專(zhuān)利名稱(chēng)：用于設(shè)計(jì)具有增強(qiáng)的可制造性的集成電路的系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
總的來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及一種用于設(shè)計(jì)通過(guò)半導(dǎo)體制造工藝來(lái)制造的集成電路的系統(tǒng)和方法，而更具體而言，涉及一種用于設(shè)計(jì)集成電路的系統(tǒng)和方法，以增強(qiáng)可制造性并因此增加用來(lái)生產(chǎn)集成電路的半導(dǎo)體制造工藝的產(chǎn)出。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體制造工業(yè)正在持續(xù)發(fā)展半導(dǎo)體設(shè)計(jì)及制造工藝，并開(kāi)發(fā)新工藝以使正在制造的設(shè)計(jì)幾何形狀越來(lái)越小，因?yàn)榕c較大的器件相比，較小的半導(dǎo)體器件一般消耗較少的功率、產(chǎn)生較少的熱且以較高速度工作。當(dāng)前，單個(gè)集成電路芯片可包括十億以上的圖案。因此，集成電路設(shè)計(jì)和半導(dǎo)體制造工藝極其復(fù)雜，因?yàn)榭缮婕俺砂賯€(gè)工藝步驟。任一設(shè)計(jì)或工藝步驟中發(fā)生錯(cuò)誤或小的誤差可能迫使重新設(shè)計(jì)成為必需或造成最終半導(dǎo)體產(chǎn)品的較低產(chǎn)出，其中產(chǎn)出可定義為與假定沒(méi)有不良器件時(shí)能夠生產(chǎn)的理論器件數(shù)量相比，通過(guò)工藝所生產(chǎn)的功能器件的數(shù)量。
改善上市時(shí)間及產(chǎn)出是半導(dǎo)體制造工業(yè)的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題，并對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)具有直接的經(jīng)濟(jì)沖擊。特別是，減少的上市時(shí)間以及較高的產(chǎn)出意味著較早的可用性以及制造者可銷(xiāo)售更多的器件。
對(duì)于每個(gè)新技術(shù)節(jié)點(diǎn)，半導(dǎo)體集成電路(IC)設(shè)計(jì)和制造工業(yè)已變得更具挑戰(zhàn)性。傳統(tǒng)地，通過(guò)全局和綜合的設(shè)計(jì)規(guī)則集，已實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)和制造之間IC需求的溝通。然而，隨著亞-波長(zhǎng)光刻法的出現(xiàn)，比如硅的半導(dǎo)體材料上的圖案?jìng)鬟f工藝的非線(xiàn)性已戲劇性地增加。由于這個(gè)現(xiàn)象，常規(guī)IC設(shè)計(jì)方法的有效性已顯著降低。
傳統(tǒng)的全局設(shè)計(jì)規(guī)則方法受困于IC布局密度與可制造性之間的以下矛盾。為了實(shí)現(xiàn)更緊密的設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)規(guī)則需要盡可能地激進(jìn)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)使用復(fù)雜的亞-波長(zhǎng)技術(shù)的晶片制造。這造成越來(lái)越多的可制造性問(wèn)題。例如，與90nm設(shè)計(jì)規(guī)則相比，65nm設(shè)計(jì)規(guī)則要求小得多的特征尺寸和圖案節(jié)距，而對(duì)于65nm技術(shù)所期望的來(lái)自制造設(shè)備的圖案分辨率改進(jìn)有些受限。為了減輕某些“困難”布局圖案的可印刷性問(wèn)題，有時(shí)需要放寬設(shè)計(jì)尺度，這意味著對(duì)于物理布局合成，造成了更放寬的全局設(shè)計(jì)規(guī)則。相應(yīng)地，這導(dǎo)致密度的損失。
更詳細(xì)地考慮，圖1圖示了典型的設(shè)計(jì)和可制造性折衷。在圖1(a)中，橫軸101是密度/可制造性軸，其中向左移表示較低的圖案密度但是更好的可制造性，而向右移表示較高的圖案密度但是更差的可制造性。豎軸102是針對(duì)一個(gè)設(shè)計(jì)的圖案分布。閾值103標(biāo)記對(duì)于可制造性問(wèn)題的邊界，而104標(biāo)記對(duì)于潛在密度改進(jìn)的邊界。兩個(gè)閾值103和104之間的區(qū)域是實(shí)現(xiàn)在設(shè)計(jì)和可制造性之間的可接受的折衷的區(qū)域。
如圖1(a)中所示，分布曲線(xiàn)105表示一個(gè)與激進(jìn)的設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)聯(lián)的典型設(shè)計(jì)，其中盡管多數(shù)設(shè)計(jì)圖案106落入好的折衷區(qū)域中，仍有相當(dāng)部分的設(shè)計(jì)將潛在地具有可制造性問(wèn)題，如陰影區(qū)域107所指示的。相反地，允許設(shè)計(jì)改進(jìn)的區(qū)域108是最小的，因?yàn)樗玫脑O(shè)計(jì)規(guī)則已經(jīng)是激進(jìn)的。
另一方面，分布109示出了一個(gè)具有放寬的設(shè)計(jì)規(guī)則的典型設(shè)計(jì)。如圖中所見(jiàn)，可制造性問(wèn)題得以最小化，但是該設(shè)計(jì)就密度來(lái)說(shuō)并非優(yōu)化的，而且有設(shè)計(jì)改進(jìn)的機(jī)會(huì)。結(jié)果，這種設(shè)計(jì)不能滿(mǎn)足目標(biāo)芯片尺寸。
然而，平衡良好的設(shè)計(jì)規(guī)則將造成對(duì)準(zhǔn)中心的曲線(xiàn)，如圖1(b)中所示，其中該分布在好的可制造性和設(shè)計(jì)密度之間更平。在這種情況下，質(zhì)量閾值基于這樣的分布來(lái)確定其中具有潛在可制造性問(wèn)題的該設(shè)計(jì)的總面積小于某預(yù)定值(例如0，這意味著不允許可制造性問(wèn)題)。質(zhì)量閾值和可制造性閾值之間的距離稱(chēng)為“工藝裕度”。
半導(dǎo)體工業(yè)正在探求的一種方法是將主要光刻相關(guān)的可制造性檢查或驗(yàn)證并入前端設(shè)計(jì)中。在物理布局創(chuàng)建期間驗(yàn)證可制造性，這試圖消除最終設(shè)計(jì)定案(tape-out)中潛在的制造困難。
盡管潛在地防止后端問(wèn)題，該前端設(shè)計(jì)方法仍具有很多缺點(diǎn)。這缺點(diǎn)包括以下1.一種面向前端的技術(shù)基本上打斷了為很多IC設(shè)計(jì)者建立好的當(dāng)前前端設(shè)計(jì)流程。當(dāng)遇到緊密集成的邏輯/高級(jí)合成、物理設(shè)計(jì)以及時(shí)序驗(yàn)證流程時(shí)，對(duì)現(xiàn)存流程的擾亂甚至更加嚴(yán)重。此外，由于難以獲得時(shí)序閉合，前端設(shè)計(jì)流程已經(jīng)足夠復(fù)雜。引入附加約束(即可制造性)可潛在地引入更復(fù)雜的流程和更多的設(shè)計(jì)循環(huán)。
2.它要求來(lái)自當(dāng)前建立完善且成熟的設(shè)計(jì)工具的廣泛工具支持和集成。
3.它要求制造工藝中的知識(shí)和專(zhuān)門(mén)技術(shù)，這是前端設(shè)計(jì)者一般缺乏的。
4.最重要地，面向前端的方法要求從傳統(tǒng)“拋過(guò)墻法(throw-over-the-wall)”方法的范式變革，并且要求從制造到設(shè)計(jì)方的更加廣泛和頻繁的反饋。這可潛在地增加產(chǎn)品上市時(shí)間。
因此，期望的是提供一種IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)和方法，克服上述常規(guī)系統(tǒng)和技術(shù)的局限和缺點(diǎn)并促進(jìn)具有改善的可制造性的IC設(shè)計(jì)。本發(fā)明的目的即在于此。比起常規(guī)IC設(shè)計(jì)方法和系統(tǒng)，本發(fā)明的各種實(shí)施例提供了很多優(yōu)點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
比起常規(guī)設(shè)計(jì)系統(tǒng)和技術(shù)，根據(jù)本發(fā)明的IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)和方法的一個(gè)實(shí)施例提供了很多優(yōu)點(diǎn)，使得根據(jù)本發(fā)明的IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)和方法對(duì)于半導(dǎo)體制造者更有用。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了一種前端方法和系統(tǒng)，具有與前端設(shè)計(jì)盡可能小的干擾，同時(shí)提供可制造性增強(qiáng)的好處。
典型的設(shè)計(jì)規(guī)則提供可可制造性和設(shè)計(jì)激進(jìn)性的折衷。通常，對(duì)于給定的技術(shù)節(jié)點(diǎn)和工藝條件，大多數(shù)設(shè)計(jì)提供了具有充分制造工藝裕度的良好布局密度。但是，可能有小部分設(shè)計(jì)具有不良的可制造性，這限制了整個(gè)工藝裕度(參見(jiàn)圖1)。這些具體的局部問(wèn)題是電路失效或產(chǎn)出損失的典型起因。另一方面，還有部分設(shè)計(jì)具有高工藝裕度，顯著超過(guò)制造工藝的最小容限。因而，有可能局部地優(yōu)化困難圖案的可制造性，而不過(guò)多規(guī)定全局設(shè)計(jì)規(guī)則和總的工藝容限。
因此，根據(jù)本發(fā)明的IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)和方法的一個(gè)實(shí)施例提供了設(shè)計(jì)規(guī)則的局部化。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例用于IC設(shè)計(jì)的方法和系統(tǒng)通過(guò)產(chǎn)生分級(jí)設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)提高電路布局的可制造性，該設(shè)計(jì)規(guī)則捕獲了局部化的布局要求。與應(yīng)用全局設(shè)計(jì)規(guī)則的常規(guī)技術(shù)相比，根據(jù)本發(fā)明的IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)和方法的一個(gè)實(shí)施例是基于規(guī)定的布局/IC屬性，將原始設(shè)計(jì)布局分割成期望的粒度(granularity)水平。在該局部化的水平，適當(dāng)調(diào)整設(shè)計(jì)規(guī)則以從可制造性的觀點(diǎn)來(lái)得到關(guān)鍵方面。然后將這些經(jīng)調(diào)整的設(shè)計(jì)規(guī)則用來(lái)執(zhí)行局部化的布局處理以及掩模數(shù)據(jù)(mask data)轉(zhuǎn)換。
