(tǒng)，其特征在于:每個空隙或氣泡的直徑在1X10 7m 到 5X10 6m 范圍內(nèi)。19.如權利要求12所述的激光雕刻系統(tǒng)，其特征在于:該激光包括超快脈沖激光，該超快脈沖激光的預定波長在750nm到IlOOnm范圍內(nèi)。20.如權利要求12所述的激光雕刻系統(tǒng)，其特征在于:該三維結構包括形成于閃爍體元件內(nèi)的多個第一平面和多個第二平面，該多個第二平面垂直于多個第一平面，該多個第二平面與多個第一平面相交以形成多個通道區(qū)域。
【文檔編號】B23K26/70GK105988131SQ201510067486
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年2月9日
【發(fā)明人】郭銳, 彭志學, 高博, 高一博
【申請人】通用電氣公司