借助于存儲(chǔ)器通道關(guān)閉的功率節(jié)約的制作方法【專利摘要】本文描述了一種方法，方法包括決定進(jìn)入更低功率狀態(tài)，并且在響應(yīng)中關(guān)閉計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的一個(gè)存儲(chǔ)器通道，在所述響應(yīng)之后計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的其它存儲(chǔ)器通道保持活動(dòng)使得在該存儲(chǔ)器通道關(guān)閉時(shí)計(jì)算機(jī)保持運(yùn)轉(zhuǎn)?！緦＠f(shuō)明】[0001]借助于存儲(chǔ)器通道關(guān)閉的功率節(jié)約【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0002]本發(fā)明一般涉及計(jì)算機(jī)系統(tǒng)領(lǐng)域。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及用于實(shí)現(xiàn)多級(jí)存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)的設(shè)備和方法?！?br>背景技術(shù)：
】[0003]A.當(dāng)前存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)配置如今，計(jì)算機(jī)創(chuàng)新的限制因素之一是存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)技術(shù)。在常規(guī)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，系統(tǒng)存儲(chǔ)器(也稱為主存儲(chǔ)器、主要存儲(chǔ)器、可執(zhí)行存儲(chǔ)器）一般通過(guò)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM)實(shí)現(xiàn)?；贒RAM的存儲(chǔ)器即使在無(wú)存儲(chǔ)器讀取或?qū)懓l(fā)生時(shí)也耗能，這是因?yàn)樗仨毑粩酁閮?nèi)部電容器再充電?；贒RAM的存儲(chǔ)器是易失性的，這意味著一旦功率去除，在DRAM存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)便丟失。常規(guī)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)也依賴多個(gè)級(jí)別的緩存以改進(jìn)性能。緩存是高速存儲(chǔ)器，定位在處理器與系統(tǒng)存儲(chǔ)器之間以便以比從系統(tǒng)存儲(chǔ)器能夠服務(wù)于存儲(chǔ)器訪問(wèn)請(qǐng)求更快地服務(wù)于存儲(chǔ)器訪問(wèn)請(qǐng)求。此類緩存一般通過(guò)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM)實(shí)現(xiàn)。緩存管理協(xié)議可用于確保最經(jīng)常訪問(wèn)的數(shù)據(jù)和指令存儲(chǔ)在緩存的級(jí)別之一內(nèi)，由此降低存儲(chǔ)器訪問(wèn)事務(wù)的數(shù)量和改進(jìn)性能。[0004]關(guān)于大容量存儲(chǔ)裝置（也稱為次要存儲(chǔ)裝置或盤(pán)存儲(chǔ)裝置)，常規(guī)大容量存儲(chǔ)裝置一般包括磁性媒體(例如，硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器)、光學(xué)媒體(例如，壓縮盤(pán)（CD)驅(qū)動(dòng)器、數(shù)字多功能盤(pán)(DVD)等)、全息媒體和/或大容量存儲(chǔ)裝置閃存(例如，固態(tài)驅(qū)動(dòng)器（SSD)、可移動(dòng)閃存驅(qū)動(dòng)器等)。通常，由于由處理器通過(guò)實(shí)現(xiàn)各種I/O協(xié)議的各種I/O適配器訪問(wèn)這些存儲(chǔ)裝置，因此，將它們視為輸入/輸出（I/O)裝置。這些I/O適配器和I/O協(xié)議消耗大量的功率，并且能夠?qū)苄緟^(qū)域和平臺(tái)的形狀因子具有相當(dāng)大的影響。在未連接到永久性電源時(shí)具有有限電池壽命的便攜式或移動(dòng)裝置(例如，膝上型計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、平板計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理（PDA)、便攜式媒體播放器、便攜式游戲裝置、數(shù)碼相機(jī)、移動(dòng)電話、智能電話、功能電話等）可包括一般經(jīng)低功率互連和I/O控制器耦合到處理器以便滿足活動(dòng)和閑置功率預(yù)算的可移動(dòng)大容量存儲(chǔ)裝置(例如，嵌入式多媒體卡（eMMC)、安全數(shù)字（SD)卡)。[0005]關(guān)于固件存儲(chǔ)器(如引導(dǎo)存儲(chǔ)器(也稱為BIOS閃存)），常規(guī)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)一般使用閃存裝置存儲(chǔ)經(jīng)常讀取但很少(或從不)寫(xiě)的持久性系統(tǒng)信息。例如，處理器在引導(dǎo)過(guò)程(基本輸入輸出系統(tǒng)（BIOS)鏡像)期間為初始化關(guān)鍵系統(tǒng)組件執(zhí)行的初始指令一般存儲(chǔ)在閃存裝置中。市場(chǎng)上當(dāng)前可用的閃存裝置通常具有有限的速度(例如，50MHz)。此速度由用于讀取協(xié)議的開(kāi)銷(例如，2.5MHz)而進(jìn)一步降低。為加快BIOS執(zhí)行速度，常規(guī)處理器通常在引導(dǎo)過(guò)程的預(yù)可擴(kuò)展固件接口（PEI)階段期間緩存一部分BIOS代碼。處理器緩存的大小限制了PEI階段中使用的BIOS代碼(也稱為"PEIBIOS代碼"）的大小。[0006]B.相奪存儲(chǔ)器（PCM)和有關(guān)摶術(shù)有時(shí)也稱為相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（PRAM或PCRAM)、PCME、Ovonic統(tǒng)一存儲(chǔ)器或硫化物RAM(C-RAM)的相變存儲(chǔ)器（PCM)是利用硫化物玻璃的獨(dú)特行為的一種類型的非易失性計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器。由于電熱通過(guò)產(chǎn)生的熱，硫化物玻璃能夠在兩種狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換：結(jié)晶和非結(jié)晶。最近版本的PCM能夠?qū)崿F(xiàn)兩種另外的不同狀態(tài)。[0007]PCM提供比閃存更高的性能，這是因?yàn)镻CM的存儲(chǔ)器元素能夠更快地交換，寫(xiě)(將單獨(dú)的比特更改成1或〇)能夠進(jìn)行而無(wú)需先擦除單元的整個(gè)區(qū)塊，以及由寫(xiě)產(chǎn)生的退化更慢（PCM裝置可存活大約1億次寫(xiě)循環(huán)；PCM退化是由于在編程期間的熱膨脹、金屬(和其它材料）遷移及其它機(jī)制)?！緦＠綀D】【附圖說(shuō)明】[0008]下面的描述和附圖用于示出本發(fā)明的實(shí)施例。在圖中：圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的緩存和系統(tǒng)存儲(chǔ)器布置；圖2示出在本發(fā)明的實(shí)施例中采用的存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)；圖3示出具有系統(tǒng)存儲(chǔ)器的DRAM部分和系統(tǒng)存儲(chǔ)器的PCMS部分的存儲(chǔ)器計(jì)算系統(tǒng)；圖4示出用于關(guān)閉存儲(chǔ)器通道的方法；圖5示出用于重新激活存儲(chǔ)器通道的方法；圖6示出由功率管理系統(tǒng)使用的存儲(chǔ)器功率狀態(tài)表；圖7示出用于實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器通道的關(guān)閉/重新激活的組件?！揪唧w實(shí)施方式】[0009]在下面的描述中，陳述了許多特定的細(xì)節(jié)以便提供本發(fā)明更詳盡的理解，如邏輯實(shí)現(xiàn)、操作碼、指定操作數(shù)的方法、資源劃分/共享/復(fù)制實(shí)現(xiàn)、系統(tǒng)組件的類型和相互關(guān)系及邏輯劃分/集成選擇。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，可無(wú)需此類特定細(xì)節(jié)而實(shí)踐本發(fā)明。其它情況下，控制結(jié)構(gòu)、門(mén)級(jí)電路和全軟件指令序列未詳細(xì)示出以免混淆本發(fā)明。通過(guò)包括的描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員將能夠在沒(méi)有不當(dāng)實(shí)驗(yàn)的情況下實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)墓δ苄?。