專利名稱：輸出可調(diào)節(jié)帶隙基準(zhǔn)源電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基準(zhǔn)源(Bandgap)電路技術(shù)領(lǐng)域，特 別是 一 種用于提供可變輸出電壓基準(zhǔn)源(Bandgap)電 路。
背景技術(shù)：
基準(zhǔn)電壓源是集成電路中一個(gè)重要的單元模塊， 是模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC )和數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC )以及通信 電路中的 一 個(gè)基本元件。它的溫度穩(wěn)定性以及抗噪聲 能力是影響模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)和數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC) 的轉(zhuǎn)換精度的關(guān)鍵因素，甚至影響到整個(gè)系統(tǒng)的精度 和性能。因此，設(shè)計(jì) 一 個(gè)好的基準(zhǔn)電壓源具有十分重 要的現(xiàn)實(shí)意義。帶隙基準(zhǔn)源電路由于具有低溫度系數(shù)，低電源電 壓以及可與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容等優(yōu)點(diǎn)而獲得了廣泛的 研究和應(yīng)用，其原理如圖1所示。帶隙基準(zhǔn)的工作原理是根據(jù)硅材料的帶隙電壓與 電壓和溫度無(wú)關(guān)的特性，利用△ VBE的正溫度系數(shù)與雙極型晶體管VBE的負(fù)溫度系數(shù)相互抵消，實(shí)現(xiàn)低溫漂、高精度的基準(zhǔn)電壓。如果兩個(gè)雙極晶體管工作在不相 等的電流密度下，那么它們的基極-發(fā)射級(jí)電壓的差值就與絕對(duì)溫度成正比。例如，Q 1 ， Q 2是兩個(gè)相同的 NPN管(IS 1 二IS 2 )，集電極電流分別為nl 0禾卩I 0 ， 忽略基極電流影響，可得<formula>formula see original document page 5</formula>上式<formula>formula see original document page 5</formula>k是波爾茲曼常數(shù)，T是絕對(duì)溫度，q是單位電荷，A^就表現(xiàn)出正溫度系數(shù)。使兩個(gè)電壓的溫度漂移相互抵消，從而可以得到在某 一 溫度下為零溫度系數(shù)的電 壓基準(zhǔn)。一個(gè)理想的穩(wěn)定電壓應(yīng)該滿足1 、電壓受溫度的影響很小，即有很小的溫度系數(shù)；2 、電壓受電源 電壓VDD的影響很小，即有較高的電源抑制比。帶隙 電壓的原理如圖1所示，如果兩個(gè)雙極晶體管工作在 不相等的電流密度下，那么它們的基極-發(fā)射級(jí)電壓的 差值就與絕對(duì)溫度成正比。例如，Q 1 ， Q 2是兩個(gè)相 同的NPN管(I S 1 二 I S 2 )，集電極電流分別為n I 0禾口 10，忽略基極電流影響，可得<formula>formula see original document page 6</formula>上式 是單位電荷尺r《，k是波爾茲曼常數(shù)，T是絕對(duì)溫度，q A~:i表現(xiàn)出正溫度系數(shù)《由于正向偏置的PN結(jié)的結(jié)電壓具有負(fù)的溫度系 數(shù)，T" 3 0 0 K時(shí)，3K肌/3:Ts-l'5wK/"K。因此，利用正、 負(fù)溫度系數(shù)的電壓可以設(shè)計(jì)出 一 個(gè)令人滿意的零溫度 系數(shù)的基準(zhǔn)。經(jīng)典的帶隙基準(zhǔn)電路如圖2所示QN、 Q 1為CMOS工藝中寄生縱向PNP晶體管，QN由8個(gè)PNP管并聯(lián)構(gòu)成。運(yùn)算放大器鉗制2 、3點(diǎn)的電壓，使得這兩端的電壓相等，即(3 ):J0八l T K腳f則其中I 0為流過(guò)電阻R 1的電流，根據(jù)上式有 7則-K,-^ln"，于是7。=K,.ln"/W,，電流通過(guò)M0S管Pl和P 3復(fù)制，使得下式成立K K處.卞J 0 八丄 ^ W/:-卞尺"7' m 〃通過(guò)調(diào)整電阻的比值可以得到溫度系數(shù)很小的穩(wěn)定電壓，利用特許半導(dǎo)體(Chartered)提供的0 . 