此外，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例包括一種系統(tǒng)和方法，用來(lái)為集成電路設(shè)計(jì)提供分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)以增強(qiáng)可制造性，通過(guò)將RET應(yīng)用到設(shè)計(jì)布局的分區(qū)來(lái)局部地優(yōu)化困難圖案的可制造性。相應(yīng)地，根據(jù)本發(fā)明用于提供RET的IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)和方法的一個(gè)實(shí)施例是基于規(guī)定的布局/IC屬性，將細(xì)化的設(shè)計(jì)布局分割成期望的粒度水平。在該局部化的水平，應(yīng)用RET以基于從可制造性觀點(diǎn)來(lái)看的關(guān)鍵方面來(lái)操控布局。
此外，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例包括一種系統(tǒng)和方法，用來(lái)為集成電路設(shè)計(jì)提供布局可制造性增強(qiáng)以增強(qiáng)可制造性，例如以一種解決由于可識(shí)別的“弱點(diǎn)(weak spot)”造成的問(wèn)題的方式來(lái)優(yōu)化設(shè)計(jì)布局的可制造性。根據(jù)本發(fā)明用于提供布局可制造性增強(qiáng)的IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)和方法是基于從可制造性觀點(diǎn)來(lái)看的關(guān)鍵方面，通過(guò)使用局部化圖案優(yōu)化的智能能力，來(lái)增強(qiáng)IC布局的可制造性。該布局可制造性增強(qiáng)IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)和方法可在促成設(shè)計(jì)定案的IC設(shè)計(jì)流程的不同階段使用。例如，輸入布局可包括全部布局或僅一部分布局，比如功能塊、標(biāo)準(zhǔn)單元、局部化分區(qū)等?？芍圃煨?xún)?yōu)化的輸出布局然后可輸入回到促成掩模定案的IC設(shè)計(jì)流程中。
從參考附圖進(jìn)行的對(duì)各種實(shí)施例的以下詳細(xì)描述中，本發(fā)明的前述和其它目的、特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯。


為了便于理解本發(fā)明，將結(jié)合附圖來(lái)描述本發(fā)明的各種實(shí)施例。在附圖中，相同的參考數(shù)字表示相同的元素。在附圖中圖1圖示了針對(duì)設(shè)計(jì)密度和可制造性而優(yōu)化的潛在有問(wèn)題的、偏離中心的設(shè)計(jì)規(guī)則(a)和對(duì)準(zhǔn)中心的規(guī)則分布(b)的實(shí)例；圖2是圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)實(shí)例的框圖；圖3是圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例用于IC設(shè)計(jì)的方法的流程圖；圖4圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例用于IC設(shè)計(jì)的方法的典型數(shù)據(jù)流程實(shí)例；圖5包括圖5(a)和5(b)，圖示了需要不同設(shè)計(jì)規(guī)則的幾何相似的局部化隨機(jī)邏輯圖案的實(shí)例；圖6是圖示了布局操縱處理器的框圖，包括分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)應(yīng)用、布局優(yōu)化和掩模數(shù)據(jù)制備(MDP)工藝模塊；圖7是圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例用于RET處理的方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖；圖8是圖示了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例在圖7中所示的數(shù)據(jù)分析步驟的一個(gè)實(shí)施流程圖；
圖9是圖示了根據(jù)本發(fā)明的替代實(shí)施例的智能分析和優(yōu)化RET過(guò)程的流程圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明的布局可制造性增強(qiáng)系統(tǒng)的優(yōu)選實(shí)施例的框圖；圖11(a)是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例在圖10中所示的布局修改指令發(fā)生器的基于模塊的實(shí)施框圖；圖11(b)是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例在圖10中所示的布局修改指令發(fā)生器的基于規(guī)則的實(shí)施框圖；圖12圖示了布局形狀和變量的實(shí)例；圖13圖示了作為布局變量函數(shù)的可制造性參數(shù)的實(shí)例圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明特別適用于計(jì)算機(jī)實(shí)施的基于軟件的IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)，并且將在這種環(huán)境下描述本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。但是，應(yīng)該理解，根據(jù)本發(fā)明的IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)和方法具有更大的功用，因?yàn)樗鼈兛梢杂布?shí)現(xiàn)或可合并未在此描述的其它模塊或功能。
圖2的框示了在個(gè)人計(jì)算機(jī)12上實(shí)現(xiàn)的根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)10的實(shí)例。具體來(lái)說(shuō)，個(gè)人計(jì)算機(jī)12可包括顯示單元14，可以是陰極射線(xiàn)管(CRT)、液晶顯示器等；處理單元16；以及一個(gè)或多個(gè)輸入/輸出設(shè)備18，允許用戶(hù)與正在通過(guò)個(gè)人計(jì)算機(jī)執(zhí)行的軟件應(yīng)用程序交互。在圖示的實(shí)例中，輸入/輸出設(shè)備18可包括鍵盤(pán)20和鼠標(biāo)22，但還可包括其它外圍設(shè)備，比如打印機(jī)、掃描儀等。處理單元16可進(jìn)一步包括中央處理單元(CPU)24；持久存儲(chǔ)設(shè)備26，比如硬盤(pán)、磁帶驅(qū)動(dòng)、光盤(pán)系統(tǒng)、可移動(dòng)盤(pán)系統(tǒng)等；以及內(nèi)存28。CPU 24可控制持久存儲(chǔ)設(shè)備26和內(nèi)存28。典型地，軟件應(yīng)用程序可永久地存儲(chǔ)于持久存儲(chǔ)設(shè)備26中，并且在該軟件應(yīng)用程序?qū)⒁ㄟ^(guò)CPU 24來(lái)執(zhí)行時(shí)可加載到內(nèi)存28中。在所示的實(shí)例中，內(nèi)存28可包括IC設(shè)計(jì)工具30。IC設(shè)計(jì)工具30可作為由CPU 24執(zhí)行的一個(gè)或多個(gè)軟件模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明，IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)10還可使用硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)，并可在不同類(lèi)型的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上實(shí)現(xiàn)，比如客戶(hù)機(jī)/服務(wù)器系統(tǒng)、Web服務(wù)器、主機(jī)服務(wù)器、工作站等?，F(xiàn)在將描述軟件的IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)10的示范實(shí)施的更多細(xì)節(jié)。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了一種IC設(shè)計(jì)方法，用于處理設(shè)計(jì)定案，比如GDS或OASIS文件或具有另一格式的文件。一般，設(shè)計(jì)定案經(jīng)歷嚴(yán)格的時(shí)序驗(yàn)證，并且因此期望對(duì)布局意向進(jìn)行盡可能得少的修改，以保證時(shí)序因素的最小干擾。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的IC設(shè)計(jì)方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。在步驟203中，輸入布局201和相關(guān)聯(lián)的設(shè)計(jì)規(guī)則202被輸入到評(píng)價(jià)所述布局和所述設(shè)計(jì)規(guī)則的分析引擎中。所述設(shè)計(jì)規(guī)則可包括待應(yīng)用到輸入布局201的任何優(yōu)選設(shè)計(jì)規(guī)則。例如，這些優(yōu)選的設(shè)計(jì)規(guī)則可以是以待使用的特定半導(dǎo)體制造工藝經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)的細(xì)化設(shè)計(jì)規(guī)則。
