專利名稱：電流傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電流傳感器，更具體而言，本發(fā)明涉及一種位于集成電路塊中的微型化電流傳感器。
背景技術(shù)：
如本領(lǐng)域公知的是，一種常規(guī)的電流傳感器采用了位于導(dǎo)電體附件的磁場(chǎng)換能器(例如霍耳效應(yīng)換能器或磁阻換能器)。磁場(chǎng)換能器所產(chǎn)生輸出信號(hào)的幅值與流經(jīng)所述導(dǎo)電體的電流的感應(yīng)磁場(chǎng)成比例。
某些典型的霍耳效應(yīng)電流傳感器包括一個(gè)有隙的環(huán)形磁通集中器，且霍耳效應(yīng)元件被布置在環(huán)形鐵心的間隙中?；舳?yīng)器件和環(huán)形鐵心被組裝到一個(gè)殼體中，該殼體被安裝到一印刷電路板上。在使用過程中，單路導(dǎo)電體一例如電線穿過環(huán)形鐵心的中心。無論是在高度方面，還是在電路板面積方面，這樣的裝置都趨于使尺寸不利地增大。
其它的霍耳效應(yīng)電流傳感器包括安裝在一介電材料(例如電路板)上的霍耳效應(yīng)元件。在第EP 0867725號(hào)歐洲專利申請(qǐng)中公開了此類電流傳感器中的一種。另外一些其它的霍耳效應(yīng)電流傳感器包括安裝在一基板上的霍耳效應(yīng)元件，其中的基板例如是硅基板，第EP 1111693號(hào)歐洲專利申請(qǐng)就公開了這樣的電流傳感器。
表征電流傳感器性能的各個(gè)參數(shù)包括靈敏度和線性度。靈敏度與輸出電壓的變化幅度相關(guān)，該輸出電壓是指霍耳效應(yīng)換能器響應(yīng)于被檢測(cè)電流而輸出的電壓。線性度涉及這樣一項(xiàng)指標(biāo)從霍耳效應(yīng)換能器輸出的電壓與被檢測(cè)電流以正比關(guān)系進(jìn)行變化的程度。
電流傳感器的靈敏度與多個(gè)因素有關(guān)。一個(gè)重要的因素就是在導(dǎo)電體附近產(chǎn)生的、且被霍耳效應(yīng)元件檢測(cè)到的磁場(chǎng)的磁通集中度。由于這一原因，某些電流傳感器采用了磁通集中器。尤其是對(duì)于未使用磁通集中器的電流傳感器，另一個(gè)重要的因素就是霍耳效應(yīng)元件與導(dǎo)電體之間的物理間距。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，一種集成電路型電流傳感器包括引線構(gòu)架，其具有至少兩條引線，它們被進(jìn)行聯(lián)接，以形成導(dǎo)電體部分；以及基板，其具有第一表面，在該表面上布置了一個(gè)或多個(gè)磁場(chǎng)換能器，且第一表面靠近導(dǎo)電體部分，基板還具有第二表面，其遠(yuǎn)離所述的導(dǎo)電體部分。在一種特定的實(shí)施方式中，基板被布置成使得基板的第一表面位于導(dǎo)電體部分的上方，且基板的第二表面位于第一表面的上方。在該特定實(shí)施方式中，基板在集成電路中的定向狀態(tài)相對(duì)于現(xiàn)有的定向是顛倒的。
采用該特定的設(shè)計(jì)形式，電流傳感器被設(shè)置成其一個(gè)或多個(gè)磁場(chǎng)換能器被定位在導(dǎo)電體部分的附近，由此使得靈敏度提高。另外，電流傳感器被設(shè)置在一個(gè)小的集成電路塊中。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造集成電路的方法，該方法包括步驟設(shè)置引線構(gòu)架，其具有多條引線，其中的至少兩條引線被聯(lián)接到一起而形成導(dǎo)電體部分；對(duì)導(dǎo)電體部分進(jìn)行蝕刻，以使導(dǎo)電體部分的橫截面具有預(yù)定的形狀。在一種特定的實(shí)施方式中，預(yù)定的形狀為T字形。在另一實(shí)施方式中，預(yù)定的形狀為矩形的形狀，該矩形的最小尺寸小于引線構(gòu)架的主體部分的厚度。
對(duì)于這樣的特定設(shè)計(jì)形式，導(dǎo)電體部分被設(shè)置成使得導(dǎo)電體部分表面上方的磁通密度更為集中。因而，安裝在導(dǎo)電體部分附近的磁場(chǎng)換能器處于增強(qiáng)的磁場(chǎng)中，由此使電流傳感器的靈敏度提高。


從下文針對(duì)附圖的詳細(xì)描述，能更加全面地理解本發(fā)明的上述特征以及發(fā)明本身，在附圖中圖1中的軸測(cè)圖表示了根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器；圖2中的圖線表示了磁場(chǎng)與圖1所示電流傳感器中霍耳效應(yīng)元件上的位置之間的關(guān)系；圖3是根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器另一實(shí)施方式的軸測(cè)圖；圖4中的示意圖表示了圖3所示電流傳感器中的電路構(gòu)成部分；圖5中的軸測(cè)圖表示了根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器的又一種實(shí)施方式；圖6中的軸測(cè)圖表示了根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器的再一種實(shí)施方式；圖6A中的軸測(cè)圖表示了根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器的另一種實(shí)施方式；圖7中的軸測(cè)圖表示了根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器的再一種實(shí)施方式；圖8是圖7所示電流傳感器的另一個(gè)軸測(cè)圖；圖9中的軸測(cè)圖表示了根據(jù)本發(fā)明另一方面的、一種備選的引線構(gòu)架，其具有減薄的導(dǎo)電體部分；以及圖9A是圖9所示導(dǎo)電體部分備選實(shí)施方式的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
