專利名稱：人體毛孔孔徑位移傳感器及其信號處理電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
人體毛孔孔徑位移傳感器及其信號處理電路屬于生物電子學(xué)的半導(dǎo)體智能傳感器設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
毛孔孔徑是人體生理變化的重要信息窗口，它不僅可以作為一種外形表觀參數(shù)，還能反映人體內(nèi)部冷熱適宜度、新陳代謝程度甚至部分病情的發(fā)展?fàn)顩r等等。經(jīng)檢索，國內(nèi)外文獻(xiàn)中還沒有查閱到能夠反應(yīng)人體毛孔孔徑變化的傳感器及其信號處理電路方面的文獻(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提出一種能夠有效反應(yīng)人體毛孔孔徑變化的傳感器，該傳感器利用半導(dǎo)體片感應(yīng)陣列毛孔，運(yùn)用溫?zé)嵝?yīng)將毛孔徑向位移轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘杺鞲休敵?。并提出了其檢測信號的處理方法，最終獲得的電壓(電流)能夠線性、直觀地反應(yīng)毛孔孔徑大小的變化情況。本發(fā)明所提出的人體毛孔孔徑位移傳感器的工作原理如下本發(fā)明所提出的人體毛孔孔徑位移半導(dǎo)體傳感器的工作原理如下人體皮膚毛孔會隨著人體生理狀態(tài)變化而產(chǎn)生變化，例如體溫上升時，毛孔孔徑會增大，劇烈運(yùn)動時，毛孔孔徑也會相應(yīng)變化。將一種摻有雜質(zhì)的半導(dǎo)體片穩(wěn)定貼于人體有毛孔的皮膚上時，該半導(dǎo)體與人體皮膚接觸面的側(cè)面如圖1所示，其中1為半導(dǎo)體片，2為毛孔周圍表皮，3為毛孔對應(yīng)的半導(dǎo)體處，半導(dǎo)體與皮膚接觸處溫度較毛孔處偏高，其正面溫度分布示意圖如圖2所示，其中顏色淺處表示與皮膚接觸處，溫度較高，顏色深處表示與毛孔接觸的半導(dǎo)體部分，溫度較低，由于汗毛在毛孔中所占的面積很小，其影響可忽略不計，實(shí)驗(yàn)證明該忽略是可行的。
當(dāng)人體毛孔徑向位移發(fā)生變化，例如毛孔增大，那么溫度偏低的半導(dǎo)體部位面積也增大，相應(yīng)地，與人體表皮直接接觸即溫度偏高的半導(dǎo)體面積減小，使得半導(dǎo)體中整體載流子濃度變化。如果在該半導(dǎo)體的兩端接上恒定電壓源(或電流源)，當(dāng)半導(dǎo)體表面的溫度分布隨毛孔大小的變化而發(fā)生變化時，接入恒定電壓源的該半導(dǎo)體所在回路就會產(chǎn)生變化的電流；如果在該半導(dǎo)體的兩端接上恒定電流源，當(dāng)半導(dǎo)體表面的溫度分布隨毛孔大小的變化而發(fā)生變化時，該半導(dǎo)體接入恒定電流源的兩端就會產(chǎn)生變化的電壓；從而體現(xiàn)了毛孔的變化。即，對半導(dǎo)體選取適當(dāng)?shù)氖┲鲹诫s濃度ND(或受主摻雜濃度NA)時，可以使半導(dǎo)體電導(dǎo)率σn＝μnqn0(或σp＝μpqp0)單調(diào)地反映毛孔孔徑變化導(dǎo)致的半導(dǎo)體高低溫度面積差的變化，此時就能直接將毛孔孔徑變化轉(zhuǎn)化為半導(dǎo)體電導(dǎo)的變化。
本發(fā)明所提出的毛孔孔徑位移傳感器的特征在于，它是一片串接在直流回路中的可穩(wěn)定貼在人體皮膚上的摻有雜質(zhì)的半導(dǎo)體片。當(dāng)所述直流回路中采用恒定電流源時，該半導(dǎo)體片的兩個電源輸入點(diǎn)即為信號輸出端；當(dāng)回路中采用恒定電壓源時，流過半導(dǎo)體片的回路電流為待檢測輸出信號。