3 5 u m的工藝庫(kù)，在HSPICE中仿真，得到輸出Vref " 1.2 2 V ，溫度在-2 0 — 1 () 0 °C范圍內(nèi)變化時(shí)，△ Vref" 0 . 8 mV，最大溫度系數(shù)約為1 5 ppm/°C ;電源 電壓VDD在2 . 9 V— 3 . 7 V范闈內(nèi)變化時(shí)，A Vref" 0 . 7 mV。然而，由后面的電壓 一 電流轉(zhuǎn)換電路可知，利用 這種結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的電壓1 . 2 2 V相對(duì)于3 . 3 V的電源電 壓來(lái)說(shuō)過(guò)高，很難將由此產(chǎn)生的電流利用共源共柵結(jié)構(gòu)精確的復(fù)制給后級(jí)使用。利用圖3所示電路便可以 產(chǎn)生小于1V的基準(zhǔn)電壓。其中，RF 1 =RF 2 ，運(yùn)算放大器A鉗制2 、 3 點(diǎn) 電壓使之相等。虛線左邊是啟動(dòng)電路，防止Bandgap 電路工作在電流為零的工作點(diǎn)，M0S管S 管的作用。當(dāng)核心電路工作在電流為零 候，S 1點(diǎn)的電壓高于2點(diǎn)的電壓，S管起到 的工作點(diǎn) 導(dǎo)通，啟水一二級(jí) 的時(shí) 動(dòng)向Q 1充電，使得核心電路導(dǎo)通，脫離零電流的工作點(diǎn)。設(shè)RF二RF 1 二RF 2 。流過(guò)M0S管P 1的電流分成兩 部分 一部分流過(guò)電阻RF2 ，另一部分流過(guò)Rl ，于 是總電流為
<formula>formula see original document page 8</formula>M0S管P 3復(fù)制P 1管電流，輸出電壓<formula>formula see original document page 8</formula>在上式中，括號(hào)內(nèi)表不的是帶隙基準(zhǔn)電壓，很顯然，可以通過(guò)調(diào)整電阻R 2 、 RF 2的比值來(lái)選擇合適的 電壓。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的巨的在于，提供一種用于提供可變輸出電壓基準(zhǔn)源(Bandgap )電路，這種方法已經(jīng)被電路仿真所證明并在芯片上實(shí)現(xiàn)。實(shí)驗(yàn)芯片的測(cè)試結(jié)果顯示與傳統(tǒng)的電壓基準(zhǔn)源(Ba:ndgap)電足各相比，該電路的輸出電壓可調(diào)范圍可達(dá)0 ,.5 V至lj 1 . 5 V,而心片面積基本沒(méi)有增加本發(fā)明種輸出可調(diào)節(jié)帶隙基準(zhǔn)源電路，其特征在于，包括:一高增運(yùn)算放大電路；—溫度和電源無(wú)關(guān)的電fii產(chǎn)生電路，該溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路通過(guò)節(jié)點(diǎn)和與高增益運(yùn)算放大電路的輸入^山 頓連接， 通過(guò)節(jié)點(diǎn)與高增益運(yùn)算放大電路的輸出A山 頓連接，從而實(shí)現(xiàn)鉗制輸出的作用 ，—啟動(dòng)電路該啟動(dòng)電路的輸出連接到與溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路的節(jié)點(diǎn)，以防止溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路進(jìn)入死區(qū)一輸出調(diào)節(jié)電路，該輸出調(diào)節(jié)電路的輸入連接到與溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路的節(jié)點(diǎn)，從而實(shí)現(xiàn)鉗制輸出的作用其輸出為整個(gè)帶隙基準(zhǔn)源電路的輸出其中所用的與溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路使 用PNP晶體管構(gòu)成。其中所用的高增益運(yùn)算放大電路由兩級(jí)CMOS放大器組成。其中所用的兩級(jí)高增益運(yùn)算放大電路，中第一級(jí)是CMOS折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)的差分輸入放大器，第一級(jí)為單管M0S放大器組成。