控制裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明揭示了一種控制裝置，用于控制硬盤(pán)與電子裝置之間的連接，所述電子裝置包括用于連接硬盤(pán)的硬盤(pán)連接器，所述控制裝置包括：一檢測(cè)電路，與所述硬盤(pán)連接器的接地引腳連接，用于檢測(cè)硬盤(pán)的連接狀態(tài)，并產(chǎn)生檢測(cè)信號(hào)；一中央處理器，與所述檢測(cè)電路連接，用于接收所述檢測(cè)信號(hào)，并根據(jù)所述檢測(cè)信號(hào)發(fā)送控制信號(hào)；以及至少一電源控制電路，與所述中央處理器連接，并與所述硬盤(pán)連接器連接，用于接收所述控制信號(hào)，并根據(jù)所述控制信號(hào)控制所述硬盤(pán)供電。
【專(zhuān)利說(shuō)明】控制裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及自動(dòng)化控制【技術(shù)領(lǐng)域】，且特別涉及一種用于控制硬盤(pán)與電子裝置之間連接的控制裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)今SATA硬盤(pán)是計(jì)算機(jī)裝置中重要的資料存儲(chǔ)設(shè)備，隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的日益普及與發(fā)展，基于提高計(jì)算機(jī)裝置的可擴(kuò)展性，設(shè)備連接靈活性的考慮，一些用戶(hù)要求計(jì)算機(jī)裝置所用的SATA硬盤(pán)可以進(jìn)行熱插拔操作。
[0003]熱插拔也被稱(chēng)為“帶電插拔”，是指允許用戶(hù)在不關(guān)閉系統(tǒng)，不切斷電源的情況下取出和更換損壞的硬盤(pán)、電源或板卡等部件。目前對(duì)于SATA硬盤(pán)來(lái)講，具有兩種連接模式，一種為數(shù)據(jù)線(Cable)連接，另一種為硬盤(pán)連接器連接，例如背板(Backplane)。而允許熱插拔硬盤(pán)的連接為硬盤(pán)連接器連接。
[0004]在進(jìn)行硬盤(pán)熱插拔操作時(shí)，會(huì)產(chǎn)生瞬間大電流從而影響硬盤(pán)的穩(wěn)定性甚至損壞硬盤(pán)，因此現(xiàn)有的支持熱插拔的相關(guān)產(chǎn)品都使用專(zhuān)用的熱插拔芯片控制硬盤(pán)供電，如INTERSIL公司的ISL6140芯片等，以避免產(chǎn)生大電流從而對(duì)硬盤(pán)設(shè)備造成損害。然而此類(lèi)熱插拔芯片通常價(jià)格較高，并且提供這種專(zhuān)用熱插拔芯片的專(zhuān)業(yè)廠商很少，采用專(zhuān)門(mén)熱插拔芯片提高了產(chǎn)品的原料成本，并且芯片壽命較短。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中，在進(jìn)行硬盤(pán)熱插拔操作時(shí)，造成硬盤(pán)損壞，以及應(yīng)用插拔芯片的高成本、不穩(wěn)定等技術(shù)問(wèn)題。
[0006]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種控制裝置，用于控制硬盤(pán)與電子裝置之間的連接，所述電子裝置包括用于連接硬盤(pán)的硬盤(pán)連接器，所述控制裝置包括:一檢測(cè)電路，與所述硬盤(pán)連接器的接地引腳連接，用于檢測(cè)所述硬盤(pán)的連接狀態(tài)，并產(chǎn)生檢測(cè)信號(hào)；一中央處理器，與所述檢測(cè)電路連接，用于接收所述檢測(cè)信號(hào)，并根據(jù)所述檢測(cè)信號(hào)發(fā)送控制信號(hào)；以及至少一電源控制電路，與所述中央處理器連接，并與所述硬盤(pán)連接器連接，用于接收所述控制信號(hào)，并根據(jù)所述控制信號(hào)控制所述硬盤(pán)供電。
[0007]進(jìn)一步的，所述接地引腳為所述硬盤(pán)連接器上的長(zhǎng)度相對(duì)其余引腳較短的接地引腳。
[0008]進(jìn)一步的，所述接地引腳在所述硬盤(pán)連接器的P5、P6或PlO引腳。
