專利名稱：坐標檢測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于檢測輸入位置的坐標的坐標檢測裝置。
背景技術(shù)：
觸摸面板在許多情況下被用作計算機系統(tǒng)的輸入設(shè)備。觸摸面板 被安裝于顯示器上，對顯示器上的坐標位置進行檢測，并取得與坐標 位置相對應的檢測信號。觸摸面板允許進行坐標位置的簡單而直觀的 輸入。
觸摸面板有各種類型，諸如電阻膜型、光學型、電容耦合型等。 在這些類型中，電阻膜觸摸面板因其具有簡單的結(jié)構(gòu)和簡單的控制系 統(tǒng)而被許多情況所使用。
電阻膜觸摸面板包括在低電阻類型的，并被分類為四線系統(tǒng)、五 線系統(tǒng)、八線系統(tǒng)等。
其中，與使用四線系統(tǒng)、八線系統(tǒng)的電阻膜觸摸面板相比，使用 五線系統(tǒng)的電阻膜觸摸面板(以下稱為五線電阻膜觸摸面板)具有配 置在操作面一側(cè)的上部基板的導電膜，該導電膜專用于讀取電位。因 此，五線電阻膜觸摸面板不存在邊緣滑動的問題，這一問題是四線系 統(tǒng)、八線系統(tǒng)等其他系統(tǒng)中存在的缺點。這樣，五線電阻膜觸摸面板 可以用于要求嚴格的使用環(huán)境、長期的服務壽命的應用中。
圖1示出五線電阻膜觸摸面板的結(jié)構(gòu)圖。五線電阻膜觸摸面板l
包括上部基板11和下部基板12。在下部基板12的玻璃基板21的整 個表面上形成了透明電阻膜22，在透明電阻膜22上形成了 X軸坐標 檢測電極23、 24以及Y軸坐標檢測電極25、 26。另外，在上部基板 11的膜基板31上形成了透明電阻膜32，在透明電阻膜32上形成了 坐標檢測電才及33。首先，對X軸坐標檢測電極23、 24施加電壓，從而在下部基板 12的透明電阻膜22中在X軸方向上發(fā)生電位分布。因此，通過檢測 下部基板12的透明電阻膜22上的電位，可以檢測上部基板11與下 部基板12相接觸的位置的X坐標。接下來，對Y軸坐標檢測電極25、 26施加電壓，從而在下部基板12的透明電阻膜22中在Y軸方向上 發(fā)生電位分布。因此，通過檢測下部基板12的透明電阻膜22上的電 位，可以檢測上部基板11與下部基板12相接觸的位置的Y坐標。
對于這種觸摸面板來說，如何在下部基板12的透明電阻膜22 中均勻地發(fā)生電位分布成為課題。為了使下部基板12的透明電阻膜 22中的電位分布均勻化，提出了在下部基板12的外圍設(shè)置多個電位 分布校正圖案的方案(參見專利文獻l)。
另外，提出了設(shè)置圍繞輸入表面的公共電極的方案(參見專利文 獻2)。還提出了在設(shè)置于透明電阻膜上的絕緣膜中形成開口部，并 從形成該開口部的部分供給電位的方案(參見專利文獻3)。
專利文獻1:日本特開平10-83251號公報
專利文獻2:日本特開2001-125724號乂>才艮
專利文獻3:日本特開2007-25904號公報
由于搭栽坐標輸入裝置的裝置的小型化，要求坐標輸入裝置具有 更小的外部邊框結(jié)構(gòu)。然而，現(xiàn)有的坐標輸入裝置由于需要在外圍設(shè) 置多個電位分布圖案，所以其外部邊框的尺寸難以減小。
另外，在設(shè)置圍繞輸入表面的公共電極的方法中，存在以下問題， 即如果不將透明電阻膜的電阻與圖案電阻器的電阻之間的電阻比設(shè) 定得足夠大，則透明電阻膜的電位分布會變得不均勻。
