本發(fā)明涉及NAND存儲器領域，尤其涉及一種基于NAND存儲器的系統(tǒng)啟動方法及系統(tǒng)。

背景技術：

NAND存儲器(NAND FLASH)一種比較常用的存儲介質(zhì)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，在頻繁上傳或更新大文件的設備中更有市場，比如：MP3播放器、數(shù)碼相機和USB驅(qū)動器都使用NAND存儲器。NAND存儲器技術的發(fā)展方向是芯片更小、讀寫周期更長、電壓需求更低，這些改進將使NAND存儲器技術的應用更廣泛。

基于NAND存儲器的硬件特性：數(shù)據(jù)在讀寫時候相對容易錯誤，所以為了保證數(shù)據(jù)的正確性，必須要有對應的檢測和糾錯機制，此機制被叫做ECC(Error Correcting Code，錯誤檢查和糾正)，NAND存儲器會存在壞的數(shù)據(jù)塊，因此，需要ECC來校驗讀取的數(shù)據(jù)，以維持數(shù)據(jù)的完整性，NAND存儲器的每一個page上都包括冗余區(qū)域，該區(qū)域能存儲ECC代碼及其它像磨損評級或邏輯到物理塊映射之類的信息。同樣，由于NAND存儲器的多樣性，NAND存儲器的芯片啟動代碼中的ECC部分多采用芯片所支持的最高ECC，比如：全部采用80bit ECC，而實際NAND存儲器可能需要的是40bit ECC或60bit ECC，之所以盡可能采用最高ECC是為了簡化芯片啟動代碼，并保證芯片能兼容各種不同的NAND存儲器。

NAND存儲器中，幾個數(shù)據(jù)點電壓分布有可能會平移，只要這幾個數(shù)據(jù)點電壓分布沒有疊加就可以通過Read Retry模式恢復，從而保證能夠正確讀取NAND存儲器中的數(shù)據(jù)。Read Retry，是指NAND存儲器在讀數(shù)據(jù)出錯同時ECC又無法糾正的情況下，NAND存儲器內(nèi)部提供的一種重新讀取數(shù)據(jù)的方式，在重新讀取數(shù)據(jù)的時候需要設置新的Retry Level，即參考電壓，然后用不同的Retry Level再讀取數(shù)據(jù)，不同的Retry Level由不同的Retry參數(shù)序列設置。

由于芯片啟動代碼是固化在芯片里面，后續(xù)沒有辦法修改，而NAND存儲器不間斷有新品上市，并且由于新制成的NAND存儲器的Read Retry的方法也會隨之變化，這時候芯片要啟動新的NAND存儲器就必須有對應的機制，來適應NAND存儲器的變化。

在現(xiàn)有的針對NAND存儲器的芯片啟動代碼中多數(shù)采用更高的ECC以及通用Retry Level多備份的方式來兼容具有不同Read Retry需求的NAND存儲器，以減小出錯概率。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種基于NAND存儲器的系統(tǒng)啟動方法及系統(tǒng)，能夠自適應不同NAND存儲器的Read Retry需求，使芯片啟動代碼更好地兼容不同的NAND存儲器，從而解決在一些使用場景下，由于沒有對應的Read Retry而無法使NAND存儲器正常啟動的情況。

本發(fā)明提供的技術方案如下：

一種基于NAND存儲器的系統(tǒng)啟動方法，包括S10：NAND存儲器中Retry命令序列參數(shù)的讀取方法，包括步驟：步驟S100上電后，從NAND存儲器多個參數(shù)備份的page里，根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取數(shù)據(jù)，若讀取數(shù)據(jù)成功，則執(zhí)行步驟S110；所述步驟S100還包括：步驟S101若讀取數(shù)據(jù)失敗，則繼續(xù)從下一個page里讀取數(shù)據(jù)；其中，所述芯片啟動代碼包括：預設的ECC、格式和通用Retry Level；所述芯片啟動代碼的規(guī)則是指：預設的ECC和格式；所述參數(shù)包括：所述Retry命令序列參數(shù)；步驟S110檢查所述讀取的數(shù)據(jù)是否是全ff，若是，則執(zhí)行步驟S101，若否，則執(zhí)行步驟S120；步驟S120判斷所述讀取的數(shù)據(jù)的頭部數(shù)據(jù)特征碼是否為參數(shù)特征碼，若是，則所述讀取的數(shù)據(jù)為Retry命令序列參數(shù)，執(zhí)行步驟S130；步驟S130對NAND存儲器多個參數(shù)備份的page里讀取的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc計算并校驗，若校驗正確，則將所述Retry命令序列參數(shù)保存到系統(tǒng)內(nèi)存中，并執(zhí)行步驟S210；若校驗不正確，則未獲取正確的所述Retry命令序列參數(shù)，直接執(zhí)行步驟S210；S20：NAND存儲器中系統(tǒng)啟動代碼的讀取方法，包括步驟：步驟S210從NAND存儲器燒錄有系統(tǒng)啟動代碼的page里，根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取所述系統(tǒng)啟動代碼；步驟S230若所述系統(tǒng)啟動代碼讀取失敗，則根據(jù)NAND存儲器中讀取的所述Retry命令序列參數(shù)設置新的Retry Level；步驟S240根據(jù)所述新的Retry Level再次讀取NAND存儲器中的所述系統(tǒng)啟動代碼；步驟S250當成功將NAND存儲器中的所述系統(tǒng)啟動代碼讀完后，跳到系統(tǒng)內(nèi)存中完成系統(tǒng)啟動。