[0009]進(jìn)一步的，所述檢測(cè)電路包括:電源及上拉電阻，所述上拉電阻一端連接到所述電源，所述上拉電阻另一端接地，并與所述接地引腳以及所述中央處理器連接。
[0010]進(jìn)一步的，所述電源為3.3V電源。
[0011]進(jìn)一步的，所述檢測(cè)電路還包括:一濾波電容，所述上拉電阻一端連接到所述電源，所述上拉電阻另一端通過(guò)所述濾波電容接地，所述上拉電阻與所述濾波電容之間的節(jié)點(diǎn)分別連接到所述接地引腳以及所述中央處理器。[0012]進(jìn)一步的，所述檢測(cè)電路還包括:限流電阻，所述上拉電阻與所述濾波電容之間的節(jié)點(diǎn)通過(guò)所述限流電阻連接到所述硬盤(pán)連接器的接地引腳。
[0013]進(jìn)一步的，所述檢測(cè)電路還包括:一靜電釋放保護(hù)器，所述靜電釋放保護(hù)器一端接地，另一端連接到所述上拉電阻與所述濾波電容之間的節(jié)點(diǎn)。
[0014]進(jìn)一步的，所述電源控制電路包括電源、P型金氧半場(chǎng)效晶體管、N型金氧半場(chǎng)效晶體管、儲(chǔ)能電容、以及兩個(gè)開(kāi)關(guān)電阻。
[0015]進(jìn)一步的，所述電源控制電路為兩個(gè)。
[0016]本發(fā)明的控制裝置由電阻、電容、場(chǎng)效應(yīng)管組成，成本低廉，構(gòu)造簡(jiǎn)單，且適用于硬盤(pán)的熱插拔操作，穩(wěn)定性高，保證了熱插拔過(guò)程中硬盤(pán)的安全性。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的控制裝置的結(jié)構(gòu)方塊示意圖；
[0018]圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的硬盤(pán)的引腳示意圖；
[0019]圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的檢測(cè)電路的電路圖；
[0020]圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的檢測(cè)電路的電路圖；
[0021]圖5是本發(fā)明第三實(shí)施例提供的檢測(cè)電路的電路圖；
[0022]圖6是本發(fā)明第四實(shí)施例提供的檢測(cè)電路的電路圖；
[0023]圖7是本發(fā)明第五實(shí)施例提供的檢測(cè)電路的電路圖；
[0024]圖8是本發(fā)明第六實(shí)施例提供的電源控制電路的電路圖；
[0025]圖9是本發(fā)明第七實(shí)施例提供的電源控制電路的電路圖；
[0026]圖10是本發(fā)明第八實(shí)施例提供的電源控制電路的電路圖；
[0027]圖11是本發(fā)明第九實(shí)施例提供的電源控制電路的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]為使本發(fā)明的目的、特征更明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0029]請(qǐng)參見(jiàn)圖1，其所示為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的控制裝置的結(jié)構(gòu)方塊示意圖。本發(fā)明實(shí)施例中所述的用于控制硬盤(pán)與電子裝置之間的連接的控制裝置，包括檢測(cè)電路1、5V電源控制電路2以及12V電源控制電路3。檢測(cè)電路I通過(guò)信號(hào)線連接到硬盤(pán)連接器4的接地引腳(GND)上以獲取檢測(cè)信號(hào)，向中央處理器(CPU)5傳送檢測(cè)信號(hào)。請(qǐng)同時(shí)參見(jiàn)圖2，其所示為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的硬盤(pán)引腳示意圖。所述硬盤(pán)連接器4上的引腳系對(duì)應(yīng)硬盤(pán)6的引腳位置設(shè)置，本實(shí)施例所述硬盤(pán)6為一 SATA硬盤(pán)，由于硬盤(pán)連接器4連接方式中，除去特定信號(hào)功能引腳，還有8個(gè)接地引腳:S1、S4、S7、P4、P5、P6、PlO及P12。其中接地引腳S1、S4及S7為高速差分信號(hào)的參考地，為保證高速信號(hào)的信號(hào)完整性，不可做其他用途。因此，可以在其余接地引腳？4汴5、？6、？10及？12中選擇檢測(cè)信號(hào)。
