專利名稱：一種高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電腦主機(jī)板電源電壓輸入設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體涉及一種能自動(dòng)適應(yīng)高、低電壓輸入，滿足主板正常供電的高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置。
背景技術(shù)：
隨著社會(huì)的發(fā)展，科技的不斷更新，電腦越來越普及，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)也被引入各種行業(yè)，但是計(jì)算機(jī)的工控板卡根據(jù)應(yīng)用的環(huán)境不同，往往會(huì)需要配備不同電壓的電源，例如車載環(huán)境中一般都用24V，普通桌面電腦型又會(huì)配備標(biāo)準(zhǔn)的12V電源，而在類似筆記本使用環(huán)境中，又可能用到標(biāo)準(zhǔn)的19V電源，為了滿足不同的使用環(huán)境，工控板卡需要分別做幾款不同的類型，以滿足不同的電源方案，這樣對(duì)生產(chǎn)管控，物料采購(gòu)，銷售庫(kù)存等都極為不便，還增加了成本，因此，現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷，需要改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，自動(dòng)切換高低電壓，使用方便，降低生產(chǎn)成本的高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置。本實(shí)用新型的主要目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置，包括直流電源輸入接口、電壓檢測(cè)電路、高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路、MOS集成電壓比較器，所述電壓檢測(cè)電路連接于直流電源輸入接口，所述電壓檢測(cè)電路與MOS集成電壓比較器連接，所述高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路包括高壓輸出電路、低壓輸出電路，所述MOS集成電壓比較器分別與高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路的高壓輸出電路、低壓輸出電路連接；所述高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置還設(shè)置有橋式整流電路，所述高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路與橋式整流電路連接；所述MOS集成電壓比較器包括MOS集成電路芯片U36、電容C274、電阻R433-R435-R436、三極管Q69、場(chǎng)效應(yīng)管Q7，所述電壓檢測(cè)電路的Vbat_in端與MOS集成電路芯片VCC端的負(fù)極連接，所述電壓檢測(cè)電路的Vref端與MOS集成電路芯片VCC端的正極連接；所述MOS集成電路芯片通過電阻R436與三極管Q69的基極連接，所述三極管Q69的基極與電阻R435的一端連接，所述電阻R435的另一端與三極管Q69的發(fā)射極連接，且接地；所述三極管Q69的集電極與高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路的低壓輸出電路連接；所述MOS集成電路芯片U36通過電阻R433與場(chǎng)效應(yīng)管Q7的漏極連接，所述MOS集成電路芯片U36通過電容C274接地，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q7的漏極還連接地線，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q7的源極與高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路的高壓輸出電路連接；所述高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路的高壓輸出電路包括集成電路芯片U33、電容C270-C306-C307、二極管D4、電阻R426-R422，所述集成電路芯片U33的VIN端與直流電源輸入端連接，所述集成電路芯片U33的ENA端與MOS集成電壓比較器連接，所述集成電路芯片U33的PAPD端、GNG端均接地設(shè)置，所述集成電路芯片U33的BOOT端通過電容C270與高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置的電壓輸出端連接，所述集成電路芯片U33的BOOT端與PH端分別與二極管D4連接，所述二極管D4的另一端接地設(shè)置，所述電阻R426 —端連接于電容C270與高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置的電壓輸出端之間，所述電阻R426的另一端與電阻R422連接，所述電阻R422的另一端接地設(shè)置，所述集成電路芯片U33的VSENSE端連接于電阻R426與電阻R422之間，所述電容C306-C307分別連接于電容C270與高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置的電壓輸出端之間，所述電容C306-C307的另一端均接地設(shè)置；所述高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路的低壓輸出電路包括場(chǎng)效應(yīng)管Q45、電阻R434，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q45的G端與MOS集成電壓比較器連接，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q45的S端與G端之間通過電阻R434連接，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q45的D端連接于電容C270與高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置的電壓輸出端之間。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的有益效果是，使用該高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置能自動(dòng)切換高低電壓，MOS集成電壓比較器可以根據(jù)當(dāng)前輸入電壓，穩(wěn)定的輸出高低電平，切換電路中的MOS管，根據(jù)比較器的輸出電平，自動(dòng)切換后端12V的供電電路，使用方便，免去了多樣話采購(gòu)，降低生產(chǎn)成本，進(jìn)而減少成品庫(kù)存，有很好的經(jīng)濟(jì)效益。