參見圖1，根據(jù)本發(fā)明的一種示例性電流傳感器10包括引線構(gòu)架12，其具有多條引線12a-12h。引線12a和12b被與引線12c和12d聯(lián)接起來，以形成電流通路或?qū)щ婓w，其具有寬度為W1的狹窄部分14。電流傳感器10還包括基板16，其具有第一表面16a和相反的第二表面16b?；?6上具有磁場(chǎng)換能器18，在某些實(shí)施方式中，該磁場(chǎng)換能器可以是霍耳效應(yīng)元件18，該元件被擴(kuò)散到第一表面16a中，或者被布置在第一表面16a上?；?6可由硅等半導(dǎo)體材料構(gòu)成，在一種備選的實(shí)施方式中，基板16可由絕緣材料制成。
基板16被布置在引線構(gòu)架12的上方，以使得第一表面16a靠近導(dǎo)電體部分14，第二表面16b卻遠(yuǎn)離導(dǎo)電體部分14，更具體來講，這樣就使得霍耳效應(yīng)元件18非常接近于導(dǎo)電體部分14。在圖示的實(shí)施方式中，基板16采用了這樣的定向形式其相對(duì)于普通的定向形式是上下顛倒的(即第一表面16a面向下方)，其中的定向形式是指將基板安裝到集成電路塊中所采用的方位形式。
基板16的第一表面16a上具有焊接結(jié)合區(qū)20a-20c，接合線22a-22c被聯(lián)接到這些結(jié)合區(qū)上。接合線還與引線構(gòu)架12的引線12e、12f、12h進(jìn)行聯(lián)接。
絕緣體24將基板16與引線構(gòu)架12隔開?？砂凑斩喾N方式來設(shè)置該絕緣體24。例如，在一種實(shí)施方式中，絕緣體24的第一部分包括一層4μm厚的BCB樹脂材料，其被直接淀積在基板16的第一表面16a上。絕緣體24的第二部分包括一層StaychipTMNUF-2071E型未充滿材料(由新澤西州的Cookson Electronics Equipment公司出品)，該材料被淀積在引線構(gòu)架12上。這樣的設(shè)計(jì)使基板16與引線構(gòu)架12之間具有高于一千伏的絕緣耐壓。
可以理解導(dǎo)電體部分14是電流所流經(jīng)的總電流通路的一部分，但也只是總通路的一部分。例如，電流沿箭頭26所指的方向流入到引線12c、12d中，在附圖中，引線12c和12d被表示成并聯(lián)的電路關(guān)系，電流流經(jīng)導(dǎo)電體部分14后從引線12a、12b流出，在圖示的狀態(tài)中，引線12a、12b也為并聯(lián)的電路關(guān)系。
采用這樣的設(shè)置形式，霍耳效應(yīng)元件18被布置在導(dǎo)電體部分14的附近，并相對(duì)于導(dǎo)電體部分14處于預(yù)定的位置上，從而使得由沿箭頭26所指方向流經(jīng)導(dǎo)電體部分14的電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)處于一個(gè)方向上，該方向與霍耳效應(yīng)元件18的最大響應(yīng)軸線基本上成一線?；舳?yīng)元件18產(chǎn)生出一個(gè)輸出電壓，該電壓與磁場(chǎng)成比例，因而也與流經(jīng)導(dǎo)電體部分14的電流成比例。圖中所示霍耳效應(yīng)元件18的最大響應(yīng)軸線與z軸34基本上對(duì)準(zhǔn)。由于響應(yīng)于電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)是環(huán)繞著導(dǎo)電體部分14的圓形磁場(chǎng)，所以，霍耳效應(yīng)元件18被布置成緊鄰著導(dǎo)電體部分14的一側(cè)(即在y軸32方向上略有偏移)，如圖所示，在該位置上，磁場(chǎng)所指的方向基本上是沿著z軸34。這一位置使得霍耳效應(yīng)元件18能輸出最大的電壓，因而可提高靈敏度。但是，其最大響應(yīng)軸線對(duì)準(zhǔn)其它方向的霍耳效應(yīng)元件或其它類型的磁場(chǎng)傳感器—例如磁阻元件可相對(duì)于導(dǎo)電體部分14布置在其它位置上，例如可布置在導(dǎo)電體部分14的頂部(沿z軸34方向定位)。
盡管在圖示的實(shí)施方式中，基板16的第一表面16a上設(shè)置了一個(gè)霍耳效應(yīng)元件18，但不難理解也可使用多個(gè)霍耳效應(yīng)—例如如圖3和圖5所示的實(shí)施方式那樣。另外，還可設(shè)置另外的電路—例如放大器，其可被擴(kuò)散到基板16的第一和/或第二表面16a、16b中，也可被布置或支撐在第一和/或第二表面16a、16b上。圖4表示了此類電路的一種示例。
在圖1所示的實(shí)施方式中，霍耳效應(yīng)元件18與導(dǎo)電體部分14之間的相互接近是通過將霍耳效應(yīng)元件18布置在基板第一表面16a上而實(shí)現(xiàn)的，其中，第一表面16a所處位置比第二表面更靠近導(dǎo)電體部分14。如圖7和圖8所示，在其它的實(shí)施方式中，相互接近這一有利特征是通過將霍耳效應(yīng)元件18設(shè)置在基板第二表面16b上、并將導(dǎo)電體部分14制成與第二表面16b基本上對(duì)準(zhǔn)而實(shí)現(xiàn)的。
下面參見圖2，圖中的圖線50表示了在流經(jīng)導(dǎo)電體部分14的電流為10A量級(jí)的條件下、沿z軸34方向(見圖1)穿過霍耳效應(yīng)元件18的磁通密度，圖中的數(shù)值是指霍耳效應(yīng)元件18所在平面(見圖1)內(nèi)沿x軸30(見圖1)和y軸32(見圖1)的各個(gè)位置點(diǎn)的數(shù)值?；舳?yīng)元件18的中心(圖中未示出)對(duì)應(yīng)于橫坐標(biāo)軸52上300微米處的位置。圖中的縱坐標(biāo)54對(duì)應(yīng)著磁通。
磁通曲線56對(duì)應(yīng)著z軸34方向上的磁通量相對(duì)于z軸34上位置的變化關(guān)系。磁通曲線58對(duì)應(yīng)著z軸34方向上的磁通量相對(duì)于y軸32上位置的變化關(guān)系。
在中心位于300μm處的霍耳效應(yīng)元件的附近，磁通曲線56、58表現(xiàn)出基本上為平臺(tái)的特性。因而，對(duì)z軸34方向上磁場(chǎng)敏感的、霍耳效應(yīng)元件18的輸出對(duì)沿x軸30和y軸32的位置變動(dòng)較不敏感。
