N，所述第一遲滯比較器 C0MP_N正向輸入端與修調(diào)信號輸入端PIN_N連接，第一遲滯比較器的反向輸入端與前述電 流產(chǎn)生電路板連接，第一遲滯比較器的輸出端與熔絲修調(diào)主電路板連接；熔絲修調(diào)主電路 板包括若干熔絲修調(diào)子級；本例中僅表示出其中一級，熔絲修調(diào)子級包括低壓電源輸入端 VDD、第四晶體管M4、第五晶體管M5、第六晶體管M6、第七晶體管M7、第八晶體管M8及第一 熔絲FUSE，所述第四晶體管M4柵端與第七晶體管M7柵端及修調(diào)控制電路板子級對應(yīng)連接， 第四晶體管M4源端與低壓電源輸入端VDD連接，第四晶體管M4漏端與第一熔絲FUSE -端、 第六晶體管M6漏端、第八晶體M8管漏端及選擇器連接，第一熔絲FUSE的另一端與低壓電 源輸入端VDD連接，第五晶體管M5的柵端及漏端與第六晶體管M6的柵端、第七晶體管M7 的源端及電流產(chǎn)生電路板連接，第五晶體管M5的源端與地連接，第六晶體管M6的源端與地 連接，第七晶體管M7的漏端與第八晶體管的柵端連接，第八晶體管M8的源端與地連接；
[0036] 其中修調(diào)信號輸入端PIN_N為可復(fù)用引腳電壓，即該引腳在芯片正常使用時為其 他功能，僅當(dāng)芯片需要通過熔絲修調(diào)以得到精準(zhǔn)電壓輸出時該引腳才同時具有修調(diào)信號輸 入的功能；當(dāng)修調(diào)信號輸入端PIN_N的電壓高于電流產(chǎn)生電路板所提供的參考電壓VREF 時，熔絲修調(diào)主電路板才開始工作，此時流經(jīng)熔絲FUSE的電流大小為
[0038] 假設(shè)代工廠提供熔絲熔斷所需的最小寬度為w，熔絲方塊電阻為R0,則長度為1的 熔絲阻值為
同時假設(shè)代工廠提供熔絲熔斷所需最小功率為P〇,則流經(jīng)熔絲的電流 應(yīng)產(chǎn)生不小于PO功率的熱量，以熔斷所需熔斷的熔絲，由此
[0040] 在此功率下所需熔斷的熔絲才能被燒斷，第一熔絲FUSE結(jié)點才會與低壓電源輸 入端VDD斷開；同時在芯片正常使用不需要修調(diào)功能時，流過第一熔絲FUSE的電流大小為
[0042] 因此熔絲燒斷主電路所產(chǎn)生的修調(diào)信號輸出在FUSE燒斷后的電壓輸出為
[0044] 其中，Rtiscin4為第四晶體管M4的導(dǎo)通電阻，通過設(shè)置其長寬比可以改變；
[0045] 修調(diào)信號輸出在FUSE未燒斷時的電壓輸出為
[0047] 因此可以通過設(shè)置第四晶體管M4的導(dǎo)通電阻來設(shè)置熔絲燒斷前后的高低電平；
[0048] 本例中，選擇器包括若干譯碼器，所述若干譯碼器將前述熔絲修調(diào)各子級產(chǎn)生二 進制信號譯為對應(yīng)開關(guān)信號，對應(yīng)開關(guān)信號控制精準(zhǔn)電壓輸出；
[0049] 如圖4所示，精準(zhǔn)電壓輸出包括低壓電源輸入端VDD、第一運算放大器0P、第九晶 體管M9及若干串聯(lián)電阻，所述第九晶體管M9漏端與低壓電源輸入端VDD連接，第九晶體管 M9柵端與第一運算放大器OP的輸出端連接，第一運算放大器OP的正向輸入端與基準(zhǔn)電壓 VSET連接，第一運算放大器OP的反向輸入端與第九晶體管M9的源端及若干串聯(lián)電阻的一 端連接，若干串聯(lián)電阻的另一端與地連接；具體的，所述若干串聯(lián)電阻的串聯(lián)節(jié)點與若干開 關(guān)晶體管的源端連接，若干開關(guān)晶體管的柵端與前述選擇器產(chǎn)生的開關(guān)信號連接，若干開 關(guān)晶體管的漏端與精準(zhǔn)電壓輸出端連接。
[0050] 具體的，通過ΤΜΜ_0信號選擇需要不同的需要修調(diào)的電壓，通過TR頂_1~3信號選 擇修調(diào)值大??；同時需要修調(diào)的電壓值數(shù)量均可通過修調(diào)值選擇，而修調(diào)的電壓精度通過 分壓電阻數(shù)目微調(diào)，由此實現(xiàn)對多目標(biāo)電壓值的精準(zhǔn)修調(diào)。