其中所用的溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路由四個(gè)標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中實(shí)現(xiàn)的雙極PNP晶體管構(gòu)成正負(fù)溫度系數(shù)抵消電路構(gòu)成。其中其整個(gè)電路的輸出電壓是根據(jù)該電路中的電阻比值來(lái)調(diào)節(jié)，其調(diào)節(jié)關(guān)系由與溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路的電阻和輸出調(diào)節(jié)電路中的電阻的比值決定，其調(diào)節(jié)關(guān)系遵循以下公式V0UT=(R2/RF2) XVI其中R 2為電阻、RF 2為電阻、VI為輸出電壓。


為進(jìn) 一 步說(shuō)明本發(fā)明的具體技術(shù)內(nèi)容，以下結(jié)合中M其s/一 -后產(chǎn)^ 壓女fe月 fT說(shuō) a超 p充傳附 是及 1詳圖實(shí)圖2是經(jīng)典帶隙基準(zhǔn)電路；圖3是完整低電壓帶隙基準(zhǔn)電路 ，圖4VREF隨溫度、電壓變化的仿真波形5完整的運(yùn)算放大器電路。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖3所示，本發(fā)明 一 種輸出可調(diào)節(jié)帶隙基準(zhǔn)源電路，包括一咼增益運(yùn)算放大電路1 Q ，該高增益運(yùn)算放大電路10由兩級(jí)CMOS放大器組成，其中第一級(jí)是CMOS折疊式±t源共柵結(jié)構(gòu)的差分輸入放大器，第二級(jí)為單管M0S放大器組成；溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路2 0 ，該溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路2 0通過(guò)節(jié)點(diǎn)2禾Q 3與高增顯運(yùn)算放大電路1 0的輸入端連接，通過(guò)節(jié)點(diǎn)4與高增^厶 顯運(yùn)算放大電路1 o的輸出端連接，從而實(shí)現(xiàn)鉗制輸出的作用;該與溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路20使用PNP晶體管構(gòu)成；該溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路2 0由四個(gè)標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中實(shí)現(xiàn)的雙極PNP曰 曰曰體管構(gòu)成正負(fù)溫度系數(shù)抵消電路構(gòu)成一啟動(dòng)電路3 0 ，該啟動(dòng)電路3 0的輸出連接到與溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路2 0的節(jié)點(diǎn)2，以防止溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路2 0進(jìn)入死區(qū)；輸出調(diào)節(jié)電路4 0 ，該輸出調(diào)節(jié)電路4 0的輸入連接到與溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路2 0的節(jié)點(diǎn)4，從而實(shí)現(xiàn)鉗制輸出的作用，其輸出為整個(gè)帶隙基準(zhǔn)源電路的輸出。其中-其整個(gè)電路的輸出電壓是根據(jù)該電路中的電阻比值來(lái)調(diào)節(jié)，其調(diào)節(jié)關(guān)系由與溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路20的電阻5 0和輸出調(diào)節(jié)電路4 0中的電阻60的比值決定，其調(diào)節(jié)關(guān)系遵循以下公式V0UT二(R 2/RF 2 ) XVI中:R 2為電阻6 0 、 R F 2為電阻5 0 、 V1為輸出電壓根據(jù)圖1帶隙基準(zhǔn)的工作原理是根據(jù)硅材料的隙電壓與電壓和溫度無(wú)關(guān)的特性，利用△ VBE的正溫度系數(shù)與雙極型晶體管VBE的負(fù)溫度系數(shù)相互抵消，實(shí)現(xiàn)低^曰 " 皿漂、高精度的基準(zhǔn)電Ji;:。