所述半導(dǎo)體片可以是規(guī)則的具有幾何對稱形狀的半導(dǎo)體片。所述半導(dǎo)體片是矩形半導(dǎo)體片時，若直流回路中采用恒定電壓源，所述電源接入點(diǎn)和信號輸出點(diǎn)是分別位于任意兩條平行邊上的兩個對等點(diǎn)(對等點(diǎn)是指該兩點(diǎn)連線能與矩形半導(dǎo)體的其中一邊平行)；若直流回路中采用恒定電流源，所述兩個電源接入點(diǎn)是分別位于任意兩條平行邊上的兩個對等點(diǎn)。
所述半導(dǎo)體片可以為半導(dǎo)體硅片，其中摻入的施主雜質(zhì)濃度ND為1018＜ND＜1019/CM3，在該濃度范圍內(nèi)，所述傳感器輸出的電壓隨毛孔孔徑的變化而單調(diào)變化。在所述半導(dǎo)體片的電源接入點(diǎn)和信號輸出點(diǎn)處，半導(dǎo)體的施主摻雜濃度應(yīng)滿足ND＞1019/CM3，以促使接入電極與所述半導(dǎo)體形成有效歐姆接觸。
人體毛孔孔徑位移傳感器的信號處理電路，其特征在于，它含有依次串聯(lián)在所述傳感器輸出端的微小信號放大電路、對數(shù)運(yùn)算電路和開方運(yùn)算電路。
實(shí)驗(yàn)證明，本發(fā)明所提出的傳感器能夠感知人體毛孔孔徑的變化，所提出的信號處理電路能夠使輸出信號線性地、直觀地體現(xiàn)毛孔孔徑的變化情況，達(dá)到了預(yù)期目的。


圖1是傳感陣列毛孔孔徑位移時的半導(dǎo)體側(cè)面示意圖；圖2是傳感陣列毛孔孔徑位移時的半導(dǎo)體表面溫度分布示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體硅中，多子遷移率μn與溫度T的關(guān)系曲線圖；圖4是本發(fā)明采用恒定電壓源時的方案示意圖；圖5是本發(fā)明采用恒定電流源時的方案示意圖；圖6是本發(fā)明采用恒定電壓源時未經(jīng)線性處理的實(shí)驗(yàn)波形圖。
圖7是信號處理電路的原理框圖；圖8是本發(fā)明實(shí)施例(采用恒定電壓源時)的微小電流-電壓轉(zhuǎn)換并放大電路原理圖；圖9是對半導(dǎo)體硅片取條形區(qū)域驗(yàn)證輸出電壓與毛孔孔徑呈高斯函數(shù)關(guān)系的取樣圖。
具體實(shí)施例方式
結(jié)合

本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。
本發(fā)明所提出的傳感器的形狀和大小沒有特殊的規(guī)定，但盡量使半導(dǎo)體片能夠覆蓋多個毛孔為宜。若采用規(guī)則形狀的半導(dǎo)體片則有利于確定輸出電壓與毛孔孔徑變化之間的函數(shù)關(guān)系，以便將來實(shí)際應(yīng)用。例如本發(fā)明實(shí)施例中采用矩形半導(dǎo)體硅片時，可以探測到高斯函數(shù)關(guān)系。本發(fā)明所使用的半導(dǎo)體材料包括通常使用的硅，鍺，砷化鎵等等材料，而摻入的雜質(zhì)包括通常使用的硼，磷等等。
本發(fā)明以矩形的半導(dǎo)體硅片為例進(jìn)行說明。在該半導(dǎo)體中摻入的雜質(zhì)是磷，回路中采用的是恒定電壓源，見圖4。當(dāng)施主雜質(zhì)濃度ND的范圍為1018＜ND＜1019/CM3時，可以使半導(dǎo)體電導(dǎo)率σn＝μnqn0(或σp＝μpqp0)單調(diào)地反映半導(dǎo)體高低溫度面積差的變化，因而就能更直接地將毛孔徑向位移變化轉(zhuǎn)化為電導(dǎo)的變化。摻入施主雜質(zhì)濃度1018＜ND＜1019/CM3的推導(dǎo)過程如下此時主要分析多子(電子)決定的電導(dǎo)率σn＝μnqn0，其中μn為半導(dǎo)體中電子遷移率，n0為半導(dǎo)體中電子濃度。對于摻雜受主雜質(zhì)的P型半導(dǎo)體，原理與此完全相同。