[0030]優(yōu)選地，由于硬盤(pán)6上的接地引腳P4、P5、P6、PIO及P12長(zhǎng)度相同，但硬盤(pán)連接器4上22針，連接器的引腳長(zhǎng)度并不相同，其中接地引腳P4及P12為相對(duì)較長(zhǎng)引腳；接地引腳P5、P6及PlO為相對(duì)較短的引腳。當(dāng)硬盤(pán)6插入硬盤(pán)連接器4時(shí)，接地引腳P4及P12首先連接，接地引腳P5、P6及PlO后連接?？紤]到硬盤(pán)6可能攜帶較大的靜電，如果將長(zhǎng)接地引腳P4及P12作為檢測(cè)引腳，靜電會(huì)釋放給檢測(cè)信號(hào)，可能影響甚至損壞中央處理器5 ;若選擇較短接地引腳P5、P6及PlO為檢測(cè)信號(hào)，靜電荷會(huì)通過(guò)2個(gè)長(zhǎng)引腳對(duì)印刷電路板(PCB)接地端放電，這樣當(dāng)短接地引腳P5、P6及PlO接觸到硬盤(pán)連接器4時(shí)，大大減少靜電荷進(jìn)入檢測(cè)引腳的可能性，所以可以選擇接地引腳P5、P6或PlO為檢測(cè)信號(hào)。
[0031]中央處理器5通過(guò)信號(hào)線向5V電源控制電路和12V電源控制電路提供電源控制信號(hào)。5V電源控制電路通過(guò)信號(hào)線連接到硬盤(pán)連接器4上的5V電源引腳P7、P8及P9向硬盤(pán)6提供工作電源，12V電源控制電路通過(guò)信號(hào)線連接到硬盤(pán)連接器4上的12V電源引腳P13、P14及P15向硬盤(pán)6提供工作電源。
[0032]請(qǐng)參見(jiàn)圖3，其所示為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的檢測(cè)電路的電路圖。
[0033]所述檢測(cè)電路包括電源VCC以及上拉電阻R26。所述上拉電阻R26 —端連接到電源VCC另一端分別接地以及連接到中央處理器CPU和硬盤(pán)連接器的接地引腳GND。
[0034]請(qǐng)參見(jiàn)圖4，其所示為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的檢測(cè)電路的電路圖。
[0035]所述檢測(cè)電路是對(duì)圖3中所示的檢測(cè)電路的進(jìn)一步改進(jìn)的實(shí)施例，所述檢測(cè)電路進(jìn)一步包括了濾波電容C67，所述上拉電阻R26 —端連接到電源VCC，另一端通過(guò)濾波電容C67接地。上拉電阻R26與濾波電容C67之間的節(jié)點(diǎn)連接到主板上硬盤(pán)連接器的接地引腳GND(P5、P6或PlO中任一)并且作為向中央處理器CPU提供檢測(cè)信號(hào)的連接點(diǎn)。當(dāng)硬盤(pán)未接入系統(tǒng)時(shí)，檢測(cè)信號(hào)通過(guò)上拉電阻R26被拉高，形成高電平，濾波電容C67起到濾波器的作用，信號(hào)濾波后提供給中央處理器CPU，當(dāng)檢測(cè)信號(hào)為高電平時(shí)，中央處理器CPU并不向電源控制電路發(fā)出控制信號(hào)，因此系統(tǒng)不向硬盤(pán)連接器供電。但硬盤(pán)接入系統(tǒng)時(shí)，由于所連接的引腳是接地引腳，因此檢測(cè)信號(hào)被拉低，形成低電平，中央處理器CPU向電源控制電路發(fā)出控制信號(hào)，系統(tǒng)向硬盤(pán)連接器供電。
[0036]請(qǐng)參見(jiàn)圖5，其所示為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的檢測(cè)電路的電路圖。所述檢測(cè)電路是對(duì)圖4中所示的檢測(cè)電路的進(jìn)一步改進(jìn)的實(shí)施例，所述檢測(cè)電路進(jìn)一步包括了限流電阻R25，所述上拉電阻R26與濾波電容C67之間的節(jié)點(diǎn)通過(guò)限流電阻R25連接到主板上硬盤(pán)連接器的接地引腳GND(P5、P6或PlO中任一)。這樣做的好處在于限制了輸入到中央處理器CPU的電流，防止由于電流過(guò)大而對(duì)中央處理器CPU有所損害。
