專利名稱：中央處理器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種中央處理器，應(yīng)用于中央處理器的保護(hù)，以在設(shè)置散熱器于中央處理器設(shè)置裸晶之面時(shí)，不致?lián)p害到中央處理器。
背景技術(shù)：
目前，電子裝置已然成為人們生活中的必需品。使用電子裝置的過程中，發(fā)熱組件隨之產(chǎn)生熱量，所以電子裝置中都設(shè)置有散熱結(jié)構(gòu)，以通過散熱結(jié)構(gòu)，使發(fā)熱組件的熱量散溢，因此電子裝置可維持適當(dāng)溫度，而正常運(yùn)作。當(dāng)然，一般電子裝置中，產(chǎn)生較多熱量的發(fā)熱組件多是中央處理器，且使用者多直接設(shè)置散熱器在中央處理器的裸晶(die)上方(請參見圖1所示)，以加速中央處理器的熱量散溢，這樣的設(shè)置方式，除了有單一的熱阻值(僅裸晶的表面接觸散熱器)之外，在使用熱管之類的相變化熱傳組件時(shí)，亦有較低的沸騰過熱度，而導(dǎo)致有較低熱阻。然而，這樣的架構(gòu)卻極易在設(shè)置散熱器時(shí)，損害到中央處理器。
后來發(fā)展出許多種中央處理器的保護(hù)組件，以避免損害到中央處理器。請參見圖2所示，其是在裸晶外部加設(shè)蓋體，因此散熱器可以設(shè)置在蓋體上方，但是這樣的設(shè)計(jì)卻會(huì)必須要考慮到蓋體及裸晶間的配合度，以使蓋體內(nèi)表面接觸到裸晶的外表面，而散溢熱量，再者，因?yàn)槠渚哂袃煞N熱阻值(蓋體接觸裸晶有一種熱阻值，蓋體接觸散熱器有另一種熱阻值)，所以不利熱量散溢。
如圖3所示為中央處理器的保護(hù)組件的又一種設(shè)計(jì)，主要是將金屬板對應(yīng)中央處理器的電子組件處挖空，且在金屬板邊緣設(shè)有定位邊，以使其與中央處理器邊緣定位，但如此一來，卻必須制作多種規(guī)格的金屬板才能用于相異尺寸的中央處理器，再者，采用金屬板亦增加了產(chǎn)品的材料成本及加工成本。
如圖4所示為中央處理器的保護(hù)組件的另一種設(shè)計(jì)，主要是在散熱器與中央處理器之間設(shè)置支撐架，此支撐架具有置放口，且置放口周邊設(shè)有支撐彈片，以支撐散熱器，但這樣的設(shè)計(jì)在分離散熱器與中央處理器的過程中，散熱器會(huì)被彈出，還有在使用時(shí)間較久時(shí)，支撐彈片會(huì)彈性疲乏，此外，在設(shè)置及釋放散熱器的過程中，仍須考慮到各組件間距離的問題，才不會(huì)損害到中央處理器，而上述多種規(guī)格及高成本，亦是本設(shè)計(jì)的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的主要目的即為提供一種中央處理器，以在裝設(shè)散熱器于中央處理器設(shè)置裸晶之面時(shí)，不致?lián)p害到中央處理器，并且便于加工制作。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種中央處理器，一面設(shè)置有一裸晶，并可設(shè)置一散熱器于該中央處理器設(shè)置該裸晶之面，該中央處理器包括有一保護(hù)墻，該保護(hù)墻設(shè)置于該裸晶外圍。
也就是說，本實(shí)用新型提供的中央處理器，一面設(shè)置有裸晶(die)，在設(shè)置散熱器于中央處理器設(shè)置裸晶之面時(shí)，不致?lián)p害到中央處理器，此中央處理器包括有保護(hù)墻，此保護(hù)墻設(shè)置于裸晶外圍，且該保護(hù)墻的高度等于或高于裸晶的高度。
當(dāng)然，保護(hù)墻可以為連續(xù)，且內(nèi)部可容置裸晶，亦或是保護(hù)墻可以為非連續(xù)，并包括有數(shù)個(gè)保護(hù)件，且各保護(hù)件相間隔地設(shè)置于裸晶外圍，所以在將散熱器設(shè)置于中央處理器設(shè)置裸晶之面時(shí)，保護(hù)墻可以避免散熱器直接撞擊到中央處理器，而便于設(shè)置散熱器，且本實(shí)用新型僅有單一熱阻值(裸晶接觸散熱器)，可加速中央處理器的熱量散溢，此外本實(shí)用新型亦在使用熱管的類的相變化熱傳組件時(shí)，會(huì)有較低的沸騰過熱度。
為使對本實(shí)用新型的目的、構(gòu)造特征及其功能有進(jìn)一步的了解，茲配合圖示詳細(xì)說明如下。