[0051 ] 通過電流產(chǎn)生電路板產(chǎn)生參考電流與參考電壓，在修調(diào)信號輸入與參考電壓比較 結(jié)果為正時開啟熔絲修調(diào)主電路板，并產(chǎn)生穩(wěn)定的修調(diào)信號輸出，然后通過選擇器進行內(nèi) 部所需精準(zhǔn)電壓的微調(diào)，同時能使熔絲燒斷電流產(chǎn)生電路板徹底關(guān)斷后將修調(diào)信號連接到 固定電位，而不是浮空，從而使熔絲（Fuse)燒斷修調(diào)電路的關(guān)斷功耗降低并能實現(xiàn)多目標(biāo) 電壓修調(diào)。
[0052] 以上實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實 施例對本實用新型進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解；其依然可以對前 述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換；而這些 修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實用新型各實施例技術(shù)方案的精神和范 圍。
【主權(quán)項】
1. 一種低關(guān)斷功耗多目標(biāo)電壓熔絲燒斷修調(diào)器，其特征在于，包括電流產(chǎn)生電路板、修 調(diào)控制電路板、熔絲修調(diào)主電路板和選擇器；所述電流產(chǎn)生電路板與修調(diào)控制電路板及熔 絲修調(diào)主電路板連接，所述熔絲修調(diào)主電路板與修調(diào)控制電路板及選擇器連接，所述選擇 器連接精準(zhǔn)電壓輸出。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低關(guān)斷功耗多目標(biāo)電壓熔絲燒斷修調(diào)器，其特征在于，所述 電流產(chǎn)生電路板包括低壓電源輸入端、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第一電阻、第 一三極管及第二三極管，所述第一晶體管源端與低壓電源輸入端連接，第一晶體管柵端及 漏端與第一電阻的一端、第二晶體管的柵端、第三晶體管的柵端及修調(diào)控制電路板連接，第 一電阻另一端與第一三極管的基極及集電極連接，第一三極管的發(fā)射極與地連接，第二晶 體管的源端與低壓電源輸入端連接，第二晶體管的漏端與第二三極管的基極及集電極連 接，第二三極管的發(fā)射極與地連接，第三晶體管的源端與低壓電源輸入端連接，第三晶體管 的漏端與熔絲修調(diào)主電路板連接。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低關(guān)斷功耗多目標(biāo)電壓熔絲燒斷修調(diào)器，其特征在于，所述 修調(diào)控制電路板包括若干修調(diào)控制子級模塊。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的低關(guān)斷功耗多目標(biāo)電壓熔絲燒斷修調(diào)器，其特征在于，所述 的修調(diào)控制子級模塊包括修調(diào)信號輸入端與第一遲滯比較器，所述第一遲滯比較器正向輸 入端與修調(diào)信號輸入端連接，第一遲滯比較器的反向輸入端與前述電流產(chǎn)生電路板連接， 第一遲滯比較器的輸出端與熔絲修調(diào)主電路板連接。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低關(guān)斷功耗多目標(biāo)電壓熔絲燒斷修調(diào)器，其特征在于，所述 熔絲修調(diào)主電路板包括若干熔絲修調(diào)子級模塊。