[0037]請(qǐng)參見(jiàn)圖6，其所示為本發(fā)明第四實(shí)施例提供的檢測(cè)電路的電路圖。所述檢測(cè)電路是對(duì)圖4中所示的檢測(cè)電路的進(jìn)一步改進(jìn)的實(shí)施例，所述檢測(cè)電路進(jìn)一步包括了靜電釋放(ESD)保護(hù)器D6，優(yōu)選地，靜電釋放保護(hù)器D6可以為瞬態(tài)抑制二極管(TVS)。靜電釋放保護(hù)器D6 —端接地，另一端連接到所述上拉電阻R26與濾波電容C67之間的節(jié)點(diǎn)。由于硬盤(pán)熱插拔時(shí)，硬盤(pán)會(huì)帶有大量靜電，而添加靜電釋放保護(hù)器D6后，當(dāng)檢測(cè)信號(hào)上出現(xiàn)較大電壓時(shí)靜電釋放保護(hù)器D6會(huì)對(duì)地導(dǎo)通，防止靜電損壞中央處理器CPU。
[0038]請(qǐng)參見(jiàn)圖7，其所示是本發(fā)明第五實(shí)施例提供的檢測(cè)電路的電路圖，該檢測(cè)電路是對(duì)圖5中所示的檢測(cè)電路的進(jìn)一步改進(jìn)的實(shí)施例，所述檢測(cè)電路進(jìn)一步包括了靜電釋放保護(hù)器D6，優(yōu)選地，靜電釋放保護(hù)器D6可以為瞬態(tài)抑制二極管(TVS)。靜電釋放保護(hù)器D6 —端接地，另一端連接到所述限流電阻R25與所述上拉電阻R26與濾波電容C67之間的節(jié)點(diǎn)之間。這樣做的益處在于既對(duì)輸入到中央處理器CPU的電流做出了限制，又預(yù)防了硬盤(pán)上的靜電釋放對(duì)中央處理器CPU產(chǎn)生損壞，對(duì)中央處理器CPU提供了最大的保護(hù)。
[0039]請(qǐng)參見(jiàn)圖8，其所示是本發(fā)明第六實(shí)施例提供的電源控制電路的電路圖，用于控制將5V的電源供應(yīng)至硬盤(pán)作為工作電源。所述第一電源控制電路包括5V電源VCC、P型金氧半場(chǎng)效晶體管(PMOSFET) Q18、N型金氧半場(chǎng)效晶體管(NMOSFET) Q17、儲(chǔ)能電容C44及兩個(gè)開(kāi)關(guān)電阻R21及R24。所述P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q18的源極(S極)通過(guò)三根連接線連接到硬盤(pán)連接器的對(duì)應(yīng)的三個(gè)電源引腳P7、P8及P9，漏極(D極)連接到電源VCC。所述開(kāi)關(guān)電阻中的第一個(gè)開(kāi)關(guān)電阻R21的一端連接到電源VCC，另一端連接到P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q18的柵極(G極)。所述N型金氧半場(chǎng)效晶體管Q17的S極接地，G極連接到中央處理器CPU接收電源控制信號(hào)，D極通過(guò)所述第二個(gè)開(kāi)關(guān)電阻R24與P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q18的G極相連接。所述儲(chǔ)能電容C44 一端連接到5V電源VCC，另一端接地。
[0040]請(qǐng)參見(jiàn)圖9，其所示是本發(fā)明第七實(shí)施例提供的電源控制電路的電路圖。該電源控制電路用于將12V的電源供應(yīng)至硬盤(pán)作為工作電源，所述第一電源控制電路包括12V電源VCC、P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q19、N型金氧半場(chǎng)效晶體管Q20、儲(chǔ)能電容C12及兩個(gè)開(kāi)關(guān)電阻R22及R23。P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q19的S極通過(guò)三根連接線連接到硬盤(pán)連接器的對(duì)應(yīng)的三個(gè)電源引腳P13、P14及P15，D極連接到電源VCC。所述第一個(gè)開(kāi)關(guān)電阻R22的一端連接到電源VCC，另一端連接到P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q19的G極。所述N型金氧半場(chǎng)效晶體管Q20的S極接地，G極連接到中央處理器CPU接收電源控制信號(hào)，D極通過(guò)所述第二個(gè)開(kāi)關(guān)電阻R23與P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q19的G極相連接。所述儲(chǔ)能電容C12 —端連接到12V電源VCC，另一端接地。