如果兩個(gè)雙極曰 曰曰體管工作在不相等的電流密度下，那么它們的基極_發(fā)射級(jí)電壓的差值就與絕對(duì)溫度成正比。得到輸出 Vref《1.2 2 V 。對(duì)于電源電壓來(lái)說(shuō)過(guò)高，很難將由此產(chǎn)生 的電流利用共源共柵結(jié)構(gòu)精確的復(fù)制給后級(jí)使用。根據(jù)圖2的經(jīng)典帶隙基準(zhǔn)電路，由于正向偏置的PN結(jié)的結(jié)電壓具有負(fù)的溫度系數(shù)，T" 3 0 OK時(shí)，dK肪/d"-LSwWX 。因此，利用正、負(fù)溫度系數(shù)的電壓可以設(shè)計(jì)出 一 個(gè)令人滿意的零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)。本發(fā)明是 一 種應(yīng)用于模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC )和數(shù)模轉(zhuǎn) 換器(DAC)的輸出可調(diào)節(jié)帶隙基準(zhǔn)源(Bandgap)電路 (圖3 )，包括高增益運(yùn)算放大電路1 0 ，溫度和電 源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路2 0 ，啟動(dòng)電路3 0 ，輸出調(diào) 節(jié)電路4 0 。由于在低電壓工藝下，傳統(tǒng)電壓基準(zhǔn)源 電路的輸出電壓為1 . 2 2 V左右已難以適應(yīng)要求，所 以需要設(shè)計(jì)更低輸出電壓的基準(zhǔn)源。其中運(yùn)算放大電 路1 0的 一 個(gè)實(shí)例電路如圖5所示，是由兩級(jí)放大器組成，第 一 級(jí)為折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)的差分輸入放大 器，第二級(jí)為單管MOS放大器組成，它主要是起到運(yùn) 算和鉗制電壓的作用。而與溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn) 生電路2 0由四個(gè)標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中實(shí)現(xiàn)的雙極晶體管 構(gòu)成正負(fù)溫度系數(shù)抵消電路構(gòu)成，該電路還包括了啟 動(dòng)電路。該電路提供 個(gè)電阻比值輸出電路可輸出與 傳統(tǒng)與溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路輸出電壓成一 點(diǎn)比例的電壓值，該比例由電阻R 2 5 0禾卩電阻RF 2 6 0的比值的設(shè)計(jì)來(lái)調(diào)節(jié)。所述的高增益運(yùn)算放大電路l 0由兩級(jí)CMO'S放大 器組成，其的增益大于9 0 dB 。所用的與溫度和電源體管構(gòu)成。所述的兩級(jí)高增益運(yùn)算放大電路l0，其中第一級(jí)是CMOS折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)的差分輸入放大器，第 二級(jí)為單管M0S放大器組成。所述的溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路2 0由四 個(gè)標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中實(shí)現(xiàn)的雙極晶體管(PNP )構(gòu)成正 負(fù)溫度系數(shù)抵消電路構(gòu)成。所述的輸出電壓可根據(jù)該電路提供 一 個(gè)電阻比值 來(lái)調(diào)節(jié)，其調(diào)節(jié)關(guān)系由與溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生 電路2 0的兩個(gè)電阻R 2 5 0和電阻RF 2 6 0的比值決定。所述的其輸出電壓可根據(jù)該電路提供 一 個(gè)電阻比 值來(lái)調(diào)節(jié)，其調(diào)節(jié)關(guān)系由式 VOUT= ( R 2 /RF 2 ) XVI 決定。參考電壓V 1為傳統(tǒng)基準(zhǔn)源電路的輸出電壓。通過(guò)以上分析，以下具體設(shè)計(jì)原形電路。