由分析引擎203執(zhí)行的分析過(guò)程確定不同圖案類(lèi)型，所述圖案類(lèi)型盡管源自相同的設(shè)計(jì)規(guī)則，但是具有促成不同可制造性裕度需求的不同關(guān)鍵性(criticality)。對(duì)于具有少許或沒(méi)有可制造性裕度的圖案類(lèi)型，可能有必要放寬設(shè)計(jì)規(guī)則以增加可制造性裕度，而對(duì)于具有過(guò)量可制造性裕度的圖案類(lèi)型，有可能收緊或壓縮(compact)該設(shè)計(jì)。相應(yīng)地，出現(xiàn)了與每個(gè)圖案類(lèi)型相關(guān)聯(lián)的新的“細(xì)化”設(shè)計(jì)規(guī)則集。優(yōu)選地，設(shè)計(jì)規(guī)則的細(xì)化僅在必要時(shí)才提供設(shè)計(jì)規(guī)則變動(dòng)，并且這些改變盡可能地小以最小化對(duì)時(shí)序的影響。
在圖3中所示的步驟204中，提取圖案例元206。相似地，通過(guò)設(shè)計(jì)規(guī)則細(xì)化步驟205，對(duì)應(yīng)于步驟206中標(biāo)識(shí)的每個(gè)圖案例元，產(chǎn)生了局部化的設(shè)計(jì)規(guī)則207。在步驟208中，每個(gè)圖案示例和局部化的設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)得到選擇、然后由步驟209處理，用于可制造性指標(biāo)的評(píng)價(jià)。可制造性指標(biāo)是一個(gè)或多個(gè)定量或定性的值，這些值評(píng)價(jià)相對(duì)于設(shè)計(jì)優(yōu)化(比如密度和特征尺度)折衷的可制造性。滿(mǎn)足這些容限的可制造性指標(biāo)指示了平衡良好的可制造性和設(shè)計(jì)優(yōu)化。否則，該設(shè)計(jì)需要細(xì)分和重新平衡。
在步驟210中，輸出結(jié)果與在步驟211輸入的預(yù)設(shè)容限比較。在步驟212中，如果確定這些值在容限內(nèi)，則意味著所選的設(shè)計(jì)規(guī)則適合于給定的圖案例元。然后，過(guò)程移到步驟214，用于根據(jù)這些設(shè)計(jì)規(guī)則的布局處理。否則，可需要更多細(xì)化。為了該目的，執(zhí)行決策步驟213以確定進(jìn)一步的細(xì)化是否可能。如果可能，則該方法返回到步驟203用于進(jìn)一步的分析以及圖案/設(shè)計(jì)規(guī)則細(xì)化。
一旦該方法在步驟213中確定不能進(jìn)一步細(xì)化，則利用當(dāng)前所選的設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)執(zhí)行布局處理步驟214。在布局處理步驟214之后，該方法在步驟215中尋找更多圖案例元，并且如果必要，選擇新的圖案來(lái)處理。步驟215可包括多個(gè)驗(yàn)證步驟，所述驗(yàn)證步驟包括但不限于可印刷性和寄生提取分析(parasitic extraction analysis)。
在處理了所有圖案例元后，該方法在步驟216中合并所有的結(jié)果圖案。最后，在步驟217中輸出新設(shè)計(jì)。
圖3中所示的根據(jù)本發(fā)明所述實(shí)施例的IC設(shè)計(jì)方法可用一個(gè)實(shí)例來(lái)示出，如圖4中所示。該方法以一個(gè)設(shè)計(jì)GDSII定案301開(kāi)始。該設(shè)計(jì)與在物理布局產(chǎn)生過(guò)程中所使用的基線(xiàn)設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)聯(lián)。該布局經(jīng)歷第一分析過(guò)程302，該過(guò)程302研究整個(gè)布局并提取影響可制造性的第一級(jí)布局特性。這樣的特性將布局分為若干類(lèi)，在每個(gè)類(lèi)內(nèi)，設(shè)計(jì)規(guī)則的輕微變動(dòng)可使可制造性曲線(xiàn)重新定中心(參見(jiàn)圖1)，使得總的工藝容限可得以增加。這促成了以具有改善可制造性的輕微修改的上游設(shè)計(jì)規(guī)則為基礎(chǔ)的第一級(jí)“設(shè)計(jì)規(guī)則細(xì)化”。圖案例元303的每類(lèi)可視為具有新設(shè)計(jì)規(guī)則集的新設(shè)計(jì)。
如圖4中所示，根據(jù)具有可制造性重要性的第二級(jí)布局特性，該設(shè)計(jì)可經(jīng)歷另一細(xì)化。然后，連同第二級(jí)設(shè)計(jì)規(guī)則細(xì)化一起，可獲得第二級(jí)分類(lèi)，這可造成進(jìn)一步的工藝裕度改善。
這就創(chuàng)建了布局類(lèi)別和設(shè)計(jì)規(guī)則的分級(jí)，其中該制造裕度更深地構(gòu)建到該分級(jí)中。當(dāng)圖案子類(lèi)滿(mǎn)足制造裕度時(shí)，或者可選地，當(dāng)IC設(shè)計(jì)方法確定不可能進(jìn)一步細(xì)化時(shí)，該細(xì)化優(yōu)選地停止。當(dāng)細(xì)化過(guò)程完成時(shí)，每個(gè)子類(lèi)內(nèi)的所有圖案在步驟304中被提取并且通過(guò)布局處理引擎來(lái)傳遞。該布局處理引擎調(diào)整布局圖案，以使所制造的圖案在規(guī)定的容限內(nèi)滿(mǎn)足設(shè)計(jì)意向。來(lái)自布局處理引擎的輸出305包括每個(gè)子類(lèi)內(nèi)經(jīng)處理的圖案，并在步驟306中經(jīng)受驗(yàn)證過(guò)程，以保證經(jīng)處理的布局例元滿(mǎn)足可印刷性和電性能裕度。如果給定的圖案例元未通過(guò)步驟306，則它將發(fā)送回到分析步驟302并經(jīng)受進(jìn)一步的再處理。最后，在步驟307中合并輸出布局例元，在步驟308中產(chǎn)生最終布局。
布局分析引擎對(duì)于表征優(yōu)選地使用具有可制造性重要性的某些布局特性。以下是這樣的特性的實(shí)例·時(shí)序關(guān)鍵性·電路類(lèi)型邏輯、存儲(chǔ)器、標(biāo)準(zhǔn)單元、外圍等·器件類(lèi)型·特征類(lèi)型晶體管柵極、多晶硅(poly)互連、接觸包圍(contact enclosure)、晶體管端帽、虛填充、標(biāo)志等·規(guī)范和容限·層、幾何和拓?fù)鋵傩浴た捎∷⑿蕴匦圆贾谜`差、對(duì)比、MEEF、DOF、重迭誤差等圖5圖示了一個(gè)實(shí)例，其中兩個(gè)幾何相似的圖案具有不同的器件屬性。由于不同的器件規(guī)范，對(duì)應(yīng)的局部化設(shè)計(jì)規(guī)則也可以不同。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)和方法局部地優(yōu)化布局操作過(guò)程以便獲得改進(jìn)的電路可制造性。
圖6圖示了布局操作處理器的實(shí)例。該布局處理引擎可以是通用的光學(xué)鄰近修正(OPC)實(shí)施工藝；復(fù)雜的RET流程2000，比如相移掩模(PSM)和OPC的組合；基于修改和/或壓縮的布局優(yōu)化流程5100；以及優(yōu)選地，掩模數(shù)據(jù)制備(MDP)，例如斷裂(fracturing)；或者甚至更為復(fù)雜的流程，包括如圖6中所示的以上所有各種組合。
借助進(jìn)一步的背景，鑒于亞波長(zhǎng)體系中在設(shè)計(jì)和可制造性之間變寬的差距，光學(xué)分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)比如OPC、PSM和偏軸照射(OAI)的使用在很多設(shè)計(jì)和制造方案中是普遍的，用以生產(chǎn)0.18μm或更小的特征尺寸。而且，由于使用了越來(lái)越多的分辨率增強(qiáng)技術(shù)，RET實(shí)施流程正變得愈加復(fù)雜并需要新的以及更有效的方法。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)IC設(shè)計(jì)方法2000的流程圖。RET IC設(shè)計(jì)方法2000采用前置(up-front)分析、局部化和優(yōu)化，以獲得局部化布局片斷的最好結(jié)果，并且還優(yōu)選地采用知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)以最好地捕獲公知的有問(wèn)題的圖案并施加適當(dāng)?shù)奶幚怼?br> 更詳細(xì)地考慮，在由圖7所示標(biāo)號(hào)2002指示的步驟中，分析了用于給定IC設(shè)計(jì)的布局?jǐn)?shù)據(jù)。例如，該數(shù)據(jù)可以是GDSII的形式。由步驟2002執(zhí)行的分析將數(shù)據(jù)歸類(lèi)到“圖案”集的并集(union)中。為了本描述的目的，例如這里圖案是指單元結(jié)構(gòu)、功能塊、器件單元、幾何簇、具有某個(gè)維度屬性的幾何形狀、形狀交互、層標(biāo)記或甚至是用戶(hù)規(guī)定的區(qū)域。
跟隨著分析步驟2002，步驟2003提取圖案，并且在由圖7所示標(biāo)號(hào)2004指示的步驟中構(gòu)建相關(guān)聯(lián)的圖案例元。接下來(lái)，對(duì)于每個(gè)圖案例元，步驟2005基于圖案類(lèi)別來(lái)優(yōu)化PSM工藝，以及創(chuàng)建設(shè)置參數(shù)。然后在由圖7所示標(biāo)號(hào)2006指示的步驟中，將該參數(shù)集應(yīng)用到該圖案類(lèi)別的所有例元。
隨后，在由圖7所示標(biāo)號(hào)2007指示的步驟中，對(duì)于每個(gè)圖案類(lèi)別，優(yōu)化OPC工藝，而且在由圖7所示標(biāo)號(hào)2008指示的步驟中，對(duì)于該類(lèi)中的所有例元，將結(jié)果參數(shù)用于OPC工藝中。如圖7中所示，優(yōu)化步驟2005和2007可需要經(jīng)歷若干迭代以在隨后的處理中獲得最好結(jié)果。應(yīng)注意，在步驟2006和2007之間，如果用于PSM和OPC的局部化圖案不準(zhǔn)確地匹配，則考慮施加一個(gè)重新評(píng)估步驟。
然后，如圖7中所示，每個(gè)經(jīng)處理的圖案例元2009是以最適合于該圖案的參數(shù)來(lái)處理的。最后，在步驟2010，合并所有經(jīng)處理的圖案例元，并產(chǎn)生MDP-就緒的布局?jǐn)?shù)據(jù)2011。
圖7中所示的分析步驟2002在該流程中是用以保證成功工藝的關(guān)鍵模塊。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，該分析可包括圖8中所示的步驟。