[0041]請(qǐng)參見(jiàn)圖10，其所示為本發(fā)明第八實(shí)施例提供的電源控制電路的電路圖。該電源控制電路用于控制將5V的電源供應(yīng)至硬盤(pán)作為工作電源，所述第一電源控制電路中包括5V電源VCC、P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q18、N型金氧半場(chǎng)效晶體管Q17、三個(gè)濾波電容C61、C59及C64、兩個(gè)儲(chǔ)能電容C55及C66及兩個(gè)開(kāi)關(guān)電阻R21及R24，所述P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q18的S極通過(guò)三根連接線分別連接到硬盤(pán)連接器的對(duì)應(yīng)的三個(gè)5V電源引腳P7、P8及P9，D極連接到5V的電源VCC。所述濾波電容中C61和兩個(gè)儲(chǔ)能電容C55及C66并聯(lián)，并且一端連接電源VCC，另一端接地。所述另一個(gè)濾波電容C59 —端連接到P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q18的D極，另一端連接到P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q18的G極。第三個(gè)濾波電容C64 —端接地，另一端連接到P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q18的S極。所述開(kāi)關(guān)電阻R21 —端連接到5V電源，另一端連接到P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q18的G極。所述N型金氧半場(chǎng)效晶體管Q17的S極接地，G極連接到中央處理器CPU接收電源控制信號(hào)，D極通過(guò)所述另一個(gè)開(kāi)關(guān)電阻R24與P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q18的G極相連接。
[0042]當(dāng)硬盤(pán)連接時(shí)，所述檢測(cè)電路接收到檢測(cè)信號(hào)，并將檢測(cè)信號(hào)傳送到中央處理器CPU,中央處理器CPU將控制信號(hào)傳送給N型金氧半場(chǎng)效晶體管Q17，該電路的N型金氧半場(chǎng)效晶體管Q17與所述三個(gè)濾波電容C61、C59及C64、兩個(gè)儲(chǔ)能電容C55及C66及兩個(gè)開(kāi)關(guān)電阻R21及R24形成了軟啟動(dòng)的功能，P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q18會(huì)緩慢打開(kāi)使得輸入到硬盤(pán)中的電源電壓緩慢上升，可以避免P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q18打開(kāi)瞬間硬盤(pán)內(nèi)部電容充電產(chǎn)生的瞬間大電流對(duì)硬盤(pán)產(chǎn)生傷害。當(dāng)硬盤(pán)拔出后P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q18會(huì)關(guān)閉，停止為硬盤(pán)連接器供電。
