本實(shí)用新型涉及線性直流穩(wěn)壓電源，尤其是一種低壓差的+5V直流穩(wěn)壓電源，屬于電子技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

+5V直流穩(wěn)壓電源大量應(yīng)用于各種電路，其常采用三端穩(wěn)壓集成電路，如LM7805芯片進(jìn)行穩(wěn)壓。大多三端穩(wěn)壓集成電路正常工作條件是要求輸入電壓提供2V以上的富裕量，即輸入電壓要求超過7V。輸入電壓有過高的富裕量，會(huì)使LM7805芯片發(fā)熱功耗增大，而有些應(yīng)用塊合，輸入電壓也無法提供如此高的富裕量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述所提到技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種低壓差的+5V直流穩(wěn)壓電源，該電源只需輸入電壓有0.2V以上的富裕量，便能輸出穩(wěn)定的+5V電壓。

本實(shí)用新型所采取的具體技術(shù)方案如下：

一種低壓差的+5V直流穩(wěn)壓電源，其特征是：該電源包括運(yùn)放U1、基準(zhǔn)穩(wěn)壓芯片U2、PMOS 管Q1、電阻R1～R4、電容C1和+5V輸出接口，其中基準(zhǔn)穩(wěn)壓芯片U2的2腳接地，1腳和3 腳接電阻R1的一端和運(yùn)放U1的反相輸入端，電阻R1的另一端接電源+VCC；運(yùn)放U1的4腳接地，8腳接電源+VCC，正相輸入端接電阻R2的一端和電阻R3的一端，電阻R2的另一端接地，運(yùn)放U1的輸出端接電阻R4的一端；PMOS管的柵極G接電阻R4的另一端，源極S接電源+VCC，漏極D接電阻R3的另一端、電容C1的正極和+5V輸出接口，電容C1負(fù)極接地。

運(yùn)放U1采用LM358芯片，基準(zhǔn)穩(wěn)壓芯片U2采用TL431芯片，PMOS管Q1采用IRF5305S 管子。

本實(shí)用新型的有益效果為：本實(shí)用新型提供了一種低壓差的+5V直流穩(wěn)壓電源，與采用三端穩(wěn)壓集成電路相比，本直流穩(wěn)壓電源僅需輸入電壓有0.2V以上的富裕量，便能輸出穩(wěn)定的+5V電壓。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的電路圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。

如圖1所示，一種低壓差的+5V直流穩(wěn)壓電源，其特征是：該電源包括運(yùn)放U1、基準(zhǔn)穩(wěn)壓芯片U2、PMOS管Q1、電阻R1～R4、電容C1和+5V輸出接口，其中基準(zhǔn)穩(wěn)壓芯片U2的2 腳接地，1腳和3腳接電阻R1的一端和運(yùn)放U1的反相輸入端，電阻R1的另一端接電源+VCC；運(yùn)放U1的4腳接地，8腳接電源+VCC，正相輸入端接電阻R2的一端和電阻R3的一端，電阻 R2的另一端接地，運(yùn)放U1的輸出端接電阻R4的一端；PMOS管的柵極G接電阻R4的另一端，源極S接電源+VCC，漏極D接電阻R3的另一端、電容C1的正極和+5V輸出接口，電容C1負(fù)極接地。

運(yùn)放U1采用LM358芯片，所述基準(zhǔn)穩(wěn)壓芯片U2采用TL431芯片，PMOS管Q1采用IRF5305S 管子。

TL431和電阻R1進(jìn)行穩(wěn)壓，提供+2.5V基準(zhǔn)電壓送給運(yùn)放U1的反相輸入端；運(yùn)放U1和 PMOS管Q1組成兩級(jí)電壓放大，由R2和R3引入大環(huán)路電壓負(fù)反饋，R2與R3阻值相等，因此，總電壓放大倍數(shù)為2倍，PMOS管Q1的漏極輸出穩(wěn)定的+5V電壓。