在絕緣膜中設(shè)置開口部的方法雖然可以解決上述問題，但制造工 藝變得復雜，尤其是因材料和制造工藝的偏差造成的電阻值的偏差會 破壞產(chǎn)品性能，這會降低成品率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種解決了上述問題的坐標檢測裝置。本發(fā)明的更加具體的目的在于提供一種具有減小了的邊框尺寸 并能夠以改善了的檢測精度檢測坐標位置的坐標檢測裝置。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種坐標檢測裝置，具有電阻膜， 形成在絕緣材料制的基板上；公共電極，被配置為對上述電阻膜施加 電壓，該公共電極沿多個電阻膜去除區(qū)域延伸，該多個電阻膜去除區(qū) 域是通過去除了上述電阻膜的一部分而形成的；以及電壓施加部，被 配置為對上述公共電極施加電壓，其中從上述電壓施加部經(jīng)由上述公 共電極對上述電阻膜施加電壓，以在上述電阻膜中發(fā)生電位分布；其 中，通過檢測上述電阻膜的接觸位置處的電位，來檢測上述電阻膜的 接觸位置的坐標位置。
根據(jù)上述的發(fā)明，能夠使通過施加電壓而在上述電阻膜中產(chǎn)生的 電位分布均勻，從而能夠?qū)崿F(xiàn)精確的坐標檢測。
實施方式的目的和有益效果將通過所附的權(quán)利要求所具體記載 的要素及其組合而實現(xiàn)和獲得。
應該理解的是，前述的發(fā)明內(nèi)容以及下述的具體實施方式
僅是示 例性的說明，而并對所要求保護的發(fā)明構(gòu)成限制。


圖1是五線電阻膜觸摸面板的分解透視圖。
圖2是本發(fā)明的第一實施方式的坐標檢測裝置的分解透視圖。
圖3A是圖2中的下部基板的俯^L圖。
圖3B是沿圖3A的I-I線截取的剖面圖。
圖3C是沿圖3A的II-II線截取的剖面圖。
圖3D是沿圖3A的III-III線截取的剖面圖。
圖3E是沿圖3A的IV-IV線截取的剖面圖。
圖4A是說明電阻膜去除區(qū)域的節(jié)距的圖。
圖4B是說明電阻膜去除區(qū)域的節(jié)距的圖。
圖5A是圖2中的上部基板的俯視圖。
圖5B是圖2中的上部基板的側(cè)視圖。
7圖6是圖2所示的接口板所執(zhí)行的處理的流程圖。
圖7A表示了圖2所示的下部基板中，在X坐標檢測中的電位分布。
圖7B表示了圖2所示的下部基板中，在Y坐標檢測中的電位分布。
圖8A是電阻膜去除區(qū)域和公共電極的第一例的俯視圖。 圖8B是電阻膜去除區(qū)域和公共電極的第二例的俯視圖。 圖8C是電阻膜去除區(qū)域和公共電極的第三例的俯視圖。 圖9A是電阻膜去除區(qū)域和公共電極的第四例的俯視圖。 圖9B是電阻膜去除區(qū)域和公共電極的第五例的俯視圖。 圖9C是電阻膜去除區(qū)域和公共電極的第六例的俯視圖。 圖10A 10F是說明圖2所示的下部基板的制造工藝的工序圖。
具體實施例方式
接下來，參照附圖，對本發(fā)明的具體實施方式
進行說明。 (第一實施方式)
下面對本發(fā)明的第一實施方式進行說明。
圖2是本發(fā)明的第一實施方式的坐標檢測裝置的分解透視圖。圖 2所示的坐標檢測裝置是具有五線模擬電阻膜型觸摸面板的坐標輸入 系統(tǒng)100。本實施方式中的坐標輸入系統(tǒng)100包括面板部111和接口 板112。
面板部111包括下部基板121、上部基板122、間隔件123、 FPC 電纜124。下部基板121與上部基板122經(jīng)由間隔件123接合在一起。 間隔件123例如由絕緣性的雙面膠帶制成，以在下部基板121與上部 基板122之間具有規(guī)定的間隙的方式將下部基板121與上部基板122 相接合。FCP電纜124具有在柔性印刷電路板上形成有第一 第五布 線的結(jié)構(gòu)。FCP電纜124通過將各向異性導電膜熱壓鍵合在下部基板 121上而連接至下部基板121。
下面對下部基板121進行說明。圖3A是下部基板121的俯視圖。圖3B是沿圖3A中的線I-I截取的剖面圖。圖3C是沿圖3A中的線 II-II截取的剖面圖。圖3D是沿圖3A中的線III-III截取的剖面圖。 圖3E是沿圖3A中的線IV-IV截取的剖面圖。
