專利名稱：觸控電極結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及觸控技術(shù)，特別是涉及一種觸控電極結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的觸控電極結(jié)構(gòu)制造工藝中，最主要的步驟包括電極結(jié)構(gòu)的形成和連接電極結(jié)構(gòu)的信號引線的形成，在這兩個步驟中，分別需要用到用于定義電極圖形的掩膜和用于定義信號引線連接區(qū)域的掩膜。在傳統(tǒng)的制造工藝中，掩膜在完成以上制程步驟之后，一般都需要額外的步驟去除。另一方面，為了使得觸控電極結(jié)構(gòu)在應(yīng)用于觸控顯示裝置時具有良好的視覺效果，在形成觸控感測區(qū)結(jié)構(gòu)之后，觸控電極結(jié)構(gòu)上通常需要增加額外的光學(xué)層，以調(diào)節(jié)觸控裝置的顯示效果。因此傳統(tǒng)的觸控電極結(jié)構(gòu)制造工藝不但流程繁瑣，而且在顯示效果的調(diào)整方面需要付出額外的成本。

實(shí)用新型內(nèi)容基于此，有必要提供一種觸控電極結(jié)構(gòu)，其具有較少的工藝步驟且較好的視覺效
果O一種觸控電極結(jié)構(gòu)，包括:—基板，該基板界定有一感測區(qū)與一圍繞于該感測區(qū)的引線區(qū)；
·[0008]—電極層，設(shè)置于該基板上，且該電極層分為一蝕刻區(qū)與一非蝕刻區(qū)；一第一防蝕刻光學(xué)層，設(shè)置于該電極層的非蝕刻區(qū)上；—第二防蝕刻光學(xué)層，設(shè)置于該第一防蝕刻光學(xué)層和該基板上，且該第一防蝕刻光學(xué)層與該第二防蝕刻光學(xué)層至少裸露部分位于該引線區(qū)內(nèi)的該非蝕刻區(qū)的電極層；一信號引線，設(shè)置于該引線區(qū)內(nèi)，且電性連接該裸露的非蝕刻區(qū)的電極層。通過調(diào)節(jié)第一防蝕刻光學(xué)層和第二防蝕刻層的折射率，可減輕蝕刻后蝕刻區(qū)和非蝕刻區(qū)存在的外觀差異。

圖1為一實(shí)施例觸控電極結(jié)構(gòu)的工藝流程圖。圖2a 圖2h為為圖1所示工藝流程圖中各個步驟所對應(yīng)的觸控電極結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2a’ 圖2f’、圖2g’ -1、圖2h，-1分別為圖2a 圖2h沿B-B，方向的剖視圖，圖2g’ -2、圖2h’ -2分別為圖2g和圖2h沿C-C’方向的剖視圖。圖2i_l和圖2i_2分別為一實(shí)施例觸控電極結(jié)構(gòu)蝕刻區(qū)與非蝕刻區(qū)的剖面圖。圖3a 圖3c為形成本實(shí)用新型另一實(shí)施例觸控電極結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖3a’、圖3b’ -1、圖3c’ -1分別為圖3a 圖3c沿B-B’ (或C-C’)的剖視圖，圖3b’ -2、圖3c’ -2分為圖3b和圖3c沿C-C’方向的剖視圖。圖4a 圖4b為本實(shí)用新型第三實(shí)施例觸控電極結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖5為另一實(shí)施例觸控電極結(jié)構(gòu)的工藝流程圖。圖6a為采用圖5所示工藝流程圖中部分步驟所對應(yīng)的觸控電極結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖6a，-1為圖6a沿B-B，(或C-C，)的剖視圖，圖6a，_2為圖6a沿C-C，的剖視圖。圖7a為一種采用本實(shí)用新型觸控顯示裝置的俯視圖。圖7b為對應(yīng)于圖7a觸控顯示裝置的剖面圖 。圖8a繪示了本實(shí)用新型又一實(shí)施例的觸控電極結(jié)構(gòu)。圖8b和圖8c為對應(yīng)于圖8a的觸控電極結(jié)構(gòu)第二表面上觸控組件的俯視圖。圖9為采用一種圖8a觸控電極結(jié)構(gòu)的觸控顯示裝置的剖視圖。圖10和圖11為兩種可用于本實(shí)用新型觸控電極結(jié)構(gòu)中電極層的圖示。
具體實(shí)施方式