[0010]說(shuō)明書(shū)中對(duì)"一個(gè)實(shí)施例"、"一實(shí)施例"、"示例實(shí)施例"等的引用指所述實(shí)施例可包括特定特性、結(jié)構(gòu)或特征，但每個(gè)實(shí)施例可能不一定包括特定特性、結(jié)構(gòu)或特征。另外，此類詞語(yǔ)不一定指同一實(shí)施例。此外，在結(jié)合實(shí)某個(gè)實(shí)施例描述某個(gè)特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，認(rèn)為結(jié)合無(wú)論是否明確描述的其它實(shí)施例來(lái)實(shí)現(xiàn)此類特征、結(jié)構(gòu)或特性是在本領(lǐng)域技術(shù)人員的認(rèn)知之內(nèi)。[0011]在下面的說(shuō)明和權(quán)利要求中，可使用術(shù)語(yǔ)"耦合"和"連接"及其衍生詞。應(yīng)理解，這些術(shù)語(yǔ)無(wú)意作為彼此的同義詞。"耦合"用于指示可相互直接物理或電接觸或不直接物理或電接觸的兩個(gè)或更多個(gè)元素相互協(xié)作或交互。"連接"用于指示在相互耦合的兩個(gè)或更多個(gè)元素之間通信的建立。[0012]括號(hào)內(nèi)的文本和帶虛線邊的框(例如，大虛線、小虛線、點(diǎn)虛線、點(diǎn)）有時(shí)在本文中用于示出添加另外的特征到本發(fā)明的實(shí)施例的可選操作/組件。然而，此類符號(hào)不應(yīng)視為表示這些符號(hào)是僅有的選擇或可選操作/組件，和/或具有實(shí)線邊的框在本發(fā)明的某些實(shí)施例中不是可選的。[0013]介紹存儲(chǔ)器容量和性能要求隨著處理器核的增大數(shù)量和諸如虛擬化的新使用模型而繼續(xù)增大。另外，存儲(chǔ)器功率和成本已分別變成電子系統(tǒng)的總體功率和成本的相當(dāng)大成分。[0014]本發(fā)明的一些實(shí)施例通過(guò)在存儲(chǔ)器技術(shù)之間智能地細(xì)分性能要求和容量要求來(lái)解決上述挑戰(zhàn)。此方法的焦點(diǎn)是在使用更便宜和密集得多的非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(NVRAM)實(shí)現(xiàn)大塊的系統(tǒng)存儲(chǔ)器的同時(shí)，通過(guò)相對(duì)小量的相對(duì)更高速度存儲(chǔ)器(諸如DRAM)提供性能。下述本發(fā)明的實(shí)施例定義了為NVRAM的使用實(shí)現(xiàn)分層存儲(chǔ)器子系統(tǒng)組織的平臺(tái)配置。如下詳細(xì)所述，存儲(chǔ)器層級(jí)中NVRAM的使用也實(shí)現(xiàn)新使用，如擴(kuò)展引導(dǎo)空間和大容量存儲(chǔ)裝置實(shí)現(xiàn)。[0015]圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的緩存和系統(tǒng)存儲(chǔ)器布置。具體而言，圖1示出包括內(nèi)部處理器緩存120的集合、充當(dāng)可包括內(nèi)部緩存106和外部緩存107-109的遠(yuǎn)存儲(chǔ)器緩存121的"近存儲(chǔ)器"以及"遠(yuǎn)存儲(chǔ)器"122的存儲(chǔ)器層級(jí)。本發(fā)明的一些實(shí)施例中可用于"遠(yuǎn)存儲(chǔ)器"的一個(gè)特定類型的存儲(chǔ)器是非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器("NVRAM")。因此，下面提供了NVRAM的概述，之后是遠(yuǎn)存儲(chǔ)器和近存儲(chǔ)器的概述。[0016]A.非易失件隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（"NVRAM")存在用于NVRAM的許多可能技術(shù)選擇，包括PCM、相變存儲(chǔ)器和開(kāi)關(guān)（PCMS)(后者是前者的更具體實(shí)現(xiàn))、字節(jié)可尋址的持久性存儲(chǔ)器（BPRAM)、通用存儲(chǔ)器、Ge2Sb2Te5、可編程金屬化單元（PMC)、電阻存儲(chǔ)器（RRAM)、RESET(非結(jié)晶)單元、SET(結(jié)晶)單元、PCME、Ovshinsky存儲(chǔ)器、鐵電體存儲(chǔ)器(也稱為聚合物存儲(chǔ)器和聚（N-乙烯咔唑)）、鐵磁存儲(chǔ)器(也稱為自旋電子、SPRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩RAM)、STRAM(自旋隧穿RAM)、磁電阻存儲(chǔ)器、磁性存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM))及半導(dǎo)體氧化物氮化物氧化物半導(dǎo)體（S0N0S，也稱為介電存儲(chǔ)器)。[0017]對(duì)于在本申請(qǐng)中所述存儲(chǔ)器層級(jí)中的使用，NVRAM具有以下特性：⑴即使功率去除，它也保持其內(nèi)容，類似于在固態(tài)盤(pán)（SSD)中使用的FLASH存儲(chǔ)器，并且不同于易失性的SRAM和DRAM;(2)在閑置時(shí)比諸如SRAM和DRAM的易失性存儲(chǔ)器更低的功耗；(3)類似于SRAM和DRAM(也稱為隨機(jī)可尋址）的隨機(jī)訪問(wèn)；(4)在比SSD中發(fā)現(xiàn)的FLASH更低的粒度級(jí)別(例如，字節(jié)級(jí)別)可重寫(xiě)和可擦除(一次只能夠重寫(xiě)和擦除一個(gè)"區(qū)塊"-大小最小對(duì)于NORFLASH為64KB，并且對(duì)于NANDFLASH為16KB);(5)可用作系統(tǒng)存儲(chǔ)器并且被分配全部或一部分系統(tǒng)存儲(chǔ)器地址空間；(6)能夠使用事務(wù)協(xié)議(支持事務(wù)標(biāo)識(shí)符（ID)以區(qū)分不同事務(wù)，以便那些事務(wù)能夠無(wú)序完成的協(xié)議)通過(guò)總線耦合到處理器，并且允許在足夠小的粒度級(jí)別的訪問(wèn)以支持NVRAM作為系統(tǒng)存儲(chǔ)器的操作(例如，諸如64或128字節(jié)的緩存線大小)。例如，總線可以是存儲(chǔ)器總線(例如，諸如DDR3、DDR4的DDR總線)，通過(guò)其運(yùn)行與通常使用的非事務(wù)協(xié)議相反的事務(wù)協(xié)議。又如，總線可以是通常通過(guò)其運(yùn)行事務(wù)協(xié)議(本機(jī)事務(wù)協(xié)議）的總線，如PCIexpress(PCIE)總線、臺(tái)式管理接口（DMI)總線或利用事務(wù)協(xié)議和足夠小事務(wù)有效負(fù)載大小(例如，諸如64或128字節(jié)的緩存線大?。┑娜魏纹渌愋偷目偩€；以及(7)以下的一項(xiàng)或更多項(xiàng)：a)比諸如FLASH的非易失性存儲(chǔ)器/存儲(chǔ)技術(shù)更快的寫(xiě)速度；b)極高讀取速度（比FLASH更快并且接近或等于DRAM讀取速度）；c)直接可寫(xiě)(而不是在寫(xiě)數(shù)據(jù)前要求擦除(用1重寫(xiě))，象SSD中使用的FLASH存儲(chǔ)器一樣）；和/或d)故障前量級(jí)(例如，2或3)更高的寫(xiě)耐久性(不止是SSD中使用的引導(dǎo)ROM和FLASH)。[0018]如上所提及的，與必須一次重寫(xiě)和擦除一個(gè)完整"區(qū)塊"的FLASH存儲(chǔ)器不同，在任何給定實(shí)現(xiàn)中訪問(wèn)NVRAM的粒度級(jí)別可取決于特定存儲(chǔ)器控制器和特定存儲(chǔ)器總線或NVRAM耦合到的其它類型的總線。例如，在NVRAM用作系統(tǒng)存儲(chǔ)器的一些實(shí)現(xiàn)中，盡管固有的能力是在字節(jié)的粒度訪問(wèn)，但可在緩存線的粒度訪問(wèn)NVRAM(例如，64字節(jié)或128字節(jié)緩存線)，這是因?yàn)榫彺婢€是在存儲(chǔ)器子系統(tǒng)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的級(jí)別。因此，在存儲(chǔ)器子系統(tǒng)內(nèi)部署NVRAM時(shí)，可在與相同存儲(chǔ)器子系統(tǒng)中使用的DRAM(例如，"近存儲(chǔ)器"）相同的粒度級(jí)別訪問(wèn)它。即使如此，存儲(chǔ)器控制器和存儲(chǔ)器總線或其它類型的總線對(duì)NVRAM的訪問(wèn)的粒度級(jí)別小于閃存使用的區(qū)塊大小和I/O子系統(tǒng)的控制器和總線的訪問(wèn)大小的粒度級(jí)別。[0019]NVRAM也可包含耗損平衡算法以說(shuō)明在遠(yuǎn)存儲(chǔ)器級(jí)別的存儲(chǔ)區(qū)塊在多次寫(xiě)訪問(wèn)后開(kāi)始耗損的事實(shí)，特別是在可發(fā)生相當(dāng)大次數(shù)的寫(xiě)的情況下，如在系統(tǒng)存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)中。由于高循環(huán)計(jì)數(shù)區(qū)塊最可能以此方式耗損，因此，通過(guò)將高循環(huán)計(jì)數(shù)區(qū)塊的地址與低循環(huán)計(jì)數(shù)區(qū)塊交換，耗損均衡跨遠(yuǎn)存儲(chǔ)器單元擴(kuò)展寫(xiě)。注意，大多數(shù)地址交換一般對(duì)應(yīng)用是透明的，這是因?yàn)樗ㄟ^(guò)硬件、更低級(jí)別軟件(例如，低級(jí)別驅(qū)動(dòng)器或操作系統(tǒng)）或兩者的組合處理。[0020]B.