[0043]請(qǐng)參見(jiàn)圖11，其所示為本發(fā)明第九實(shí)施例提供的電源控制電路的電路圖。該電源控制電路用于控制將12V的電源供應(yīng)至硬盤(pán)作為工作電源，所述第二電源控制電路中包括12V電源VCC、P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q19、N型金氧半場(chǎng)效晶體管Q20、三個(gè)濾波電容C62、C60及C63、兩個(gè)儲(chǔ)能電容C56及C57及兩個(gè)開(kāi)關(guān)電阻R22及R23，所述P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q19的S極通過(guò)三根連接線分別連接到硬盤(pán)連接器的對(duì)應(yīng)的三個(gè)12V電源引腳P13、P14及P15，D極連接到12V的電源VCC。所述濾波電容C62和兩個(gè)儲(chǔ)能電容C56及C57并聯(lián)，并且一端連接電源VCC，另一端接地。所述另一個(gè)濾波電容C60 —端連接到P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q19的D極，另一端連接到P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q19的G極。第三個(gè)濾波電容C63 —端接地，另一端連接到P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q19的S極。所述開(kāi)關(guān)電阻R22 —端連接到12V電源VCC，另一端連接到P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q19的G極。所述N型金氧半場(chǎng)效晶體管Q20的S極接地，G極連接到中央處理器CPU接收電源控制信號(hào)，D極通過(guò)所述另一個(gè)開(kāi)關(guān)電阻R23與P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q19的G極相連接。
[0044]當(dāng)硬盤(pán)插入時(shí)，所述檢測(cè)電路接收到檢測(cè)信號(hào)，并將檢測(cè)信號(hào)傳送到中央處理器CPU,中央處理器CPU將控制信號(hào)傳送給N型金氧半場(chǎng)效晶體管Q20，該電路的N型金氧半場(chǎng)效晶體管Q20與所述三個(gè)濾波電容C62、C60及C63、兩個(gè)儲(chǔ)能電容C56及C57及兩個(gè)開(kāi)關(guān)電阻R22及R23形成了軟啟動(dòng)的功能，P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q19會(huì)緩慢打開(kāi)，使得輸入到硬盤(pán)中的電源電壓緩慢上升，有效避免P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q19打開(kāi)瞬間硬盤(pán)內(nèi)部電容充電產(chǎn)生的瞬間大電流對(duì)硬盤(pán)產(chǎn)生傷害。當(dāng)硬盤(pán)拔出后P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q19會(huì)關(guān)閉，停止為硬盤(pán)連接器供電。
[0045]在上述各實(shí)施例中，所采用的P型金氧半場(chǎng)效晶體管Q19可以為NTGS3443T1G型，所采用的N型金氧半場(chǎng)效晶體管Q20可以為2N7002型，檢測(cè)電路所采用的上拉電阻R26的阻值可以為47ΚΩ，限流電阻R25的阻值可以為4.99ΚΩ，濾波電容C67的電容值可以為
0.1 μ F。電源控制電路所采用的濾波電容061、059、064、062、060及063的電容值可以均為0.1 μ F ;所采用的儲(chǔ)能電容C55、C56、C57及C66的電容值可以均為100 μ F/16V ;所采用的開(kāi)關(guān)電阻R21及R22的阻值為1.0ΜΩ，開(kāi)關(guān)電阻R23及R24的阻值為680ΚΩ。用于靜電釋放保護(hù)的靜電釋放保護(hù)器D6可以使用型號(hào)為PGB1010603MR的器件，也可以使用TVS管。在電源控制電路中所采用的電阻和儲(chǔ)能電容與金氧半場(chǎng)效晶體管MOSFET —起構(gòu)成了電路的軟啟動(dòng)功能，避免了硬盤(pán)連接瞬間，即P型金氧半場(chǎng)效晶體管打開(kāi)瞬間，硬盤(pán)內(nèi)部電容充電產(chǎn)生瞬間大電流，從而對(duì)硬盤(pán)造成損害。
[0046]在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，除了在具體實(shí)施例中所列舉的實(shí)施方式之外，還可以包括過(guò)流保護(hù)電路、硬盤(pán)插妥提示電路等附加電路。