對于σn＝μnqn0，其中q為常數(shù)(q＝1.60*10-19c)。分析另外兩個參數(shù)μn，n0的影響。
對于常用的半導(dǎo)體例如鍺Ge、硅Si，影響遷移率的主要作用是電離雜質(zhì)散射和聲學(xué)波形變勢散射。它們決定的遷移率與電離雜質(zhì)濃度N和溫度T的關(guān)系分別為μI∝N-1T3/2(電離雜質(zhì)散射)(1)μs∝T-3/2(聲學(xué)波形變勢散射)圖3是在各種影響因素的綜合作用下，半導(dǎo)體(實(shí)施例為N型半導(dǎo)體硅)多子(實(shí)施例中為電子)遷移率與溫度T的實(shí)驗(yàn)關(guān)系曲線。
從圖3可以看出，在300K左右，摻雜濃度小于1018/CM3時，溫度上升導(dǎo)致遷移率下降；只有在摻雜濃度為1018～1019/CM3時，遷移率才隨溫度近似不變。
進(jìn)一步分析半導(dǎo)體中多子濃度(實(shí)施例為電子濃度)n0的影響。
在毛孔對應(yīng)的半導(dǎo)體部位，由于溫度T相對較低，費(fèi)米能級EF偏離導(dǎo)帶底能級EC較遠(yuǎn)，因而n0毛孔處＜n0毛孔周圍；當(dāng)毛孔增大時，對應(yīng)的低溫部分面積增多，高溫部分面積減小，n0毛孔處↑，n0毛孔周圍↓，整塊半導(dǎo)體的n0↓。
在經(jīng)典玻爾茲曼(Boltzman)分布條件下，電子占據(jù)施主能級ED的幾率為fn′(E)=11+1gDeED-EFKT---(2)]]>其中g(shù)D為施主基態(tài)能級簡并度(gA為受主基態(tài)能級簡并度)，對于鍺Ge、硅Si、砷化鎵GaAs，gD＝2，gA＝4.在忽略本征激發(fā)的溫度范圍，導(dǎo)帶電子主要由電離施主提供，于是，由電中性有n0＝pD(3)即NCe-EC-EFKT=ND1+gDeEF-EDKT---(4)]]>由(4)式解得n0=NC2gDe-EC-EDKT[(1+4gDNDNCeEC-EDKT)1/2-1]---(5)]]>其中NC為導(dǎo)帶底等效態(tài)密度。從上式可以發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明應(yīng)用的正常溫度范圍內(nèi)，濃度與溫度之間具有單調(diào)變化的指數(shù)關(guān)系，微小的溫度變化可以引起較大的半導(dǎo)體多子載流子濃度變化。這很有利于傳感檢測。
綜合以上分析說明，當(dāng)陣列毛孔孔徑R變化例如增大時，整個半導(dǎo)體低溫部分面積變大(相應(yīng)表示為T↓)，決定半導(dǎo)體電導(dǎo)率σn＝μnqn0的參數(shù)n0·μn情況如下當(dāng)半導(dǎo)體摻雜濃度ND＜1018/CM3時， 當(dāng)半導(dǎo)體摻雜濃度1018＜ND＜1019/CM3時， 因此，當(dāng)半導(dǎo)體摻雜濃度1018＜ND＜1019/CM3時，半導(dǎo)體電導(dǎo)率σn＝μnqn0是隨著溫度T的變化而單調(diào)遞減的，即在該濃度范圍下，輸出電壓更易于體現(xiàn)毛孔的增大和減小的變化。
上述原理說明是以摻入磷為實(shí)施例進(jìn)行的。實(shí)際上，本發(fā)明也同樣可以采用其它施主雜質(zhì)。
若回路中采用電源為恒定電流源時，輸出信號電壓將隨毛孔孔徑單調(diào)遞增。