如圖1所述，圖1繪示了一種可用于制造本實(shí)用新型觸控電極結(jié)構(gòu)的工藝流程圖。該制造工藝流程包括以下步驟。SlOl:準(zhǔn)備一基板。參考圖2a’和圖2a，基板110采用可透視的材料，如玻璃基板或者聚對苯二甲酸類塑料(Polyethylene terephthalate,PET)。基板110可為平面或者曲面形狀，以適應(yīng)不同的觸控產(chǎn)品。基板110還可為硬質(zhì)基板或可擾式基板。基板110具有第一表面SI和第二表面S2，第一表面SI與第二表面S2相對?；?10界定有感測區(qū)Al(圖2a虛線包圍的區(qū)域)和圍繞于感測區(qū)Al的引線區(qū)A2。S102:形成一電極層于基板上。參考圖2b’和圖2b,電極層130a形成于基板110的第一表面SI上。電極層130a可以采用納米銀絲(Silver Nano-Wire, SNW)層、碳納米管(Carbon nanotube, CNT)層、石墨烯(Graphene)層、高分子導(dǎo)電(Conductive Polymer)層以及氧化金屬(ΙΤ0、ΑΖ0……Gel)層等可透視的材料。形成電極層130a的方式可以采用沉積、濺射等工藝。S103:形成一保護(hù)層于電極層上。參考圖2c’和圖2c，于電極層130a上形成保護(hù)層140。對于納米銀絲等易被氧化的材料，保護(hù)層140將電極層130a與空氣隔離，進(jìn)而有助于提高電極層130的抗氧化能力。同時，由于納米銀絲材料自身具有一定的疏密度，保護(hù)層140可通過納米銀絲的間隙與基板接觸，通過選用與基板110有較佳附著力的材料，有助于提高納米銀絲在基板110的附著力。保護(hù)層140的材料采用可透視的絕緣材料，如二氧化娃。保護(hù)層的厚度為50nm至500nm。S104:形成一第一防蝕刻光學(xué)層于保護(hù)層上。參考圖2d’和圖2d，第一防蝕刻光學(xué)層150形成于保護(hù)層140上。第一防蝕刻光學(xué)層150具有圖案化的形狀，用以定義電極層的電極結(jié)構(gòu)。該第一防蝕刻光學(xué)層150可以采用壓克力聚合物(Acrylate Polymer)和環(huán)氧樹脂(Epoxide Resin)等可透視的絕緣材料制成。形成第一防蝕刻光學(xué)層150的方式可以采用印刷(printing)工藝。第一防蝕刻光學(xué)層的厚度為0.05um至5um。S105:蝕刻未被該第一防蝕刻光學(xué)層遮擋的該電極層，則經(jīng)蝕刻后的該電極層分為一蝕刻區(qū)與一非蝕刻區(qū)。參考圖2e’和圖2e，經(jīng)蝕刻后，電極層130b包含蝕刻區(qū)M和非蝕刻區(qū)N。在蝕刻過程中，由于保護(hù)層140的厚度較薄，蝕刻液可滲透保護(hù)層140，進(jìn)而對蝕刻區(qū)M的電極層130a進(jìn)行蝕刻。圖2e和圖2e所示的電極層130b，非蝕刻區(qū)N形成與第一防蝕刻光學(xué)層150所定義的圖形相同的電極結(jié)構(gòu)，在本實(shí)施例中，電極結(jié)構(gòu)包含復(fù)數(shù)條沿第一軸向排列的感測電極，且各感測電極自感測區(qū)Al延伸至引線區(qū)A2。蝕刻電極層130a可采用不完全蝕刻的工藝，即在確保蝕刻區(qū)M的電極層130b與非蝕刻區(qū)N的電極層130b電性絕緣的前提下，僅蝕刻掉部分蝕刻區(qū)M的電極層130b。采用不完全蝕刻的工藝，可避免蝕刻區(qū)M與非蝕刻區(qū)N電極層色差過大。在另一實(shí)施例中，亦可采用完全蝕刻的工藝。S106:形成一第二防蝕刻光學(xué)層，第二防蝕刻光學(xué)層至少裸露部分位于引線區(qū)內(nèi)的第一防蝕刻光學(xué)層。參考圖2f’和圖2f，第二防蝕刻光學(xué)層160形成于第一防蝕刻光學(xué)層150和保護(hù)層140上，第二防蝕刻光學(xué)層160用以定義信號引線的連接區(qū)域。第二防蝕刻光學(xué)層160裸露部分位于引線區(qū)A2內(nèi)的第一防蝕刻光學(xué)層150。第二防蝕刻光學(xué)層160采用壓克力聚合物(Acrylate Polymer)和環(huán)氧樹脂(Epoxide Resin)等可透視的絕緣材料制成。形成第二防蝕刻光學(xué)層160可以采用印刷(printing)工藝。