進一步優(yōu)選地，所述S10：NAND存儲器中Retry命令序列參數(shù)的讀取方法中，所述步驟S120還包括：判斷所述讀取的數(shù)據(jù)的頭部數(shù)據(jù)特征碼是否為參數(shù)特征碼，若否，則執(zhí)行步驟S200；所述S20：NAND存儲器中系統(tǒng)啟動代碼的讀取方法中，所述步驟S210之前還包括：步驟S200判斷所述讀取的數(shù)據(jù)是否為所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)，若是，則繼續(xù)執(zhí)行步驟S210，若否，則反饋所述錯誤信息給芯片啟動代碼，并執(zhí)行步驟S410；所述基于NAND存儲器的系統(tǒng)啟動方法，還包括S40：芯片啟動代碼接到錯誤信息反饋時的操作方法，包括步驟：步驟S410芯片啟動代碼跳到另一個啟動設備進行系統(tǒng)啟動。

進一步優(yōu)選地，所述S20：NAND存儲器中系統(tǒng)啟動代碼的讀取方法中，所述步驟S210和所述步驟S230之間還包括步驟：步驟S220若所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)讀取失敗，判斷是否可以通過所述預設的ECC和通用Retry Level成功讀取所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)，若還是讀取失敗，則執(zhí)行步驟S230，若讀取成功，則執(zhí)行步驟S250。

進一步優(yōu)選地，所述S20：NAND存儲器中系統(tǒng)啟動代碼的讀取方法中，還包括：步驟S260若所述系統(tǒng)啟動代碼無法成功讀取，則反饋所述錯誤信息給芯片啟動代碼，并執(zhí)行步驟S410。

進一步優(yōu)選地，還包括S30：系統(tǒng)啟動后的Retry命令序列參數(shù)的燒錄方法，包括步驟：步驟S300當系統(tǒng)啟動后，根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)，若沒有讀取到所述Retry命令序列參數(shù)，則執(zhí)行步驟S310；步驟S310讀取NAND存儲器的ID；步驟S320根據(jù)讀取的所述NAND存儲器的ID，獲取對應的所述Retry命令序列參數(shù)并保存在系統(tǒng)內(nèi)存中；步驟S340對系統(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc計算并校驗，若校驗正確，則在系統(tǒng)內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)出錯時，按照所述Retry命令序列參數(shù)重新讀取數(shù)據(jù)，若校驗不正確，則執(zhí)行步驟S310；步驟S350若讀取了所述NAND存儲器的ID，并獲取了對應的所述Retry命令序列參數(shù)，在校驗正確后，根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則，把所述校驗正確后的Retry命令序列參數(shù)依次存入NAND存儲器的各個page中進行參數(shù)備份。

進一步優(yōu)選地，所述S30：系統(tǒng)啟動后的Retry命令序列參數(shù)的燒錄方法中，所述步驟S320具體包括：步驟S321根據(jù)讀取的所述NAND存儲器的ID，獲取對應的Retry規(guī)則；步驟S322將所述Retry規(guī)則根據(jù)預設規(guī)則轉(zhuǎn)化為對應的Retry參數(shù)序列；步驟S323根據(jù)所述Retry參數(shù)序列，依次設置對應的Retry Level；步驟S324將所述Retry Level轉(zhuǎn)化為對應的NAND控制器的Retry命令序列參數(shù)。

進一步優(yōu)選地，所述S30：系統(tǒng)啟動后的Retry命令序列參數(shù)的燒錄方法中，所述步驟S320和所述步驟S340之間還包括：步驟S330計算所述Retry命令序列參數(shù)的第一crc，并把計算的所述第一crc放在所述Retry命令序列參數(shù)的頭部。

進一步優(yōu)選地，所述S30：系統(tǒng)啟動后的Retry命令序列參數(shù)的燒錄方法中，所述步驟S340中對所述Retry命令序列參數(shù)進行crc計算并校驗具體包括：步驟S341計算系統(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)的第二crc；步驟S342獲取所述系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)中的頭部的所述第一crc；步驟S343將所述第一crc與所述第二crc進行比較，若一致，則校驗正確，若不一致，則校驗不正確。