本發(fā)明在人體上進(jìn)行實(shí)驗(yàn)如下仍然利用圖4所示的恒壓源為電源，傳感器采用的是一塊摻入磷的半導(dǎo)體硅片，摻磷的濃度為ND＝6.0×1018/CM3。半導(dǎo)體硅片的大小以能全部穩(wěn)定貼靠表皮并覆蓋多個毛孔為宜，其厚度為采用普通的出廠硅片厚度即可，本實(shí)施例采用邊長為3cm，厚度0.8mm的方形硅片。在硅片的另一個與電源輸入端相對的點(diǎn)(所謂對等點(diǎn)即位于方塊硅片的兩條平行邊上的兩個相對應(yīng)的點(diǎn)，如圖中的a點(diǎn)和b點(diǎn)，或a1點(diǎn)和b1點(diǎn)，或其它相對應(yīng)的點(diǎn))輸出電流信號Iin，電極接入點(diǎn)和信號輸出點(diǎn)的探針接觸區(qū)域內(nèi)半導(dǎo)體摻雜濃度為1×1020/CM3，目的在于使探針和半導(dǎo)體N型硅片形成有效歐姆接觸。此處恒壓源電壓大小應(yīng)根據(jù)所選硅片的歐姆電阻決定，保證回路電流在毫安量級，實(shí)施例中采用分壓后的10毫伏；若采用精密恒流電源電流大小也應(yīng)根據(jù)所選硅片的歐姆電阻決定，一般可選擇在毫安~安培量級，如圖5所示，采用恒流源時，兩個電極接入點(diǎn)即為信號輸出端，但此時輸出的電壓隨毛孔的孔徑增大而增大。圖中K為控制開關(guān)。
將該半導(dǎo)體硅片貼在實(shí)驗(yàn)者的皮膚上，在該半導(dǎo)體硅片的輸出端依次連接微小信號放大電路(如圖8所示)和示波器。閉合開關(guān)K，實(shí)驗(yàn)分析測試時，對實(shí)驗(yàn)者進(jìn)行輕度有規(guī)律地?fù)习W刺激，使得人體毛孔孔徑隨時間線性增大，在此過程中，流過半導(dǎo)體硅片的電流將受控于人體毛孔孔徑位移的變化，從示波器上得到了如圖6所示的波形。可以看出，在人體毛孔增大的過程中，半導(dǎo)體硅片輸出的電壓在逐漸降低。若直流回路中采用精密恒流電源，則輸出的電壓隨毛孔孔徑的增大而增大。
利用頻譜分析和MATLAB對本發(fā)明的系列實(shí)驗(yàn)測試曲線進(jìn)行模擬后發(fā)現(xiàn)，輸出信號電壓Vout與毛孔孔徑R之間近似存在負(fù)平方指數(shù)的高斯函數(shù)關(guān)系，其數(shù)學(xué)表達(dá)式為Vout=k0e-aRn---(6)]]>(其中k0，a均為常數(shù)，R代表毛孔孔徑，該常數(shù)對于本次測試過程為定值，即對于任何一次使用毛孔徑向位移變化測試數(shù)據(jù)的過程而言，k0，a在該次測試過程中均為定值，但在兩個不同的測試過程中，這兩個數(shù)據(jù)不一定完全保持對應(yīng)相同；n≈1.93～2.08，即n≈2)因此，可以將輸出后的信號電壓Vout通過處理電路進(jìn)一步進(jìn)行轉(zhuǎn)換，進(jìn)而使得最終輸出信號能直觀、精確、線性地反映毛孔孔徑R的變化，即變?yōu)镮＝k1R，其中k1為常數(shù)。具體處理方法采用下式 基于上式，可將測得，并經(jīng)過放大的電壓信號進(jìn)行取對數(shù)處理和開方處理，就可得到一個與毛孔孔徑R成正比的量，將該數(shù)據(jù)輸入到計算機(jī)或示波器，就可直觀地觀察毛孔孔徑的變化狀況。
本發(fā)明所采用的信號處理裝置是依次串聯(lián)在傳感器輸出端的微小信號放大電路、對數(shù)運(yùn)算電路和開方運(yùn)算電路，見圖7，這幾個電路均是公知電路，在開方電路的輸出端連接計算機(jī)或示波器等終端顯示器，就能夠直觀觀察毛孔的變化狀況了。圖8所示的微小電流-電壓轉(zhuǎn)換并放大電路中，譯碼器6(型號為74LS138)是用來選擇不同放大倍數(shù)的。通過S1、S2、S3三個碼的輸入可以導(dǎo)通D1～D8其中一個輸出，從而使對應(yīng)的模擬開關(guān)5(型號為AD公司的AD7503jn/sQ)接通；此時輸入的由傳感器傳來的微小信號電流(在運(yùn)算放大器SF4558的“+”端)由于運(yùn)算放大器的“虛短”特性而流經(jīng)電阻R，因此運(yùn)算放大器輸出端的輸出電壓Vout為微小輸入電流與電阻R的乘積，即Vout＝IinR，R可以取所需數(shù)值的大電阻，如此達(dá)到微小電流信號轉(zhuǎn)換并放大的目的。