下部基板121包括玻璃基板131、透明電阻膜132、電阻膜去除 區(qū)域133、公共電極134、第一絕緣膜135、布線136、以及第二絕緣 膜137。透明電阻膜132形成在玻璃基板131的大致整個表面上。透 明電阻膜132例如由通過真空淀積法所淀積的ITO (Indium Tin Oxide，氧化銦錫)形成。透明電阻膜132有預定的電阻并透射可見 光域的光。在本實施方式中，不將電阻膜去除區(qū)域133中的透明電阻 膜132全部去除。在殘留于電阻膜去除區(qū)域133中的透明電阻膜132 的一部分與處于電阻膜去除區(qū)域133外部的透明電阻膜132的一部分 之間形成電絕緣。通過將殘留于電阻膜去除區(qū)域133中的透明電阻膜 132的一部分與處于電阻膜去除區(qū)域133外部的透明電阻膜132的一 部分電絕緣開來，可以獲得與將電阻膜去除區(qū)域133內(nèi)的透明電阻膜 全部去除時所獲得的相同的效果；據(jù)此，由于所要去除的透明電阻膜 132的量小，所以改善了生產(chǎn)能力。
電阻膜去除區(qū)域133設(shè)置在玻璃基板131的形成有公共電極134 的邊緣區(qū)域中。具體而言，在透明電阻膜132中形成有電阻膜去除區(qū) 域133的部分之上，形成有^^共電極134。由此，相鄰的電阻膜去除 區(qū)域133之間的透明電阻膜132與公共電極134被相互連接，從而形 成電位供給部141。在本實施方式中，如圖4A所示，相鄰的電阻膜 去除區(qū)域133間的間隔W相等。即，如下所述，電位供給部141具 有相同的寬度。第一邊171-1、第二邊171-2、第三邊171-3、第四邊 171-4每個的兩端附近的電阻膜去除區(qū)域133的節(jié)距大；而朝著第一 邊171-1、第二邊171-2、第三邊171-3、第四邊171-4每個的中心， 節(jié)距逐漸減小。具體而言，從每個邊的兩端朝向中心部，節(jié)距Pl、 P2、 P3、 P4…逐漸減小(P1>P2>P3>P4...)。
電位供給部141形成在相鄰的電阻膜去除區(qū)域133之間的透明電 阻膜132與公共電極134的接觸區(qū)域中。在本實施方式中，如圖4B
9所示，電位供給部141在第一邊171-1、第二邊171-2、第三邊171-3、 第四邊171-4每個的兩端附近以大的節(jié)距形成，而在這些邊的中央部 以小的節(jié)距形成。根據(jù)電位供給部141的上述結(jié)構(gòu)，可以抑制第一邊 171-1、第二邊171-2、第三邊171-3、第四邊171-4處的電位分布的畸 變，使得透明電阻膜132中的電位分布能夠均勻化。據(jù)此，可以實現(xiàn) 準確的坐標位置檢測。
電位供給部141的結(jié)構(gòu)不限于圖4B所示的結(jié)構(gòu)，也可以是去除 了透明電阻膜132的一部分而使得透明電阻膜132與公共電極134間 的接觸面積在第一邊171-1、第二邊171-2、第三邊171-3、第四邊171-4 每個的兩端附近窄、而在這些邊的中央部寬的任何結(jié)構(gòu)。
公共電極134例如由Ag-C制成，且形成在電阻膜去除區(qū)域133 中以及電阻膜去除區(qū)域133之間。
第 一絕緣膜135以覆蓋公共電極134的方式層疊形成在電阻膜去 除區(qū)域133中。在下部基板121的四個角部，分別形成有四個貫通孔 151-1至151-4。貫通孔151-1至151-4構(gòu)成驅(qū)動電壓施加部。
笫一布線136-1由諸如Ag等低電阻材料制成，且沿著下部基板 121的第一邊171-1形成在第一絕緣膜135上。第一布線136-1形成 為填充第一貫通孔151-1，并與FPC電纜124的第一布線相連接。