遠(yuǎn)存儲(chǔ)器本發(fā)明的一些實(shí)施例的遠(yuǎn)存儲(chǔ)器122通過(guò)NVRAM實(shí)現(xiàn)，但不一定限于任何特定存儲(chǔ)器技術(shù)。遠(yuǎn)存儲(chǔ)器122在其特性和/或其在存儲(chǔ)器/存儲(chǔ)裝置層級(jí)中的應(yīng)用方面與其它指令和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器/存儲(chǔ)技術(shù)是可區(qū)分的。例如，遠(yuǎn)存儲(chǔ)器122不同于：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM)，可用于0級(jí)和1級(jí)內(nèi)部處理器緩存101a-b、102a-b、103a-b、103a-b和104a-b和由處理器核共享的更低級(jí)別緩存（LLC)105,內(nèi)部處理器緩存分別專用于每個(gè)處理器核101-104。[0021]動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM)，配置為處理器100內(nèi)部的緩存106(例如，與處理器100在相同管芯上）和/或配置為處理器外部的一個(gè)或更多個(gè)緩存107-109(例如，與處理器100在相同或不同封裝中）；以及應(yīng)用為大容量存儲(chǔ)裝置(未示出）的FLASH存儲(chǔ)器/磁盤(pán)/光盤(pán)；以及諸如FLSH存儲(chǔ)器或應(yīng)用為固件存儲(chǔ)器的其它只讀存儲(chǔ)器（ROM)的存儲(chǔ)器(能夠指引導(dǎo)R0M、BI0S閃存和/或TPM閃存）（未示出）。[0022]遠(yuǎn)存儲(chǔ)器122可用作由處理器100可直接尋址并且能夠與處理器充分保持一致的指令和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置，與應(yīng)用為大容量存儲(chǔ)裝置的FLASH/磁盤(pán)/光盤(pán)形成對(duì)比。另外，如上所述和如下面詳細(xì)描述的一樣，遠(yuǎn)存儲(chǔ)器122可位于存儲(chǔ)器總線上，并且可與存儲(chǔ)器控制器直接進(jìn)行通信，而存儲(chǔ)器控制器又直接與處理器100進(jìn)行通信。[0023]遠(yuǎn)存儲(chǔ)器122可與其它指令和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)(例如，DRAM)組合以形成混合存儲(chǔ)器(也稱為共處的PCM和DRAM;第一級(jí)別存儲(chǔ)器和第二級(jí)別存儲(chǔ)器；FLAM(FLASH和DRAM))。注意，作為系統(tǒng)存儲(chǔ)器的替代或附加，包括PCM/PCMS的至少一些上述技術(shù)可用于大容量存儲(chǔ)裝置，并且以此方式應(yīng)用時(shí)無(wú)需由處理器隨機(jī)可訪問(wèn)、字節(jié)可尋址或直接可訪問(wèn)。[0024]為便于解釋，術(shù)語(yǔ)NVRAM、PCM、PCMS和遠(yuǎn)存儲(chǔ)器可在下面的討論中互換使用。然而，應(yīng)認(rèn)識(shí)到的是，如上所述，不同技術(shù)也可用于遠(yuǎn)存儲(chǔ)器。此外，該NVRAM也不限于用作遠(yuǎn)存儲(chǔ)器。[0025]示范系統(tǒng)存儲(chǔ)器分配方案圖1示出在本發(fā)明的實(shí)施例中，如何相對(duì)于系統(tǒng)物理地址（SPA)空間116-119配置各種級(jí)別的緩存101-109。如所提及的，此實(shí)施例包括具有一個(gè)或更多個(gè)核101-104的處理器100,每個(gè)核具有其自己的專用上級(jí)緩存（L0)101a-104a和中級(jí)緩存（MLC)(L1)緩存101b-104b。處理器100也包括共享LLC105。這些各種緩存級(jí)別的操作已為人所熟知并且在本文中將不詳細(xì)描述。[0026]在圖1中示出的緩存107-109可專用于特定系統(tǒng)存儲(chǔ)器地址范圍或非連續(xù)地址范圍的集合。例如，緩存107專用于充當(dāng)用于系統(tǒng)存儲(chǔ)器地址范圍#1116的存儲(chǔ)器側(cè)緩存(MSC)，并且緩存108和109專用于充當(dāng)用于系統(tǒng)存儲(chǔ)器地址范圍#2117和#3118的非重疊部分的MSC。后面的實(shí)現(xiàn)可用于其中處理器100使用的SPA空間交錯(cuò)到緩存107-109(例如，在配置為MSC時(shí))使用的地址空間的系統(tǒng)。在一些實(shí)施例中，此后面的地址空間稱為存儲(chǔ)器通道地址（MCA)空間。在一個(gè)實(shí)施例中，內(nèi)部緩存101a-106為整個(gè)SPA空間執(zhí)行緩存操作。[0027]在本文中使用時(shí)，系統(tǒng)存儲(chǔ)器是處理器100上執(zhí)行的軟件可見(jiàn)和/或可直接尋址的存儲(chǔ)器；而高速緩沖存儲(chǔ)器101a-109可在以下意義中對(duì)軟件透明操作：表現(xiàn)在它們不形成系統(tǒng)地址空間的直接可尋址部分，而核也可支持指令的執(zhí)行以允許軟件提供某種控制(配置、策略、提示等)到一些或所有緩存。系統(tǒng)存儲(chǔ)器到區(qū)域116-119的細(xì)分可作為系統(tǒng)配置過(guò)程的一部分(例如，由系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員）手動(dòng)執(zhí)行和/或可由軟件自動(dòng)執(zhí)行。[0028]在一個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)存儲(chǔ)器區(qū)域116-119使用遠(yuǎn)存儲(chǔ)器(例如，PCM)實(shí)現(xiàn)，并且在一些實(shí)施例中，近存儲(chǔ)器配置為系統(tǒng)存儲(chǔ)器。系統(tǒng)存儲(chǔ)器地址范圍#4表示使用諸如DRMA的更高速存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)的地址范圍，更高速存儲(chǔ)器可以是在系統(tǒng)存儲(chǔ)器模式(不同于緩存模式）中配置的近存儲(chǔ)器。[0029]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，用于近存儲(chǔ)器144和NVRAM的存儲(chǔ)器/存儲(chǔ)裝置層級(jí)140和操作的不同可配置模式。存儲(chǔ)器/存儲(chǔ)裝置層級(jí)140具有多個(gè)級(jí)別，包括（1)緩存級(jí)別150,其可包括處理器緩存150A(例如，圖1中的緩存101A-105)和可選擇地包括作為用于遠(yuǎn)存儲(chǔ)器150B的緩存的近存儲(chǔ)器(在某些操作模式中），（2)系統(tǒng)存儲(chǔ)器級(jí)別151，其包括遠(yuǎn)存儲(chǔ)器151B(例如，諸如PCM的NVRAM)和作為系統(tǒng)存儲(chǔ)器151A操作的近存儲(chǔ)器，（3)大容量存儲(chǔ)裝置級(jí)別152,其可包括閃存/磁性/光學(xué)大容量存儲(chǔ)裝置152B和/或NVRAM大容量存儲(chǔ)裝置152A(例如，一部分NVRAM142);以及（4)固件存儲(chǔ)器級(jí)別153,其可包括BIOS閃存170和/或BIOSNVRAM172和可選擇地包括受信任平臺(tái)模塊（TPM)NVRAM173。[0030]如所示的，近存儲(chǔ)器144可實(shí)現(xiàn)成在以下模式中操作：其中，它作為系統(tǒng)存儲(chǔ)器151A操作，并且占用一部分SPA空間(有時(shí)稱為近存儲(chǔ)器"直接訪問(wèn)"模式）；以及一個(gè)或更多個(gè)另外的操作模式中，如暫時(shí)存儲(chǔ)器192或?qū)懢彌_器193。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，近存儲(chǔ)器是可劃分的，其中，每個(gè)劃分可同時(shí)在支持的模式的一個(gè)不同模式中操作；并且不同實(shí)施例可通過(guò)硬件(例如，熔絲、引腳)、固件和/或軟件支持劃分的配置(例如，大小、模式）(例如，通過(guò)MSC控制器124內(nèi)的可編程范圍寄存器集合，在控制器內(nèi)例如可存儲(chǔ)不同二進(jìn)制代碼以識(shí)別每個(gè)模式和劃分)。[0031]如在圖2中觀察到的，系統(tǒng)地址空間B191用于顯示在所有或一部分近存儲(chǔ)器被指派一部分系統(tǒng)地址空間時(shí)的實(shí)現(xiàn)。在此實(shí)施例中，系統(tǒng)地址空間B191表示指派到近存儲(chǔ)器151A的系統(tǒng)地址空間的范圍，并且系統(tǒng)地址空間A190表示指派到NVRAM174的系統(tǒng)地址空間的范圍。[0032]在近存儲(chǔ)器直接存取模式中操作時(shí)，作為系統(tǒng)存儲(chǔ)器151A的所有或部分近存儲(chǔ)器對(duì)軟件是直接可見(jiàn)的，并且形成SPA空間的一部分。此類存儲(chǔ)器可完全在軟件控制之下。此類方案可形成用于軟件的非一致存儲(chǔ)器地址（NUMA)存儲(chǔ)器域，其中，相對(duì)于NVRAM系統(tǒng)存儲(chǔ)器174,它從近存儲(chǔ)器144獲得更高性能。作為示例并且不是限制，此類使用可用于要求對(duì)某些數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的極快訪問(wèn)的某些高性能計(jì)算（HPC)和圖形應(yīng)用。[0033]圖2也示出一部分NVRAM142可用作固件存儲(chǔ)器。例如，BIOSNVRAM172部分可用于存儲(chǔ)BIOS鏡像(作在BIOS閃存170中存儲(chǔ)BIOS信息的替代或附加）。