[0047]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的控制裝置由電阻、電容、場(chǎng)效應(yīng)管組成，成本低廉，構(gòu)造簡(jiǎn)單，且適用于硬盤(pán)的熱插拔操作，穩(wěn)定性高，保證了熱插拔過(guò)程中硬盤(pán)的安全性。
[0048]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書(shū)所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種控制裝置，用于控制硬盤(pán)與電子裝置之間的連接，所述電子裝置包括用于連接硬盤(pán)的硬盤(pán)連接器，其特征在于，所述控制裝置包括: 一檢測(cè)電路，與所述硬盤(pán)連接器的接地引腳連接，用于檢測(cè)所述硬盤(pán)的連接狀態(tài)，并產(chǎn)生檢測(cè)信號(hào)； 一中央處理器，與所述檢測(cè)電路連接，用于接收所述檢測(cè)信號(hào)，并根據(jù)所述檢測(cè)信號(hào)發(fā)送控制信號(hào)；以及 至少一電源控制電路，與所述中央處理器連接，并與所述硬盤(pán)連接器連接，用于接收所述控制信號(hào)，并根據(jù)所述控制信號(hào)控制所述硬盤(pán)供電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制裝置，其特征在于，所述接地引腳為所述硬盤(pán)連接器上的長(zhǎng)度相對(duì)其余弓I腳較短的接地引腳。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的控制裝置，其特征在于，所述接地引腳在所述硬盤(pán)連接器的P5、P6或PlO引腳。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制裝置，其特征在于，所述檢測(cè)電路包括:一電源及一上拉電阻，所述上拉電阻一端連接到所述電源，所述上拉電阻另一端接地，并與所述接地引腳以及所述中央處理器連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的控制裝置，其特征在于，所述電源為3.3V電源。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的控制裝置，其特征在于，所述檢測(cè)電路還包括:一濾波電容，所述上拉電阻一端連接到所述電源，所述上拉電阻另一端通過(guò)所述濾波電容接地，所述上拉電阻與所述濾波電容之間的節(jié)點(diǎn)分別連接到所述接地引腳以及所述中央處理器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的控制裝置，其特征在于，所述檢測(cè)電路還包括:一限流電阻，所述上拉電阻與所述濾波電容之間的節(jié)點(diǎn)通過(guò)所述限流電阻連接到所述接地引腳。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的控制裝置，其特征在于，所述檢測(cè)電路還包括:一靜電釋放保護(hù)器，所述靜電釋放保護(hù)器一端接地，另一端連接到所述上拉電阻與所述濾波電容之間的節(jié)點(diǎn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制裝置，其特征在于，所述電源控制電路包括一電源、一P型金氧半場(chǎng)效晶體管、一 N型金氧半場(chǎng)效晶體管、一儲(chǔ)能電容以及兩個(gè)開(kāi)關(guān)電阻。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制裝置，其特征在于，所述電源控制電路為兩個(gè)。
【文檔編號(hào)】G06F11/00GK103984604SQ201410219766
【公開(kāi)日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年5月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月23日
【發(fā)明者】李威, 喻希遠(yuǎn), 滕樹(shù)鵬, 和琳曉, 高曉梅, 鄒振 申請(qǐng)人:環(huán)旭電子股份有限公司