第二防蝕刻光學(xué)層160的厚度為0.05 um至5um。S107:蝕刻未被第二防蝕刻光學(xué)層遮擋的第一防蝕刻光學(xué)層和保護(hù)層，使得引線區(qū)內(nèi)的非蝕刻區(qū)的電極層至少部分裸露。參考圖2g’ -1、圖2g’ -2和圖2g，采用蝕刻工藝蝕刻未被第二防蝕刻光學(xué)層160遮擋的第一防蝕刻層160和保護(hù)層140，使非蝕刻區(qū)N的電極層130b部分裸露。S108:形成一信號引線。參考圖2h’_l、圖2h’_2和圖2h，信號引線170形成于基板110上，且信號引線170位于引線區(qū)A2內(nèi)，信號引線170電性連接裸露的非蝕刻區(qū)N的電極層130b。在本實(shí)施例中，各信號引線170的一端分別與各感測電極電性連接，各信號引線170的另一端匯聚至一接合區(qū)A3。需說明的是，接合區(qū)A3的數(shù)目和位置可根據(jù)感測電極的數(shù)目做調(diào)整。會 聚至接合區(qū)A3的信號引線170通過接合一軟性電路板連接至一控制器上(圖未示)，并借由控制器處理由信號引線170所傳遞的信號。信號引線170可采用氧化銦錫等可透視的導(dǎo)電材料、銀、鋁等金屬材料、或鑰鋁鑰等合金材料，或前述之組合。參考圖2h’ -1、圖2h’ -2和圖2h，經(jīng)過上述工藝所得到的觸控電極結(jié)構(gòu)，該觸控電極結(jié)構(gòu)包括:基板110，基板110界定有感測區(qū)Al與圍繞于感測區(qū)的引線區(qū)A2 ;電極層130b,設(shè)置于基板110上，且電極層130b分為蝕刻區(qū)M與非蝕刻區(qū)N ;保護(hù)層140，設(shè)置于該電極層130b與該基板110上；第一防蝕刻光學(xué)層150,設(shè)置于電極層130b的非蝕刻區(qū)N的保護(hù)層140上；第二防蝕刻光學(xué)層160，設(shè)置于保護(hù)層140與第一防蝕刻光學(xué)層150上，且保護(hù)層140、第一防蝕刻光學(xué)層150與第二防蝕刻光學(xué)層160裸露部分位于引線區(qū)A2內(nèi)的非蝕刻區(qū)N的電極層130b ;信號引線170，設(shè)置于引線區(qū)A2內(nèi)，且電性連接裸露的非蝕刻區(qū)N的電極層130b。在本實(shí)施例中,信號引線170位于基板110上。本實(shí)施例觸控電極結(jié)構(gòu)各部件的其它特性，在形成工藝中已詳述，故此處不再贅述。另請同時參考圖2h’ -1、圖2h’ -2、圖2i_l和圖2i_2，位于感測區(qū)Al內(nèi)的蝕刻區(qū)M的電極層上依次形成有保護(hù)層140、第二防蝕刻光學(xué)層160，非蝕刻區(qū)N的電極層上依次形成有保護(hù)層140、第一防蝕刻光學(xué)層150和第二防蝕刻光學(xué)層160。通過調(diào)節(jié)保護(hù)層140、第一防蝕刻光學(xué)層150、第二防蝕刻光學(xué)層160的折射率，可減輕經(jīng)蝕刻后蝕刻區(qū)M和非蝕刻區(qū)N存在的外觀差異，以確保后續(xù)將本觸控電極結(jié)構(gòu)應(yīng)用于觸控顯示裝置時，可取得較佳的視覺效果。在一實(shí)施例中，第一防蝕刻光學(xué)層150的折射率至少比保護(hù)層140的折射率大0.1，第二防蝕刻光學(xué)層160的折射率至少比第一防蝕刻光學(xué)層150的折射率大0.1。保護(hù)層140、第一防蝕刻光學(xué)層150、第二防蝕刻光學(xué)層160的折射率可根據(jù)不同電極層材料的折射率作調(diào)整。另，保護(hù)層140的厚度可為至50nm至500nm，該厚度范圍可確保在蝕刻電極層130a時，蝕刻液較易滲透；第一防蝕刻光學(xué)層150和第二防蝕刻光學(xué)層160的厚度可為為0.05um至5um,該厚度范圍有利于確保整體觸控電極結(jié)構(gòu)的光穿透率。此外,相比于傳統(tǒng)的制造工藝，本實(shí)施例的工藝流程中沒有涉及去除用于定義電極層130a的電極圖形的掩膜以及去除用以定義信號引線連接區(qū)域的掩膜的步驟，因此工藝步驟會更少，制程的時間也會更短，可以提高該工藝的效率。