圖示霍耳效應(yīng)元件18在x軸30及y軸32方向上的尺寸為200μm的量級(jí)，因而，霍耳效應(yīng)元件18在橫坐標(biāo)軸52上處于200μm到400μm的區(qū)間內(nèi)。在霍耳效應(yīng)元件18位置沿x軸30或y軸32改變50μm的條件下，該元件所檢測(cè)到磁場(chǎng)的變化量是很小的。因而，霍耳效應(yīng)元件在x軸30和y軸32上的位置可在制造定位誤差的范圍內(nèi)變動(dòng)，且基本上不會(huì)影響電流傳感器10(見圖1)的靈敏度。
一個(gè)指標(biāo)對(duì)z方向34上的磁通密度在沿霍耳效應(yīng)元件18在x方向30上的分布均勻性具有顯著的影響，該指標(biāo)是指導(dǎo)電體部分14在x方向30上的寬度W1(見圖1)相對(duì)于霍耳效應(yīng)元件18在x方向30上尺寸的關(guān)系。尤其是，導(dǎo)電體部分14的長(zhǎng)度(即圖1中的寬度W1越大)相對(duì)于霍耳效應(yīng)元件18在x方向30上的寬度的比值越大，曲線56保持基本為平臺(tái)的區(qū)間越大。
根據(jù)多個(gè)因素來選擇寬度W1(見圖1)，這些因素包括(但不限于)電流傳感器10(見圖1)所需的靈敏度；以及希望能將性能變化量降低到什么程度，其中的性能變化量是指由于電流通路14和霍耳效應(yīng)元件18的制造位置變動(dòng)而導(dǎo)致的變化量。一般而言，可以領(lǐng)會(huì)到將寬度W1選擇為可與霍耳效應(yīng)元件18的寬度相當(dāng)能使電流傳感器10具有最大的靈敏度。但是，還應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到將寬度W1選擇為大于霍耳效應(yīng)元件18的寬度能使性能的變化量達(dá)到最小，該性能的變化量是指由霍耳效應(yīng)元件在x方向30上的定位制造誤差容限而引起的變化量。
下面參見圖3，根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器70的另一種示例包括引線構(gòu)架72，其具有多條引線72a-72h，并具有導(dǎo)電體部分74，其寬度為W2。電流傳感器還包括基板76，其具有第一表面76a和相反的第二表面76b。基板76具有第一霍耳效應(yīng)元件78a和第二霍耳效應(yīng)元件78b，它們被擴(kuò)散到第一表面76a中，或者被布置和支撐在第一表面76a上。基板76可被布置在引線構(gòu)架72上，以使得霍耳效應(yīng)元件78位于導(dǎo)電體部分74的附近。在圖示的實(shí)施方式中，基板76所采用的定向形式相對(duì)于將基板安裝在集成電路塊中的普通定向形式是顛倒的(即第一表面76a面向下方)。絕緣體(圖中未示出)將基板76與引線構(gòu)架72隔開。該絕緣體可與圖1中所示的絕緣體相同和類似。
采用這樣的布置形式，兩霍耳效應(yīng)元件78a、78b都被布置在了導(dǎo)電體部分74的附近，并相對(duì)于導(dǎo)電體部分74處于預(yù)定的位置上，這樣就使得沿箭頭86所指方向流經(jīng)導(dǎo)電體部分74的電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)處于一個(gè)方向上，該方向與霍耳效應(yīng)元件78a、78b的最大響應(yīng)軸線基本上對(duì)準(zhǔn)。此條件下，霍耳效應(yīng)元件78a、78b的最大響應(yīng)軸線與z軸94對(duì)準(zhǔn)。因而，霍耳效應(yīng)元件78a、78b被布置在導(dǎo)電體部分74的相對(duì)兩側(cè)(即在y軸92方向是略有偏移)，如圖所示，在該位置上，磁場(chǎng)的指向是沿著z軸94的。在一實(shí)施方式中，兩霍耳效應(yīng)元件78a、78b圍繞著導(dǎo)電體部分74的偏移(沿y軸92)基本上是相反而等量的。但是，其最大響應(yīng)軸線對(duì)準(zhǔn)其它方向的霍耳效應(yīng)元件或其它類型的磁場(chǎng)傳感器—例如磁阻元件可相對(duì)于導(dǎo)電體部分74布置在其它位置上，例如可布置在導(dǎo)電體部分74的頂部(沿z軸94方向定位)。
在工作過程中，電流流入到并聯(lián)的引線72c、72d中，并流經(jīng)導(dǎo)電體部分74后從并聯(lián)著的引線72a、72b流出。流經(jīng)導(dǎo)電體部分74的電流產(chǎn)生出一個(gè)磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)由霍耳效應(yīng)元件78a、78b進(jìn)行檢測(cè)。如上所述，霍耳效應(yīng)元件78a、78b非常接近于導(dǎo)電體部分74，并相對(duì)于導(dǎo)電體部分74處于預(yù)定的位置上，在該位置上，電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)與霍耳效應(yīng)元件78a、78b的最大響應(yīng)軸線基本上對(duì)準(zhǔn)。這樣的布置形式使得霍耳效應(yīng)元件78可輸出更高的電壓，因而可提高靈敏度。
應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到第一、第二霍耳效應(yīng)傳感器78a、78b所處的磁場(chǎng)在定向上處于相反的方向，且兩方向都與z軸94對(duì)準(zhǔn)。因而，如果兩霍耳效應(yīng)元件78a、78b的極化方向相同，則它們輸出的極性將是相反的。如果將其中一個(gè)霍耳效應(yīng)元件78a、78b的輸出反相—例如利用一個(gè)反相放大器進(jìn)行反相，并與另一霍耳效應(yīng)元件78a、78b的輸出進(jìn)行相加—即差分相加，這樣就能獲得一些優(yōu)點(diǎn)。
作為一個(gè)基本的優(yōu)點(diǎn)，當(dāng)兩霍耳效應(yīng)元件78a、78b的輸出如上文所述那樣被差分相加時(shí)，在電流相同的情況下，能獲得一個(gè)其幅值兩倍于單個(gè)霍耳效應(yīng)元件輸出電壓的輸出電壓。因而，電流傳感器70的靈敏度是圖1所示電流傳感器10的靈敏度的兩倍。
