電流傳感器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及集成電路封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種電流傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]電流傳感器的基本原理是利用電磁感應(yīng)現(xiàn)象，采用一顆磁傳感器來檢測通過導(dǎo)線的電流大小。現(xiàn)有技術(shù)中，磁傳感器通常是制作在半導(dǎo)體芯片上的，并通過封裝形成電流檢測芯片。而待測電流通常是在芯片封裝體內(nèi)部的引線框架上流過。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)的缺陷在于，被檢測的電流通常會是大電流，而硅片上標(biāo)準(zhǔn)的工作電壓只有5V，工作電流也是毫安甚至微安量級。因此待測電流會給磁傳感器造成很強(qiáng)的電磁耦合干擾。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種電流傳感器，能有效解決待測電流會給磁傳感器造成的電磁耦合干擾。
[0005]為了解決上述問題，本實用新型提供了一種電流傳感器，包括:芯片，所述芯片中至少包括一磁傳感器、多個焊盤以及一電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層覆蓋于芯片的表面；弓丨線框架，所述引線框架包括一段弧形導(dǎo)線，當(dāng)所述弧形導(dǎo)線中通過電流時，所述弧形導(dǎo)線能夠在圓弧的中心處形成一耦合磁場的增強(qiáng)區(qū)域，所述磁傳感器設(shè)置于所述增強(qiáng)區(qū)域；所述焊盤通過設(shè)置在電磁屏蔽層中的窗口與引線框架電學(xué)連接。
[0006]可選的，所述電磁屏蔽層的材料是聚酰亞胺，厚度范圍是10微米?50微米。
[0007]可選的，所述弧形導(dǎo)線進(jìn)一步是180度圓弧形，所述磁傳感器設(shè)置于圓弧形的圓心處。
[0008]可選的，所述窗口中設(shè)置金屬導(dǎo)電柱，用于連接焊盤與引線框架。
[0009]本實用新型的優(yōu)點(diǎn)在于，突破了本領(lǐng)域?qū)π酒碗娏鲗?dǎo)線之間不能設(shè)置電磁屏蔽的技術(shù)偏見，在弧形導(dǎo)線和磁傳感器之間設(shè)置了通常認(rèn)為不應(yīng)當(dāng)存在的電磁屏蔽層。實踐中，所有的電磁屏蔽材料的屏蔽效果都只是部分屏蔽，不會將所有的磁場全部過濾掉，但足以使弧形導(dǎo)線不再對芯片內(nèi)部的電路產(chǎn)生影響。而磁傳感器是磁敏感元件，實踐證明部分屏蔽后的磁場仍然能夠滿足檢測需求。
【附圖說明】
[0010]附圖1所示是本實用新型所述的電流傳感器結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖對本實用新型提供的電流傳感器的【具體實施方式】做詳細(xì)說明。
[0012]附圖1所示是本實用新型所述的電流傳感器結(jié)構(gòu)示意圖，所述電流傳感器包括芯片100，所述芯片100中至少包括一磁傳感器101和多個焊盤(未圖示)，且所述芯片100表面進(jìn)一步設(shè)置電磁屏蔽層103，所述電磁屏蔽層103覆蓋于芯片100的表面。所述電流傳感器還包括引線框架200，所述引線框架200中至少具有一根弧形導(dǎo)線201，當(dāng)所述弧形導(dǎo)線201中通過電流時，所述弧形導(dǎo)線201能夠在圓弧的中心處形成一耦合磁場的增強(qiáng)區(qū)域，所述磁傳感器101即設(shè)置于所述增強(qiáng)區(qū)域。
[0013]所述磁傳感器101可以是霍爾傳感器，或者其他類型的傳感器，例如TMR、GMR等。由于電流傳感器利用的是電磁耦合原理，通常要保證產(chǎn)生磁場的弧形導(dǎo)線201和芯片100之間電磁通道的通暢。而這樣就無法避免弧形導(dǎo)線201所產(chǎn)生的磁場對芯片100內(nèi)部的電路產(chǎn)生干擾。本【具體實施方式】所采用的技術(shù)方案是在弧形導(dǎo)線201和磁傳感器101之間設(shè)置了通常認(rèn)為不應(yīng)當(dāng)存在的電磁屏蔽層103。實踐中，所有的電磁屏蔽材料的屏蔽效果都只是部分屏蔽，不會將所有的磁場全部過濾掉，但足以使弧形導(dǎo)線201不再對芯片100內(nèi)部的電路產(chǎn)生影響。而磁傳感器101是磁敏感元件，實踐證明部分屏蔽后的磁場仍然能夠滿足檢測需求。在本【具體實施方式】中，電磁屏蔽層103的材料例如可以是聚酰亞胺(polyimide)，厚度范圍例如是10微米?50微米。在其它的【具體實施方式】中，任何一種絕緣的電磁屏蔽材料都可以作為電磁屏蔽層103的材料使用，并根據(jù)屏蔽效果調(diào)整厚度。
[0014]在本【具體實施方式】中，所述弧形導(dǎo)線201進(jìn)一步是180度圓弧形，所述磁傳感器102設(shè)置于圓弧形的圓心處，以獲得最大的電磁感應(yīng)效果。
[0015]本【具體實施方式】中，采用金屬導(dǎo)電柱102A?102E通過設(shè)置在電磁屏蔽層103中的窗口電學(xué)連接焊盤與引線框架。
[0016]以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種電流傳感器，其特征在于，包括: 芯片，所述芯片中至少包括一磁傳感器、多個焊盤以及一電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層覆蓋于芯片的表面； 引線框架，所述引線框架包括一段弧形導(dǎo)線，當(dāng)所述弧形導(dǎo)線中通過電流時，所述弧形導(dǎo)線能夠在圓弧的中心處形成一耦合磁場的增強(qiáng)區(qū)域，所述磁傳感器設(shè)置于所述增強(qiáng)區(qū)域； 所述焊盤通過設(shè)置在電磁屏蔽層中的窗口與引線框架電學(xué)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流傳感器，其特征在于，所述電磁屏蔽層的材料是聚酰亞胺，厚度范圍是10微米?50微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流傳感器，其特征在于，所述弧形導(dǎo)線進(jìn)一步是180度圓弧形，所述磁傳感器設(shè)置于圓弧形的圓心處。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流傳感器，其特征在于，所述窗口中設(shè)置金屬導(dǎo)電柱，用于連接焊盤與引線框架。
【專利摘要】本實用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種電流傳感器，能有效解決待測電流會給磁傳感器造成的電磁耦合干擾。為了解決上述問題，本實用新型提供了一種電流傳感器，包括：芯片，所述芯片中至少包括一磁傳感器、多個焊盤以及一電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層覆蓋于芯片的表面；引線框架，所述引線框架包括一段弧形導(dǎo)線，當(dāng)所述弧形導(dǎo)線中通過電流時，所述弧形導(dǎo)線能夠在圓弧的中心處形成一耦合磁場的增強(qiáng)區(qū)域，所述磁傳感器設(shè)置于所述增強(qiáng)區(qū)域；所述焊盤通過設(shè)置在電磁屏蔽層中的窗口與引線框架電學(xué)連接。
【IPC分類】H01L23-552, H01L23-495, G01R19-00
【公開號】CN204575718
【申請?zhí)枴緾N201520127450
【發(fā)明人】鐘小軍
【申請人】上海興工微電子有限公司
【公開日】2015年8月19日
【申請日】2015年3月5日