第二布線136-2由諸如Ag等低電阻材料制成，且沿著下部基板 121的與第一邊171-1對置的第二邊171-2形成在第一絕緣膜135上。 第二布線136-2形成為填充第二貫通孔151-2，并與FPC電纜124的 第二布線相連接。
第三布線136-3由諸如Ag等低電阻材料制成，且沿著下部基板 121的與第一邊171-1、第二邊171-2正交的第三邊171-3在第二邊 171-2 —側(cè)的一半形成在第一絕緣膜135上。第三布線136-3形成為 填充第三貫通孔151-3,并與FPC電纜124的第三布線相連接。
第四布線136-4由諸如Ag等低電阻材料制成，且沿著下部基板 121的與第一邊171-1、第二邊171-2正交的第三邊171-3在第一邊 171-1 —側(cè)的一半形成在第一絕緣膜135上。第四布線136-4形成為填充第四貫通孔151-4，并與FPC電纜124的第四布線相連接。
第二絕緣膜137形成在第一絕緣膜135的上以覆蓋第一布線 136-1、第二布線136-2、第三布線136-3、以及第四布線136-4。上部 基板122經(jīng)由間隔件123而與在第二絕緣膜137相接合。
接下來，參照圖5A和圖5B對上部電極122的結(jié)構(gòu)進行說明。 上部基板122包括膜基板211、透明電阻膜212、以及電極213。膜基 板211由諸如PET膜等柔性的樹脂膜制成。透明電阻膜212形成在 膜基板211的與下部基板121相對置的一側(cè)的整個面上。透明電阻膜 212由諸如ITO等透明導電材料制成。電極213設(shè)置在透明電阻膜212 上，在上部基板122沿XI方向的端部處，并與經(jīng)由觸點(未圖示) 與下部基板121相連接的FPC電纜124的第五布線相連接。通過使 用上部基板122作為探針并利用接口板112檢測下部基板121的電位， 可以檢測坐標位置。
接下來，對檢測本實施方式的坐標檢測裝置中的坐標位置的步驟 進行說明。
圖6示出了由接口板112執(zhí)行的處理的流程圖。圖7A和圖7B 示出了下部基板121的電位分布。圖7A示出X坐標檢測時的電位分 布，圖7B示出了 Y坐標檢測時的電位分布。
在步驟Sl-l中，接口板112對第一布線136-1以及第二布線136-2 施加電壓Vx，將第三布線136-3、第四布線136-4接地。由此，在透 明電阻膜132中產(chǎn)生圖7A中用虛線表示的均勻的電位分布。要注意 的是，在現(xiàn)有裝置中產(chǎn)生的電位分布如圖7A中用單點劃線表示的那 樣產(chǎn)生畸變。將本實施方式的坐標檢測裝置中產(chǎn)生的電位分布與在現(xiàn) 有裝置中產(chǎn)生的電位分布相比較可知，本實施方式的坐標檢測裝置可 以實現(xiàn)準確的X坐標檢測。
接下來，接口板112在步驟Sl-2中檢測下部基板121的電位， 并在步驟Sl-3中根據(jù)下部基板121的電位檢測X坐標。
接下來，接口板112在步驟Sl-4中對第一布線136-1以及第四 布線136-4施加電壓Vy，將第二布線136-2、第三布線136-3接地。由此，可以在透明電阻膜132中產(chǎn)生圖7B中用虛線表示的那樣的均 勻的電位分布。要注意的是，在現(xiàn)有裝置中產(chǎn)生的電位分布如圖7B 中用單點劃線表示的那樣產(chǎn)生畸變。將本實施方式的坐標檢測裝置中 產(chǎn)生的電位分布與在現(xiàn)有裝置中產(chǎn)生的電位分布相比較可知，本實施 方式的坐標檢測裝置可以實現(xiàn)準確的Y坐標檢測。
接著，接口板112在步驟Sl-5中檢測下部基板121的電位，在 步驟Sl-6中根據(jù)下部基板121的電位檢測X坐標。