作為第二個(gè)優(yōu)點(diǎn)，電流傳感器70對(duì)霍耳效應(yīng)元件78a、78b在y軸92方向上的位置變動(dòng)較不敏感。其中的原因是當(dāng)兩霍耳效應(yīng)元件78a、78b在y軸92方向上移動(dòng)時(shí)，其中一個(gè)元件的輸出電壓趨于增大，而另一霍耳效應(yīng)元件78a、78b的輸出電壓卻趨于減小。因而，兩輸出量的差分之和相對(duì)保持不變。
盡管圖示引線構(gòu)架72上的引線72a-72h是適于用表面安裝法安裝到電路板上的扁平引線，但可以認(rèn)識(shí)到引線構(gòu)架也可與圖1所示的引線構(gòu)架12一樣，采用彎曲的引線。另外，盡管圖中表示出了兩個(gè)霍耳效應(yīng)元件78a、78b，但也可使用多于兩個(gè)和少于兩個(gè)的霍耳效應(yīng)元件。
下面參見圖4，圖中表示了一個(gè)與兩霍耳效應(yīng)元件102a、102b相連的求和電路100，該電路適于執(zhí)行上文結(jié)合圖3所描述的、對(duì)差分信號(hào)的求和運(yùn)算。兩霍耳效應(yīng)元件102a、102b可以與圖3所示的霍耳效應(yīng)元件78a、78b相同和類似。此處，如霍耳效應(yīng)元件102a、102b上的矢量所指，兩霍耳效應(yīng)元件相對(duì)旋轉(zhuǎn)了90度。因而，響應(yīng)于相反的磁場(chǎng)112a、112b，兩元件所產(chǎn)生的輸出電壓103a、103b具有相同的極性。輸出電壓103a與被設(shè)置成非倒相狀況的放大器104a相連，而輸出電壓103b則與設(shè)置成倒相狀況的放大器104b相連。因而，兩放大器的輸出電壓106a、106b響應(yīng)于磁場(chǎng)112a、112b在相反的電壓方向上趨動(dòng)。兩放大器輸出電壓106a、106b被差分地聯(lián)接到一個(gè)放大器108上，以獲得一個(gè)差分之和—即兩輸出電壓106a、106b的差值。因而，兩輸出電壓106a、106b差分相加，使放大器108的輸出具有更大的輸出電壓110。
該求和電路100可被應(yīng)用在圖3所示的電流傳感器中，在此情況下，霍耳效應(yīng)元件102a、102b對(duì)應(yīng)著霍耳效應(yīng)元件78a、78b。在一種特定的實(shí)施方式中，求和電路100被擴(kuò)散到基板76的第一表面76a中，或者被布置在第一表面76a上。在另一實(shí)施方式中，求和電路100被擴(kuò)散到基板76的第二表面76b中，或者被布置在第二表面76b上，而兩霍耳效應(yīng)元件78a、78b仍位于第一表面76a上，它們通過通路孔等結(jié)構(gòu)與其它的電路器件進(jìn)行聯(lián)接。
下面參見圖5，該圖表示了電流傳感器120的另一種示例，該傳感器上與圖1所示元件相同的器件用相同的標(biāo)號(hào)指代，該傳感器120包括基板126，其具有第一表面126a和相反的第二表面126b。此情況中，將四個(gè)霍耳效應(yīng)元件128a-128d擴(kuò)散到基板126的第一表面126a中，或者被布置在第一表面126a上。如圖所示，相對(duì)于引線構(gòu)架12對(duì)基板126進(jìn)行定位，以使得第一和第二霍耳效應(yīng)元件128a、128b在y軸142方向上位于導(dǎo)電體部分14的一側(cè)，并使得第三和第四霍耳效應(yīng)元件128c、128d在y軸142方向上位于導(dǎo)電體部分14的另一側(cè)。在一種實(shí)施方式中，霍耳效應(yīng)元件128a、128b(沿y軸142方向)偏離導(dǎo)電體部分14的量等于霍耳效應(yīng)元件128c、128d在相反方向上(沿y軸142方向)偏離導(dǎo)電體部分14的量。
采用這樣的設(shè)置形式，霍耳效應(yīng)元件128a-128d被布置在了導(dǎo)電體部分14的附近，并相對(duì)于導(dǎo)電體部分14處于預(yù)定的位置上，這樣就使得沿箭頭86所指方向流經(jīng)導(dǎo)電體部分14的電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)處于一個(gè)方向上，該方向與霍耳效應(yīng)元件128a-128d的最大響應(yīng)軸線基本上對(duì)準(zhǔn)。此條件下，各個(gè)霍耳效應(yīng)元件128a-128d的最大響應(yīng)軸線都與z軸144對(duì)準(zhǔn)。在圖示的實(shí)施方式中，霍耳效應(yīng)元件128a、128b被布置在導(dǎo)電體部分14的相反一側(cè)(即沿y軸線142略微地偏移)，且該偏移程度大于霍耳效應(yīng)元件128c、128d的偏移程度，如圖所示，在這些位置處，磁場(chǎng)的指向是沿著z軸144的。但是，其最大響應(yīng)軸線對(duì)齊其它方向的霍耳效應(yīng)元件或其它類型的磁場(chǎng)傳感器—例如磁阻元件可相對(duì)于導(dǎo)電體部分14布置在其它位置上，例如可布置在導(dǎo)電體部分14的頂部(沿z軸144方向定位)。不難領(lǐng)會(huì)第一、第二霍耳效應(yīng)元件128a、128b所處的磁場(chǎng)是沿著z軸144的方向，而第三、第四霍耳效應(yīng)元件128c、128d所處的磁場(chǎng)是在z軸144的相反方向上。
本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解四個(gè)霍耳效應(yīng)元件128a-128d可與作為求和電路的電子電路聯(lián)接起來，以實(shí)現(xiàn)某些優(yōu)點(diǎn)。該求和電路例如可包括兩個(gè)圖4所示的求和電路100。在一種實(shí)施方式中，該求和電路可將霍耳效應(yīng)元件128a-128d中的頭兩個(gè)元件與第一求和電路(其例如是圖4所示的求和電路100)聯(lián)接起來，而后兩個(gè)霍耳效應(yīng)元件則與第二求和電路聯(lián)接起來，該第二求和電路例如是求和電路100。利用另一個(gè)放大器，將第一求和電路的輸出與第二求和電路的輸出進(jìn)行相加。作為一個(gè)基本的優(yōu)點(diǎn)，在存在電流的情況下，與上述求和電路相聯(lián)接的四個(gè)霍耳效應(yīng)元件128a-128d所輸出電壓的幅值是單個(gè)霍耳效應(yīng)元件—例如圖1所示霍耳效應(yīng)元件輸出電壓的四倍。因而，電流傳感器120的靈敏度是圖1中電流傳感器10的四倍。