圖1為本實(shí)用新型的框架圖；圖2為本實(shí)用新型的原理圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。如圖1、圖2所示，該高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，自動(dòng)切換高低電壓，使用方便，降低生產(chǎn)成本。該高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置，包括直流電源輸入接口 1、電壓檢測(cè)電路2、高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路6、MOS集成電壓比較器3，所述電壓檢測(cè)電路2連接于直流電源輸入接口 I，所述電壓檢測(cè)電路2與MOS集成電壓比較器3連接，所述高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路6包括高壓輸出電路5、低壓輸出電路4，所述MOS集成電壓比較器3分別與高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路的高壓輸出電路5、低壓輸出電路4連接；所述高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置還設(shè)置有橋式整流電路7，所述高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路6與橋式整流電路7連接；所述MOS集成電壓比較器包括MOS集成電路芯片U36、電容C274、電阻R433-R435-R436、三極管Q69、場(chǎng)效應(yīng)管Q7，所述電壓檢測(cè)電路的Vbat_in端與MOS集成電路芯片VCC端的負(fù)極連接，所述電壓檢測(cè)電路的Vref端與MOS集成電路芯片VCC端的正極連接；所述MOS集成電路芯片通過電阻R436與三極管Q69的基極連接，所述三極管Q69的基極與電阻R435的一端連接，所述電阻R435的另一端與三極管Q69的發(fā)射極連接，且接地；所述三極管Q69的集電極與高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路的低壓輸出電路連接；所述MOS集成電路芯片U36通過電阻R433與場(chǎng)效應(yīng)管Q7的漏極連接，所述MOS集成電路芯片U36通過電容C274接地，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q7的漏極還連接地線，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q7的源極與高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路的高壓輸出電路連接；所述高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路的高壓輸出電路包括集成電路芯片U33、電容C270-C306-C307、二極管D4、電阻R426-R422，所述集成電路芯片U33的VIN端與直流電源輸入端連接，所述集成電路芯片U33的ENA端與MOS集成電壓比較器的場(chǎng)效應(yīng)管Q7的源極連接，所述集成電路芯片U33的PAPD端、GNG端均接地設(shè)置，所述集成電路芯片U33的BOOT端通過電容C270與高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置的電壓輸出端8連接，所述集成電路芯片U33的BOOT端與PH端分別與二極管D4連接，所述二極管D4的另一端接地設(shè)置，所述電阻R426 —端連接于電容C270與高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置的電壓輸出端8之間，所述電阻R426的另一端與電阻R422連接，所述電阻R422的另一端接地設(shè)置，所述集成電路芯片U33的VSENSE端連接于電阻R426與電阻R422之間，所述電容C306-C307分別連接于電容C270與高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置的電壓輸出端之間，所述電容C306-C307的另一端均接地設(shè)置；所述高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路的低壓輸出電路包括場(chǎng)效應(yīng)管Q45、電阻R434，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q45的G端與MOS集成電壓比較器的三極管Q69的集電極連接，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q45的S端與G端之間通過電阻R434連接，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q45的D端連接于電容C270與高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置的電壓輸出端之間；所述電壓檢測(cè)電路包括電阻R432-R431-R427、二極管D2，所述電阻R432與電阻R431串接，所述電阻R432的另一端接地設(shè)置，所述電壓檢測(cè)電路的Vbat_in端連接于電阻R432-R431之間，所述電阻R427連接于電壓檢測(cè)電路的Vref端，所述二極管D2與電阻R427連接，所述二極管D2的另一端接地設(shè)置；所述直流電源輸入接口包括WAFERDIP連接器、電容C281-C268-C269-C285、二極管D9，所述WAFERDIP連接器與集成電路芯片U33的VIN端連接，所述電容C281-C268-C269-C285、二極管D9分別與WAFERDIP連接器連接，所述WAFERDIP連接器、電容C281-C268-C269-C285、二極管D9均接地設(shè)置。其工作原理為:當(dāng)Voutl = H, when Vbat_in ^ Vref,即場(chǎng)效應(yīng)管Q7導(dǎo)通，場(chǎng)效應(yīng)管Q7控制集成電路芯片U33的ENA，使其拉低，這時(shí)，集成電路芯片U33不工作，即不是使用高電壓輸入；M0S集成電壓比較器控制三極管Q69導(dǎo)通，將場(chǎng)效應(yīng)管Q45的G端拉低，使場(chǎng)效應(yīng)管Q45導(dǎo)通，進(jìn)行低電壓輸入；當(dāng)Voutl = L,when Vbat_in < Vref,三極管Q69關(guān)閉，場(chǎng)效應(yīng)管Q45的G端保持高電平，使場(chǎng)效應(yīng)管Q45處于非工作狀態(tài)，即非低電壓輸入，場(chǎng)效應(yīng)管Q7關(guān)閉,場(chǎng)效應(yīng)管Q7控制集成電路芯片U33的ENA，使其保持原始H電平態(tài)，集成電路芯片U33工作，高電壓輸A ；無論如何使用均是12V，6A穩(wěn)壓源輸出。S卩，當(dāng)輸入電壓高于15V時(shí)，MOS集成電壓比較器自動(dòng)切換到高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路，然后由該高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路轉(zhuǎn)換出12V電壓；當(dāng)輸入電壓低于15V時(shí)，MOS集成電壓比較器自動(dòng)切換到12V輸入電路，不再進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換，直接供給后端的12V，能自動(dòng)切換高低電壓，MOS集成電壓比較器可以根據(jù)當(dāng)前輸入電壓，穩(wěn)定的輸出高低電平，切換電路中的MOS管，根據(jù)比較器的輸出電平，自動(dòng)切換后端12V的供電電路，使用方便，免去了多樣話采購(gòu)，降低生產(chǎn)成本，進(jìn)而減少成品庫(kù)存，有很好的經(jīng)濟(jì)效益。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解或?qū)崿F(xiàn)本實(shí)用新型，對(duì)該實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說將是顯而易見的，在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況 下，能夠在其他實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)，因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制與本文所示的實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬范圍。