本發(fā)明還提供一種系統(tǒng)，包括：NAND存儲器、中央處理器、系統(tǒng)內(nèi)存；所述NAND存儲器與所述中央處理器電連接；所述系統(tǒng)內(nèi)存與所述中央處理器電連接；所述NAND存儲器包括：page，存儲有參數(shù)，以及，系統(tǒng)啟動代碼；其中，所述參數(shù)包括：Retry命令序列參數(shù)；所述系統(tǒng)內(nèi)存，進一步用于若從NAND存儲器多個參數(shù)備份的page里讀取的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc校驗正確，則將所述Retry命令序列參數(shù)保存到系統(tǒng)內(nèi)存中；所述中央處理器包括：數(shù)據(jù)讀取模塊，從所述NAND存儲器多個參數(shù)備份的page里，根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取數(shù)據(jù)；若讀取數(shù)據(jù)失敗，則繼續(xù)從下一個page里讀取數(shù)據(jù)；以及，從NAND存儲器燒錄有系統(tǒng)啟動代碼的page里，根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取所述系統(tǒng)啟動代碼；以及，若所述系統(tǒng)啟動代碼讀取失敗，則根據(jù)所述Retry命令序列參數(shù)設置的新的Retry Level再次讀取NAND存儲器中的所述系統(tǒng)啟動代碼；其中，所述芯片啟動代碼包括：預設的ECC、格式和通用Retry Level；所述芯片啟動代碼的規(guī)則包括：預設的ECC和格式；數(shù)據(jù)判斷模塊，檢查所述讀取的數(shù)據(jù)是否是全ff；以及，若所述讀取的數(shù)據(jù)不是全ff，則進一步判斷所述讀取的數(shù)據(jù)的頭部數(shù)據(jù)特征碼是否為參數(shù)特征碼；計算校驗模塊，對NAND存儲器多個參數(shù)備份的page里讀取的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc計算并校驗；設置模塊，若所述系統(tǒng)啟動代碼讀取失敗，則根據(jù)NAND存儲器中讀取的所述Retry命令序列參數(shù)設置新的Retry Level；啟動模塊，當成功將NAND存儲器中的所述系統(tǒng)啟動代碼讀完后，跳到所述系統(tǒng)內(nèi)存中完成系統(tǒng)啟動。

進一步優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)判斷模塊，若所述讀取的數(shù)據(jù)的頭部數(shù)據(jù)特征碼不是參數(shù)特征碼時，進一步用于判斷所述讀取的數(shù)據(jù)是否為所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)；所述中央處理器還包括：錯誤反饋模塊，若所述讀取的數(shù)據(jù)不是所述系統(tǒng)啟動代碼，則反饋所述錯誤信息給芯片啟動代碼；所述啟動模塊，進一步用于若接收到所述錯誤信息，芯片啟動代碼跳到另一個啟動設備進行系統(tǒng)啟動。

進一步優(yōu)選地，所述中央處理器還包括：讀取判斷模塊，若所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)讀取失敗，所述讀取判斷模塊判斷是否可以通過所述預設的ECC和通用Retry Level成功讀取所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)。

進一步優(yōu)選地，錯誤反饋模塊，進一步用于若所述系統(tǒng)啟動代碼無法成功讀取，則反饋所述錯誤信息給芯片啟動代碼。

進一步優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)讀取模塊，當系統(tǒng)啟動后，進一步用于根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)；以及，若沒有讀取到所述Retry命令序列參數(shù)，則讀取NAND存儲器的ID；以及，若系統(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc校驗正確時，在系統(tǒng)內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)出錯時，按照所述Retry命令序列參數(shù)重新讀取數(shù)據(jù)；所述中央處理器還包括：參數(shù)獲取模塊，若系統(tǒng)內(nèi)存中沒有讀取到所述Retry命令序列參數(shù)或?qū)ο到y(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc檢驗不正確時，根據(jù)讀取的所述NAND存儲器的ID，獲取對應的所述Retry命令序列參數(shù)；所述計算校驗模塊，進一步用于對系統(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc計算并校驗；所述系統(tǒng)內(nèi)存，進一步用于將根據(jù)讀取的所述NAND存儲器的ID獲取的對應的所述Retry命令序列參數(shù)保存到所述系統(tǒng)內(nèi)存中；所述page，若讀取了所述NAND存儲器的ID，并獲取了對應的所述Retry命令序列參數(shù)，在校驗正確后，進一步用于根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則，把校驗正確后的所述Retry命令序列參數(shù)依次存入NAND存儲器的各個page中進行參數(shù)備份。

進一步優(yōu)選地，所述參數(shù)獲取模塊具體包括：規(guī)則獲取子模塊，根據(jù)讀取的所述NAND存儲器的ID，獲取對應的Retry規(guī)則；序列轉(zhuǎn)化子模塊，將所述Retry規(guī)則根據(jù)預設規(guī)則轉(zhuǎn)化為對應的Retry參數(shù)序列；設置子模塊，根據(jù)所述Retry參數(shù)序列，依次設置對應的Retry Level；參數(shù)轉(zhuǎn)化子模塊，將所述Retry Level轉(zhuǎn)化為對應的NAND控制器的Retry命令序列參數(shù)。

進一步優(yōu)選地，所述計算校驗模塊，進一步用于計算所述Retry命令序列參數(shù)的第一crc，并把計算的所述第一crc放在所述Retry命令序列參數(shù)的頭部。

進一步優(yōu)選地，所述計算校驗模塊包括：計算子模塊，計算系統(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)的第二crc；獲取子模塊，獲取所述系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)中的頭部的所述第一crc；檢驗子模塊，將所述第一crc與所述第二crc進行比較，若一致，則校驗正確，若不一致，則校驗不正確。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的有益效果在于：

1、本發(fā)明的NAND存儲器中存儲有其適應其自身的Retry命令序列參數(shù)，在讀取NAND存儲器的數(shù)據(jù)(例如：系統(tǒng)啟動代碼)出錯、無法通過芯片啟動代碼中的ECC及通用Retry Level進行數(shù)據(jù)校正、恢復時，可以根據(jù)NAND存儲器中保存的Retry命令序列參數(shù)設置新的Retry Level，從而在Read Retry模式中，重新讀取NAND存儲器中的數(shù)據(jù)，提高了固有的芯片啟動代碼對不同的NAND存儲器的兼容性，也降低了NAND存儲器無法正常啟動的概率。