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的低關(guān)斷功耗多目標(biāo)電壓熔絲燒斷修調(diào)器，其特征在于，所述 熔絲修調(diào)子級模塊包括低壓電源輸入端、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體 管、第八晶體管及第一熔絲，所述第四晶體管柵端與第七晶體管柵端及修調(diào)控制電路板子 級對應(yīng)連接，第四晶體管源端與低壓電源輸入端連接，第四晶體管漏端與第一熔絲一端、第 六晶體管漏端、第八晶體管漏端及選擇器連接，第一熔絲的另一端與低壓電源輸入端連接， 第五晶體管的柵端及漏端與第六晶體管的柵端、第七晶體管的源端及電流產(chǎn)生電路板連 接，第五晶體管的源端與地連接，第六晶體管的源端與地連接，第七晶體管的漏端與第八晶 體管的柵端連接，第八晶體管的源端與地連接。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的低關(guān)斷功耗多目標(biāo)電壓熔絲燒斷修調(diào)器，其特征在于，所述 選擇器包括若干譯碼器，所述若干譯碼器將前述熔絲修調(diào)各子級模塊產(chǎn)生二進制信號譯為 對應(yīng)開關(guān)信號，對應(yīng)開關(guān)信號控制精準(zhǔn)電壓輸出。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低關(guān)斷功耗多目標(biāo)電壓熔絲燒斷修調(diào)器，其特征在于，所述 精準(zhǔn)電壓輸出包括低壓電源輸入端、第一運算放大器、第九晶體管及若干串聯(lián)電阻，所述第 九晶體管漏端與低壓電源輸入端連接，第九晶體管柵端與第一運算放大器的輸出端連接， 第一運算放大器的正向輸入端與基準(zhǔn)電壓連接，第一運算放大器的反向輸入端與第九晶體 管的源端及若干串聯(lián)電阻的一端連接，若干串聯(lián)電阻的另一端與地連接。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的低關(guān)斷功耗多目標(biāo)電壓熔絲燒斷修調(diào)器，其特征在于，所述 若干串聯(lián)電阻的串聯(lián)節(jié)點與若干開關(guān)晶體管的源端連接，若干開關(guān)晶體管的柵端與前述選 擇器產(chǎn)生的開關(guān)信號連接，若干開關(guān)晶體管的漏端與精準(zhǔn)電壓輸出端連接。
【專利摘要】一種低關(guān)斷功耗多目標(biāo)電壓熔絲燒斷修調(diào)器，包括電流產(chǎn)生電路板、修調(diào)控制電路板、熔絲修調(diào)主電路板、選擇器及精準(zhǔn)電壓輸出；所述電流產(chǎn)生電路板與修調(diào)控制電路板及熔絲修調(diào)主電路板連接，所述熔絲修調(diào)主電路板與修調(diào)控制電路板及選擇器連接，所述選擇器與精準(zhǔn)電壓輸出連接。通過電流產(chǎn)生電路板產(chǎn)生參考電流與參考電壓，在修調(diào)信號輸入與參考電壓比較結(jié)果為正時開啟熔絲修調(diào)主電路板，并產(chǎn)生穩(wěn)定的修調(diào)信號輸出，然后通過選擇器進行內(nèi)部所需精準(zhǔn)電壓的微調(diào)，同時能使熔絲燒斷電流產(chǎn)生電路板徹底關(guān)斷后將修調(diào)信號連接到固定電位，而不是浮空，從而保證電路的低關(guān)斷功耗與多目標(biāo)電壓修調(diào)。
【IPC分類】G05F1/56
【公開號】CN204965241
【申請?zhí)枴緾N201520494920
【發(fā)明人】俞德軍, 李昌紅, 于臻, 彭麗, 李玉鳳
【申請人】成都智芯恒遠電子科技有限公司
【公開日】2016年1月13日
【申請日】2015年7月9日