BIOSNVRAM部分172可以是一部分SPA空間，并且由在處理器核101-104上執(zhí)行的軟件直接可尋址，而B(niǎo)IOS閃存170通過(guò)1/0子系統(tǒng)115可尋址。作為另一示例，受信任平臺(tái)模塊（TPM)NVRAM173部分可用于保護(hù)敏感系統(tǒng)信息(例如，加密密鑰)。[0034]因此，如所示的，NVRAM142可實(shí)現(xiàn)成以多種不同模式操作，包括作為遠(yuǎn)存儲(chǔ)器151B(例如，在近存儲(chǔ)器144存在/在直接存取模式中操作時(shí))、NVRAM大容量存儲(chǔ)裝置152A、BIOSNVRAM172及TPMNVRAM173。[0035]系統(tǒng)存儲(chǔ)器和大容量存儲(chǔ)裝置的選擇可取決于采用本發(fā)明的實(shí)施例的電子平臺(tái)的類型。例如，在個(gè)人計(jì)算機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、筆記本計(jì)算機(jī)、智能電話、移動(dòng)電話、功能電話、個(gè)人數(shù)字助理（PDA)、便攜式媒體播放器、便攜式游戲裝置、游戲控制臺(tái)、數(shù)碼相機(jī)、交換機(jī)、集線器、路由器、機(jī)頂盒、數(shù)字視頻記錄器或具有相對(duì)小的大容量存儲(chǔ)要求的其它裝置中，大容量存儲(chǔ)裝置可使用NVRAM大容量存儲(chǔ)裝置152A單獨(dú)實(shí)現(xiàn)，或者使用NVRAM大容量存儲(chǔ)裝置152A與閃存/磁性/光學(xué)大容量存儲(chǔ)裝置152B組合實(shí)現(xiàn)。[0036]在具有較大大容量存儲(chǔ)裝置要求(例如，大型服務(wù)器）的其它電子平臺(tái)中，可使用磁性存儲(chǔ)裝置(例如，硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器）或磁性存儲(chǔ)裝置、光學(xué)存儲(chǔ)裝置、全息存儲(chǔ)裝置、大容量存儲(chǔ)裝置閃存及NVRAM大容量存儲(chǔ)裝置152A的任何組合實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)裝置。在此類情況下，負(fù)責(zé)存儲(chǔ)的系統(tǒng)硬件和/或軟件可實(shí)現(xiàn)各種智能持久存儲(chǔ)分配技術(shù)，以有效或有用的方式在FM151B/NVRAM存儲(chǔ)裝置152A和閃存/磁性/光學(xué)大容量存儲(chǔ)裝置152B之間分配持久程序代碼和數(shù)據(jù)塊。[0037]例如，在一個(gè)實(shí)施例中，高功率服務(wù)器配置有近存儲(chǔ)器(例如，DRAM)、PCMS裝置和用于大量持續(xù)存儲(chǔ)的磁性大容量存儲(chǔ)裝置。在一個(gè)實(shí)施例中，筆記本計(jì)算機(jī)配置有近存儲(chǔ)器和指行近存儲(chǔ)器與大容量存儲(chǔ)裝置的角色的PCMS裝置。家庭或辦公室臺(tái)式計(jì)算機(jī)的一個(gè)實(shí)施例類似地配置成筆記本計(jì)算機(jī)，但也可包括一個(gè)或更多個(gè)磁性存儲(chǔ)裝置以提供大量持久存儲(chǔ)能力。[0038]平板計(jì)算機(jī)或蜂窩電話裝置的一個(gè)實(shí)施例配置有PCMS存儲(chǔ)器，但可能沒(méi)有近存儲(chǔ)器和另外的大容量存儲(chǔ)裝置（以便實(shí)現(xiàn)成本節(jié)省/節(jié)能)。然而，平板/電話可配置有諸如閃存或PCMS記憶棒的可移動(dòng)大容量存儲(chǔ)裝置。[0039]各種其它類型的裝置可如上所述配置。例如，便攜式媒體播放器和/或個(gè)人數(shù)字助理（PDA)可以類似于上述平板/電話的方式配置，游戲控制臺(tái)可以類似于臺(tái)式或膝上型計(jì)算機(jī)的方式配置?？深愃婆渲玫钠渌b置包括數(shù)碼相機(jī)、路由器、機(jī)頂盒、數(shù)字視頻記錄器、電視和汽車。[0040]示范系統(tǒng)存儲(chǔ)器分配方案圖3示出具有到多個(gè)存儲(chǔ)器通道(例如，DDR通道)302_1到302_8的相應(yīng)接口301_1到301_8的計(jì)算系統(tǒng)的存儲(chǔ)器控制器300,其中，每個(gè)通道能夠支持一個(gè)或更多個(gè)DIMM卡（即，一個(gè)或更多個(gè)DIMM卡能夠插入通道中），并且圖4和5示出用于通過(guò)禁用/啟用存儲(chǔ)器通道及其對(duì)應(yīng)DIMM卡來(lái)控制計(jì)算系統(tǒng)的功耗的方法。為簡(jiǎn)明起見(jiàn)，示出了8個(gè)存儲(chǔ)器通道，但技術(shù)人員將理解，本文中的教導(dǎo)能夠應(yīng)用到具有不同數(shù)量的存儲(chǔ)器通道的系統(tǒng)。[0041]根據(jù)圖4的方法，例如，可做出決定(例如，通過(guò)諸如ACPI的智能功率管理軟件)以通過(guò)禁用當(dāng)前在運(yùn)轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)器通道使計(jì)算機(jī)系統(tǒng)進(jìn)入更低性能狀態(tài)。相反，根據(jù)圖5的方法，可做出決定以通過(guò)啟用當(dāng)前未運(yùn)轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)器通道使計(jì)算機(jī)系統(tǒng)進(jìn)行更高性能狀態(tài)。[0042]如圖1中所示，具有DRAM和NVRAM系統(tǒng)存儲(chǔ)器組件的一些計(jì)算系統(tǒng)實(shí)施例可為DRAM保留第一部分的系統(tǒng)存儲(chǔ)器地址并且為NVRAM保留第二部分的系統(tǒng)存儲(chǔ)器地址。也就是說(shuō)，在"充當(dāng)系統(tǒng)存儲(chǔ)器方法的近存儲(chǔ)器"中，可尋址系統(tǒng)存儲(chǔ)器能夠包括DRAM(例如，參見(jiàn)圖2作為系統(tǒng)存儲(chǔ)器151A的近存儲(chǔ)器）和PCMS(例如，參見(jiàn)圖2實(shí)現(xiàn)為NVRAM系統(tǒng)存儲(chǔ)器174的遠(yuǎn)存儲(chǔ)器151B)。[0043]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，再參照?qǐng)D3,每個(gè)存儲(chǔ)器通道302_1到302_8分配有與在存儲(chǔ)器通道上可用的存儲(chǔ)空間一致的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)存儲(chǔ)器地址的獨(dú)特部分或段。存儲(chǔ)器通道上可用的存儲(chǔ)空間又隨插入存儲(chǔ)器通道中的DIMM卡數(shù)量和DIMM卡上存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)密度而變化。[0044]根據(jù)又一實(shí)施例，存儲(chǔ)器通道的第一部分303(以及因此系統(tǒng)存儲(chǔ)器地址空間的對(duì)應(yīng)第一部分/段）被保留用于DRAMDIMM，并且存儲(chǔ)器通道的第二部分304(以及因此系統(tǒng)存儲(chǔ)器地址空間的對(duì)應(yīng)剩余第二部分/段）被保留用于PCMSDIMM。[0045]根據(jù)此特定實(shí)施例，DRAM存儲(chǔ)空間303不充當(dāng)用于PCMS存儲(chǔ)空間304的緩存。而是，系統(tǒng)存儲(chǔ)器空間配置成在DRAM存儲(chǔ)空間303中存儲(chǔ)"訪問(wèn)時(shí)間關(guān)鍵"信息(如，程序代碼指令或至少經(jīng)常利用的程序代碼指令）和在PCMS存儲(chǔ)空間304中存儲(chǔ)"訪問(wèn)時(shí)間非關(guān)鍵或更不關(guān)鍵"信息(如數(shù)據(jù)或至少不經(jīng)常訪問(wèn)的數(shù)據(jù))。[0046]因此，在計(jì)算機(jī)的CPU上運(yùn)行的操作系統(tǒng)和/或虛擬機(jī)監(jiān)視器分配與此方案一致的系統(tǒng)存儲(chǔ)器地址空間。例如，經(jīng)常使用的程序代碼指令(至少）被賦予對(duì)應(yīng)于具有DRAMDIMM的那些存儲(chǔ)器通道的地址空間，并且不經(jīng)常使用的數(shù)據(jù)項(xiàng)（至少）被賦予對(duì)應(yīng)于具有PCMSDIMM的那些存儲(chǔ)器通道的地址空間。在各種實(shí)施例中，在無(wú)論DRAM還是PCMS的每個(gè)地址存儲(chǔ)的內(nèi)容是稱為"緩存線"的固定長(zhǎng)度數(shù)據(jù)字(例如，64比特?cái)?shù)據(jù)字或128比特?cái)?shù)據(jù)字)。為方便起見(jiàn)，術(shù)語(yǔ)"內(nèi)容"或"緩存線"將在下面的討論中互換使用以指在系統(tǒng)存儲(chǔ)器地址存儲(chǔ)的信息。[0047]參照?qǐng)D4的方法，在應(yīng)用到如上剛剛描述的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)時(shí)，禁用存儲(chǔ)器通道以進(jìn)入更低性能狀態(tài)包括禁用存儲(chǔ)器通道的DIMM卡及其對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)器裝置，并且啟用存儲(chǔ)器通道以進(jìn)入更高性能狀態(tài)包括啟用存儲(chǔ)器通道的DIMM卡及其對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)器裝置。