2、在讀取NAND存儲器中的數(shù)據(jù)時，需要解析到最后才能知道讀取的數(shù)據(jù)的類型，一般來說，由于NAND存儲器中存有針對其自身型號的Retry命令序列參數(shù)，因此，第一步會先對讀取的數(shù)據(jù)進行判斷，檢索NAND存儲器中是否存在此Retry命令序列參數(shù)，如果存在的話，就先讀取這個Retry命令序列參數(shù)，校驗正確后將其保存到系統(tǒng)內(nèi)存中，然后再讀取NAND存儲器中的系統(tǒng)啟動代碼，若讀取出錯，就根據(jù)讀取到的Retry命令序列參數(shù)設置新的Retry Level，重新讀取系統(tǒng)啟動代碼，完成數(shù)據(jù)的Read Retry；若讀取的數(shù)據(jù)是系統(tǒng)啟動代碼，則說明NAND存儲器中沒有與其對應的Retry命令序列參數(shù)，只能先讀取系統(tǒng)啟動代碼、使系統(tǒng)啟動后，在后續(xù)過程中根據(jù)NAND存儲器的ID得到其對應的Retry命令序列參數(shù)后，再備份到NAND存儲器的page中。這樣在下次從此NAND存儲器進行系統(tǒng)啟動時，就可以用此Retry命令序列參數(shù)進行Read Retry，提高系統(tǒng)對NAND存儲器的兼容性。

3、在芯片啟動代碼中有預設的ECC和通用Retry Level，在讀取NAND存儲器的數(shù)據(jù)出錯時，會根據(jù)情況通過預設的ECC和通用Retry Level進行校正，這里的通用Retry Level是因化在芯片啟動代碼中的，并不是根據(jù)NAND存儲器的ID量身打造的，因此，對于一些新出的或比較冷門的NAND存儲器沒用，若讀取數(shù)據(jù)出錯時，無法通過預設的ECC進行校正的話，可能也無法利用通用Retry Level進行Read Retry，也就無法從NAND存儲器中讀取正確的數(shù)據(jù)，導致NAND存儲器無法正常啟動，也可以理解為NAND存儲器不兼容。

4、在通過NAND存儲器進行系統(tǒng)啟動過程中，若NAND存儲器中讀取的數(shù)據(jù)既不是Retry命令序列參數(shù)也不是系統(tǒng)啟動代碼，則說明操作過程中存在錯誤，也就無法從NAND存儲器進行系統(tǒng)啟動，這時候就會反饋錯誤信息給芯片啟動代碼，保證芯片啟動代碼可以從另一個啟動設備進行系統(tǒng)啟動。

5、當系統(tǒng)啟動后，會先根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則讀取先前保存在系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)，若沒有講到此Retry命令序列參數(shù)，則說明NAND存儲器中沒有與其對應的Retry命令序列參數(shù)，因此，會讀取當前NAND存儲器的ID，獲取其對應的Retry命令序列參數(shù)，先保存在系統(tǒng)內(nèi)存中，然后經(jīng)過計算并校驗正確后，再將其備份到NAND存儲器的page中。當下次從此NAND存儲器進行系統(tǒng)啟動時，當讀取其存儲的數(shù)據(jù)出錯又無法通過預設的ECC和通用Retry Level進行校正時，可以多一種數(shù)據(jù)讀取、校正方法，即通過此Retry命令序列參數(shù)進行Read Retry，提高NAND存儲器與芯片啟動代碼的兼容性。

6、根據(jù)NAND存儲器的ID，首先獲取的Retry規(guī)則，每個NAND存儲器的Retry規(guī)則會有所不同，因此需要將它們根據(jù)預設的規(guī)則轉(zhuǎn)換成同一格式的Retry參數(shù)序列；轉(zhuǎn)換成相同規(guī)則的Retry參數(shù)序列后，就可以設置對應的Retry Level，由于從NAND存儲器中讀取數(shù)據(jù)需要芯片中對應的NAND存儲器的控制器進行控制，因此，需要將此Retry Level再次轉(zhuǎn)換為此控制器可以識別的Retry命令序列參數(shù)進行保存；當Retry命令序列參數(shù)經(jīng)過校驗正確后，在讀取數(shù)據(jù)出錯時，NAND存儲器的控制器可以執(zhí)行此Retry命令序列參數(shù)，設置新的Retry Level重新讀取數(shù)據(jù)，完成Read Retry。

7、當系統(tǒng)啟動后，會再次對系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)進行計算其的第一crc，并把此第一crc放在Retry命令序列參數(shù)的頭部，為后續(xù)讀取到此Retry命令序列參數(shù)時進行計算并校驗時，提供比對基礎。

8、在系統(tǒng)內(nèi)存中讀取到Retry命令序列參數(shù)時，會先計算讀取到的Retry命令序列參數(shù)的第二crc，然后再將此第二crc與Retry命令序列參數(shù)的頭部的第一crc進行比較，若一致，則校驗正確；在芯片啟動代碼讀取NAND存儲器中的Retry命令序列參數(shù)時，進行計算并校驗的過程與此相似。