作為第二個(gè)優(yōu)點(diǎn)，電流傳感器120對(duì)霍耳效應(yīng)元件128a-128d在y軸142方向上的位置變動(dòng)較不敏感。其中的原因是當(dāng)四個(gè)霍耳效應(yīng)元件128a-128d在y軸142方向上移動(dòng)時(shí)，其中兩個(gè)元件的輸出電壓趨于增大，而另兩個(gè)霍耳效應(yīng)元件的輸出電壓卻趨于減小。因而，如果被聯(lián)接成一求和電路，則電路的輸出對(duì)于霍耳效應(yīng)元件在y軸上的位置相對(duì)保持不變。
下面參見圖6，根據(jù)本發(fā)明的一種示例性電流傳感器150包括引線構(gòu)架152，其具有多條引線152a-152h和導(dǎo)電體部分154。電流傳感器150還包括基板166，其具有第一表面166a和相反的第二表面166b?；?66具有霍耳效應(yīng)元件158，其被擴(kuò)散到第一表面166a中，或者被布置在第一表面166a上?；?66被布置在引線構(gòu)架152上，以使得霍耳效應(yīng)元件158位于導(dǎo)電體部分154的附近。基板166所采用的定向形式相對(duì)于將基板安裝在集成電路塊中的普通定向形式是顛倒的(即第一表面166a面向下方)?；?66是彈拋片，其第一表面166a上具有焊球160a-160c。如圖所示，焊球160a-160c被直接聯(lián)接到引線152e-152h上。一絕緣體164將基板166與引線構(gòu)架152隔開。該絕緣體可與圖1中所示的絕緣體24相同和類似。
采用這樣的布置形式，霍耳效應(yīng)元件158被布置在了導(dǎo)電體部分154的附近，并相對(duì)于導(dǎo)電體部分154處于預(yù)定的位置上，這樣就使得沿箭頭168所指方向流經(jīng)導(dǎo)電體部分154的電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)處于一個(gè)方向上，該方向與霍耳效應(yīng)元件158的最大響應(yīng)軸線基本上對(duì)準(zhǔn)?；舳?yīng)元件158的最大響應(yīng)軸線與z軸174對(duì)準(zhǔn)。因而，霍耳效應(yīng)元件158被布置成緊鄰著導(dǎo)電體部分14的一側(cè)(即在y軸172方向上略有偏移)，如圖所示，在該位置上，磁場(chǎng)所指的方向基本上是沿著z軸174。但是，其最大響應(yīng)軸線對(duì)準(zhǔn)其它方向的霍耳效應(yīng)元件或其它類型的磁場(chǎng)傳感器—例如磁阻元件可相對(duì)于導(dǎo)電體部分154布置在其它位置上，例如可布置在導(dǎo)電體部分154的頂部(沿z軸174方向定位)。
該電流傳感器150的工作原理與圖1所示電流傳感器10的上述工作原理相同。霍耳效應(yīng)元件158被布置在導(dǎo)電體部分154的附近，由此可提高霍耳效應(yīng)元件159的輸出電壓，進(jìn)而可提高靈敏度。
盡管在圖中在基板166的第一表面166a上只設(shè)置了霍耳效應(yīng)元件158，但不難理解該發(fā)明也可使用多個(gè)霍耳效應(yīng)。還可設(shè)置另外的電路—例如放大器，其可被擴(kuò)散到基板166的第一和/或第二表面166a、166b中，也可被布置或支撐在第一和/或第二表面166a、166b上。
盡管圖中表示出了三個(gè)焊球160a-160c，但也可設(shè)置任意數(shù)目個(gè)焊球，這些焊球包括用于對(duì)基板166進(jìn)行穩(wěn)定的偽焊球。另外，盡管圖中表示的是焊球160a-160c，但也可采用其它的連接方法，這些連接方法包括(但不限于)金質(zhì)隆凸、低熔和高量鉛焊隆凸、非鉛焊隆凸、金質(zhì)焊柱隆凸、聚合物導(dǎo)電隆凸、各向異性導(dǎo)電膏、以及導(dǎo)電薄膜。
下面參見圖6A，該圖表示了根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器180的另一種示例，該傳感器上與圖6所示元件相同的器件由相同的標(biāo)號(hào)指代，該傳感器180包括磁通集中器182和磁通集中層184。磁通集中器位于霍耳效應(yīng)元件158的附近，并靠近基板166第一表面166a的下方，且接近于第一表面166a。磁通集中層184被布置在基板166的第二表面166b上(或者位于第二表面上方附近)。
在工作中，磁通集中器182和磁通集中層184都趨于將由流經(jīng)導(dǎo)電體部分154的電流所產(chǎn)生的磁通集中起來，以使得電流傳感器180的靈敏度高于圖6所示電流傳感器150的靈敏度。
磁通集中器182和磁通集中層184都可由多種材料制成，這些材料包括(但不限于)鐵氧體、坡莫合金、以及鐵。
盡管在圖中磁通集中器182被表示為立方體形狀，但在其它的實(shí)施方式中，磁通集中器可以為其它的形狀，例如可以為多面體形狀、橢圓形、或球形。盡管圖中既表示出了磁通集中器182，由表示出了磁通集中層184，但在其它的實(shí)施方式中，可以只設(shè)置磁通集中器182和磁通集中層184二者中的其一。另外，盡管在圖中將磁通集中器182和磁通集中層184表示為與一個(gè)磁場(chǎng)換能器158相配合，但不難理解磁通集中器182和磁通集中層184也可被應(yīng)用在具有多個(gè)磁場(chǎng)換能器158的結(jié)構(gòu)中，例如可被應(yīng)用于圖1、3、5所示的結(jié)構(gòu)中。