[0048]具體而言，在選擇啟用/禁用具有DRAMDIMM卡的通道時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)功耗和性能的有效縮放。由于DRAM裝置比PCMS裝置更快并且消耗更多功率，因此，通過(guò)關(guān)閉DRAM存儲(chǔ)器通道來(lái)降低到更低性能狀態(tài)應(yīng)會(huì)大幅降低計(jì)算系統(tǒng)的性能和功耗。同樣地，通過(guò)啟用DRAM存儲(chǔ)器通道來(lái)提升到更高性能狀態(tài)應(yīng)會(huì)大幅增大計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的性能和功耗。[0049]然而，存儲(chǔ)器管理是關(guān)注的問(wèn)題。具體而言，DRAM存儲(chǔ)器通道被禁用或啟用時(shí)，系統(tǒng)存儲(chǔ)器地址空間應(yīng)有效地重新配置成解釋可用DRAM存儲(chǔ)器空間的更改。這包括將要關(guān)閉的DRAM通道的內(nèi)容"移"到其它系統(tǒng)存儲(chǔ)器位置。根據(jù)圖4的方法，操作系統(tǒng)和/或虛擬機(jī)監(jiān)視器和/或虛擬機(jī)和/或這些中的任何一個(gè)的功率管理組件(下文稱為"系統(tǒng)軟件"）跟蹤分配到DRAM的虛擬地址的使用402,以理解更經(jīng)常訪問(wèn)哪些虛擬地址和/或更不經(jīng)常訪問(wèn)哪些虛擬地址。[0050]如熟知的【
技術(shù)領(lǐng)域：
】，系統(tǒng)軟件一般設(shè)計(jì)成參考虛擬地址，并且基礎(chǔ)硬件負(fù)責(zé)將虛擬地址轉(zhuǎn)換成系統(tǒng)中駐留的系統(tǒng)存儲(chǔ)器的對(duì)應(yīng)物理地址。[0051]在決定禁用DRAM存儲(chǔ)器通道時(shí)，系統(tǒng)軟件有效地重新配置DRAM地址空間，使得更經(jīng)常使用的虛擬地址空間保持指派到DRAM地址空間，并且在數(shù)量上約等于或等于要關(guān)閉的DRAM存儲(chǔ)器通道保持的物理地址的一組更少使用的DRAM虛擬地址被重新指派到PCMS地址空間?；A(chǔ)物理地址的產(chǎn)生的重新指派(包括要關(guān)閉的DRAM通道中經(jīng)常使用的地址的內(nèi)容遷移到要保持活動(dòng)的DRAM通道，以及更少使用的DRAM地址的內(nèi)容遷移到PCMS地址空間）必然影響上面剛談到的虛擬地址到物理地址轉(zhuǎn)換。[0052]-般情況下，中央處理單元（CPU)或"處理器"306中駐留的轉(zhuǎn)換后備緩沖器（TLB)305充當(dāng)虛擬地址到物理地址轉(zhuǎn)換的緩存。TLB在【
技術(shù)領(lǐng)域：
】中被良好地理解，但其角色和功能的簡(jiǎn)述值得一提。TLB包含多個(gè)轉(zhuǎn)換條目（TE)，每個(gè)TE識(shí)別用于特定虛擬地址的獨(dú)特物理地址，也稱為地址轉(zhuǎn)換。一般情況下，轉(zhuǎn)換本身被指定到存儲(chǔ)器頁(yè)的粒度。因此，虛擬地址的TE包含在計(jì)算系統(tǒng)的系統(tǒng)存儲(chǔ)器中其對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)器頁(yè)的物理地址。[0053]TLB設(shè)計(jì)成包含最近通過(guò)執(zhí)行程序代碼調(diào)出其相關(guān)聯(lián)虛擬地址的TE的集合(直到TLB的大小)。因?yàn)橥ㄟ^(guò)執(zhí)行程序代碼調(diào)出的每個(gè)虛擬地址識(shí)別所操作的特定程序代碼指令或特定的數(shù)據(jù)項(xiàng)，因此，各種處理器體系結(jié)構(gòu)可包括指令TLB和數(shù)據(jù)TLB。[0054]就指令TLB而言，在程序代碼執(zhí)行期間，獲取用于下一指令的下一虛擬地址，并且在指令TLB中執(zhí)行查找，以查找在指令的虛擬地址與指令TLBTE內(nèi)虛擬地址之間的匹配。在常見(jiàn)方法中，查找中不使用虛擬地址的更低階比特，使得查找參數(shù)（即，虛擬地址的更高階比特）基本上對(duì)應(yīng)于虛擬存儲(chǔ)器頁(yè)的地址。如果發(fā)現(xiàn)匹配，則在TE中發(fā)現(xiàn)的具有匹配的虛擬地址的物理地址識(shí)別能夠發(fā)現(xiàn)所需指令的系統(tǒng)存儲(chǔ)器中的特定存儲(chǔ)器頁(yè)。[0055]如果在指令TLB中未發(fā)現(xiàn)匹配的虛擬地址(指令TLB"缺失")，則處理器的表尋訪(tablewalk)硬件從系統(tǒng)存儲(chǔ)器獲取適當(dāng)?shù)腡E。從系統(tǒng)存儲(chǔ)器獲取的TE內(nèi)的物理地址識(shí)別能夠發(fā)現(xiàn)下一指令的系統(tǒng)存儲(chǔ)器中的系統(tǒng)存儲(chǔ)器頁(yè)。一般也在指令TLB中加載從系統(tǒng)存儲(chǔ)器獲取的TE的副本，并且從指令TLB中驅(qū)除至少最近使用的TE。從系統(tǒng)存儲(chǔ)器獲取的原TE保留在系統(tǒng)存儲(chǔ)器中。[0056]數(shù)據(jù)TLB(包括響應(yīng)于TLB缺失的系統(tǒng)操作）操作與如上所述差不多相同，除了虛擬地址用于所需數(shù)據(jù)項(xiàng)，以及所需TE中發(fā)現(xiàn)的物理地址識(shí)別發(fā)現(xiàn)所需數(shù)據(jù)的系統(tǒng)存儲(chǔ)器中的頁(yè)面。[0057]重要的是，注意包含用于在其操作過(guò)程中可操作程序(例如，應(yīng)用和/或虛擬機(jī))可調(diào)出的虛擬地址集的所有虛擬地址到物理地址轉(zhuǎn)換(用于指令和數(shù)據(jù)兩者)的TE的集合，位于保持在系統(tǒng)存儲(chǔ)器中的稱為"TE倉(cāng)庫(kù)"的特殊倉(cāng)庫(kù)307中。在一實(shí)施例中，作為將可操作程序加載到存儲(chǔ)器中用于執(zhí)行的一部分，將用于可操作程序的TE倉(cāng)庫(kù)307加載到系統(tǒng)存儲(chǔ)器中。多個(gè)程序同時(shí)在計(jì)算機(jī)上操作時(shí)，在一實(shí)施例中，TE倉(cāng)庫(kù)保持在用于每個(gè)可操作程序的系統(tǒng)存儲(chǔ)器中。在又一實(shí)施例中，所有TE倉(cāng)庫(kù)以及因此所有TE保持在不能禁用的DRAM通道上的DRAM系統(tǒng)存儲(chǔ)器的特殊段中。[0058]系統(tǒng)存儲(chǔ)器空間重新配置成解釋存儲(chǔ)器通道的關(guān)閉（或啟用）作為更改計(jì)算機(jī)的性能狀態(tài)的功率管理決定的一部分時(shí)，對(duì)于要遷移并且因此具有"新"物理地址的每個(gè)緩存線，前面提及的DRAM存儲(chǔ)器內(nèi)容的移動(dòng)形成了更新其對(duì)應(yīng)TE以反映其新物理地址位置404的需要。應(yīng)更新的特定TE包括：i)其內(nèi)容要從正關(guān)閉的DRAM通道遷移到不是正關(guān)閉的DRAM通道的更經(jīng)常使用的DRAM地址的TE;以及ii)其對(duì)應(yīng)內(nèi)容要遷移到PCMS地址空間的更不經(jīng)常使用的DRAM地址的TE。[0059]在不可能的情況下，所有最不經(jīng)常使用的DRAM地址碰巧在要關(guān)閉的特定DRAM通道上。在此情況下，任何其它DRAM通道上無(wú)DRAM地址受通道關(guān)閉影響（S卩，正關(guān)閉的DRAM通道的所有內(nèi)容遷移到PCMS存儲(chǔ)裝置)。因此，在此不可能情況下，僅修改正關(guān)閉的通道的DRAM地址的TE以反映PCMS存儲(chǔ)器中的新物理地址。[0060]在更可能的情形下，一些更經(jīng)常使用的DRAM地址駐留在正關(guān)閉的存儲(chǔ)器通道上，并且一些更不經(jīng)常使用的DRAM地址駐留在不是正關(guān)閉的剩余通道上。在一實(shí)施例中，為到PCMS存儲(chǔ)裝置的遷移識(shí)別的最不經(jīng)常使用的DRAM地址的數(shù)量與由要關(guān)閉的DRAM通道支持的地址的數(shù)量相同（或大約相同）。這基本上對(duì)應(yīng)于使標(biāo)記用于到PCMS存儲(chǔ)空間的遷移的DRAM地址的數(shù)量等于通過(guò)DRAM通道的關(guān)閉"丟失"的DRAM地址的數(shù)量。[0061]通過(guò)此方法，其內(nèi)容需要遷移到新DRAM地址(具體而言，要保持活動(dòng)的另一DRAM通道上的地址）的正關(guān)閉的DRAM通道上經(jīng)常使用的DRAM地址的數(shù)量應(yīng)與其內(nèi)容需要遷移到新PCMS地址（S卩，PCMS存儲(chǔ)裝置中的地址）的要保持活動(dòng)的那些DRAM通道上最不經(jīng)常使用的DRAM地址的數(shù)量相同。因此，前者的內(nèi)容能夠替換在通道關(guān)閉后要保持活動(dòng)的DRAM空間中后者的內(nèi)容。也就是說(shuō)，能夠?qū)⒄P(guān)閉的DRAM通道上經(jīng)常使用的DRAM地址的內(nèi)容寫(xiě)入不是正關(guān)閉的DRAM通道的最不經(jīng)常使用的DRAM地址的DRAM地址。[0062]因此，根據(jù)圖4的方法，從DRAM讀取最不經(jīng)常使用的DRAM地址的緩存線(在要關(guān)閉的DRAM通道上的那些緩存線和在另一DRAM通道上的那些緩存線)，并且將其寫(xiě)入PCMS存儲(chǔ)空間403。