本發(fā)明的基于NAND存儲器的系統(tǒng)啟動方法及系統(tǒng)，根據(jù)NAND存儲器的ID，將其對應的Retry命令序列參數(shù)備份到NAND存儲器的各個page中，在系統(tǒng)啟動過程中，若讀取NAND存儲器中的數(shù)據(jù)出錯，又無法通過預設的ECC和通用Retry Level校正的情況下，多了一種保證讀取數(shù)據(jù)成功的方法，利用與NAND存儲器本身對應的Retry命令序列參數(shù)設置新的Retry Level，重新讀取數(shù)據(jù)，進行Read Retry，大大提高了固有的芯片啟動代碼對NAND存儲器的兼容性，從而解決在一些使用場景下，由于沒有合適的Retry命令序列參數(shù)而導致從NAND存儲器進行系統(tǒng)啟動失敗的情況。

附圖說明

下面將以明確易懂的方式，結合附圖說明優(yōu)選實施方式，對一種基于NAND存儲器的系統(tǒng)啟動方法及系統(tǒng)的上述特性、技術特征、優(yōu)點及其實現(xiàn)方式予以進一步說明。

圖1是本發(fā)明基于NAND存儲器的系統(tǒng)啟動方法一個實施例的流程圖；

圖2是本發(fā)明基于NAND存儲器的系統(tǒng)啟動方法另一個實施例的流程圖；

圖3是本發(fā)明基于NAND存儲器的系統(tǒng)啟動方法另一個實施例的流程圖；

圖4是本發(fā)明系統(tǒng)一個實施例的結構示意圖；

圖5是本發(fā)明系統(tǒng)另一個實施例的結構示意圖。

附圖標號說明：

100.NAND存儲器，110.page，200.中央處理器，210.數(shù)據(jù)讀取模塊，220.數(shù)據(jù)判斷模塊，230.計算校驗模塊，231.計算子模塊，232.獲取子模塊，233.校驗子模塊，240.設置模塊，250.啟動模塊，260.錯誤反饋模塊，270.讀取判斷模塊，280.參數(shù)獲取模塊，281.規(guī)則獲取子模塊，282.序列轉(zhuǎn)化子模塊，283.設置子模塊，284.參數(shù)轉(zhuǎn)化子模塊，300.系統(tǒng)內(nèi)存。

具體實施方式

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對照附圖說明本發(fā)明的具體實施方式。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖，并獲得其他的實施方式。

為使圖面簡潔，各圖中只示意性地表示出了與本發(fā)明相關的部分，它們并不代表其作為產(chǎn)品的實際結構。另外，以使圖面簡潔便于理解，在有些圖中具有相同結構或功能的部件，僅示意性地繪示了其中的一個，或僅標出了其中的一個。在本文中，“一個”不僅表示“僅此一個”，也可以表示“多于一個”的情形。

在本發(fā)明的一個實施例中，如圖1所示，一種基于NAND存儲器的系統(tǒng)啟動方法，包括S10：NAND存儲器中Retry命令序列參數(shù)的讀取方法，包括步驟：步驟S100上電后，從NAND存儲器多個參數(shù)備份的page里，根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取數(shù)據(jù)，若讀取數(shù)據(jù)成功，則執(zhí)行步驟S110；所述步驟S100還包括：步驟S101若讀取數(shù)據(jù)失敗，則繼續(xù)從下一個page里讀取數(shù)據(jù)；其中，所述芯片啟動代碼包括：預設的ECC、格式和通用Retry Level；所述芯片啟動代碼的規(guī)則是指：預設的ECC和格式；所述參數(shù)包括：所述Retry命令序列參數(shù)；步驟S110檢查所述讀取的數(shù)據(jù)是否是全ff，若是，則執(zhí)行步驟S101，若否，則執(zhí)行步驟S120；步驟S120判斷所述讀取的數(shù)據(jù)的頭部數(shù)據(jù)特征碼是否為參數(shù)特征碼，若是，則所述讀取的數(shù)據(jù)為Retry命令序列參數(shù)，執(zhí)行步驟S130；步驟S130對NAND存儲器多個參數(shù)備份的page里讀取的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc計算并校驗，若校驗正確，則將所述Retry命令序列參數(shù)保存到系統(tǒng)內(nèi)存中，并執(zhí)行步驟S210；若校驗不正確，則未獲取正確的所述Retry命令序列參數(shù)，直接執(zhí)行步驟S210；S20：NAND存儲器中系統(tǒng)啟動代碼的讀取方法，包括步驟：步驟S210從NAND存儲器燒錄有系統(tǒng)啟動代碼的page里，根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取所述系統(tǒng)啟動代碼；步驟S230若所述系統(tǒng)啟動代碼讀取失敗，則根據(jù)NAND存儲器中讀取的所述Retry命令序列參數(shù)設置新的Retry Level；步驟S240根據(jù)所述新的Retry Level再次讀取NAND存儲器中的所述系統(tǒng)啟動代碼；步驟S250當成功將NAND存儲器中的所述系統(tǒng)啟動代碼讀完后，跳到系統(tǒng)內(nèi)存中完成系統(tǒng)啟動。