下面參見圖7，圖中表示了根據(jù)本發(fā)明的電流傳感器200的另一種示例，該傳感器包括引線構(gòu)架202，其具有多條引線202a-202h。電流傳感器200還包括基板206，其具有第一表面206a和相反的第二表面206b?；?06上具有霍耳效應(yīng)元件208，其被擴(kuò)散到第一表面206a中，或者被布置在第一表面206a上。具有導(dǎo)電體部分204a的導(dǎo)電夾片204與引線202a-202d進(jìn)行聯(lián)接。圖8表示出了導(dǎo)電夾片204的各個(gè)特征。此處，只要這樣說就足以表述這些特征了導(dǎo)電夾片被制有一個(gè)彎曲部以使得導(dǎo)電夾片204能延伸到基板206第一表面206a上方?；?06被布置在引線構(gòu)架202上，以使得霍耳效應(yīng)元件208靠近導(dǎo)電體部分204a。在圖示的實(shí)施方式中，基板206采用了使第一表面206a面向上方的常規(guī)安裝定向形式。基板206的第一表面206a上具有一些焊接結(jié)合區(qū)212a-212c，接合線210a-210c被聯(lián)接到這些結(jié)合區(qū)上。接合線210a-210c還與引線202e、202f、202h進(jìn)行聯(lián)接。設(shè)置絕緣體214，以將基板206與導(dǎo)電夾片204隔開。絕緣體214可以與圖1所示的絕緣體24相同或類似。
采用這樣的設(shè)計(jì)形式，霍耳效應(yīng)元件208被布置在導(dǎo)電體部分204a的附近，導(dǎo)電體部分204a延伸到基板206第一表面206a的上方。霍耳效應(yīng)元件208相對(duì)于導(dǎo)電體部分204a處于預(yù)定的位置上，這樣就使得沿箭頭216所指方向流經(jīng)導(dǎo)電體部分204a的電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)處于一個(gè)方向上，該方向與霍耳效應(yīng)元件208的最大響應(yīng)軸線基本上對(duì)準(zhǔn)?；舳?yīng)元件208的最大響應(yīng)軸線與z軸224對(duì)準(zhǔn)。在圖示的實(shí)施方式中，霍耳效應(yīng)元件208被布置成緊鄰著導(dǎo)電體部分204a的一側(cè)(即在y軸222方向上略有偏移)，如圖所示，在該位置上，磁場(chǎng)所指的方向基本上是沿著z軸224。但是，其最大響應(yīng)軸線對(duì)這準(zhǔn)其它方向的霍耳效應(yīng)元件或其它類型的磁場(chǎng)傳感器—例如磁阻元件可相對(duì)于導(dǎo)電體部分204a布置在其它位置上，例如可大體上從上方或下方正對(duì)著導(dǎo)電體部分204a(沿z軸224方向進(jìn)行定位)。
在工作過程中，電流流入到并聯(lián)的引線202c、202d中，并流經(jīng)導(dǎo)電夾片204和導(dǎo)電體部分204a，然后從并聯(lián)著的引線202a、202b流出。流經(jīng)導(dǎo)電體部分204a的電流產(chǎn)生出一個(gè)磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)由霍耳效應(yīng)元件208進(jìn)行檢測(cè)。霍耳效應(yīng)元件208產(chǎn)生出一個(gè)輸出電壓，該電壓與磁場(chǎng)成比例，因而也與流經(jīng)導(dǎo)電體部分204a的電流成比例。如上所述，霍耳效應(yīng)元件208非常接近于導(dǎo)電體部分204a，并相對(duì)于導(dǎo)電體部分204a處于預(yù)定的位置上，在該位置上，電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)與霍耳效應(yīng)元件208的最大響應(yīng)軸線基本上對(duì)準(zhǔn)。這一位置使得霍耳效應(yīng)元件208可輸出更高的電壓，因而可提高靈敏度。
盡管在圖中在基板206的第二表面206b上只顯示了一個(gè)霍耳效應(yīng)元件208，但不難理解該發(fā)明也可使用多個(gè)霍耳效應(yīng)。具體來講，某一實(shí)施方式可與圖3所示的電流傳感器70類似，而具有兩個(gè)霍耳效應(yīng)元件，還可與圖5所示的電流傳感器120類似而具有四個(gè)霍耳效應(yīng)元件。另外，還可設(shè)置其它的電路—例如放大器，其可被擴(kuò)散到基板206的第一和/或第二表面206a、206b中，或者也可被聯(lián)接到第一和/或第二表面206a、206b上。
應(yīng)當(dāng)能理解導(dǎo)電夾片204可按照多種方式、用多種材料制成。在一種特定的實(shí)施方式中，導(dǎo)電夾片204例如是用銅片沖壓而成的。在另一實(shí)施方式中，導(dǎo)電夾片204是用箔片—例如銅箔制成的。在又一種實(shí)施方式中，導(dǎo)電夾片204是用蝕刻工藝制成的。導(dǎo)電夾片204的設(shè)置允許基板206采用通常的安裝定位形式，同時(shí)使得導(dǎo)電體部分204a非?？拷舳?yīng)元件208。
導(dǎo)電夾片204被設(shè)置成這樣其厚度是根據(jù)要流經(jīng)導(dǎo)電夾片204的電流量而選定的。因而，如果需要一種適于檢測(cè)較大電流的電流傳感器，則導(dǎo)電夾片可厚一些，反之，如果希望獲得一種適于檢測(cè)較小電流的電流傳感器，則導(dǎo)電夾片204可相對(duì)薄一些，如果需要一種適于檢測(cè)較高電流的電流傳感器，則可將多個(gè)導(dǎo)電夾片204相互接觸地堆疊起來，以達(dá)到很大的有效厚度，該厚度將大于任何導(dǎo)電夾片204的厚度，因而能載送更大的電流。
在圖7所示的實(shí)施方式中，霍耳效應(yīng)元件208與導(dǎo)電體部分204a之間的相互接近是通過將霍耳效應(yīng)元件208布置在基板第一表面206a上而實(shí)現(xiàn)的，其中，第一表面206a所處位置比第二表面206b更靠近導(dǎo)電體部分204a。在其它的實(shí)施方式中，相互接近這一有利特征是通過將霍耳效應(yīng)元件208設(shè)置在基板第二表面206b上、并將導(dǎo)電體部分204a制成與第二表面206a基本上對(duì)正而實(shí)現(xiàn)的。
