一種環(huán)境傳感器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及測(cè)量領(lǐng)域，更具體地，涉及一種傳感器，尤其涉及一種環(huán)境傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]環(huán)境傳感器利用的是敏感材料的相關(guān)物理效應(yīng)，如壓阻效應(yīng)、壓電效應(yīng)等，敏感材料在受到環(huán)境變量的作用后，其電阻或者電容發(fā)生變化，通過測(cè)量電路就可以得到正比于環(huán)境變量變化的電信號(hào)，環(huán)境傳感器現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于氣壓、高度、溫濕度、氣體等領(lǐng)域的測(cè)量和控制中。
[0003]近年來，隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，手機(jī)、筆記本電腦等電子產(chǎn)品的體積在不斷減小，而且人們對(duì)這些便攜電子產(chǎn)品的性能要求也越來越高，這就要求與之配套的電子零部件的體積也必須隨著減小。
[0004]現(xiàn)有的環(huán)境傳感器，包括由電路板、外殼圍成的封裝結(jié)構(gòu)，以及位于該封裝結(jié)構(gòu)中的傳感器芯片、ASIC芯片，其中，傳感器芯片和ASIC芯片均固定在電路板上，傳感器芯片和ASIC芯片之間通過金線電連接，ASIC芯片與電路板之間通過金線電連接在一起。這樣的連接方式，不但增加了制作工序，而且也不利于環(huán)境傳感器的小型化發(fā)展。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的一個(gè)目的是提供一種環(huán)境傳感器。
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供一種環(huán)境傳感器，包括外部封裝以及位于所述外部封裝內(nèi)部的ASIC芯片、傳感器芯片，所述外部封裝包括電路板；其中，所述ASIC芯片通過植錫球焊接在電路板上，且ASIC芯片的輸出端與設(shè)置在電路板上的ASIC輸出端導(dǎo)線電連接；所述傳感器芯片通過植錫球焊接在所述ASIC芯片的上端，其中，所述傳感器芯片的輸出端與ASIC芯片的輸入端電連接在一起；所述外部封裝上還設(shè)置有將傳感器芯片暴露在外界環(huán)境中的通道。
[0007]優(yōu)選地，所述ASIC芯片倒置安裝，其輸出端通過植錫球直接焊接在電路板上設(shè)置的ASIC輸出端導(dǎo)線上；在所述ASIC芯片內(nèi)部還設(shè)置有第一金屬化通孔，所述第一金屬化通孔的下端連接ASIC芯片的輸入端；所述傳感器芯片的輸出端與第一金屬化通孔的上端電連接在一起。
[0008]優(yōu)選地，所述傳感器芯片倒置安裝，其輸出端通過植錫球直接焊接在第一金屬化通孔的上端。
[0009]優(yōu)選地，所述傳感器芯片內(nèi)部設(shè)置有第二金屬化通孔，所述第二金屬化通孔的上端連接傳感器芯片的輸出端，所述傳感器芯片上第二金屬化通孔的下端作為焊接位置，并通過植錫球直接焊接在ASIC芯片上第一金屬化通孔的上端。
[0010]優(yōu)選地，所述ASIC輸出端導(dǎo)線從電路板的上端面延伸至電路板的下端面，并在電路板的下端面形成焊盤。
[0011]優(yōu)選地，所述外部封裝還包括設(shè)置在電路板上的殼體，所述殼體與電路板圍成了一具有內(nèi)腔的外部封裝。
[0012]優(yōu)選地，所述通道為形成在殼體上連通內(nèi)腔與外界的導(dǎo)通孔。
[0013]優(yōu)選地，所述通道為形成在電路板上連通內(nèi)腔與外界的導(dǎo)通孔。
[0014]優(yōu)選地，所述外部封裝包括注塑在電路板上并包裹所述ASIC芯片、傳感器芯片的注塑體。
[0015]優(yōu)選地，所述通道為形成在注塑體上將傳感器芯片的敏感部位暴露在外界的缺