具體的，NAND存儲器的數(shù)據(jù)存儲結構分層為：塊(block)，塊又分為頁(page)，可以理解為1設備(device)＝A塊(block)；1塊＝B頁/行(page/row)；1頁＝C字節(jié)＝數(shù)據(jù)區(qū)域(D字節(jié))+冗余區(qū)域(E字節(jié))，這里的A/B/C/D/E是指代數(shù)字。由于NAND存儲器的多樣性，其block的數(shù)量不一樣，導致后續(xù)的page大小也不固定，為了簡化芯片啟動代碼，控制NAND存儲器的芯片啟動代碼多采用page short mode，page short mode是指每個page并不寫滿，比如一個8K大小的page，只寫入1K的有效數(shù)據(jù)，同樣4K、16K等的page都按照1K寫入有效數(shù)據(jù)，這樣根據(jù)芯片啟動代碼讀取NAND存儲器中的數(shù)據(jù)時并不需要讀取NAND的ID來確認page的大小，而只要依次每個page讀1K的數(shù)據(jù)就可以保證有效數(shù)據(jù)的讀取。根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則中的格式，就可以理解為在每個page中讀取1K的數(shù)據(jù)這種方式來讀取NAND存儲器中的數(shù)據(jù)。

從NAND存儲器進行的系統(tǒng)啟動，在上電后，首先是想要讀取NAND存儲器中的Retry命令序列參數(shù)，讀取到數(shù)據(jù)后，先會判斷讀取的數(shù)據(jù)是否是全ff，全ff意味著并沒有讀取到有效數(shù)據(jù)，即當前的page并沒有寫入數(shù)據(jù)，因此需要快速跳到另外block中的page里重新讀取數(shù)據(jù)，具體的操作過程例如：可以將page跳躍128個后再讀取數(shù)據(jù)。

雖然一開始想要讀取的是Retry命令序列參數(shù)，但是只有當讀取的數(shù)據(jù)解析到最后時才知道它的數(shù)據(jù)類型，若它的頭部數(shù)據(jù)特征碼為參數(shù)特征碼，則說明讀取的數(shù)據(jù)為Retry命令序列參數(shù)；這時候，就會對讀取的Retry命令序列參數(shù)進行crc(Cyclic Redundancy Check，循環(huán)冗余校驗)計算，即計算從NAND存儲器中讀取的Retry命令序列參數(shù)的第二crc，并與其頭部中的第一crc進行比較，若一致，則校驗成功，這一步的校驗是為了保證讀取到的Retry命令序列參數(shù)的正確性，只有它正確才能保證后續(xù)利用此Retry命令序列參數(shù)進行Read Retry的時候成功讀取數(shù)據(jù)。在校驗正確后，會將此Retry命令序列參數(shù)保存到系統(tǒng)內(nèi)存中，為后續(xù)系統(tǒng)啟動后讀取數(shù)據(jù)出錯時提供Read Retry的機會。crc是一種根據(jù)網(wǎng)絡數(shù)據(jù)包或電腦文件等數(shù)據(jù)產(chǎn)生簡短固定位數(shù)校驗碼的散列函數(shù)，主要用來檢測或校驗數(shù)據(jù)傳輸或者保存后可能出現(xiàn)的錯誤。

當成功獲取到正確的Retry命令序列參數(shù)后，會繼續(xù)讀取存儲在NAND存儲器中的系統(tǒng)啟動代碼，在讀取系統(tǒng)啟動代碼出錯時，會根據(jù)讀取到的Retry命令序列參數(shù)進入Read Retry模式，根據(jù)讀取到的Retry命令序列參數(shù)設置新的Retry Level，再用這些新的Retry Level來嘗試重新讀取系統(tǒng)啟動代碼，由于這里的Retry命令序列參數(shù)是特別針對當前NAND存儲器本身而存在的，因此讀取數(shù)據(jù)成功的機率大大提高；當成功將NAND存儲器中的所述系統(tǒng)啟動代碼讀完后，就跳到系統(tǒng)內(nèi)存中完成系統(tǒng)啟動。

優(yōu)選地，所述S10：NAND存儲器中Retry命令序列參數(shù)的讀取方法中，所述步驟S120還包括：判斷所述讀取的數(shù)據(jù)的頭部數(shù)據(jù)特征碼是否為參數(shù)特征碼，若否，則執(zhí)行步驟S200；所述S20：NAND存儲器中系統(tǒng)啟動代碼的讀取方法中，所述步驟S210之前還包括：步驟S200判斷所述讀取的數(shù)據(jù)是否為所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)，若是，則繼續(xù)執(zhí)行步驟S210，若否，則反饋所述錯誤信息給芯片啟動代碼，并執(zhí)行步驟S410；所述基于NAND存儲器的系統(tǒng)啟動方法，還包括S40：芯片啟動代碼接到錯誤信息反饋時的操作方法，包括步驟：步驟S410芯片啟動代碼跳到另一個啟動設備進行系統(tǒng)啟動。