圖1為將散熱器直接設(shè)置于中央處理器上方的公知技術(shù)的示意圖；圖2為公知中央處理器的保護(hù)墻的示意圖；圖3為公知又一中央處理器的保護(hù)墻的示意圖；圖4為公知另一中央處理器的保護(hù)墻的示意圖；
圖5為本實(shí)用新型的立體圖；圖6為將散熱器設(shè)置于中央處理器上方的剖面示意圖；圖7為本實(shí)用新型的另一立體圖；及圖8為將散熱器設(shè)置于中央處理器上方的另一剖面示意圖。
其中，附圖標(biāo)記說明如下1-散熱器；2-中央處理器；21-裸晶；3-保護(hù)墻；31-保護(hù)件。
具體實(shí)施方式
如圖5所示的本實(shí)用新型的立體圖，根據(jù)本實(shí)用新型所揭露的中央處理器，其一面設(shè)置有裸晶(die)21，而且在設(shè)置散熱器1于中央處理器2設(shè)置裸晶21之面時(shí)，不致?lián)p害到中央處理器2。
本實(shí)用新型主要包括有保護(hù)墻3，保護(hù)墻3設(shè)置于裸晶21的外圍，且高度等于或高于裸晶21的高度，此保護(hù)墻為連續(xù)，且內(nèi)部可容置裸晶21。
如圖6所示的散熱器1設(shè)置于中央處理器2設(shè)置裸晶21之面的剖面示意圖，在將散熱器1設(shè)置于中央處理器2設(shè)置裸晶21之面時(shí)，保護(hù)墻3可以避免散熱器1直接撞擊到中央處理器2，而便于設(shè)置散熱器1，且本實(shí)用新型僅有單一熱阻值(裸晶21接觸散熱器1)，可加速中央處理器2的熱量散溢，此外本實(shí)用新型在使用熱管之類的相變化熱傳組件時(shí)，會(huì)有較低的沸騰過熱度。
如圖7所示的本實(shí)用新型的另一立體圖，根據(jù)本實(shí)用新型所揭露的中央處理器，可以在設(shè)置散熱器1于中央處理器2設(shè)置裸晶21之面時(shí)，不致?lián)p害到中央處理器2。
本實(shí)用新型主要包括有保護(hù)墻3，保護(hù)墻3設(shè)置于裸晶21外圍，且高度等于或高于裸晶21的高度，此保護(hù)墻3為非連續(xù)，包括有數(shù)個(gè)保護(hù)件31，且保護(hù)件31相間隔地設(shè)置于裸晶21外圍。
如圖8所示的散熱器1設(shè)置于中央處理器2設(shè)置裸晶21之面的剖面示意圖，在將散熱器1設(shè)置于中央處理器2設(shè)置裸晶21之面時(shí)，保護(hù)墻3可以避免散熱器1直接撞擊到中央處理器2，而便于設(shè)置散熱器1，且本實(shí)用新型僅有單一熱阻值(裸晶21接觸散熱器1)，可加速中央處理器2的熱量散溢，此外本實(shí)用新型亦在使用熱管之類的相變化熱傳組件時(shí)，會(huì)有較低的沸騰過熱度。
以上所述，僅為本實(shí)用新型其中的較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本實(shí)用新型的實(shí)施范圍；即凡依本實(shí)用新型申請專利范圍所作的均等變化與修飾，皆為本實(shí)用新型專利范圍所涵蓋。
權(quán)利要求1.一種中央處理器，一面設(shè)置有一裸晶，并可設(shè)置一散熱器于該中央處理器設(shè)置該裸晶之面，該中央處理器的特征在于其包括有一保護(hù)墻，該保護(hù)墻設(shè)置于該裸晶外圍。
2.如權(quán)利要求1所述中央處理器，其特征在于該保護(hù)墻的高度等于或高于該裸晶的高度。
3.如權(quán)利要求1所述中央處理器，其特征在于該保護(hù)墻為連續(xù)，且內(nèi)部可容置該裸晶。
4.如權(quán)利要求1所述中央處理器，其特征在于該保護(hù)墻為非連續(xù)，且包括有數(shù)個(gè)保護(hù)件，且該保護(hù)件相間隔地設(shè)置于該裸晶外圍。
專利摘要一種中央處理器，一面設(shè)置有裸晶(die)，在設(shè)置散熱器于中央處理器設(shè)置裸晶之面時(shí)，不致?lián)p害到中央處理器，本實(shí)用新型主要包括有保護(hù)墻，此保護(hù)墻設(shè)置于裸晶外圍，所以在將散熱器設(shè)置于中央處理器設(shè)置裸晶之面時(shí)，保護(hù)墻可以避免散熱器直接撞擊到中央處理器，而便于設(shè)置散熱器。
文檔編號(hào)G06F1/16GK2648485SQ0325266
公開日2004年10月13日 申請日期2003年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月25日
發(fā)明者林書如 申請人:英業(yè)達(dá)股份有限公司