我們利 用圖3所示電路便可以產(chǎn)生小于1 V的基準(zhǔn)電壓。其中，RF 1 =RF 2 ，運(yùn)算放大器A鉗制2 、 3 點(diǎn) 電壓使之相等。虛線左邊是啟動(dòng)電路3 0 ，防止 Bandgap電路工作在電流為零的工作點(diǎn)，MOS管S起到 一個(gè)二級(jí)管的作用。啟動(dòng)電路3 0的工作原理如下 當(dāng)核心電路工作在電流為零的工作點(diǎn)的時(shí)候，SI點(diǎn)的 電壓高于2點(diǎn)的電壓，S管導(dǎo)通，啟動(dòng)向Q1充電，使設(shè)RF = RF 1 二RF 2 。流過(guò)M0S管P 1的電流分成兩 部分 一 部分流過(guò)電阻RF 2 ，另 一 部分流過(guò)R 1 ，于 是總電流為K 「M0S管P 3復(fù)制P 1管電流，輸出電壓「服=W，(^+今二^ In")在上式中，括號(hào)內(nèi)表示的是帶隙基準(zhǔn)電壓，很顯 然，我們可以通過(guò)調(diào)整電阻R 2 、 RF 2的比值來(lái)選擇合 適的電壓，在這里，我們選擇R2/RF2=3/4，產(chǎn)生 電壓VREF" 0.9 0V，這個(gè)電壓值相對(duì)于3.3V的電 源電壓來(lái)說(shuō)比較合適，能夠減小后級(jí)電路設(shè)計(jì)的難度。 用 HSpice模擬該電路，VREF"0.6 2V，當(dāng)溫度-201 0 0 °C范圍內(nèi)變化，△ V r e f " 0 . 5 5 m V ， 最大溫度系數(shù)約為1 0 ppm/°C ;電源電壓VDD在2 . 9 V —占？ 下作如工理的 原流 作電工零 的離 o脫 4各， OS通 電導(dǎo)節(jié)路 調(diào)電 出核 u得3.7V范圍內(nèi)變化時(shí)，AVref"0.4 5mV。這個(gè)電路 從工藝來(lái)說(shuō)，其設(shè)計(jì)難度與圖2所示電路的設(shè)計(jì)難度 相當(dāng)，因?yàn)閮烧呤褂玫亩际峭?-類型的電阻。這個(gè)電 路所帶來(lái)的缺點(diǎn)是由于產(chǎn)生的 VREF變小，而VREF 的浮動(dòng)相對(duì)于圖2所示電路，幾乎沒(méi)有大的區(qū)別，因 此電壓的精度會(huì)相應(yīng)的減小。所以，VREF的值不能選 擇太小，以保證精度。在HSpice中仿真的結(jié)果如圖4所示，其中圖4(a) 是VREF隨溫度變化的曲線，圖4 (b)是VREF隨電源 電壓變化的曲線。由波形圖可以看出，當(dāng)溫度在-2 0 一 1 0 0 °C范圍變化時(shí)，電壓變化△ Vref ^ 1 mV ， 最 大溫度系數(shù)約為1 8 ppm/°C ;當(dāng)電源電壓在2.9 — 3 . 7 V范圍內(nèi)變化時(shí)，電壓變化△ Vref ^ 0 . 8 mV 。雖 然精度相對(duì)于經(jīng)典Bandgap電路有所下降(主要由于 低Vref弓|起)。以下在介紹運(yùn)算放大電路的設(shè)計(jì)，該電路均是兩 級(jí)運(yùn)算放大器，第 一 級(jí)是折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，第二 級(jí)都是由單管MOS放大器組成，圖5既是應(yīng)用本發(fā)明 中的運(yùn)算放大器的電路的 一 實(shí)施例，圖中，虛線左邊 是偏置電路。MOS管P 8 、 P 1 0采用的是低電壓共源 共柵結(jié)構(gòu)，電容CC是補(bǔ)償電容，用以補(bǔ)償運(yùn)放的相位 裕度。其大小大約與負(fù)載電容相等。
權(quán)利要求
1. 一種輸出可調(diào)節(jié)帶隙基準(zhǔn)源電路，其特征在于，包括一高增益運(yùn)算放大電路；一溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路，該溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路通過(guò)節(jié)點(diǎn)和與高增益運(yùn)算放大電路的輸入端連接，通過(guò)節(jié)點(diǎn)與高增益運(yùn)算放大電路的輸出端連接，從而實(shí)現(xiàn)鉗制輸出的作用；一啟動(dòng)電路，該啟動(dòng)電路的輸出連接到與溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路的節(jié)點(diǎn)，以防止溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路進(jìn)入死區(qū)；一輸出調(diào)節(jié)電路，該輸出調(diào)節(jié)電路的輸入連接到與溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路的節(jié)點(diǎn)，從而實(shí)現(xiàn)鉗制輸出的作用，其輸出為整個(gè)帶隙基準(zhǔn)源電路的輸出。