本發(fā)明還從理論上進(jìn)一步驗(yàn)證了傳感器所測得的電壓與毛孔孔徑之間呈高斯函數(shù)關(guān)系，仍以上述實(shí)施例的半導(dǎo)體硅片進(jìn)行說明，如下半導(dǎo)體硅片的電導(dǎo)率為σn＝μnqn0(7)其中毛孔對應(yīng)處半導(dǎo)體溫度偏低，毛孔周圍表皮對應(yīng)處溫度偏高，而在所選擇的施主摻雜濃度1018～1019/CM3條件下，根據(jù)前面的分析說明，兩者溫度差異對多子載流子遷移率μn的影響可以忽略。對μn影響較大的因素是毛孔對應(yīng)處與毛孔周圍表皮對應(yīng)處多子載流子濃度n0的差異。
對選定的方形硅片其中劃定的一個小條形塊進(jìn)行分析，如圖9所示。由于幾何對稱，小條形區(qū)域的分析結(jié)果完全代表了整個半導(dǎo)體區(qū)域。
對小條形區(qū)域內(nèi)部有I＝n0qsv，其中I為體內(nèi)電流，S為電流流過半導(dǎo)體的橫截面積，v為電子速度。
于是dI/I＝d(n0qsv)/n0qsv (8)
在這段小條形區(qū)域內(nèi)，q，s，v保持不變?yōu)槌Ａ?，因而dI/I＝d(n0)/n0(9)設(shè)原來某單個毛孔對應(yīng)處(即溫度偏低處)的體積為V＝πR2D(10)，其中D為人體表皮及陣列毛孔接觸半導(dǎo)體表面時，在溫度分布上所能影響到的半導(dǎo)體硅片厚度。
當(dāng)毛孔孔徑增大dR時，該處體積增大為V′＝π(R+dR)2D(11)其間毛孔所對應(yīng)與皮膚對應(yīng)的半導(dǎo)體處變化的載流子數(shù)目為dN＝N′-N＝K*2πRdR(K＜0) (12)于是對應(yīng)多子載流子濃度變化為dn0＝N′/V′-N/V≈(N′-N)/V＝dN/V(13)將(10)(12)代入(13)可得在毛孔對應(yīng)處的圓形區(qū)域，毛孔孔徑位移變化dR時，dn0＝n0*(-a·2πRdR) (14)由(9)(14)兩式可得dI/I＝-a·2πRdR (15)對(15)式進(jìn)行積分后得lnI＝-a·R2(上式a，K均為常數(shù)) (16)比較(6)(16)兩式可以發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明中實(shí)驗(yàn)測試證明的規(guī)律(6)與理論分析結(jié)果(16)是基本一致的。
本發(fā)明提出的傳感器能夠反映毛孔孔徑的變化，它具有廣闊的應(yīng)用前景，例如1.傳統(tǒng)醫(yī)學(xué)研究中，部分病情如腫瘤不可能長時間用CT等系統(tǒng)實(shí)時監(jiān)測；而目前對于一些復(fù)雜的病情甚至無法直接通過生物或電子儀器進(jìn)行跟蹤探測。若能從人體外部生物參數(shù)比如毛孔徑向位移變化獲得信號，長期、有效、實(shí)時監(jiān)測到相關(guān)健康信息，將是較有創(chuàng)新價值和應(yīng)用前景的醫(yī)學(xué)研究及應(yīng)用方法。
2.傳統(tǒng)溫控設(shè)備如空調(diào)、電熱毯等并非根據(jù)人體感覺而真正實(shí)現(xiàn)智能控制。其通常的做法是在電路中事先設(shè)定溫度范圍，當(dāng)外界環(huán)境溫度超出范圍時則給出中斷信號。然而對于同一設(shè)定的溫度，感覺卻因人而異。通過毛孔徑向位移變化傳感信號輸出，進(jìn)而實(shí)時自動地控制相應(yīng)設(shè)備，更能夠?qū)嶋H反應(yīng)人體的需要。