如圖8中所示，首先在步驟3002中使用與輸入布局相關(guān)聯(lián)的設(shè)計(jì)規(guī)則3001來(lái)構(gòu)建圖案數(shù)據(jù)庫(kù)3003。圖案數(shù)據(jù)庫(kù)3003包括從可能需要專(zhuān)門(mén)處理的一個(gè)設(shè)計(jì)中產(chǎn)生的幾何特征和交互的綜合列表。一旦已經(jīng)構(gòu)建該圖案數(shù)據(jù)庫(kù)，掃描過(guò)程3004對(duì)輸入布局進(jìn)行評(píng)價(jià)，并且在由圖8所示標(biāo)號(hào)3005指示的步驟中試圖在該數(shù)據(jù)庫(kù)中找到匹配。如果在步驟3006中未找到匹配，則調(diào)用數(shù)據(jù)庫(kù)更新步驟3007。然后，對(duì)于采用相同設(shè)計(jì)規(guī)則的其它IC設(shè)計(jì)，可在以后再次使用圖案數(shù)據(jù)庫(kù)3003。
現(xiàn)在參考圖9，圖7中所示流程的替代實(shí)施例可采用一種稱(chēng)作知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)的智力源，以部分或完全替換圖7中所示的優(yōu)化步驟2005到2008。例如，可基于以下來(lái)構(gòu)建知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)先前的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)、通過(guò)綜合測(cè)試圖案矩陣的詳細(xì)仿真研究、具有這些測(cè)試圖案的晶片數(shù)據(jù)、或先前的優(yōu)化過(guò)程。圖9中所示的知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)4008存儲(chǔ)圖案例元和對(duì)應(yīng)的優(yōu)化結(jié)果。
更詳細(xì)地來(lái)考慮，如圖9中所示，首先在步驟4001中掃描輸入設(shè)計(jì)布局，并且在由圖9所示標(biāo)號(hào)4002指示的步驟中，比較輸出布局圖案和存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)4008中的數(shù)據(jù)。如果在圖9中所示標(biāo)號(hào)4003所指示的步驟中找到匹配，則在步驟4004中取回(retrieve)優(yōu)化結(jié)果。否則，調(diào)用在線(xiàn)優(yōu)化步驟4005，該步驟4005與在圖7所示步驟2005或2007中進(jìn)行的過(guò)程相似。然后，在步驟4006中，該過(guò)程決定是否將結(jié)果存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)中。如果存儲(chǔ)該結(jié)果，則執(zhí)行更新數(shù)據(jù)庫(kù)4008的數(shù)據(jù)庫(kù)更新步驟4007。結(jié)果，獲得了優(yōu)化輸出并可將該輸出直接傳送到對(duì)應(yīng)的RET引擎(PSM或OPC)。
圖10是用于IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)的布局制造增強(qiáng)的一個(gè)實(shí)施例的框圖，用以基于從可制造性觀點(diǎn)來(lái)看的關(guān)鍵方面，通過(guò)利用本地化圖案優(yōu)化的智能能力來(lái)增強(qiáng)IC布局的可制造性。通常，由圖10中的標(biāo)號(hào)5100大體指示的根據(jù)本發(fā)明的布局可制造性增強(qiáng)系統(tǒng)的優(yōu)選實(shí)施例合并了具有布局修改/壓縮能力的基于仿真的布局分析。可在促成設(shè)計(jì)定案的IC設(shè)計(jì)流程的不同階段，使用布局可制造性增強(qiáng)IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)5100。例如，輸入設(shè)計(jì)布局5101可包括完整布局或僅一部分布局，比如功能塊、標(biāo)準(zhǔn)單元、局部化分區(qū)等(由圖6中所示的RET流程2000輸出)。然后，可制造性?xún)?yōu)化的輸出布局5112可輸入回到促成掩模定案的設(shè)計(jì)流程中。
更詳細(xì)地來(lái)考慮，如圖10中所示，輸入設(shè)計(jì)布局5101是使用仿真引擎5102來(lái)建模，以便預(yù)計(jì)晶片上的布局圖案配置。仿真引擎5102可利用一工藝模型或工藝模型集5103。所述工藝模型或工藝模型集5103出于可制造性評(píng)價(jià)的目的來(lái)提供圖案?jìng)鬟f工藝的充足描述。例如，所述描述可以是基本光學(xué)模型；光學(xué)模型與其它物理模型比如相關(guān)聯(lián)的光阻劑工藝、蝕刻等的組合；經(jīng)驗(yàn)性校準(zhǔn)的工藝模型；浸漬光刻模型；極UV光刻模型等。在很多實(shí)施中，由于光學(xué)效應(yīng)在圖案?jìng)鬟f工藝中的主導(dǎo)性，僅利用光學(xué)模型可能是足夠的，同時(shí)連同仿真速度一起，為使用提供了相對(duì)的簡(jiǎn)化。例如，如果在電子束光刻法的情況下圖案?jìng)鬟f是非光學(xué)的，那么描述該工藝的適當(dāng)模型被輸入到仿真引擎5102。
然后，由能夠提取各種可制造性參數(shù)值的可制造性參數(shù)值提取器5104來(lái)分析輸出的仿真結(jié)果。為了本描述的目的，術(shù)語(yǔ)可制造性參數(shù)值是通用術(shù)語(yǔ)，用來(lái)描述圖案、圖案集、結(jié)構(gòu)、塊、電路或整個(gè)布局的可制造性屬性。可制造性參數(shù)值提取器5104應(yīng)提供圖案?jìng)鬟f工藝的有意義描述，正如本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的。例如，所述可制造性參數(shù)包括數(shù)值，比如關(guān)鍵尺度、圖像對(duì)比、圖像對(duì)數(shù)斜率、掩模錯(cuò)誤增強(qiáng)因子(MEEF)、聚焦深度(DOF)、曝光寬容度(EL)等；或者更復(fù)雜的可制造性定量描述，比如工藝窗(PW)等。例如，可在具有用戶(hù)或算法指定的或者另外是任意的粒度的離散評(píng)價(jià)點(diǎn)處評(píng)價(jià)可制造性參數(shù)，或者也可以在充分包含圖案可印刷性信息的其它更復(fù)雜的定量術(shù)語(yǔ)中來(lái)描述它們，比如打印圖像的輪廓、強(qiáng)度、圖像斜率等。
如圖10中所示，規(guī)定相關(guān)制造約束或產(chǎn)出目標(biāo)的可制造性參數(shù)容限5105被輸入到比較模塊5106，該比較模塊5106包括布局可制造性增強(qiáng)系統(tǒng)5100。所述容限可由優(yōu)選地具有制造工藝經(jīng)驗(yàn)的用戶(hù)來(lái)規(guī)定，或者可選地，通過(guò)自動(dòng)確定這些容限的優(yōu)化值的優(yōu)化工具來(lái)計(jì)算。
比較模塊5106在從可制造性參數(shù)值提取器5104輸入的已提取的可制造性參數(shù)值與可制造性容限值5105之間進(jìn)行比較。另一方面，如果通行模塊5107確定所有容限在所有提取的可制造性參數(shù)值上得到滿(mǎn)足，則結(jié)束可制造性參數(shù)值提取器5104所執(zhí)行的過(guò)程。
另一方面，如果通行模塊5107確定了比較模塊5106檢測(cè)到任何可制造性參數(shù)值超出容限，那么如圖10中所示，對(duì)應(yīng)的位置被標(biāo)識(shí)為可制造性“弱點(diǎn)”并且連同相關(guān)聯(lián)的非順從屬性一起存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫(kù)5108中。在標(biāo)識(shí)和捕獲了所有“弱點(diǎn)”后，可在數(shù)據(jù)庫(kù)5108中對(duì)它們進(jìn)行預(yù)處理和分類(lèi)。例如，可基于它們的屬性，比如沖突(violation)類(lèi)型、幾何或物理配置等，來(lái)對(duì)“弱點(diǎn)”分類(lèi)。
如圖10中所示，布局可制造性增強(qiáng)系統(tǒng)5100進(jìn)一步包括布局修改指令發(fā)生器5109，該發(fā)生器5109確定在影響范圍內(nèi)的“弱點(diǎn)”的非順從屬性與布局圖案的局部化幾何配置之間的關(guān)系。為了本描述的目的，所述影響的范圍是一區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)布局圖案對(duì)于可制造性參數(shù)的質(zhì)量具有實(shí)質(zhì)影響。
布局修改指令發(fā)生器5109還優(yōu)選地產(chǎn)生輸入到布局修改/壓縮引擎5110的規(guī)則和布局修改指令，所述引擎5110包括布局可制造性增強(qiáng)系統(tǒng)5100。此外，在布局5101的設(shè)計(jì)中應(yīng)用的設(shè)計(jì)規(guī)則5111也輸入到布局修改/壓縮引擎5110?；趶牟季中薷闹噶畎l(fā)生器5109接收的指令，布局修改/壓縮引擎5110為所有的可制造性“弱點(diǎn)”找到優(yōu)化解決方案。例如，可基于所接收的修改指令的相對(duì)優(yōu)先級(jí)來(lái)執(zhí)行布局的優(yōu)化。
在由布局修改/壓縮引擎5110所執(zhí)行的過(guò)程已經(jīng)完成后，可將該布局路由回到仿真引擎5102以保證沒(méi)有剩余額外的“弱點(diǎn)”。圖10中所示的過(guò)程可繼續(xù)迭代直到例如沒(méi)有剩下“弱點(diǎn)”為止，或者可選地，直到完成了預(yù)定數(shù)量的迭代為止。
圖11示出根據(jù)本發(fā)明的替代實(shí)施例的布局修改指令發(fā)生器5109的兩個(gè)實(shí)施。圖11(a)的流程圖5109a圖示了基于模型的指令發(fā)生系統(tǒng)，而圖11(b)的流程圖5109b圖示了基于規(guī)則的指令發(fā)生系統(tǒng)。
更詳細(xì)地來(lái)考慮，如圖11(a)中所示，布局修改指令發(fā)生器5109a包括變量定義模塊6091，該變量定義模塊6091使用可制造性“弱點(diǎn)”屬性連同局部化的布局幾何配置數(shù)據(jù)一起來(lái)限定相對(duì)于給定“弱點(diǎn)”的變量。此外，變量定義模塊6091優(yōu)選地具有在布局的稀疏區(qū)域中添加輔助/虛特征以便優(yōu)化圖像干涉效果的能力。