在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，第二防蝕刻光學(xué)層上形成有鏤空區(qū)域，保護(hù)層和第一防蝕刻光學(xué)層上形成有對應(yīng)于鏤空區(qū)域的貫穿孔，信號引線形成于第二保護(hù)層上，且通過鏤空區(qū)域及貫穿孔電性連接裸露的非蝕刻區(qū)的電極層。更具體地，可參考以下詳細(xì)說明。參考圖3a’和圖3a，與前述實(shí)施例不同之處在于，于步驟S106形成的第二防蝕刻光學(xué)層160包含有鏤空區(qū)域161，第二防蝕刻光學(xué)層160通過鏤空區(qū)域161裸露部分位于引線區(qū)A2內(nèi)的第一防蝕刻光學(xué)層150。在本實(shí)施例中，鏤空區(qū)域161裸露出位于引線區(qū)A2內(nèi)的各感測電極上的第一防蝕刻光學(xué)層150。進(jìn)一步參考圖3b’-1、圖3b’-2和圖3b，可采用與前一實(shí)施例相同的工藝，蝕刻鏤空區(qū)域161處的第一防蝕刻光學(xué)層150和保護(hù)層140，即可在第一防蝕刻光學(xué)層150和保護(hù)層140上形成對應(yīng)于鏤空區(qū)域161的貫穿孔。進(jìn)一步參考圖3c’-1、圖3c’-2和圖3c，可采用與前一實(shí)施例相同的工藝，于引線區(qū)A2內(nèi)形成信號引線170，信號引線170形成于第二防蝕刻光學(xué)層160上，且通過鏤空區(qū)域161及貫穿孔電性連接各感測電極。本實(shí)施例觸控電極結(jié)構(gòu)的其它特性與前一實(shí)施例相同，此處不再贅述。
另請參考圖4a和圖4b，于步驟S107形成如圖2g或圖3a的觸控電極結(jié)構(gòu)之后，可包含一去除第二防蝕刻光學(xué)層160的步驟，即本實(shí)用新型的觸控電極結(jié)構(gòu)可僅通過調(diào)節(jié)保護(hù)層140和第一防蝕刻光學(xué)層150折射率，達(dá)到減輕經(jīng)蝕刻后蝕刻區(qū)M和非蝕刻區(qū)N存在的外觀差異的目的。另請參考圖5、圖6a’ -1、圖6a’ _2和圖6a，圖5繪示了另一種可用于制造本實(shí)用新型觸控電極結(jié)構(gòu)的工藝流程圖，圖6a’ -1、圖6a’ _2和圖6a為一種采用圖5所繪示的工藝流程形成的觸控電極結(jié)構(gòu)。與圖1所繪示的工藝流程不同之處在于，當(dāng)電極層采用氧化金屬(ΙΤ0、AZO……Gel)層等抗氧化能力和附著力較好的材料時，可省略形成保護(hù)層的步驟，即直接形成第一防蝕光學(xué)層于電極層上(步驟203)，然后蝕刻未被第一防蝕光學(xué)層遮擋的電極層(步驟204)，然后形成第二防蝕刻光學(xué)層(步驟205)，第二防蝕刻光學(xué)層至少裸露部分位于引線區(qū)內(nèi)的第一防蝕刻光學(xué)層，然后蝕刻未被第二防蝕刻光學(xué)層遮擋的第一防蝕刻光學(xué)層，裸露出位于引線區(qū)內(nèi)的非蝕刻區(qū)的電極層，最后形成信號引線。圖5所繪示的工藝的其它特性與圖1所繪示的工藝相同，此處不再贅述。如圖6a’ -1、圖6a’ _2和圖6a’所繪示，依據(jù)圖5的制程工藝，形成的觸控電極結(jié)構(gòu)包括:基板210，基板210界定有感測區(qū)Al與圍繞于感測區(qū)的引線區(qū)A2 ;電極層230b，設(shè)置于基板210上,且電極層230b分為蝕刻區(qū)M與非蝕刻區(qū)N ;第一防蝕刻光學(xué)層250,設(shè)置于電極層230b的非蝕刻區(qū)N上；第二防蝕刻光學(xué)層260,設(shè)置于該第一防蝕刻光學(xué)層250和該基板210上,且第一防蝕刻光學(xué)層250與第二防蝕刻光學(xué)層260裸露部分位于引線區(qū)A2內(nèi)的非蝕刻區(qū)N的電極層230b;信號引線270，設(shè)置于引線區(qū)A2內(nèi)，且電性連接裸露的非蝕刻區(qū)N的電極層。在本實(shí)施例中，信號引線270設(shè)置于基板210上。在另一實(shí)施例中，第二防蝕刻光學(xué)層260上形成有鏤空區(qū)域，第一防蝕刻光學(xué)層250上形成有對應(yīng)于鏤空區(qū)域的貫穿孔，信號引線270通過鏤空區(qū)域及貫穿孔與位于引線區(qū)A2內(nèi)的非蝕刻區(qū)N的電極層230b電性連接。本實(shí)施例觸控電極結(jié)構(gòu)的其它特性與前述實(shí)施例相同，此處不再贅述。請參考圖7a和圖7b，圖7a繪示了一種采用本實(shí)用新型觸控電極結(jié)構(gòu)的觸控顯示裝置的上視圖，圖7b繪示了一種對應(yīng)于圖7a觸控顯示裝置的剖視圖。在本實(shí)施例中，觸控顯示裝置10具有一顯示區(qū)A4和一圍繞于顯示區(qū)A4的裝飾區(qū)A5，包含有依次層疊的蓋板