修改如系統(tǒng)存儲(chǔ)器中其對(duì)應(yīng)TE中保持的用于其相應(yīng)存儲(chǔ)器頁(yè)的物理地址信息(所述TE在其相應(yīng)TE倉(cāng)庫(kù)中-這是因?yàn)槎鄠€(gè)軟件應(yīng)用可受通道關(guān)閉影響）以反映其新的相應(yīng)PCMS地址404。[0063]然后，將在活動(dòng)DRAM通道上"剛空出的"DRAM地址重新填充要關(guān)閉的DRAM通道上經(jīng)常使用的DRAM地址的緩存線，405。[0064]因此，剩余活動(dòng)通道上每個(gè)空出的最不經(jīng)常使用的DRAM地址用來(lái)自要關(guān)閉的通道上的另一更經(jīng)常使用的DRAM地址的緩存線來(lái)重寫(xiě)。修改正從要關(guān)閉的通道遷移到剩余活動(dòng)DRAM通道的更經(jīng)常使用的DRAM地址的每個(gè)存儲(chǔ)器頁(yè)的系統(tǒng)存儲(chǔ)器中的TE記錄以反映其新的物理地址位置406。值得注意的是，每個(gè)新的物理地址對(duì)應(yīng)于以前識(shí)別為最不經(jīng)常使用的地址。[0065]在一實(shí)施例中，作為原系統(tǒng)初啟（bring-up)的一部分(例如，在做出關(guān)閉DRAM通道的決定很早之前)，保留PCMS存儲(chǔ)裝置308的部分以便在DRAM通道關(guān)閉的情況下接收緩存線的"DRAM通道的價(jià)值"。這里，除非或直到關(guān)閉DRAM通道，在PCMS部分中不存儲(chǔ)活動(dòng)信息，在關(guān)閉時(shí)，將總數(shù)據(jù)大小等于正關(guān)閉的DRAM通道的存儲(chǔ)容量的緩存線的數(shù)量從DRAM存儲(chǔ)空間加載到部分308中。在更新其相應(yīng)TE倉(cāng)庫(kù)中的其對(duì)應(yīng)TE時(shí)，隨后從PCMS部分訪問(wèn)這些緩存線以支持程序操作。如上所述，可預(yù)先保留PCMS系統(tǒng)存儲(chǔ)器的多個(gè)此類部分以支持正關(guān)閉多個(gè)DRAM通道時(shí)能夠操作的系統(tǒng)407。[0066]作為上述系統(tǒng)存儲(chǔ)器重新配置過(guò)程的一部分，駐留在TLB中的修改的TE的任何副本無(wú)效。要注意的是，在系統(tǒng)存儲(chǔ)器配置的過(guò)程中也可暫停系統(tǒng)操作。[0067]在關(guān)閉DRAM通道后，參照?qǐng)D5,可由系統(tǒng)軟件做出進(jìn)入更高性能狀態(tài)502的后續(xù)決定，這包括激活以前不活動(dòng)的DRAM通道，502。在此情況下，將駐留在為存儲(chǔ)從DRAM遷移的內(nèi)容而保留的PCMS系統(tǒng)存儲(chǔ)器304的前面提及的部分308中緩存線的"重新遷移回"正激活的DRAM通道，503。在TE倉(cāng)庫(kù)307中修改用于所有此類緩存線的對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)器頁(yè)的TE的物理地址組件以在新激活的DRAM通道中反映其新存儲(chǔ)，504。再一次，可暫停系統(tǒng)操作以實(shí)現(xiàn)DRAM通道激活、緩存線遷移、TE修改和駐留于TLB中修改的TE的任何副本的失效。[0068]圖6示出軟件表結(jié)構(gòu)層級(jí)，該層級(jí)例如可由智能功率管理軟件(如ACPI)用于如上所述支持計(jì)算機(jī)系統(tǒng)啟用/禁用存儲(chǔ)器通道的能力。如在圖6中觀察到的，存儲(chǔ)器功率狀態(tài)表600層級(jí)包括報(bào)頭601、命令集602、一個(gè)或更多個(gè)功率節(jié)點(diǎn)603_1到603_X的定義以及由存儲(chǔ)器功率狀態(tài)表600表示的系統(tǒng)存儲(chǔ)器的區(qū)域支持的不同功率狀態(tài)604_1到604_Y的特性。[0069]例如，可以為任何以下項(xiàng)例示存儲(chǔ)器功率狀態(tài)表的單個(gè)實(shí)例：整個(gè)系統(tǒng)存儲(chǔ)器、系統(tǒng)存儲(chǔ)器的技術(shù)特定區(qū)域(如為系統(tǒng)存儲(chǔ)器的DRAM部分例示的第一表和為系統(tǒng)存儲(chǔ)器的PCMS部分例示的第二表)等。報(bào)頭信息601包括對(duì)例示存儲(chǔ)器功率狀態(tài)所代表的系統(tǒng)存儲(chǔ)器的部分特定的信息。在一實(shí)施例中，報(bào)頭信息601包括：i)表的簽名；ii)整個(gè)表的長(zhǎng)度，包括所有其組件602、603、604;iii)表的結(jié)構(gòu)的版本號(hào)；iv)表的校驗(yàn)和；v)OEM標(biāo)識(shí)符；vi)創(chuàng)建表的實(shí)用程序的供應(yīng)商的ID;以及vii)創(chuàng)建表的實(shí)用程序的修正的ID。[0070]命令集包括用于從/向功率狀態(tài)表及其各種組件讀取/寫(xiě)信息的基本命令。[0071]存儲(chǔ)器功率狀態(tài)表識(shí)別表中所列功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)603的數(shù)量（X)，并且包括功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)本身603_1到603_X，或者至少提供到這些結(jié)構(gòu)的引用。在一實(shí)施例中，為表600表示的存儲(chǔ)器的部分中能夠支持多個(gè)功率狀態(tài)的每個(gè)存儲(chǔ)器通道創(chuàng)建單獨(dú)的功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)實(shí)例-任何一個(gè)實(shí)例可編程輸入。例如，簡(jiǎn)要參照?qǐng)D3,如果存儲(chǔ)器功率狀態(tài)表600表示具有DRAM303和PCMS304兩種部分的系統(tǒng)存儲(chǔ)器的DRAM部分303,則能夠?yàn)槊總€(gè)DRAM存儲(chǔ)器通道302_1到302_4例示單獨(dú)的功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)。[0072]如在圖6中觀察到的，諸如功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)603_1的每個(gè)功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)包括：i)功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)的標(biāo)識(shí)符605;ii)功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)表示的系統(tǒng)存儲(chǔ)器地址空間的地址范圍606;以及iii)功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)606表示的系統(tǒng)存儲(chǔ)器的特定部分當(dāng)前所處的功率狀態(tài)607。要注意的是，當(dāng)前系統(tǒng)存儲(chǔ)器功率狀態(tài)607對(duì)應(yīng)于來(lái)自由功率狀態(tài)表600整體定義的存儲(chǔ)器功率狀態(tài)集604_1到604_Y的功率狀態(tài)之一。[0073]在功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)603_1表示DRAM通道的實(shí)施例中，功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)的地址范圍606對(duì)應(yīng)于虛擬系統(tǒng)存儲(chǔ)器地址的范圍，虛擬系統(tǒng)存儲(chǔ)器地址到物理地址空間中的轉(zhuǎn)換對(duì)應(yīng)于通道支持的物理地址。然而，存儲(chǔ)器通道的前面提及的關(guān)閉和和重新啟用能夠跨多個(gè)存儲(chǔ)器通道"擾雜"連續(xù)的虛擬地址范圍。換而言之，至少在某個(gè)通道關(guān)閉序列后，單個(gè)存儲(chǔ)器通道可支持虛擬地址空間的多個(gè)不連續(xù)部分。[0074]每次啟動(dòng)存儲(chǔ)器通道關(guān)閉序列時(shí)，可復(fù)合虛擬地址空間在其對(duì)應(yīng)物理存儲(chǔ)資源內(nèi)的此分裂。因此，在一實(shí)施例中，可為相同存儲(chǔ)器通道例示多個(gè)另外的功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)603_1_2到603_1_R，其中，每個(gè)此類功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)實(shí)例對(duì)應(yīng)于在通道中有效存儲(chǔ)的虛擬地址空間的不同范圍。各種功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)實(shí)例能夠以如下方式有效地"捆綁"在一起，該方式通過(guò)在其對(duì)應(yīng)虛擬地址范圍每個(gè)中輸入相同功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)標(biāo)識(shí)符元素605來(lái)表示其對(duì)應(yīng)虛擬地址范圍存儲(chǔ)在相同存儲(chǔ)器通道上。對(duì)此特定標(biāo)識(shí)符采取的任何動(dòng)作將自然地調(diào)用具有該標(biāo)識(shí)符的所有功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)603_1和603_1_2到603_1_R。