3.為了在各類體育比賽中取得好成績，運(yùn)動員的有效訓(xùn)練是必不可少的。然而目前通常都需要教練員親自在場進(jìn)行監(jiān)督，或者使用攝像監(jiān)控裝置。這種監(jiān)督方法只停留在視覺上，并非從人體本身的運(yùn)動狀態(tài)出發(fā)，而且其涵蓋范圍比較有限。運(yùn)動員訓(xùn)練時毛孔孔徑變化能夠反應(yīng)新陳代謝的情況，因此利用毛孔孔徑位移傳感器就能夠隨時查詢各運(yùn)動員的訓(xùn)練狀態(tài)和過程。
需要特別說明的是，本發(fā)明提出的傳感技術(shù)不僅適用于人體，還可能應(yīng)用于其他各種生物體上；在其它生物體上運(yùn)用本發(fā)明提出的傳感方案時，同樣屬于本發(fā)明的專利保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.人體毛孔孔徑位移傳感器，其特征在于，它是一片串接在直流回路中的可穩(wěn)定貼在人體皮膚上的摻有雜質(zhì)的半導(dǎo)體片。
2.如權(quán)利要求1所述的人體毛孔孔徑位移傳感器，其特征在于，當(dāng)所述直流回路中采用恒定電流源時，該半導(dǎo)體片的兩個電源輸入點(diǎn)即為信號輸出端；當(dāng)回路中采用恒定電壓源時，流過半導(dǎo)體片內(nèi)的電流為待檢測輸出信號。
3.如權(quán)利要求1所述的人體毛孔孔徑位移傳感器，其特征在于，所述半導(dǎo)體片是規(guī)則的具有幾何對稱形狀的半導(dǎo)體片。
4.如權(quán)利要求2所述的人體毛孔孔徑位移傳感器，其特征在于，所述半導(dǎo)體片是矩形半導(dǎo)體片，當(dāng)直流回路中采用恒定電壓源時，所述電源接入點(diǎn)和電流信號輸出點(diǎn)是分別位于任意兩條平行邊上的兩個對等點(diǎn)；當(dāng)直流回路中采用恒定電流源時，所述兩個電源接入點(diǎn)是分別位于任意兩條平行邊上的兩個對等點(diǎn)。
5.如權(quán)利要求1所述的人體毛孔孔徑位移傳感器，其特征在于，所述半導(dǎo)體片為半導(dǎo)體硅片，其中摻入的施主雜質(zhì)濃度ND為1018＜ND＜1019/CM3，在該濃度范圍內(nèi)，所述傳感器輸出的電壓隨毛孔孔徑的變化而單調(diào)變化。
6.如權(quán)利要求1或2所述的人體毛孔孔徑位移傳感器，其特征在于，在所述半導(dǎo)體片的電源接入點(diǎn)和信號輸出點(diǎn)處，半導(dǎo)體的施主摻雜濃度ND＞1019/CM3。
7.人體毛孔孔徑位移傳感器的信號處理電路，其特征在于，它含有依次串接在所述傳感器輸出端的微小信號放大電路、對數(shù)運(yùn)算電路和開方運(yùn)算電路。
全文摘要
人體毛孔孔徑位移傳感器及其信號處理電路屬于生物電子學(xué)的半導(dǎo)體智能傳感器設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域。該傳感器的特征在于，它是一片串接在直流回路中的可穩(wěn)定貼在人體皮膚上的摻有雜質(zhì)的半導(dǎo)體。當(dāng)所述直流回路中采用恒流源時，該半導(dǎo)體片的兩個電源輸入點(diǎn)即為信號輸出端；當(dāng)回路中采用恒壓源時，流過半導(dǎo)體片的回路電流為待檢測輸出信號。當(dāng)半導(dǎo)體片為硅片時，其摻入的施主雜質(zhì)濃度N
文檔編號G06F3/00GK1538141SQ20031010188
公開日2004年10月20日 申請日期2003年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月23日
發(fā)明者劉自鴻 申請人:劉自鴻