根據(jù)本實施例，由于笫一 第四布線136-1-136-4層疊在公共 電極134上，所以減小了面板部121的外部尺寸，使得坐標檢測裝置 能夠小型化。另外，由于可以使通過電源供給部141供電而在下部基 板121的透明電阻膜132中產(chǎn)生的電位分布在檢測區(qū)域中均勻，所以 可以實現(xiàn)準確的坐標檢測。
在上述實施例中，對五線電阻膜模擬觸摸面板進行了說明，但本 發(fā)明不限于五線電阻膜模擬觸摸面板，也可以適用于諸如四線電阻膜 觸摸面板、七線電阻膜觸摸面板等其他觸摸面板。 (第二實施方式)
下面說明本發(fā)明的第二實施方式的坐標檢測裝置。在第二實施方 式中，電阻膜去除區(qū)域133的圖案、以及電源供給部141的圖案與第 一實施方式中的不同。另外，在第二實施方式中，電阻膜去除區(qū)域133 與7>共電極134不相互重疊。
圖8A是電阻膜去除區(qū)域133和公共電極134的第 一例的俯視圖。 在圖8A中，電阻膜去除區(qū)域133的形狀相同，且具有相同的寬度 WH。電阻膜去除區(qū)域133 ^皮形成為在第一邊171-1、第二邊171-2、 第三邊171-3、第四邊171-4每個的兩端部附近具有小的節(jié)距PE1， 而在每個邊的中間部具有大的節(jié)距PE2。這樣，通過在形成有電阻膜 去除區(qū)域133的透明電阻膜132上形成公共電極134，可以形成電位 供給部141使得透明電阻膜132與公共電極134接觸的面積在每個邊 的兩端處窄、而在每個邊的中間部寬。因此，可以抑制在面板部121 的第一邊171-1、第二邊171-2、第三邊171-3、第四邊171-4每一個的兩端部附近的電位分布的畸變，使透明電阻膜132中的電位分布均 勻化。據(jù)此，可以實現(xiàn)準確的坐標檢測。
圖8B是電阻膜去除區(qū)域133和公共電極134的第二例的俯視圖。 在圖8B中，以使電位供給部141具有相同寬度E的方式形成電阻膜 去除區(qū)域133。為了形成具有相同寬度E的電位供給部141，電阻膜 去除區(qū)域133被形成為在第一邊171-1、第二邊171-2、第三邊171-3、 第四邊171-4每個的兩端部附近具有大的節(jié)距PH1，而在每個邊的中 間部具有小的節(jié)距PH2。這樣，通過在形成有電阻膜去除區(qū)域133的 透明電阻膜132之上形成公共電極134，可以形成電位供給部141使 得由透明電阻膜132與公共電極134形成的電位供給部141的面積相 同、但電位供給部141在每個邊的兩端部附近形成得稀疏而在每個邊 的中間部形成得稠密。由此，可以抑制在面板部121的第一邊171-1、 第二邊171-2、第三邊171-3、第四邊171-4每個的兩端部附近的電位 分布的畸變，使透明電阻膜132中的電位分布均勻化。據(jù)此，可以實 現(xiàn)正確的坐標檢測。
圖8C是電阻膜去除區(qū)域133和公共電極134的第三例的俯視圖。 在圖8C中，電阻膜去除區(qū)域133被形成為具有相同的節(jié)距PT，而電 阻膜去除區(qū)域133被形成為在面板部121的第一邊171-1、第二邊 171-2、第三邊171-3、第四邊171-4每個的兩端部附近具有大的寬度 WH1而在每個邊的中間部具有小的寬度WH2。這樣，通過在如此形 成有電阻膜去除區(qū)域133的透明電阻層132上形成公共電極134，由 透明電阻膜132和公共電極134形成的電位供給部141的在面板部121 的每個邊的兩端部附近的寬度El小，而電位供給部141在每個邊的 中間部的寬度E2大。因此，電位供給部141在面板部121的每個邊 的兩端部附近面積小，而電位供給部141在每個邊的中間部面積大。 因此，可以抑制面玲反部121的第一邊171-1、第二邊171-2、第三邊 171-3、第四邊171-4每個的兩端部附近的電位分布的畸變，使透明電 阻膜132中的電位分布均勻化。據(jù)此，可以實現(xiàn)準確的坐標檢測。