[0075]在通道關(guān)閉或通道重新啟用轉(zhuǎn)變期間，應(yīng)修改特定存儲(chǔ)器通道的功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)實(shí)例以反映通道支持其存儲(chǔ)的"新"的虛擬地址。這可涉及任何以下所述：添加為存儲(chǔ)器通道例示的新功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)實(shí)例或者刪除為其例示的現(xiàn)有功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)實(shí)例，和/或修改在為存儲(chǔ)器通道例示的現(xiàn)有功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)實(shí)例中指定的虛擬地址范圍606。因此，根據(jù)各種實(shí)施例，在關(guān)閉或重新激活存儲(chǔ)器通道時(shí)，不但為受影響的虛擬地址到物理地址轉(zhuǎn)換修改在系統(tǒng)存儲(chǔ)器中的TE倉(cāng)庫(kù)中的TE條目，而且也可修改功率管理軟件使用的功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)的地址范圍606元素及此類結(jié)構(gòu)本身的數(shù)量。[0076]在如上詳細(xì)所述關(guān)閉DRAM存儲(chǔ)器通道時(shí)，存儲(chǔ)器通道的功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)實(shí)例的當(dāng)前功率狀態(tài)607對(duì)應(yīng)于低功率狀態(tài)，在該狀態(tài)中，存儲(chǔ)器通道被關(guān)閉并且未得到積極使用。在此功率狀態(tài)中，可暫停施加時(shí)鐘、選通和/或刷新信號(hào)到存儲(chǔ)器通道上的DIMM卡。作為低功率狀態(tài)的特性集的一部分，也可降低施加到通道上的DIMM卡的功率電壓。[0077]如果在關(guān)閉后重新激活存儲(chǔ)器通道，則存儲(chǔ)器通道的功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)實(shí)例的當(dāng)前功率狀態(tài)設(shè)置607將改變到對(duì)應(yīng)于在活動(dòng)的存儲(chǔ)器通道的另一功率狀態(tài)。在此情況下，重新施加任何禁用的信號(hào)或功率電壓。[0078]對(duì)于上述功率狀態(tài)轉(zhuǎn)變，嵌在與存儲(chǔ)器通道相關(guān)聯(lián)的操作系統(tǒng)中驅(qū)動(dòng)器軟件能夠監(jiān)視在進(jìn)入低功率狀態(tài)時(shí)各種信號(hào)和供電電壓的禁用以及在進(jìn)入更高功率狀態(tài)時(shí)各種信號(hào)和供電電壓的啟用。[0079]在一實(shí)施例中，當(dāng)前存儲(chǔ)器功率狀態(tài)設(shè)置607包括指向表600支持的功率狀態(tài)集604_1到604_Y中功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)603_1當(dāng)前所處的特定功率狀態(tài)的指針610。在一實(shí)施例中，功率狀態(tài)定義604_1到604_Υ中的每個(gè)功率狀態(tài)定義對(duì)系統(tǒng)存儲(chǔ)器組件在該功率狀態(tài)中時(shí)消耗的平均功率(和/或最大-最小功耗率）進(jìn)行了定義。在又一實(shí)施例中，每個(gè)功率狀態(tài)定義也包括在轉(zhuǎn)變進(jìn)入或退出功率狀態(tài)時(shí)花費(fèi)時(shí)間量的定義(例如，退出等待時(shí)間)。[0080]要注意的是，雖然以上討論一直主要集中在整個(gè)單個(gè)通道的關(guān)閉上，但上面的教導(dǎo)能夠應(yīng)用到更寬和更精細(xì)的粒度。具體而言，上面的教導(dǎo)能夠應(yīng)用到其中作為相同功率狀態(tài)更改序列的一部分，關(guān)閉不止一個(gè)通道的序列（例如，在跨存儲(chǔ)器通道存在交錯(cuò)的情況下)，或應(yīng)用到其中關(guān)閉少于整個(gè)存儲(chǔ)器通道的序列（如只一個(gè)DRAM芯片的關(guān)閉）。[0081]圖7示出軟件體系結(jié)構(gòu)，該軟件體系結(jié)構(gòu)包括功率管理軟件710、如上所述的功率管理表700和跟蹤軟件程序的虛擬地址的使用率并更新遷移緩存線的TE信息的存儲(chǔ)器管理軟件712的組件711。[0082]功率管理軟件功能710(如ACPI)決定更低系統(tǒng)功率狀態(tài)是必需的。借助于通過(guò)功率管理表700的可用性，先前知道系統(tǒng)存儲(chǔ)器被組織成支持不同功率狀態(tài)的各種功率節(jié)點(diǎn)703_1到703_N，功率管理軟件701發(fā)出識(shí)別一個(gè)此類功率節(jié)點(diǎn)703_2和它應(yīng)進(jìn)入的新的更低功率狀態(tài)的命令702。[0083]這里，每個(gè)功率節(jié)點(diǎn)703_1-703_N對(duì)應(yīng)于駐留于計(jì)算系統(tǒng)中的不同DRAM(以及可能地PCMS)存儲(chǔ)器通道，每個(gè)通道具有插入其中的多個(gè)DIMM卡。在此示例中，功率節(jié)點(diǎn)703_2對(duì)應(yīng)于DRAM存儲(chǔ)器通道。響應(yīng)于命令712,調(diào)用713用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的基礎(chǔ)存儲(chǔ)器通道的存儲(chǔ)器管理軟件712，并且存儲(chǔ)器管理軟件712識(shí)別要關(guān)閉的特定DRAM存儲(chǔ)器通道。[0084]存儲(chǔ)器管理軟件712包括跟蹤組件711，其跟蹤哪些DRAM分配的虛擬地址更經(jīng)常使用，哪些DRAM分配的虛擬地址更不經(jīng)常使用。減去由于關(guān)閉DRAM存儲(chǔ)器通道DRAM存儲(chǔ)容量的損失，了解系統(tǒng)的新的更小DRAM容量。識(shí)別與此容量一致的最經(jīng)常使用的DRAM虛擬地址(和/或標(biāo)記其它"時(shí)間訪問(wèn)關(guān)鍵"虛擬地址）以便保持在DRAM存儲(chǔ)裝置中。剩余虛擬地址對(duì)應(yīng)于更少使用的DRAM虛擬地址集，其對(duì)應(yīng)內(nèi)容的大小等于要關(guān)閉的存儲(chǔ)器通道的容量。[0085]遷移控制組件714控制如上所述的適當(dāng)緩存線遷移。這里，再一次遷移包括從DRAM讀取與更少使用的虛擬地址相關(guān)聯(lián)的緩存線(在要關(guān)閉的存儲(chǔ)器通道上的那些和在另一DRAM通道上的那些)，并且將其寫(xiě)入PCMS存儲(chǔ)器中保留的空間。與位于要關(guān)閉的存儲(chǔ)器通道上經(jīng)常使用的虛擬地址相關(guān)聯(lián)的緩存線遷移到通過(guò)到PCMS存儲(chǔ)器空間的遷移而有效空出的剩余活動(dòng)存儲(chǔ)器通道的位置中。更新由于遷移而具有新物理地址的虛擬地址的TE倉(cāng)庫(kù)中的TE，并且使TLB中的任何受影響TE失效。[0086]然后，更新716表示剩余活動(dòng)DRAM存儲(chǔ)器通道的功率表700中功率節(jié)點(diǎn)的地址范圍信息以反映其新的虛擬地址范圍。這可包括創(chuàng)建或刪除被識(shí)別為相同功率節(jié)點(diǎn)的一部分的功率節(jié)點(diǎn)實(shí)例。[0087]然后，功率通道例如由能夠停止或放慢在通道上各種時(shí)鐘/選通信號(hào)（并可能進(jìn)一步降低存儲(chǔ)器通道上的功率電壓）的用于存儲(chǔ)器通道的裝置驅(qū)動(dòng)器軟件717關(guān)閉。[0088]功率通道能夠根據(jù)類似的流程重新激活，但其中遷移控制組件714將以前在PCMS中存儲(chǔ)的緩存線遷移到重新激活的存儲(chǔ)器通道上。[〇〇89]雖然已將上述方法呈現(xiàn)為大部分（即使不是全部）在軟件中執(zhí)行，但可在硬件中或者通過(guò)硬件和軟件的組合執(zhí)行上述任何各種步驟?！緳?quán)利要求】1.一種方法，包括：響應(yīng)于進(jìn)入更低性能狀態(tài)的期望，執(zhí)行以下操作：將DRAM存儲(chǔ)器通道上存儲(chǔ)的緩存線遷移到其它DRAM存儲(chǔ)器通道和PCMS存儲(chǔ)器，其中，所述緩存線中與更經(jīng)常使用的虛擬地址相關(guān)聯(lián)的那些緩存線被遷移到所述其它DRAM存儲(chǔ)器通道，并且所述緩存線中與更不經(jīng)常使用的虛擬地址相關(guān)聯(lián)的那些緩存線被遷移到所述PCMS存儲(chǔ)器；以及，關(guān)閉所述DRAM存儲(chǔ)器通道。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中遷移到所述PCMS存儲(chǔ)器的所述緩存線被遷移到所述PCMS存儲(chǔ)器中為響應(yīng)于DRAM存儲(chǔ)器通道關(guān)閉操作而從DRAM存儲(chǔ)裝置遷移的緩存線以iu保留的存儲(chǔ)空間。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述方法還包括響應(yīng)進(jìn)入更高性能狀態(tài)的期望，執(zhí)行以下操作：重新激活所述DRAM存儲(chǔ)器通道；將所述緩存線中遷移到PCMS存儲(chǔ)器中的那些緩存線遷移到所述DRAM存儲(chǔ)器通道上。