如圖11(a)中所示，布局修改指令發(fā)生器5109a還包括變量擾動(dòng)模塊6092，該變量擾動(dòng)模塊6092限定了足以建立非順從可制造性參數(shù)與布局變量之間關(guān)系的變量偏差設(shè)置。這些設(shè)置由仿真引擎6093使用，該仿真引擎6093基于輸入到仿真引擎6093的工藝模型6094來(lái)計(jì)算所擾動(dòng)的布局的晶片上表示。應(yīng)注意，分別在圖11(a)和10中示出的仿真引擎6093和5102優(yōu)選地具有相同的實(shí)施，而且分別在圖11(a)和10中示出的工藝模型6094和5103優(yōu)選地是相同的?？蛇x地，分別在圖11(a)和10中示出的仿真引擎6093和5102以及分別在圖11(a)和10中示出的工藝模型6094和5103可具有不同的實(shí)施。
如圖11(a)中所示，布局修改指令發(fā)生器5109a還包括指令發(fā)生器6095。指令發(fā)生器6095對(duì)輸出的晶片上的圖案進(jìn)行分析，并計(jì)算非順從可制造性參數(shù)和布局變量之間的功能關(guān)系。
以實(shí)例的方式，在圖11(a)中所示的本發(fā)明實(shí)施例的操作中，通過(guò)圖案形狀的評(píng)估和特征尺度、間隔、間隙、節(jié)距等之間正交距離的測(cè)量，來(lái)量化該布局的幾何配置，如圖12中所示。在圖12中，標(biāo)號(hào)7301到7307限定了布局圖案形狀，而標(biāo)號(hào)7308到7329限定了布局變量。
以進(jìn)一步實(shí)例的方式，在圖11(a)中所示的本發(fā)明實(shí)施例的操作中，將焦距深度(DOF)用作可制造性參數(shù)，而將節(jié)距用作布局變量，如圖13中所示。DOF在最佳曝光劑量對(duì)于圖案節(jié)距變化的靈敏度是經(jīng)由變量擾動(dòng)來(lái)計(jì)算?；谠撚?jì)算的關(guān)系，圖11(a)中所示的指令發(fā)生器6095確定對(duì)非順從可制造性參數(shù)(在本實(shí)例中是DOF)有影響的布局修改指令的可能組合。
現(xiàn)在參考圖11(b)，圖10中所示的布局修改指令發(fā)生器5109可以可選地通過(guò)使用基于規(guī)則的布局修改指令發(fā)生器5109b來(lái)實(shí)現(xiàn)。在圖11(b)中所示的替代實(shí)施中，圖案提取器模塊6096處理該布局、捕獲其局部化屬性并且限定變量，與結(jié)合圖12所述的實(shí)例相似?；谶@些規(guī)則，圖案匹配模塊6098然后比較圖案提取器模塊6096的輸出與存儲(chǔ)在之前產(chǎn)生的知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)6097中的基準(zhǔn)圖案。作為實(shí)例，知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)6097可存儲(chǔ)有問(wèn)題的圖案以及適用于相關(guān)設(shè)計(jì)和制造技術(shù)的關(guān)聯(lián)補(bǔ)救解決方案的綜合集。這些解決方案可通過(guò)仿真來(lái)確定或通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)獲得。
圖案匹配模塊6098掃描整個(gè)輸入布局并且還在知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)6097中搜索匹配。在找到潛在問(wèn)題區(qū)域的情況下，指令發(fā)生器6099取得給定問(wèn)題的所有可能解決方案，并且創(chuàng)建指令或其邏輯組合，用于圖10中所示的布局修改/壓縮引擎5110。
相應(yīng)地，根據(jù)本發(fā)明的布局可制造性增強(qiáng)IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)和方法的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，執(zhí)行布局分析不僅是為了評(píng)估對(duì)可制造性容限的順從性還為了識(shí)別“弱點(diǎn)”。然后執(zhí)行布局優(yōu)化以補(bǔ)救“弱點(diǎn)”，同時(shí)保證對(duì)可制造性容限的順從性以增強(qiáng)可制造性。
重要的是要注意有這樣的可能性對(duì)于給定的約束集，某些“弱點(diǎn)”可能沒(méi)有將滿(mǎn)足可制造性容限的優(yōu)化解決方案。在該情形下，“弱點(diǎn)”數(shù)據(jù)庫(kù)可進(jìn)一步用來(lái)識(shí)別用于其它上游或下游工藝的關(guān)鍵布局區(qū)域。例如，這些關(guān)鍵圖案可提示RET實(shí)施工藝比如OPC進(jìn)行優(yōu)先處理，或者在掩模檢驗(yàn)或修理、電路測(cè)試或產(chǎn)出分析期間給予特別注意?？蛇x地，該信息還可提示布局或單元的重新設(shè)計(jì)。
此外，從實(shí)踐的觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)，由于所述系統(tǒng)可使用迭代方法來(lái)收斂到優(yōu)化布局解決方案，因此用戶(hù)優(yōu)選地能夠規(guī)定迭代的數(shù)量或其它限制性準(zhǔn)則，以控制軟件操作過(guò)程。在本發(fā)明的各種實(shí)施例的一個(gè)構(gòu)思改型中，圖10中所示的布局修改指令發(fā)生器5109不需要可制造性“弱點(diǎn)”輸入。盡管該方法可具有有限的布局優(yōu)化潛力，但是它由于避免了計(jì)算密集模塊5102到5108而更快。
盡管前面的描述已經(jīng)參考本發(fā)明的特定實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不脫離本發(fā)明的原理和主旨的情況下可在這些實(shí)施例中進(jìn)行變化。例如，盡管根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的方法已描述為對(duì)于制造問(wèn)題的后端解決方案，但是它也可應(yīng)用到前端設(shè)計(jì)解決方案。因此，從第三方購(gòu)買(mǎi)或者從上一代移植的大型設(shè)計(jì)塊(例如用于控制電路)可經(jīng)歷所述用于優(yōu)化可制造性的過(guò)程，并且然后用新的芯片設(shè)計(jì)來(lái)設(shè)置和布局。相應(yīng)地，本發(fā)明的范圍可僅參考所附權(quán)利要求來(lái)確定。
權(quán)利要求
1.一種集成電路設(shè)計(jì)系統(tǒng)，包括用于輸入一輸入布局和相關(guān)聯(lián)的設(shè)計(jì)規(guī)則的裝置；用于評(píng)價(jià)所述輸入布局和所述設(shè)計(jì)規(guī)則的裝置；用于產(chǎn)生與所述輸入布局中的標(biāo)識(shí)圖案對(duì)應(yīng)的局部化設(shè)計(jì)規(guī)則的裝置；用于通過(guò)修改設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)聚積與局部化圖案相關(guān)聯(lián)的一新的細(xì)化設(shè)計(jì)規(guī)則集以增加可制造性的裝置；用于基于對(duì)應(yīng)的經(jīng)修改的設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)處理局部化圖案以產(chǎn)生細(xì)化的設(shè)計(jì)的裝置；以及用于輸出所述細(xì)化的設(shè)計(jì)的裝置。
2.權(quán)利要求1的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括用于提取所述輸入布局內(nèi)的圖案例元的裝置；以及用于識(shí)別不同圖案類(lèi)型的裝置，所述圖案類(lèi)型從相同設(shè)計(jì)規(guī)則產(chǎn)生，具有不同的可制造性裕度。
3.權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中用于通過(guò)修改設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)聚積與局部化圖案相關(guān)聯(lián)的新的細(xì)化設(shè)計(jì)規(guī)則集以增加可制造性的裝置包括用于放寬所述設(shè)計(jì)規(guī)則以增加具有少許或沒(méi)有可制造性裕度的局部化圖案的可制造性裕度的裝置；以及用于收緊或壓縮具有過(guò)量可制造性裕度的局部化圖案的設(shè)計(jì)的裝置。
4.權(quán)利要求1的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括用于評(píng)價(jià)每個(gè)局部化圖案和局部化設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)的可制造性指標(biāo)以生成可制造性指標(biāo)值的裝置；用于比較所述值與預(yù)設(shè)的容限的裝置；以及用于在比較證明了所述值在所述容限內(nèi)時(shí)確定所選的設(shè)計(jì)規(guī)則適合于給定的圖案的裝置。
5.權(quán)利要求1的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括用于合并所有使用所述細(xì)化的設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)導(dǎo)出的結(jié)果圖案的裝置。
6.權(quán)利要求1的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括用于根據(jù)所述細(xì)化的設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)執(zhí)行布局處理的裝置。
7.權(quán)利要求1的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括用于確定進(jìn)一步的設(shè)計(jì)規(guī)則細(xì)化是否可能的裝置；以及用于在確定所述設(shè)計(jì)規(guī)則容許進(jìn)一步的細(xì)化時(shí)執(zhí)行進(jìn)一步的分析和設(shè)計(jì)規(guī)則細(xì)化的裝置。
8.一種用于設(shè)計(jì)集成電路的方法，包括以下步驟輸入一輸入布局和相關(guān)聯(lián)的設(shè)計(jì)規(guī)則；評(píng)價(jià)所述輸入布局和所述設(shè)計(jì)規(guī)則；產(chǎn)生與所述輸入布局中的標(biāo)識(shí)圖案對(duì)應(yīng)的局部化設(shè)計(jì)規(guī)則；通過(guò)修改設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)聚積與局部化圖案相關(guān)聯(lián)的新的細(xì)化設(shè)計(jì)規(guī)則集以增加可制造性；基于對(duì)應(yīng)的經(jīng)修改的設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)處理局部化圖案以產(chǎn)生細(xì)化的設(shè)計(jì)；以及輸出所述細(xì)化的設(shè)計(jì)。