權(quán)利要求1.一種高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置，其特征在于，包括直流電源輸入接口、電壓檢測(cè)電路、高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路、MOS集成電壓比較器，所述電壓檢測(cè)電路連接于直流電源輸入接口，所述電壓檢測(cè)電路與MOS集成電壓比較器連接，所述高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路包括高壓輸出電路、低壓輸出電路，所述MOS集成電壓比較器分別與高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路的高壓輸出電路、低壓輸出電路連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置，其特征在于，所述高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置還設(shè)置有橋式整流電路，所述高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路與橋式整流電路連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置，其特征在于，所述MOS集成電壓比較器包括MOS集成電路芯片U36、電容C274、電阻R433-R435-R436、三極管Q69、場(chǎng)效應(yīng)管Q7，所述電壓檢測(cè)電路的Vbat_in端與MOS集成電路芯片VCC端的負(fù)極連接，所述電壓檢測(cè)電路的Vref端與MOS集成電路芯片VCC端的正極連接；所述MOS集成電路芯片通過電阻R436與三極管Q69的基極連接，所述三極管Q69的基極與電阻R435的一端連接，所述電阻R435的另一端與三極管Q69的發(fā)射極連接，且接地；所述三極管Q69的集電極與高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路的低壓輸出電路連接；所述MOS集成電路芯片U36通過電阻R433與場(chǎng)效應(yīng)管Q7的漏極連接，所述MOS集成電路芯片U36通過電容C274接地，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q7的漏極還連接地線，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q7的源極與高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路的高壓輸出電路連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置，其特征在于，所述高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路的高壓輸出電路包括集成電路芯片U33、電容C270-C306-C307、二極管D4、電阻R426-R422，所述集成電路芯片U33的VIN端與直流電源輸入端連接，所述集成電路芯片U33的ENA端與MOS集成電壓比較器連接，所述集成電路芯片U33的PAPD端、GNG端均接地設(shè)置，所述集成電路芯片U33的BOOT端通過電容C270與高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置的電壓輸出端連接，所述集成電路芯片U33的BOOT端與PH端分別與二極管D4連接，所述二極管D4的另一端接地設(shè)置，所述電阻R426 —端連接于電容C270與高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置的電壓輸出端之間，所述電阻R426的另一端與電阻R422連接，所述電阻R422的另一端接地設(shè)置，所述集成電路芯片U33的VSENSE端連接于電阻R426與電阻R422之間，所述電容C306-C307分別連接于電容C270與高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置的電壓輸出端之間，所述電容C306-C307的另一端均接地設(shè)置；所述高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路的低壓輸出電路包括場(chǎng)效應(yīng)管Q45、電阻R434，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q45的G端與MOS集成電壓比較器連接，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q45的S端與G端之間通過電阻R434連接，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q45的D端連接于電容C270與高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置的電壓輸出端之間。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種高、低電壓輸入自動(dòng)切換裝置，包括直流電源輸入接口、電壓檢測(cè)電路、高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路、MOS集成電壓比較器，所述電壓檢測(cè)電路連接于直流電源輸入接口，所述電壓檢測(cè)電路與MOS集成電壓比較器連接，所述高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路包括高壓輸出電路、低壓輸出電路，所述MOS集成電壓比較器分別與高電壓轉(zhuǎn)低電壓集成電路的高壓輸出電路、低壓輸出電路連接，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，自動(dòng)切換高低電壓，使用方便，降低生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)G06F1/26GK203164863SQ201320019108
公開日2013年8月28日 申請(qǐng)日期2013年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月11日
發(fā)明者袁軍, 陳勝進(jìn) 申請(qǐng)人:深圳市康士達(dá)科技有限公司