11、第一觸控電極結(jié)構(gòu)12、第二觸控電極結(jié)構(gòu)13、顯示模組14，這些組件通過粘合層G進(jìn)行接合。其中，蓋板11采用可透視的材料，如玻璃。蓋板11可為平面或者曲面等形狀，以適應(yīng)不同的觸控產(chǎn)品。在本實(shí)施例中，蓋板11與第一觸控電極結(jié)構(gòu)12接合的一側(cè)，位于裝飾區(qū)A5的部分形成有遮蔽層11a，遮蔽層Ila形成有鏤空的圖案，如功能區(qū)塊圖案或Logo。在另一實(shí)施例中，裝飾層Ila亦可設(shè)置于蓋板11非接合面的一側(cè)。遮蔽層Ila可采用有色油墨或有色光阻等材料。蓋板11非接合面的一側(cè)還可形成有抗眩層、抗污層等功能層。第一觸控電極結(jié)構(gòu)12和第二觸控電極結(jié)構(gòu)13可采用前述實(shí)施例的觸控電極結(jié)構(gòu)，其中12b和13b為基板，12a和13a為形成于基板上觸控電極組件。較佳地,第一觸控電極結(jié)構(gòu)12和第二觸控電極結(jié)構(gòu)13上的感測電極相互垂直。形成于裝飾區(qū)A5內(nèi)的遮蔽層Ila用以遮蔽第一觸控電極結(jié)構(gòu)12和第二觸控電極結(jié)構(gòu)13引線區(qū)A2內(nèi)的信號引線。顯示模組14可采用液晶顯示面板或其它顯示面板。粘合層G采用可透視的粘合材料，如固態(tài)光學(xué)膠(SolidOptical Clear Adhesive) 、液態(tài)光學(xué)膠(Liquid Optical Clear Adhesive)。在本實(shí)施例中，粘合層G為整面性的分布。在其它實(shí)施例中，粘合層G可為局部分布，如僅分布于裝飾區(qū)A5。參考圖8a，圖8a繪示了本實(shí)用新型另一觸控電極結(jié)構(gòu)的示意圖，在于基板110的第一表面SI形成觸控電極組件之后，可進(jìn)一步采用圖1 (或圖5)的制造工藝，于基板110的第二表面S2形成觸控電極組件。更具體地，如圖8b或圖8c所示，基板110第二表面S2上的觸控電極組件包含圖案化的電極層230b，電極層230b由復(fù)數(shù)條沿第二軸向排列的感測電極組成。第二表面S2的觸控電極組件的其它特性與前述實(shí)施例相同，此處不再贅述。參考圖9，圖9繪示了一種采用圖8a觸控電極結(jié)構(gòu)的觸控顯示裝置。觸控顯示裝置20包含有依次層疊的蓋板21、觸控電極結(jié)構(gòu)22、顯示模組24，該些組件通過粘合層G進(jìn)行接合。其中蓋板21的周邊形成有遮蔽層21a。觸控電極結(jié)構(gòu)22包含基板22b，基板22b的第一表面和第二表面分別形成有觸控電極組件22a和22c。蓋板21、遮蔽層21a、顯示模組24、粘合層G的其它特性與圖5b所繪示的觸控顯示裝置10相同，此處不再贅述。參考圖10和圖11，本實(shí)用新型可用以形成其它類型的單層的觸控電極結(jié)構(gòu)，如圖10中的對稱分布的三角形結(jié)構(gòu)，以及如圖11所示的交錯的梳狀結(jié)構(gòu)。相比于傳統(tǒng)的制造工藝，本實(shí)用新型的工藝流程中沒有涉及去除用于定義電極層的電極圖形的蝕刻掩膜以及去除用以定義信號引線的連接區(qū)域的掩膜的步驟，因此工藝步驟會更少，制程的時間也會更短，可以提高該工藝的效率。同時本實(shí)用新型通過調(diào)節(jié)第一防蝕刻光學(xué)層和第二防蝕刻層的折射率，可減輕蝕刻后蝕刻區(qū)和非蝕刻區(qū)存在的外觀差異，進(jìn)而有助于提高觸控顯示裝置的外觀效果。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍 。