圖9A是電阻膜去除區(qū)域133和公共電極134的第四例的俯視圖。在圖9A中，電阻膜去除區(qū)域133以及公共電極134沿在面板部121 的第一邊171-1、第二邊171-2、第三邊171-3、第四邊171-4每個處
向內(nèi)側(cè)方向彎曲的線排列。即，在各個邊的兩端部附近，電阻膜去除 區(qū)域133和公共電極134遠離面板部121的中心；而在每個邊的中間 部，電阻膜去除區(qū)域133和公共電極134靠近面板部121的中心。因 此，可以抑制面板部121的第一邊171-1、第二邊171-2、第三邊171-3、 第四邊171-4每個的兩端部附近的電位分布的畸變，使透明電阻膜132 中的電位分布均勻化。據(jù)此，可以實現(xiàn)準確的坐標檢測。
圖9B是電阻膜去除區(qū)域133和公共電極134的第五例的俯視圖。 在圖9B中，電阻膜去除區(qū)域133不與公共電極134重疊。電阻膜去 除區(qū)域133的圖案可以是第一例至第三例中的任意一種圖案。通過形 成上述的電阻膜去除區(qū)域133，在面板部121的第一邊171-1、第二邊 171-2、第三邊171-3、第四邊171-4每個的兩端部附近，電阻膜去除 區(qū)域133不易受到從公共電極134供給的電位的影響。而在每個邊的 中間部，電阻膜去除區(qū)域133傾向于受到從公共電極134供給的電位 的影響。因此，可以降低面才反部121的第一邊171-1、第二邊171-2、 第三邊171-3、第四邊171-4每個的兩端部附近的電位分布的畸變， 使透明電阻膜132中的電位分布均勻化。這樣，可以實現(xiàn)準確的坐標 檢測。在公共電極134與電阻膜去除區(qū)域133不相互重疊的情況下， 為了得到上述的效果，公共電極134與電阻膜去除區(qū)域133之間的間 隔S必須大于等于Omm且小于等于5mm。
圖9C是電阻膜去除區(qū)域133和公共電極134的第六例的俯視圖。 在圖9C中，在公共電極134的內(nèi)側(cè)上，形成有另外一組電阻膜去除 區(qū)域233 (第二電阻膜去除區(qū)域)。即，笫六例組合了上述的第一~ 第三例和第五例。因此，可以進一步抑制面板部121的第一邊171-1、 第二邊171-2、第三邊171-3、第四邊171-4每個的兩端部附近的電位 分布的畸變，使透明電阻膜132中的電位分布均勻化。這樣，可以實 現(xiàn)更加準確的坐標檢測。在圖9C中設(shè)置了一行第二電阻膜去除區(qū)域 233，但也可以在公共電極134的內(nèi)側(cè)進一步設(shè)置多行第二電阻膜去
14除區(qū)域233。
下面說明下部基板121的制造工藝。圖10A~圖IOF是用于說明 制造下部基板121的制造工序的圖。
首先，如圖10A所示，利用濺射法或真空氣相淀積法淀積諸如 ITO的材料，在玻璃基板131上形成透明電阻膜132。
接下來，如圖10B所示，在透明電阻膜132中形成電阻膜去除 區(qū)域133。具體而言，對透明電阻膜132中要將透明電阻膜132去除 的部分照射紫外線(UV)激光或紅外線激光，從而利用燒蝕或加熱 來去除透明電阻膜132?？梢酝ㄟ^在與電阻膜去除區(qū)域133相對應的 區(qū)域以外的區(qū)域中形成抗蝕劑圖案之后進行化學蝕刻以去除透明電 阻膜132，來形成電阻膜去除區(qū)域133。
然后，如圖IOC所示，利用Ag-C在透明電阻膜132上形成7>共 電極134。具體而言，利用絲網(wǎng)印刷法在透明電阻膜132上印刷包含 Ag-C的糊劑，然后對糊劑進行烘焙。由此，在相鄰的電阻膜去除區(qū) 域133之間的透明電阻膜132上形成電位供給部141。