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[0016]本實(shí)用新型的環(huán)境傳感器，ASIC芯片通過植錫球的方式焊接在電路板上，且，ASIC芯片的輸出端電連接ASIC輸出端導(dǎo)線；傳感器芯片通過植錫球的方式焊接在ASIC芯片的上端，且傳感器芯片的輸出端電連接ASIC的輸入端。傳感器芯片、ASIC芯片分布在外部封裝的豎直方向上，降低了整個(gè)環(huán)境傳感器的在橫向上的尺寸，從而可以節(jié)省外部封裝的空間，使得產(chǎn)品可以做的更小，以滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化發(fā)展；簡(jiǎn)化了傳感器芯片與ASIC芯片之間的連接方式，使其制造工藝簡(jiǎn)單，制程效率高，生產(chǎn)成本低。
[0017]通過以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。
【附圖說明】
[0018]構(gòu)成說明書的一部分的附圖描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，并且連同說明書一起用于解釋本實(shí)用新型的原理。
[0019]圖1是本實(shí)用新型環(huán)境傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖2是本實(shí)用新型環(huán)境傳感器第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖3是本實(shí)用新型環(huán)境傳感器第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本實(shí)用新型的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到:除非另外具體說明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本實(shí)用新型的范圍。
[0023]以下對(duì)至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說明性的，決不作為對(duì)本實(shí)用新型及其應(yīng)用或使用的任何限制。
[0024]對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說明書的一部分。
[0025]在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。
[0026]應(yīng)注意到:相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。
[0027]參考圖1，本實(shí)用新型提供了一種環(huán)境傳感器，其可以是壓力傳感器、溫度傳感器、濕度傳感器等用于檢測(cè)周圍環(huán)境的傳感器，其包括外部封裝以及位于所述外部封裝內(nèi)部的ASIC芯片3、傳感器芯片4。其中，外部封裝包括電路板I，所述外部封裝上還設(shè)置有將傳感器芯片4暴露在外界環(huán)境中的通道，以使環(huán)境傳感器中的傳感器芯片4可以隨著外界環(huán)境的變化而輸出相應(yīng)的電信號(hào)。
[0028]在本實(shí)用新型一個(gè)具體的實(shí)施例中，所述外部封裝包括設(shè)置在電路板I上的殼體2，所述殼體2與電路板I圍成了一具有內(nèi)腔的外部封裝。其中所述殼體2也可以呈平板狀，此時(shí)，還需要設(shè)置一獨(dú)立的側(cè)壁部將殼體2支撐在電路板I上，以共同形成環(huán)境傳感器的外部封裝。其中，上述的通道可以為形成在殼體2或電路板I上用于連通內(nèi)腔與外界的導(dǎo)通孔8，參考圖1、圖2。
[0029]在本實(shí)用新型另一具體的實(shí)施例中，所述外部封裝包括注塑在電路板I上并包裹所述ASIC芯片3、傳感器芯片4的注塑體11，參考圖3。將ASIC芯片3、傳感器芯片4固定好之后，在電路板I上灌封樹脂或其它材料的注塑體11，通過該注塑體11將ASIC芯片3、傳感器芯片4包裹在電路板I上，以形成環(huán)境傳感器的外部封裝。此時(shí)，所述通道為形成在注塑體11上的缺口 12，通過該缺口 12可以將傳感器芯片4上的敏感部位暴露在外界的環(huán)境中，以便傳感器芯片4可以隨著外界環(huán)境的變化而輸出相應(yīng)的電信號(hào)。
[0030]本實(shí)用新型的環(huán)境傳感器，所述ASIC芯片3通過植錫球5焊接在電路板I上，且ASIC芯片3的輸出端與電路板I上的ASIC輸出端導(dǎo)線7電連接在一起；所述傳感器芯片4通過植錫球5焊接在所述ASIC芯片3的上端，其中，所述傳感器芯片4的輸出端與ASIC芯片3