4.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括為所述緩存線更新虛擬到物理地址轉(zhuǎn)換。5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述虛擬到物理地址轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)在所述其它DRAM存儲(chǔ)器通道的存儲(chǔ)空間中。6.如權(quán)利要求5所述的方法，還包括為轉(zhuǎn)換后備緩沖器中發(fā)現(xiàn)的所述緩存線使任何虛擬到物理地址轉(zhuǎn)換失效。7.-種方法，包括：跟蹤軟件程序的虛擬地址的使用；以及，響應(yīng)于進(jìn)入更低性能狀態(tài)的期望，執(zhí)行以下操作：從與所述軟件程序的更少使用的虛擬地址相關(guān)聯(lián)的DRAM存儲(chǔ)器通道讀取緩存線；將所述緩存線寫(xiě)入PCMS存儲(chǔ)器；將與所述DRAM存儲(chǔ)器通道之一的更經(jīng)常使用的虛擬地址相關(guān)聯(lián)的緩存線寫(xiě)入其它剩余的一個(gè)或更多個(gè)DRAM通道的位置，所述位置以前存儲(chǔ)寫(xiě)入PCMS存儲(chǔ)器的所述緩存線中的至少一些；以及，關(guān)閉所述一個(gè)DRAM存儲(chǔ)器通道。8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中寫(xiě)入PCMS存儲(chǔ)器的所述緩存線被寫(xiě)入以前為從DRAM存儲(chǔ)空間遷移的緩存線的存儲(chǔ)保留的所述PCMS存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)空間。9.如權(quán)利要求8所述的方法，還包括響應(yīng)于進(jìn)入更高性能狀態(tài)的期望，執(zhí)行以下操作：重新激活所述一個(gè)DRAM存儲(chǔ)器通道；將寫(xiě)入PCMS存儲(chǔ)器的所述緩存線遷移到所述DRAM存儲(chǔ)器通道上。10.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括為與更少使用的虛擬地址相關(guān)聯(lián)的所述緩存線和與更經(jīng)常使用的虛擬地址相關(guān)聯(lián)的所述緩存線更新虛擬到物理地址轉(zhuǎn)換。11.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括為與更少使用的虛擬地址相關(guān)聯(lián)的所述緩存線和與更經(jīng)常使用的虛擬地址相關(guān)聯(lián)的所述緩存線使在轉(zhuǎn)換后備緩沖器中發(fā)現(xiàn)的任何虛擬到物理地址轉(zhuǎn)換無(wú)效。12.-種方法，包括：決定進(jìn)入更低功率狀態(tài)；以及，在響應(yīng)中關(guān)閉計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器通道，在所述響應(yīng)之后所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的其它存儲(chǔ)器通道保持活動(dòng)，使得所述存儲(chǔ)器通道關(guān)閉時(shí)計(jì)算機(jī)保持運(yùn)轉(zhuǎn)。13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述方法還包括更改存儲(chǔ)器功率狀態(tài)表的功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)以關(guān)閉所述存儲(chǔ)器通道，其中，所述功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)表示所述存儲(chǔ)器通道。14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)識(shí)別其對(duì)應(yīng)緩存線存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器通道上的虛擬地址的范圍。15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中創(chuàng)建所述功能節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)的多個(gè)實(shí)例以表示所述存儲(chǔ)器通道，每個(gè)獨(dú)特的實(shí)例具有其對(duì)應(yīng)緩存線存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器通道中的不同虛擬地址集。16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)具有表示所述存儲(chǔ)器通道的當(dāng)前功率狀態(tài)的字段。17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述存儲(chǔ)器功率狀態(tài)表包括多個(gè)功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)以表示多個(gè)相應(yīng)存儲(chǔ)器通道。18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述存儲(chǔ)器功率表包括所述多個(gè)相應(yīng)存儲(chǔ)器通道的所述不同功率狀態(tài)的特性。19.一種包含程序代碼的機(jī)器可讀媒體，所述程序代碼在由計(jì)算系統(tǒng)的中央處理單元處理時(shí)使方法被執(zhí)行，所述方法包括：響應(yīng)于進(jìn)入更低性能狀態(tài)的期望，執(zhí)行以下操作：將DRAM存儲(chǔ)器通道上存儲(chǔ)的緩存線遷移到其它DRAM存儲(chǔ)器通道和PCMS存儲(chǔ)器，其中，所述緩存線中與更經(jīng)常使用的虛擬地址相關(guān)聯(lián)的那些緩存線被遷移到所述其它DRAM存儲(chǔ)器通道，并且所述緩存線中與更不經(jīng)常使用的虛擬地址相關(guān)聯(lián)的那些緩存線被遷移到所述PCMS存儲(chǔ)器；以及，關(guān)閉所述DRAM存儲(chǔ)器通道。20.如權(quán)利要求19所述的機(jī)器可讀媒體，其中遷移到所述PCMS存儲(chǔ)器的所述緩存線被遷移到所述PCMS存儲(chǔ)器中為響應(yīng)于DRAM存儲(chǔ)器通道關(guān)閉操作而從DRAM存儲(chǔ)裝置遷移的緩存線以前保留的存儲(chǔ)空間。21.如權(quán)利要求20所述的機(jī)器可讀媒體，其中所述方法還包括響應(yīng)于進(jìn)入更高性能狀態(tài)的期望，執(zhí)行以下操作：重新激活所述DRAM存儲(chǔ)器通道；將所述緩存線中遷移到PCMS存儲(chǔ)器中的那些緩存線遷移到所述DRAM存儲(chǔ)器通道上。22.如權(quán)利要求19所述的機(jī)器可讀媒體，其中所述方法還包括為所述緩存線更新虛擬到物理地址轉(zhuǎn)換。23.如權(quán)利要求22所述的機(jī)器可讀媒體，其中所述虛擬到物理地址轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)在所述其它DRAM存儲(chǔ)器通道的存儲(chǔ)空間中。24.如權(quán)利要求23所述的機(jī)器可讀媒體，還包括為轉(zhuǎn)換后備緩沖器中發(fā)現(xiàn)的所述緩存線使任何虛擬到物理地址轉(zhuǎn)換失效。25.-種包含程序代碼的機(jī)器可讀媒體，所述程序代碼在由計(jì)算系統(tǒng)的中央處理單元處理時(shí)使方法被執(zhí)行，所述方法包括：決定進(jìn)入更低功率狀態(tài)；以及，更改存儲(chǔ)器功率狀態(tài)表的功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)以關(guān)閉計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器通道。26.如權(quán)利要求25所述的機(jī)器可讀媒體，其中所述功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)表示所述存儲(chǔ)器通道。27.如權(quán)利要求26所述的機(jī)器可讀媒體，其中所述功率節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)識(shí)別其對(duì)應(yīng)緩存線存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器通道上的虛擬地址的范圍。28.如權(quán)利要求27所述的機(jī)器可讀媒體，其中創(chuàng)建所述功能節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)的多個(gè)實(shí)例以表示所述存儲(chǔ)器通道，每個(gè)獨(dú)特的實(shí)例具有其對(duì)應(yīng)緩存線存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器通道中的不同虛擬地址集?！疚臋n編號(hào)】G06F12/08GK104115132SQ201180076411【公開(kāi)日】2014年10月22日申請(qǐng)日期:2011年12月22日優(yōu)先權(quán)日:2011年12月22日【發(fā)明者】M.K.納基穆圖,M.J.庫(kù)馬申請(qǐng)人:英特爾公司