具體的，當對上電后一開始從NAND存儲器中讀取的數(shù)據(jù)進行判斷，發(fā)現(xiàn)它不是Retry命令序列參數(shù)，而是系統(tǒng)啟動代碼時，則說明NAND存儲器中不存在與此NAND存儲器相適應的Retry命令序列參數(shù)，跳過讀取Retry命令序列參數(shù)的步驟，直接讀取系統(tǒng)啟動代碼；若發(fā)現(xiàn)讀取的數(shù)據(jù)既不是Retry命令序列參數(shù)，也不是系統(tǒng)啟動代碼，則說明讀取數(shù)據(jù)出現(xiàn)錯誤，因此，需要將錯誤信息反饋給芯片啟動代碼，讓芯片啟動代碼從另一個啟動設備進行系統(tǒng)啟動。

優(yōu)選地，所述S20：NAND存儲器中系統(tǒng)啟動代碼的讀取方法中，所述步驟S210和所述步驟S230之間還包括步驟：步驟S220若所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)讀取失敗，判斷是否可以通過所述預設的ECC和通用Retry Level成功讀取所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)，若還是讀取失敗，則執(zhí)行步驟S230，若讀取成功，則執(zhí)行步驟S250。

具體的，芯片啟動代碼中包括了預設的ECC和通用Retry Level，當從NAND存儲器中讀取數(shù)據(jù)(系統(tǒng)啟動代碼也是數(shù)據(jù)的一種)出錯時，會先通過預設的ECC進行校正，若不行，會再通過通用Retry Level重新讀取數(shù)據(jù)，預設的ECC和通用Retry Level都是包含在芯片啟動代碼中的，而芯片啟動代碼是固化的，不管有沒有讀取到NAND存儲器自適應的Retry命令序列參數(shù)，都會通過預設的ECC和通用Retry Level進行數(shù)據(jù)校正，若通過此讀取數(shù)據(jù)成功，則無需利用讀取的Retry命令序列參數(shù)重新讀取數(shù)據(jù)。

優(yōu)選地，S20：NAND存儲器中系統(tǒng)啟動代碼的讀取方法中，還包括：步驟S260若所述系統(tǒng)啟動代碼無法成功讀取，則反饋所述錯誤信息給芯片啟動代碼，并執(zhí)行步驟S410。

具體的，即使有適應NAND存儲器本身的Retry命令序列參數(shù)，也不能保證每次一定能成功讀取NAND存儲器中的數(shù)據(jù)。因此，在從NAND存儲器進行系統(tǒng)啟動時，若碰到無法成功讀取NAND存儲器中的系統(tǒng)啟動代碼時，會將錯誤信息反饋芯片啟動代碼，當芯片啟動接收到錯誤信息反饋時，會及時從下一個啟動設備進行啟動，保證成功啟動系統(tǒng)。

優(yōu)選地，還包括S30：系統(tǒng)啟動后的Retry命令序列參數(shù)的燒錄方法，包括步驟：步驟S300當系統(tǒng)啟動后，根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)，若沒有讀取到所述Retry命令序列參數(shù)，則執(zhí)行步驟S310；步驟S310讀取NAND存儲器的ID；步驟S320根據(jù)讀取的所述NAND存儲器的ID，獲取對應的所述Retry命令序列參數(shù)并保存在系統(tǒng)內(nèi)存中；步驟S340對系統(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc計算并校驗，若校驗正確，則在系統(tǒng)內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)出錯時，按照所述Retry命令序列參數(shù)重新讀取數(shù)據(jù)，若校驗不正確，則執(zhí)行步驟S310；步驟S350根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則，把所述Retry命令序列參數(shù)依次存入NAND存儲器的各個page中進行參數(shù)備份。

優(yōu)選地，所述S30：系統(tǒng)啟動后的Retry命令序列參數(shù)的燒錄方法中，所述步驟S320具體包括：步驟S321根據(jù)讀取的所述NAND存儲器的ID，獲取對應的Retry規(guī)則；步驟S322將所述Retry規(guī)則根據(jù)預設規(guī)則轉(zhuǎn)化為對應的Retry參數(shù)序列；步驟S323根據(jù)所述Retry參數(shù)序列，依次設置對應的Retry Level；步驟S324將所述Retry Level轉(zhuǎn)化為對應的NAND控制器的Retry命令序列參數(shù)。

具體的，上述S30：系統(tǒng)啟動后的Retry命令序列參數(shù)的燒錄方法是中系統(tǒng)內(nèi)存中運行的，此與前面在NAND存儲器中讀取數(shù)據(jù)(例如：Retry命令序列參數(shù)和系統(tǒng)啟動代碼)時的運行空間不同，因此，在系統(tǒng)啟動后，會再次讀取系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)，并進行計算及校驗，校驗正確后，在后續(xù)系統(tǒng)內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)出錯時，利用此Retry命令序列參數(shù)設置新的Retry Level來重新讀取數(shù)據(jù)，提高數(shù)據(jù)讀取的成功率。當沒有讀取到系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)，說明在前面讀取NAND存儲器中的數(shù)據(jù)時沒有讀取到或者沒有讀取到正確的Retry命令序列參數(shù)，因此需要將與NADN存儲器的ID對應的Retry命令序列參數(shù)燒錄到NAND存儲器中，具體的步驟為：