下面參見圖8，圖中與圖7所示元件相同的器件由相同的標(biāo)號(hào)指代，圖中表示了導(dǎo)電夾片204在被聯(lián)接到引線202a-202d上之間的狀態(tài)。導(dǎo)電夾片204包括導(dǎo)電體部分204a、過渡部分204b、彎曲部分204c、以及結(jié)合區(qū)204d。結(jié)合區(qū)204d包括兩個(gè)部分204e、204f，它們與引線202a-202d進(jìn)行聯(lián)接?？梢允惯^渡區(qū)域204b相對(duì)于導(dǎo)電體部分204a升高，以避免與基板206相接觸。
盡管在上文中是霍耳效應(yīng)元件被表示和描述為與本發(fā)明實(shí)施方式相關(guān)，但可以認(rèn)識(shí)到也可使用其它類型的磁場(chǎng)傳感器。例如，可用磁阻傳感器來取代霍耳效應(yīng)元件。但是，普通磁阻元件的最大響應(yīng)軸線與普通霍耳效應(yīng)元件的最大響應(yīng)軸線是垂直的。本領(lǐng)域技術(shù)人員按照本發(fā)明的實(shí)施方式，能理解如何相對(duì)于導(dǎo)電體部分來布置一個(gè)或多個(gè)磁阻元件，以實(shí)現(xiàn)與采用霍耳效應(yīng)元件的所述實(shí)施方式相同的效果。
下面參見圖9，圖中所示引線構(gòu)架250的形狀與圖3中引線構(gòu)架72、以及圖6中引線構(gòu)架152的形狀類似。引線構(gòu)架250具有多個(gè)減薄部分252a-252n，這些部分比引線構(gòu)架250上其它部分薄。可利用多種工藝來形成較薄的部分，這些工藝包括(但不限于)化學(xué)蝕刻和沖壓法。
導(dǎo)電體部分254具有表面254a，其厚度t1可以與減薄部分252b-252n的厚度相同或類似。引線構(gòu)架上其余部分的厚度為t2。在一種特定的實(shí)施方式中，電流載送部分254的厚度t1與其它減薄部分252b-252n的厚度相等，且厚度t1約為厚度t2的一半。在一種實(shí)施方式中，導(dǎo)電體部分254的橫截面大體上是矩形，其厚度為t1。
可以認(rèn)識(shí)到在導(dǎo)電體部分254中有電流流過的情況下，對(duì)于相同的電流，在厚度例如小于圖3所示導(dǎo)電體部分74厚度的導(dǎo)電體部分254上，表面254a附近的電流密度將大于圖3所示導(dǎo)電體部分74中的電流密度。換言之，相比于導(dǎo)電體部分厚度較大的情況，電流被壓縮向表面254a的程度更大。結(jié)果就是，在表面254a附近，由電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)具有更高的磁通密度。
因而，如果用引線構(gòu)架250取代圖3所示的引線構(gòu)架72，霍耳效應(yīng)元件78a、78b就處于更大的磁場(chǎng)中，從而使得電流傳感器的靈敏度更高。
其它的減薄部分252b-252n帶來了其它的優(yōu)點(diǎn)。例如，當(dāng)引線構(gòu)架250被澆鑄在塑料包圍體中時(shí)，其它的減薄部分252b-252n趨于將引線構(gòu)架250更為剛性地鎖定在澆鑄體中。
厚度t1是根據(jù)多個(gè)因素而選定的，這些因素包括(但不限于)要流經(jīng)導(dǎo)電體部分254的最大電流。
可以理解除了圖3所示的實(shí)施方式之外，該減薄部分可被應(yīng)用在上述所有實(shí)施方式的引線構(gòu)架上，以便于實(shí)現(xiàn)相同的優(yōu)點(diǎn)。
下面參見圖9A，圖中表示了一種備選的導(dǎo)電體部分270，其適于取代圖9所示的導(dǎo)電體部分254，從沿圖9中的9A-9A線所作的剖面圖可看出，該導(dǎo)電體部分的橫截面為T形。T形截面具有表面270a、第一厚度t3、以及第二厚度t4。厚度t3可與圖9中的厚度t1相同或類似，厚度t4可與圖9中的厚度t2相同或類似。在一種特定的實(shí)施方式中，厚度t3約為厚度t4的一半。
出于與上文針對(duì)圖9所描述原因基本上相同的原因，在表面270a處的、響應(yīng)于流經(jīng)導(dǎo)電體部分270的電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)要強(qiáng)于如果導(dǎo)電體部分270為均勻厚度t4的情況。
盡管在上文的描述中，導(dǎo)電體部分254(圖9)和導(dǎo)電體部分270的橫截面為矩形或T形，但可以理解，也可設(shè)置其它的橫截面形狀，以實(shí)現(xiàn)上述的優(yōu)點(diǎn)。
上文描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能明顯地意識(shí)到包含了這些實(shí)施方式的理念的其它實(shí)施方式也是可行的。因而，其它的實(shí)施方式不應(yīng)受限于已公開的實(shí)施方式，而是僅由后附權(quán)利要求的核心思想和范圍來進(jìn)行限定。文中所引用的所有參考文獻(xiàn)的全部?jī)?nèi)容都被結(jié)合到文中作為背景。
權(quán)利要求
1.一種集成電路，其包括引線構(gòu)架，具有多條引線；導(dǎo)電體部分，包括多條引線中的至少兩條的聯(lián)接體；基板，具有靠近所述導(dǎo)電體部分的第一表面和遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電體部分的第二表面；以及一個(gè)和多個(gè)磁場(chǎng)換能器，它們被布置在所述基板的第一表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于所述基板被布置成使得所述基板的第一表面位于所述導(dǎo)電體部分的上方、第二表面位于第一表面的上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于所述基板被布置成使得所述基板的第一表面位于所述導(dǎo)電體部分的下方、第二表面位于第一表面的下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于所述導(dǎo)電體部分還包括導(dǎo)電夾片，其與多條引線的所述至少兩條相聯(lián)接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路，其特征在于所述基板被布置成使得所述基板的第一表面位于所述導(dǎo)電夾片的上方、第二表面位于第一表面的上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路，其特征在于所述基板被布置成使得所述基板的第一表面位于所述導(dǎo)電夾片的下方、第二表面位于第一表面的下方。