9.權(quán)利要求8的方法，進(jìn)一步包括以下步驟提取所述輸入布局內(nèi)的圖案例元；以及識(shí)別不同圖案類(lèi)型，所述不同圖案類(lèi)型由相同設(shè)計(jì)規(guī)則產(chǎn)生，具有不同的可制造性裕度。
10.權(quán)利要求8的方法，其中通過(guò)修改設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)聚積與局部化圖案相關(guān)聯(lián)的新的細(xì)化設(shè)計(jì)規(guī)則集的步驟包括以下步驟放寬所述設(shè)計(jì)規(guī)則以增加具有少許或沒(méi)有可制造性裕度的局部化圖案的可制造性裕度；以及收緊或壓縮具有過(guò)量可制造性裕度的局部化圖案的設(shè)計(jì)。
11.權(quán)利要求8的方法，進(jìn)一步包括以下步驟評(píng)價(jià)每個(gè)局部化圖案和局部化設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)的可制造性指標(biāo)以生成可制造性指標(biāo)值；比較所述值與預(yù)設(shè)的容限；以及如果比較證明所述值在所述容限內(nèi)，確定所選的設(shè)計(jì)規(guī)則適合于給定的圖案。
12.權(quán)利要求8的方法，進(jìn)一步包括合并所有使用所述細(xì)化的設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)導(dǎo)出的結(jié)果圖案的步驟。
13.權(quán)利要求8的方法，進(jìn)一步包括根據(jù)所述細(xì)化的設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)執(zhí)行布局處理的步驟。
14.權(quán)利要求8的方法，進(jìn)一步包括以下步驟確定進(jìn)一步的設(shè)計(jì)規(guī)則細(xì)化是否可能；以及如果確定所述設(shè)計(jì)規(guī)則容許進(jìn)一步的細(xì)化，執(zhí)行進(jìn)一步的分析和設(shè)計(jì)規(guī)則細(xì)化。
15.權(quán)利要求6的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括用于為所述細(xì)化的設(shè)計(jì)輸入布局?jǐn)?shù)據(jù)的裝置；用于分析所述布局?jǐn)?shù)據(jù)以將所述布局?jǐn)?shù)據(jù)分類(lèi)到圖案集的并集中的裝置；用于提取所述布局內(nèi)的圖案的裝置；用于構(gòu)建相關(guān)聯(lián)的圖案例元的裝置；用于將分辨率增強(qiáng)技術(shù)過(guò)程應(yīng)用到所述圖案例元的裝置；用于使用為所述圖案而標(biāo)識(shí)的至少一個(gè)參數(shù)來(lái)處理每個(gè)所述圖案例元的裝置；用于合并所有結(jié)果的經(jīng)處理的圖案例元以生成輸出布局?jǐn)?shù)據(jù)的裝置；以及用于輸出所述輸出布局?jǐn)?shù)據(jù)的裝置；由此，基于分辨率增強(qiáng)技術(shù)局部化應(yīng)用到所述細(xì)化的設(shè)計(jì)布局的分區(qū)，所述集成電路設(shè)計(jì)具有增強(qiáng)的可制造性。
16.權(quán)利要求15的系統(tǒng)，其中所述布局?jǐn)?shù)據(jù)是GDS或OASIS文件形式的設(shè)計(jì)定案。
17.權(quán)利要求15的系統(tǒng)，其中所述圖案是選自于圖案組，所述圖案組包括單元結(jié)構(gòu)、功能塊、器件單元、幾何簇、具有特定維度屬性的幾何形狀、形狀交互、層標(biāo)記及用戶(hù)指定的區(qū)域。
18.權(quán)利要求15的系統(tǒng)，其中用于應(yīng)用分辨率增強(qiáng)技術(shù)過(guò)程的裝置包括用于基于圖案類(lèi)別來(lái)優(yōu)化相移掩模工藝的裝置；用于為每個(gè)所述圖案例元來(lái)創(chuàng)建設(shè)置參數(shù)的裝置；以及用于將所述參數(shù)集應(yīng)用到所述圖案類(lèi)別的所有例元的裝置。
19.權(quán)利要求15的系統(tǒng)，其中用于應(yīng)用分辨率增強(qiáng)技術(shù)過(guò)程的裝置包括用于為每個(gè)圖案類(lèi)別優(yōu)化光學(xué)鄰近修正工藝的裝置；以及用于將所述光學(xué)鄰近修正工藝應(yīng)用到用于所述圖案類(lèi)別中所有例元的所得參數(shù)的裝置。
20.權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中用于應(yīng)用分辨率增強(qiáng)技術(shù)過(guò)程的裝置包括用于為每個(gè)圖案類(lèi)別優(yōu)化光學(xué)鄰近修正工藝的裝置；以及用于將所述光學(xué)鄰近修正工藝應(yīng)用到所述圖案類(lèi)別中所有例元的所得參數(shù)的裝置。
21.權(quán)利要求20的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括用于在用于相移掩模和光學(xué)鄰近修正的局部化圖案不匹配時(shí)執(zhí)行重新評(píng)估的裝置。
22.權(quán)利要求15的系統(tǒng)，其中所述輸出數(shù)據(jù)是掩模-數(shù)據(jù)-準(zhǔn)備-就緒的布局?jǐn)?shù)據(jù)。
23.權(quán)利要求15的系統(tǒng)，其中用于分析所述布局?jǐn)?shù)據(jù)的裝置包括用于使用與所述布局?jǐn)?shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)構(gòu)建圖案數(shù)據(jù)庫(kù)的裝置，所述數(shù)據(jù)庫(kù)包括由可需要特殊處理的設(shè)計(jì)產(chǎn)生的交互和幾何特征的綜合列表；用于掃描所述布局?jǐn)?shù)據(jù)以在所述數(shù)據(jù)庫(kù)中找到匹配的裝置；以及用于在未找到匹配時(shí)更新所述數(shù)據(jù)庫(kù)以使所述數(shù)據(jù)庫(kù)可在以后再次用于采用相同設(shè)計(jì)規(guī)則的其它細(xì)化設(shè)計(jì)的裝置。
24.權(quán)利要求15的系統(tǒng)，其中用于應(yīng)用分辨率增強(qiáng)技術(shù)過(guò)程的裝置包括知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)，基于先前知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)、通過(guò)綜合測(cè)試圖案矩陣的詳細(xì)仿真研究、具有測(cè)試圖案的晶片數(shù)據(jù)或先前的優(yōu)化過(guò)程來(lái)構(gòu)建，以存儲(chǔ)所述圖案例元及對(duì)應(yīng)的優(yōu)化結(jié)果。用于掃描所述布局?jǐn)?shù)據(jù)的裝置；用于比較輸出布局圖案和存儲(chǔ)于所述知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)中的數(shù)據(jù)的裝置；用于若找到匹配則取回優(yōu)化結(jié)果的裝置；用于在未找到匹配的情況下執(zhí)行優(yōu)化的裝置；用于確定是否將所執(zhí)行的優(yōu)化結(jié)果存儲(chǔ)在所述知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)中的裝置，；以及用于在確定要存儲(chǔ)所執(zhí)行的優(yōu)化結(jié)果時(shí)更新所述知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)的裝置。
25.權(quán)利要求24的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括用于將所述優(yōu)化輸出到對(duì)應(yīng)的分辨率增強(qiáng)技術(shù)過(guò)程的裝置。
26.權(quán)利要求25的系統(tǒng)，其中所述分辨率增強(qiáng)技術(shù)過(guò)程是從包括相移掩模和光學(xué)鄰近修正的組中選擇的。
27.權(quán)利要求13的方法，進(jìn)一步包括以下步驟為所述細(xì)化的設(shè)計(jì)輸入布局?jǐn)?shù)據(jù)；分析所述布局?jǐn)?shù)據(jù)以將所述布局?jǐn)?shù)據(jù)分類(lèi)到圖案集的并集中；提取所述布局內(nèi)的圖案；構(gòu)建相關(guān)聯(lián)的圖案例元；將分辨率增強(qiáng)技術(shù)過(guò)程應(yīng)用到所述圖案例元；利用為所述圖案而標(biāo)識(shí)的至少一個(gè)參數(shù)來(lái)處理每個(gè)所述圖案例元；合并所有所得的經(jīng)處理的圖案例元以生成輸出布局?jǐn)?shù)據(jù)；以及輸出所述輸出布局?jǐn)?shù)據(jù)；由此，基于將分辨率增強(qiáng)技術(shù)局部應(yīng)用到所述細(xì)化的設(shè)計(jì)布局的分區(qū)，提高集成電路設(shè)計(jì)的可制造性。
28.權(quán)利要求27的方法，其中所述布局?jǐn)?shù)據(jù)是GDS或OASIS文件形式的設(shè)計(jì)定案。
29.權(quán)利要求27的方法，其中所述圖案是從包括單元結(jié)構(gòu)、功能塊、器件單元、幾何簇、具有特定維度屬性的幾何形狀、形狀交互、層標(biāo)記及用戶(hù)指定區(qū)域的圖案組中選擇的。
30.權(quán)利要求27的方法，其中應(yīng)用分辨率增強(qiáng)技術(shù)過(guò)程的步驟包括基于圖案類(lèi)別，優(yōu)化相移掩模工藝；為每個(gè)所述圖案例元?jiǎng)?chuàng)建設(shè)置參數(shù)；以及將所述參數(shù)集應(yīng)用到所述圖案類(lèi)別的所有例元。
31.權(quán)利要求27的方法，其中應(yīng)用分辨率增強(qiáng)技術(shù)過(guò)程的步驟包括對(duì)每個(gè)圖案類(lèi)別優(yōu)化光學(xué)鄰近修正工藝；以及將所述光學(xué)鄰近修正工藝應(yīng)用到用于所述圖案類(lèi)別中所有例元的所得參數(shù)。