接著，如圖IOD所示，形成具有第一~第四貫通孔151-1 ~ 151-4 的第一絕緣膜135。具體而言，在通過根據(jù)絲網(wǎng)印刷法的圖案印刷來 印刷了絕緣糊劑之后，對絕緣糊劑進行烘焙。
接下來，如圖IOE所示，在第一絕緣膜135上形成由Ag制成的 第一~第四布線136-1 ~ 136-4。具體而言，在通過才艮據(jù)絲網(wǎng)印刷法的 圖案印刷來印刷了導電糊劑之后，對導電糊劑進行烘焙。
接下來，如圖IOF所示，形成第二絕緣膜137。在通過根據(jù)絲網(wǎng) 印刷法的圖案印刷來印刷了絕緣糊劑之后，對絕緣糊劑進行烘焙。
通過執(zhí)行上述步驟，可以制作下部基板121。
權(quán)利要求
1.一種坐標檢測裝置，包括電阻膜，形成在絕緣材料制的基板上；公共電極，被配置為對上述電阻膜施加電壓，該公共電極沿多個電阻膜去除區(qū)域延伸，該多個電阻膜去除區(qū)域是通過去除了上述電阻膜的一部分而形成的；以及電壓施加部，被配置為對上述公共電極施加電壓，其中，從上述電壓施加部經(jīng)由上述公共電極對上述電阻膜施加電壓，以在上述電阻膜中產(chǎn)生電位分布；以及通過檢測上述電阻膜的接觸位置處的電位，來檢測上述電阻膜被接觸的位置的坐標位置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的坐標檢測裝置，其中，所述公共電極 在所述電阻膜去除區(qū)域中延伸。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的坐標檢測裝置，其中，所述公共電極 在所述電阻膜去除區(qū)域附近延伸，并且其中上述公共電極與上述電阻 膜去除區(qū)域之間的間隔大于等于0mm且小于等于5mm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項所述的坐標檢測裝置，其中， 在被上述公共電極圍繞的區(qū)域的內(nèi)側(cè)上，沿著上述公共電極形成有多個第二電阻膜去除區(qū)域，上述公共電極與上述第二電阻膜去除區(qū)域之間的間隔大于等于 0mm且小于等于5mm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1 ~4的任一項所述的坐標檢測裝置，還包括形 成在所述公共電極上的絕緣膜，所述絕緣膜具有位于所述公共電極的 預定位置處的貫通孔，以便于通過在所述貫通孔內(nèi)填充導電材料來形 成驅(qū)動電壓施加部，通過該驅(qū)動電壓施加部對電阻膜施加電壓。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1~5的任一項所述的坐標檢測裝置，其中， 所述電阻膜去除區(qū)域被配置為使得當通過所述電壓施加部對所述電阻膜施加電壓時，在所述電阻膜中產(chǎn)生均勻的電位分布。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的坐標檢測裝置，其中，所述電阻膜去除區(qū)域被配置為使得所述公共電極與所述電阻膜漸減小。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的坐標檢測裝置，其中， 所述電阻膜去除區(qū)域被配置為使得每單位長度上所述電阻膜去除區(qū)域的數(shù)量從所述基板的每個邊的中間部分向所述邊的兩端部減 少。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的坐標檢測裝置，其中， 分別形成有所述電阻膜去除區(qū)域的部分的節(jié)距相互相等，所述電阻膜去除區(qū)域被配置為使得在所述電阻膜中產(chǎn)生均勻的 電位分布。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的坐標檢測裝置，其中， 相鄰的所述電阻膜去除區(qū)域間的間隔相互相等， 分別形成有所述電阻膜去除區(qū)域的部分的節(jié)距被設(shè)置為使得在所述電阻膜中產(chǎn)生均勻的電位分布。
11. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的坐標檢測裝置，其中， 所述電阻膜去除區(qū)域具有相同的形狀，分別形成有所述電阻膜去除區(qū)域的部分的節(jié)距被設(shè)置為使得在 所述電阻膜中產(chǎn)生均勻的電位分布。
12. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的坐標檢測裝置，其中， 所述電阻膜去除區(qū)域沿彎曲的線排列。
13. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的坐標檢測裝置，其中， 相鄰的所述電阻膜去除區(qū)域間的間隔相互相等， 所述電阻膜去除區(qū)域的數(shù)量被設(shè)置為使得在所述電阻膜中產(chǎn)生均勻的電位分布。
14. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的坐標檢測裝置，其中， 所述電阻膜去除區(qū)域具有相同的形狀，所述電阻膜去除區(qū)域的數(shù)量被設(shè)置為使得在所述電阻膜中產(chǎn)生均勻的電位分布。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1~14的任一項所述的坐標檢測裝置，其中， 所述電阻膜由在可見光域透明的材料制成，所述電阻膜去除區(qū)域是通過照射紫外激光或紅外激光來去除電阻膜的一部分而形成的。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1~15的任一項所述的坐標檢測裝置，其中， 所述公共電極沿彎曲的線延伸。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1~16的任一項所述的坐標檢測裝置，其中， 殘留在相鄰的所述電阻膜去除區(qū)域之間的所述電阻膜的部分與所述電阻膜電絕緣。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1 ~ 17的任一項所述的坐標檢測裝置，還包括 隔著絕緣膜層疊在所述公共電極上的布線。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1~18的任一項所述的坐標檢測裝置，還包括 被配置為檢測坐標位置的電阻膜型或電容型的坐標檢測部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種坐標檢測裝置，其中，在絕緣材料制的基板上形成有電阻膜。公共電極對上述電阻膜施加電壓，該公共電極沿多個電阻膜去除區(qū)域延伸，該多個電阻膜去除區(qū)域是通過去除了上述電阻膜的一部分而形成的。電壓施加部對上述公共電極施加電壓。從上述電壓施加部經(jīng)由上述公共電極對上述電阻膜施加電壓，以在上述電阻膜中發(fā)生電位分布。通過檢測上述電阻膜的接觸位置處的電位，來檢測上述電阻膜的接觸位置的坐標位置。
文檔編號G06F3/045GK101566904SQ200910134590
公開日2009年10月28日 申請日期2009年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月23日
發(fā)明者中島孝, 關(guān)澤光洋, 古川正三, 近藤幸一 申請人:富士通電子零件有限公司