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路，其特征在于導(dǎo)電夾片的厚度是根據(jù)流經(jīng)導(dǎo)電夾片的電流選擇的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于所述基板具有至少一個(gè)結(jié)合區(qū)，其通過接合線與多條引線中的對(duì)應(yīng)引線進(jìn)行聯(lián)接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于所述基板與被聯(lián)接到多條引線中對(duì)應(yīng)引線的以下結(jié)構(gòu)中選出的其中一種相聯(lián)合焊球、金質(zhì)隆凸、低熔和高量鉛焊隆凸、非鉛焊隆凸、金質(zhì)焊柱隆凸、聚合物導(dǎo)電隆凸、各向異性導(dǎo)電膏、以及導(dǎo)電薄膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于導(dǎo)電體部分具有導(dǎo)電體部分軸線，且所述一個(gè)或多個(gè)磁場(chǎng)換能器中的至少兩個(gè)換能器被布置在導(dǎo)電體部分軸線的相反兩側(cè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于所述一個(gè)或多個(gè)磁場(chǎng)換能器中的所述至少兩個(gè)換能器被相對(duì)彼此轉(zhuǎn)動(dòng)，以提供預(yù)定電壓輸出極性。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于所述導(dǎo)電體部分的至少一個(gè)部分為T形截面。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于所述導(dǎo)電體部分的至少一個(gè)部分為矩形截面，且該矩形的最小尺寸小于所述引線構(gòu)架的厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于還包括至少一個(gè)放大器，其被布置在所述基板上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的集成電路，其特征在于所述的至少一個(gè)放大器輸出一個(gè)信號(hào)，該輸出信號(hào)與由所述一個(gè)或多個(gè)磁場(chǎng)換能器中至少兩個(gè)換能器所產(chǎn)生的信號(hào)之和成比例。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的集成電路，其特征在于所述的至少一個(gè)放大器構(gòu)成了求和結(jié)構(gòu)，其與所述一個(gè)或多個(gè)磁場(chǎng)換能器中的四個(gè)換能器進(jìn)行聯(lián)接。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于還包括磁通集中器，被布置成靠近所述的一個(gè)或多個(gè)磁場(chǎng)換能器。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其特征在于還包括磁通集中層，其被布置成靠近所述基板的第二表面。
19.一種用于制造集成電路的方法，包括設(shè)置引線構(gòu)架，其具有多條引線，其中的至少兩條引線被聯(lián)接到一起而形成導(dǎo)電體部分；以及對(duì)導(dǎo)電體部分進(jìn)行蝕刻，以使導(dǎo)電體部分的橫截面具有預(yù)定的形狀。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于所述的預(yù)定形狀包括T字形。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于所述的預(yù)定形狀包括矩形，該矩形的最小尺寸小于所述引線構(gòu)架的厚度。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于還包括在所述引線構(gòu)架的附近安裝一基板，基板具有靠近導(dǎo)電體部分的第一表面和遠(yuǎn)離導(dǎo)電體部分的相反的第二表面，其中，一個(gè)或多個(gè)磁場(chǎng)換能器被布置在基板的第一表面上。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于所述的預(yù)定形狀包括T字形。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于所述的預(yù)定形狀包括矩形，該矩形的最小尺寸小于所述引線構(gòu)架的厚度。
全文摘要
一種集成電路型電流傳感器，其包括引線構(gòu)架，其具有至少兩條引線，它們被進(jìn)行聯(lián)接，以形成導(dǎo)電體部分；以及基板，其具有第一表面，在該表面上布置了一個(gè)或多個(gè)磁場(chǎng)換能器，且第一表面靠近導(dǎo)電體部分，基板還具有第二表面，其遠(yuǎn)離所述的導(dǎo)電體部分。在一種特定的實(shí)施方式中，基板被布置成這樣使基板的第一表面位于導(dǎo)電體部分的上方，且基板的第二表面位于第一表面的上方。在該特定實(shí)施方式中，基板在集成電路中的定向狀態(tài)相對(duì)于現(xiàn)有的定向形式是顛倒的。采用這樣的布置形式，電流傳感器就被設(shè)置成其一個(gè)或多個(gè)磁場(chǎng)換能器非?？拷鼘?dǎo)電體部分，由此可提高電流傳感器的靈敏度。
文檔編號(hào)H02G3/08GK1842711SQ200480024296
公開日2006年10月4日 申請(qǐng)日期2004年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月26日
發(fā)明者邁克爾·杜格, 理查德·迪金森, 杰伊·加尼翁 申請(qǐng)人:阿萊戈微系統(tǒng)公司