32.權(quán)利要求30的方法，其中應(yīng)用分辨率增強(qiáng)技術(shù)過(guò)程的步驟包括為每個(gè)圖案類(lèi)別優(yōu)化光學(xué)鄰近修正工藝；以及將所述光學(xué)鄰近修正工藝應(yīng)用到用于所述圖案類(lèi)別中所有例元的所得參數(shù)。
33.權(quán)利要求32的方法，進(jìn)一步包括以下步驟如果用于相移掩模和光學(xué)鄰近修正的局部化圖案不匹配，執(zhí)行重新評(píng)估。
34.權(quán)利要求27的方法，其中所述輸出數(shù)據(jù)是掩模-數(shù)據(jù)-準(zhǔn)備-就緒的布局?jǐn)?shù)據(jù)。
35.權(quán)利要求27的方法，其中分析所述布局?jǐn)?shù)據(jù)的步驟包括使用與所述布局?jǐn)?shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)構(gòu)建圖案數(shù)據(jù)庫(kù)，所述數(shù)據(jù)庫(kù)包括由可需要特殊處理的設(shè)計(jì)產(chǎn)生的交互和幾何特征的綜合列表；掃描所述布局?jǐn)?shù)據(jù)以在所述數(shù)據(jù)庫(kù)中找到匹配；以及如果未找到匹配，更新所述數(shù)據(jù)庫(kù)以使所述數(shù)據(jù)庫(kù)可在以后再次用于采用相同設(shè)計(jì)規(guī)則的其它細(xì)化設(shè)計(jì)。
36.權(quán)利要求27的方法，其中施加分辨率增強(qiáng)技術(shù)過(guò)程的步驟包括提供知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)，所述知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)是基于先前知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)、通過(guò)綜合測(cè)試圖案矩陣的詳細(xì)仿真研究、具有測(cè)試圖案的晶片數(shù)據(jù)或先前的優(yōu)化過(guò)程來(lái)構(gòu)建，以存儲(chǔ)所述圖案例元及對(duì)應(yīng)的優(yōu)化結(jié)果。掃描所述布局?jǐn)?shù)據(jù)；比較輸出布局?jǐn)?shù)據(jù)和存儲(chǔ)于所述知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)中的數(shù)據(jù)；若找到匹配，則取回優(yōu)化結(jié)果；若未找到匹配，則執(zhí)行優(yōu)化；確定是否將所執(zhí)行的優(yōu)化結(jié)果存儲(chǔ)在所述知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)中；以及若確定要存儲(chǔ)所執(zhí)行的優(yōu)化結(jié)果，則更新所述知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)。
37.權(quán)利要求36的方法，進(jìn)一步包括將所述優(yōu)化輸出到對(duì)應(yīng)的分辨率增強(qiáng)技術(shù)過(guò)程的步驟。
38.權(quán)利要求37的方法，其中所述分辨率增強(qiáng)技術(shù)過(guò)程是從包括相移掩模和光學(xué)鄰近修正的組中選擇的。
39.權(quán)利要求6的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括用于為所述細(xì)化的設(shè)計(jì)輸入設(shè)計(jì)布局?jǐn)?shù)據(jù)的裝置；用于輸入工藝模型或工藝模型集的裝置，以為了可制造性評(píng)價(jià)的目的而提供圖案?jìng)鬟f工藝的描述；仿真引擎，使用所述工藝模型或工藝模型集來(lái)對(duì)所述輸入的設(shè)計(jì)布局建模，以便預(yù)測(cè)晶片上的布局圖案配置；可制造性參數(shù)值提取器，用以從所述仿真模型提取各種可制造性參數(shù)值；用于輸入可制造性參數(shù)容限以指定制造約束或產(chǎn)出目標(biāo)的裝置；比較模塊，用以執(zhí)行所提取的可制造性參數(shù)值和所述可制造性容限值之間的比較；通行模塊，用以關(guān)于所提取的可制造性參數(shù)值，確定是否滿(mǎn)足所述可制造性容限；數(shù)據(jù)庫(kù)，用以在檢測(cè)到任何可制造性參數(shù)值超出容限時(shí)，將識(shí)別為可制造性“弱點(diǎn)”的對(duì)應(yīng)位置連同相關(guān)聯(lián)的非順從屬性一起存儲(chǔ)；布局修改指令發(fā)生器，用以在影響范圍內(nèi)確定所述“弱點(diǎn)”的所述非順從屬性與所述布局圖案局部化幾何配置之間的關(guān)系，并產(chǎn)生布局修改指令和規(guī)則；用于輸入在所述輸入設(shè)計(jì)布局的設(shè)計(jì)中應(yīng)用的設(shè)計(jì)規(guī)則的裝置；布局修改/壓縮引擎，用以基于所述布局修改指令和規(guī)則，為所述可制造性“弱點(diǎn)”找到優(yōu)化解決方案；用于在滿(mǎn)足所述可制造性容限時(shí)或者在滿(mǎn)足預(yù)定的限制準(zhǔn)則時(shí)輸出一輸出設(shè)計(jì)布局的裝置；由此，所述集成電路設(shè)計(jì)具有增強(qiáng)的可制造性。
40.權(quán)利要求39的系統(tǒng)，其中所述輸入的設(shè)計(jì)布局?jǐn)?shù)據(jù)是GDS或OASIS文件形式的設(shè)計(jì)定案。
41.權(quán)利要求39的系統(tǒng)，其中所述工藝模型或所述工藝模型集包括數(shù)據(jù)，所述數(shù)據(jù)包括與以下之一有關(guān)的數(shù)據(jù)基本光學(xué)模型；光學(xué)模型與其它物理模型比如相關(guān)聯(lián)的光阻劑工藝、蝕刻等的組合；經(jīng)驗(yàn)性校準(zhǔn)的工藝模型；浸漬光刻模型；極UV光刻模型；或非光學(xué)模型。
42.權(quán)利要求39的系統(tǒng)，其中所述可制造性參數(shù)值包括數(shù)值，比如關(guān)鍵尺度、圖像對(duì)比、圖像對(duì)數(shù)斜率、掩模錯(cuò)誤增強(qiáng)因子(MEEF)、聚焦深度(DOF)、曝光寬容度(EL)；或者更為復(fù)雜的可制造性定量描述，比如工藝窗(PW)。
43.權(quán)利要求42的系統(tǒng)，其中可在具有用戶(hù)或算法指定的或者另外是任意的粒度的離散評(píng)價(jià)點(diǎn)處評(píng)價(jià)所述可制造性參數(shù)值，或者在充分包含圖案可印刷性信息的其它更復(fù)雜的定量術(shù)語(yǔ)比如打印圖像的輪廓、強(qiáng)度、圖像斜率等中描述所述可制造性參數(shù)值。
44.權(quán)利要求39的系統(tǒng)，其中所述可制造性參數(shù)容限是由具有制造工藝經(jīng)驗(yàn)的用戶(hù)來(lái)指定或者通過(guò)自動(dòng)確定所述容限的最佳值的優(yōu)化工具來(lái)計(jì)算。
45.權(quán)利要求39的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括用于在識(shí)別并捕獲“弱點(diǎn)”后對(duì)存儲(chǔ)在所述數(shù)據(jù)庫(kù)中的所述“弱點(diǎn)”進(jìn)行預(yù)處理和分類(lèi)的裝置。
46.權(quán)利要求45的系統(tǒng)，其中所述“弱點(diǎn)”是基于其屬性比如沖突類(lèi)型或者幾何或物理配置來(lái)分類(lèi)。
47.權(quán)利要求39的系統(tǒng)，其中所述布局修改/壓縮引擎基于所接收的修改指令和規(guī)則的相對(duì)優(yōu)先級(jí)來(lái)為所述布局找到優(yōu)化解決方案。
48.權(quán)利要求39的系統(tǒng)，其中所述布局修改指令發(fā)生器是基于模型的指令產(chǎn)生系統(tǒng)，包括變量定義模塊，使用可制造性“弱點(diǎn)”屬性連同局部化的布局幾何配置一起來(lái)定義與給定的“弱點(diǎn)”相關(guān)的變量；變量擾動(dòng)模塊，定義足以建立非順從可制造性參數(shù)和所述布局變量之間關(guān)系的變量偏差設(shè)置；仿真引擎，基于所述工藝模型或工藝模型集以及所述變量偏差設(shè)置來(lái)計(jì)算所擾動(dòng)的布局的晶片上表示；以及指令發(fā)生器，用以分析所述輸出的晶片上圖案并計(jì)算非順從可制造性參數(shù)和所述布局變量之間的功能關(guān)系。
49.權(quán)利要求48的系統(tǒng)，其中所述變量定義模塊具有在所述布局的稀疏區(qū)域中添加輔助/虛特征以便優(yōu)化圖像干涉效果的能力。
50.權(quán)利要求39的系統(tǒng)，其中所述布局指令發(fā)生器是基于規(guī)則的指令產(chǎn)生系統(tǒng)，包括圖案提取器模塊，用以處理所述輸入的設(shè)計(jì)布局、捕獲所述布局的局部化屬性并且定義布局變量以提供所提取的圖案；知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)，用以存儲(chǔ)基準(zhǔn)圖案；圖案匹配模塊，用以比較所提取的圖案和存儲(chǔ)在所述知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)中的所述基準(zhǔn)圖案；指令發(fā)生器，用以取出給定問(wèn)題的補(bǔ)救方案，并為所述布局修改/壓縮引擎創(chuàng)建指令或其邏輯組合。
51.權(quán)利要求50的系統(tǒng)，其中所述知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)有問(wèn)題的圖案以及適用于相關(guān)設(shè)計(jì)和制造技術(shù)的關(guān)聯(lián)補(bǔ)救解決方案的綜合集。
52.權(quán)利要求51的系統(tǒng)，其中所述解決方案通過(guò)仿真來(lái)確定或以實(shí)驗(yàn)的方式獲得。
53.權(quán)利要求39的系統(tǒng)，其中所述輸出設(shè)計(jì)布局被輸入到促成掩模定案的設(shè)計(jì)流程中。