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸出可調(diào)帶隙基準(zhǔn)源電路'其特征在于，苴z 中所用的與溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓廣生電路用PNP臼 閂閂體管構(gòu).成
3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的輸出可調(diào)節(jié)帶隙基準(zhǔn)源電路，其特征在于，其中所用的咼增運(yùn)算放大電路由兩級(jí)CMOS放大器組成。
4 、根據(jù)權(quán)利要求3所述的輸出可調(diào)節(jié)帶隙基準(zhǔn) 源電路，其特征在于，其中所用的兩級(jí)高增益運(yùn)算放 大電路，其中第 一 級(jí)是CMOS折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)的差 分輸入放大器，第二級(jí)為單管MOS放大器組成。
5 、根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的輸出可調(diào)節(jié)帶隙 基準(zhǔn)源電路，其特征在于，其中所用的溫度和電源無(wú) 關(guān)的電壓產(chǎn)生電路由四個(gè)標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中實(shí)現(xiàn)的雙極 PNP晶體管構(gòu)成正負(fù)溫度系數(shù)抵消電路構(gòu)成。
6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸出可調(diào)節(jié)帀隙基準(zhǔn)源電路，其特征在于，其中其整個(gè)電路的輸出電壓是根據(jù)該電路中的電阻比值來(lái)調(diào)節(jié)，其調(diào)節(jié)關(guān)系由與溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路的電阻和輸出調(diào)節(jié)電路中的電阻的比值決定，其調(diào)節(jié)關(guān)系遵循以下公式VOUT二 ( R 2 /RF 2 ) XVI其中R2為電阻、RF2為電阻、Vl為輸出電壓。
全文摘要
一種輸出可調(diào)節(jié)帶隙基準(zhǔn)源電路，其特征在于，包括一高增益運(yùn)算放大電路；一溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路，該溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路通過(guò)節(jié)點(diǎn)和與高增益運(yùn)算放大電路的輸入端連接，通過(guò)節(jié)點(diǎn)與高增益運(yùn)算放大電路的輸出端連接，從而實(shí)現(xiàn)鉗制輸出的作用；一啟動(dòng)電路，該啟動(dòng)電路的輸出連接到與溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路的節(jié)點(diǎn)，以防止溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路進(jìn)入死區(qū)；一輸出調(diào)節(jié)電路，該輸出調(diào)節(jié)電路的輸入連接到與溫度和電源無(wú)關(guān)的電壓產(chǎn)生電路的節(jié)點(diǎn)，從而實(shí)現(xiàn)鉗制輸出的作用，其輸出為整個(gè)帶隙基準(zhǔn)源電路的輸出。
文檔編號(hào)G05F3/20GK101241378SQ20071006370
公開(kāi)日2008年8月13日 申請(qǐng)日期2007年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月7日
發(fā)明者倪衛(wèi)寧, 寅 石 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所