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種觸控電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一基板，該基板界定有一感測區(qū)與一圍繞于該感測區(qū)的引線區(qū)； 一電極層，設(shè)置于該基板上，且該電極層分為一蝕刻區(qū)與一非蝕刻區(qū)； 一第一防蝕刻光學(xué)層，設(shè)置于該電極層的非蝕刻區(qū)上； 一第二防蝕刻光學(xué)層，設(shè)置于該第一防蝕刻光學(xué)層和該基板上，且該第一防蝕刻光學(xué)層與該第二防蝕刻光學(xué)層至少裸露部分位于該引線區(qū)內(nèi)的該非蝕刻區(qū)的電極層； 一信號引線，設(shè)置于該引線區(qū)內(nèi)，且電性連接該裸露的非蝕刻區(qū)的電極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極層上更形成有一保護(hù)層，且該保護(hù)層設(shè)置于該電極層與該第一防蝕刻光學(xué)層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸控電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度為至50nm至500nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸控電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一防蝕刻光學(xué)層的折射率至少比所述保護(hù)層的折射率大0.1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的觸控電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二防蝕刻光學(xué)層的折射率至少比所述第一防蝕刻光學(xué)層的折射率大0.1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二防蝕刻光學(xué)層上形成有鏤空區(qū)域，所述第一防蝕刻光學(xué)層上形成有對應(yīng)于該鏤空區(qū)域的貫穿孔，所述信號引線位于該第二防蝕刻光學(xué)層上，且通過該鏤空區(qū)域及該貫穿孔電性連接該裸露的非蝕刻區(qū)的電極層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述信號引線設(shè)置于該基板上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一防蝕刻光學(xué)層的厚度為 0.05um 至 5um。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二防蝕刻光學(xué)層的厚度為 0.05um 至 5um。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一防蝕刻光學(xué)層和第二防蝕刻光學(xué)層采用可透視的絕緣材料。
專利摘要一種觸控電極結(jié)構(gòu)，包括一基板，該基板界定有一感測區(qū)與一圍繞于該感測區(qū)的引線區(qū)；一電極層，設(shè)置于該基板上，且該電極層分為一蝕刻區(qū)與一非蝕刻區(qū)；一第一防蝕刻光學(xué)層，設(shè)置于該電極層的非蝕刻區(qū)上；一第二防蝕刻光學(xué)層，設(shè)置于該第一防蝕刻光學(xué)層和該基板上，且該第一防蝕刻光學(xué)層與該第二防蝕刻光學(xué)層至少裸露部分位于該引線區(qū)內(nèi)的該非蝕刻區(qū)的電極層；一信號引線，設(shè)置于該引線區(qū)內(nèi)，且電性連接該裸露的非蝕刻區(qū)的電極層。通過調(diào)節(jié)第一防蝕刻光學(xué)層和第二防蝕刻層的折射率，可減輕蝕刻后蝕刻區(qū)和非蝕刻區(qū)存在的外觀差異。
文檔編號G06F3/041GK203117930SQ20122070896
公開日2013年8月7日 申請日期2012年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月18日
發(fā)明者劉振宇, 李祿興 申請人:宸鴻光電科技股份有限公司