54.權(quán)利要求13的方法，進(jìn)一步包括以下步驟為所述細(xì)化的設(shè)計(jì)輸入設(shè)計(jì)布局?jǐn)?shù)據(jù)；輸入工藝模型或工藝模型集，以便為了可制造性評(píng)價(jià)的目的而提供圖案?jìng)鬟f工藝的描述；使用所述工藝模型或所述工藝模型集來(lái)對(duì)所述輸入的設(shè)計(jì)布局建模，以便預(yù)測(cè)晶片上的布局圖案配置；從所述仿真模型提取各種可制造性參數(shù)值；輸入可制造性參數(shù)容限以指定制造約束或產(chǎn)出目標(biāo)；比較所提取的可制造性參數(shù)值和所述可制造性容限值；關(guān)于所提取的可制造性參數(shù)值，確定是否滿(mǎn)足所述可制造性容限；如果檢測(cè)到任何可制造性參數(shù)值超出容限，將識(shí)別為可制造性“弱點(diǎn)”的對(duì)應(yīng)位置連同相關(guān)聯(lián)的非順從屬性一起存儲(chǔ)；確定在影響范圍內(nèi)的所述“弱點(diǎn)”的所述非順從屬性與布局圖案的局部化幾何配置之間的關(guān)系，并產(chǎn)生布局修改指令和規(guī)則；輸入在所述輸入設(shè)計(jì)布局的設(shè)計(jì)中應(yīng)用的設(shè)計(jì)規(guī)則；基于所述布局修改指令和規(guī)則，為所述可制造性“弱點(diǎn)”找到優(yōu)化解決方案；以及如果滿(mǎn)足所述可制造性容限或者如果滿(mǎn)足預(yù)定的限制準(zhǔn)則，則輸出一輸出設(shè)計(jì)布局；由此，生成具有增強(qiáng)的可制造性的集成電路設(shè)計(jì)。
55.權(quán)利要求54的方法，其中所述輸入設(shè)計(jì)布局?jǐn)?shù)據(jù)是GDS或OASIS文件形式的設(shè)計(jì)定案。
56.權(quán)利要求54的方法，其中所述工藝模型或所述工藝模型集包括數(shù)據(jù)，所述數(shù)據(jù)包括與以下之一相關(guān)的數(shù)據(jù)基本光學(xué)模型；光學(xué)模型與其它物理模型比如相關(guān)聯(lián)的光阻劑工藝、蝕刻等的組合；經(jīng)驗(yàn)性校準(zhǔn)的工藝模型；浸漬光刻模型；極UV光刻模型；或非光學(xué)模型。
57.權(quán)利要求54的方法，其中所述可制造性參數(shù)包括數(shù)值，比如關(guān)鍵尺度、圖像對(duì)比、圖像對(duì)數(shù)斜率、掩模錯(cuò)誤增強(qiáng)因子(MEEF)、聚焦深度(DOF)、曝光寬容度(EL)；或者更復(fù)雜的可制造性定量描述，比如工藝窗口(PW)。
58.權(quán)利要求57的方法，其中可在具有用戶(hù)或算法指定的或者另外是任意的粒度的離散評(píng)價(jià)點(diǎn)處評(píng)價(jià)所述可制造性參數(shù)，或者在充分包含圖案可印刷性信息的其它更復(fù)雜的定量術(shù)語(yǔ)比如打印圖像的輪廓、強(qiáng)度、圖像斜率等中描述所述可制造性參數(shù)。
59.權(quán)利要求54的方法，其中所述可制造性參數(shù)容限是由具有制造工藝經(jīng)驗(yàn)的用戶(hù)指定或者通過(guò)自動(dòng)確定所述容限的最佳值的優(yōu)化工具來(lái)計(jì)算。
60.權(quán)利要求54的方法，進(jìn)一步包括在識(shí)別和捕獲“弱點(diǎn)”后對(duì)存儲(chǔ)在所述數(shù)據(jù)庫(kù)中的所述“弱點(diǎn)”進(jìn)行預(yù)處理和分類(lèi)的步驟。
61.權(quán)利要求60的方法，其中所述“弱點(diǎn)”是基于其屬性比如沖突類(lèi)型或者幾何或物理配置來(lái)分類(lèi)。
62.權(quán)利要求54的方法，其中用于所述布局的優(yōu)化解決方案是基于所述接收的修改指令和規(guī)則的相對(duì)優(yōu)先級(jí)來(lái)找到的。
63.權(quán)利要求54的方法，其中在影響范圍內(nèi)確定所述“弱點(diǎn)”的所述非順從屬性與所述布局圖案的局部化幾何配置之間的關(guān)系并產(chǎn)生布局修改指令和規(guī)則的步驟包括使用可制造性“弱點(diǎn)”屬性連同局部化的布局幾何配置一起來(lái)定義與給定的“弱點(diǎn)”相關(guān)的變量；定義足以建立非順從可制造性參數(shù)和所述布局變量之間關(guān)系的變量偏差設(shè)置；基于所述工藝模型或所述工藝模型集以及所述變量偏差設(shè)置來(lái)計(jì)算所擾動(dòng)的布局的晶片上表示；分析所述輸出的晶片上的圖案并計(jì)算所述非順從可制造性參數(shù)和所述布局變量之間的功能關(guān)系。
64.權(quán)利要求63的方法，進(jìn)一步包括在所述布局的稀疏區(qū)域中添加輔助/虛特征以便優(yōu)化圖像干涉效果的步驟。
65.權(quán)利要求54的方法，其中確定在影響范圍內(nèi)的所述“弱點(diǎn)”的所述非順從屬性與所述布局圖案的局部化幾何配置之間的關(guān)系并產(chǎn)生布局修改指令和規(guī)則的步驟包括處理所述輸入的設(shè)計(jì)布局、捕獲所述布局的局部化屬性并且定義布局變量以提供所提取的圖案；提供知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)以存儲(chǔ)基準(zhǔn)圖案；比較所述提取的圖案和存儲(chǔ)在所述知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)中的所述基準(zhǔn)圖案；取出對(duì)于所述給定問(wèn)題的補(bǔ)救解決方案，并創(chuàng)建指令或其邏輯組合。
66.權(quán)利要求65的方法，其中所述知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)有問(wèn)題的圖案以及適用于相關(guān)設(shè)計(jì)和制造技術(shù)的關(guān)聯(lián)補(bǔ)救解決方案的綜合集。
67.權(quán)利要求66的方法，其中所述解決方案通過(guò)仿真來(lái)確定或以實(shí)驗(yàn)的方式獲得。
68.權(quán)利要求54的方法，進(jìn)一步包括重復(fù)所述建模及隨后步驟以保證沒(méi)有剩下額外“弱點(diǎn)”的步驟。
69.權(quán)利要求68的方法，進(jìn)一步包括繼續(xù)迭代地執(zhí)行所述建模及隨后步驟直到?jīng)]有剩下“弱點(diǎn)”為止或直到完成預(yù)定數(shù)量的迭代為止的步驟。
70.權(quán)利要求54的方法，進(jìn)一步包括將所述設(shè)計(jì)布局輸出到促成掩模定案的設(shè)計(jì)流程中的步驟。
71.權(quán)利要求6的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括用于為所述細(xì)化的設(shè)計(jì)輸入設(shè)計(jì)布局?jǐn)?shù)據(jù)的裝置；圖案提取器模塊，用以處理所述輸入的設(shè)計(jì)布局和捕獲所述布局的局部化屬性；知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)，用以存儲(chǔ)基準(zhǔn)圖案；圖案匹配模塊，用以比較所提取的圖案和存儲(chǔ)在所述知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)中的所述基準(zhǔn)圖案；指令發(fā)生器，用以取出給定問(wèn)題的補(bǔ)救解決方案，并創(chuàng)建指令或其邏輯組合；布局修改/壓縮引擎，用以基于所述布局修改指令和規(guī)則，為所述可制造性找到優(yōu)化解決方案；以及用于輸出一輸出設(shè)計(jì)布局的裝置；由此，所述集成電路設(shè)計(jì)具有增強(qiáng)的可制造性。
72.權(quán)利要求71的系統(tǒng)，其中所述知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)有問(wèn)題的圖案以及適用于相關(guān)設(shè)計(jì)和制造技術(shù)的關(guān)聯(lián)補(bǔ)救方案的綜合集。
73.權(quán)利要求72的系統(tǒng)，其中所述解決方案通過(guò)仿真來(lái)確定或以實(shí)驗(yàn)的方式獲得。
74.權(quán)利要求13的方法，進(jìn)一步包括以下步驟為所述細(xì)化的設(shè)計(jì)輸入設(shè)計(jì)布局?jǐn)?shù)據(jù)；處理所述輸入的設(shè)計(jì)布局和捕獲所述布局的局部化屬性；提供知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)以存儲(chǔ)基準(zhǔn)圖案；比較所提取的圖案和存儲(chǔ)在所述知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)中的所述基準(zhǔn)圖案；取出對(duì)于給定問(wèn)題的補(bǔ)救解決方案，并創(chuàng)建指令或其邏輯組合?；谒霾季中薷闹噶詈鸵?guī)則，為所述可制造性找到優(yōu)化解決方案；以及輸出一輸出設(shè)計(jì)布局；由此，增強(qiáng)所述集成電路設(shè)計(jì)的可制造性。
75.權(quán)利要求74的方法，其中所述知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)有問(wèn)題的圖案以及適用于相關(guān)設(shè)計(jì)和制造技術(shù)的關(guān)聯(lián)補(bǔ)救方案的綜合集。
76.權(quán)利要求75的方法，其中所述解決方案通過(guò)仿真來(lái)確定或以實(shí)驗(yàn)的方式獲得。
全文摘要
公開(kāi)了一種用于集成電路設(shè)計(jì)的方法和系統(tǒng)，用以通過(guò)產(chǎn)生捕獲局部化布局需求的分級(jí)設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)增強(qiáng)電路布局的可制造性。與應(yīng)用全局設(shè)計(jì)規(guī)則的常規(guī)技術(shù)相比，所公開(kāi)的IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)和方法基于指定的布局和集成電路屬性，將原始設(shè)計(jì)布局分成期望的粒度水平。在該局部化的水平，適當(dāng)調(diào)整設(shè)計(jì)規(guī)則以從可制造性的觀點(diǎn)來(lái)捕獲關(guān)鍵方面。這些經(jīng)調(diào)整的設(shè)計(jì)規(guī)則然后用來(lái)執(zhí)行局部化布局操縱和掩模數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換。
文檔編號(hào)G06F17/50GK1834969SQ20061000831
公開(kāi)日2006年9月20日 申請(qǐng)日期2006年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月18日
發(fā)明者阿爾緬·克羅揚(yáng), 張幼平, 埃特蘇亞·莫里塔, 阿德里亞努斯·利格滕伯格 申請(qǐng)人:達(dá)酷美科技公司