讀取當前系統(tǒng)中NAND存儲器的ID，然后根據(jù)此ID獲取對應的Retry規(guī)則，每個NAND存儲器都有其自己的規(guī)則，需要將它們轉(zhuǎn)換為同一種規(guī)則才可以實現(xiàn)后續(xù)的操作；故，將獲取的Retry規(guī)則根據(jù)預設規(guī)則轉(zhuǎn)化為對應的Retry參數(shù)序列，這里的預設規(guī)則是本領域技術人員通用的規(guī)則，在這里不做具體描述；然后就可以根據(jù)此Retry參數(shù)序列依次設置對應的Retry Level，為后續(xù)數(shù)據(jù)讀取出錯時，進行Read Retry模式打下基礎；之所以要將Retry Level轉(zhuǎn)換為NAND控制器(NAND存儲器的控制器)對應的Retry命令序列參數(shù)是因為NAND存儲器是需要由NAND控制器來控制讀寫數(shù)據(jù)的，因此，需要轉(zhuǎn)換成NAND控制器可以識別的代碼(即，Retry命令序列參數(shù))，在獲取了NAND存儲器對應的Retry命令序列參數(shù)后，需要將此Retry命令序列參數(shù)保存在系統(tǒng)內(nèi)存中，為后續(xù)進行校驗提供基礎。系統(tǒng)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)都是芯片啟動代碼從NAND存儲器搬運到系統(tǒng)內(nèi)存中的，這些的數(shù)據(jù)的規(guī)則也符合NAND存儲器中的規(guī)則，因此，在系統(tǒng)內(nèi)存中讀取這些數(shù)據(jù)出錯時，可以通過Retry命令序列參數(shù)對其進行Read Retry。

當讀取到系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)時，需要對其進行crc計算并校驗，因系統(tǒng)啟動前和系統(tǒng)啟動后的運行空間不同，在搬運數(shù)據(jù)過程中也可能出錯，導致數(shù)據(jù)丟失等問題，所以這里需要再次對讀取到的Retry命令序列參數(shù)進行校驗，保證其正確性。若校驗正確，則在后續(xù)系統(tǒng)內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)出錯時，可以通過此Retry命令序列參數(shù)進入Read Retry模式，重新讀取數(shù)據(jù)，提高系統(tǒng)讀取數(shù)據(jù)的成功率。

有兩種情況需要對NAND存儲器燒錄Retry命令序列參數(shù)，一種是NAND存儲器當中本身就沒有Retry命令序列參數(shù)，即在系統(tǒng)啟動后，按照芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)，但沒有讀取到所述Retry命令序列參數(shù)；另一種是在系統(tǒng)內(nèi)存中讀取到了Retry依次讀取系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)，若沒有讀取到所述Retry命令序列參數(shù)，但在后續(xù)計算校驗過程中校驗不正確，這種情況也是需要對NAND存儲器重新燒錄Retry命令序列參數(shù)?？偟膩碚f，就是經(jīng)過了查找NAND存儲器的ID，并獲取了對應的Retry命令序列參數(shù)并經(jīng)過校驗正確后，就需要向NAND存儲器各個page存儲此校驗正確后的Retry命令序列參數(shù)進行參數(shù)備份。

優(yōu)選地，所述S30：系統(tǒng)啟動后的Retry命令序列參數(shù)的燒錄方法中，所述步驟S320和所述步驟S340之間還包括：步驟S330計算所述Retry命令序列參數(shù)的第一crc，并把計算的所述第一crc放在所述Retry命令序列參數(shù)的頭部。

優(yōu)選地，所述S30：系統(tǒng)啟動后的Retry命令序列參數(shù)的燒錄方法中，所述步驟S340中對所述Retry命令序列參數(shù)進行crc計算并校驗具體包括：步驟S341計算系統(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)的第二crc；步驟S342獲取所述系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)中的頭部的所述第一crc；步驟S343將所述第一crc與所述第二crc進行比較，若一致，則校驗正確，若不一致，則校驗不正確。

具體的，當獲取了NAND存儲器的ID對應的Retry命令序列參數(shù)，需要計算其第一crc并放在其頭部，為后續(xù)進行crc計算并校驗提供比對基礎。

對在系統(tǒng)內(nèi)存中讀取到的Retry命令序列參數(shù)進行crc計算，得到第二crc，并把這第二crc跟Retry命令序列參數(shù)頭部中的第一crc比較，若一致，則校驗正確，確定當前讀取的Retry命令序列參數(shù)是正確的參數(shù)，保證了后續(xù)數(shù)據(jù)讀取出錯時可以有正確的Retry Level來重新讀取。

在本發(fā)明的另一個實施例中，如圖2、圖3所示，一種基于NAND存儲器的系統(tǒng)啟動方法，包括S10：NAND存儲器中Retry命令序列參數(shù)的讀取方法，包括步驟：步驟S100上電后，從NAND存儲器多個參數(shù)備份的page里，根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取數(shù)據(jù)，若讀取數(shù)據(jù)成功，則執(zhí)行步驟S110；所述步驟S100還包括：步驟S101若讀取數(shù)據(jù)失敗，則繼續(xù)從下一個page里讀取數(shù)據(jù)；其中，所述芯片啟動代碼包括：預設的ECC、格式和通用Retry Level；所述芯片啟動代碼的規(guī)則是指：預設的ECC和格式；所述參數(shù)包括：所述Retry命令序列參數(shù)；步驟S110檢查所述讀取的數(shù)據(jù)是否是全ff，若是，則執(zhí)行步驟S101，若否，則執(zhí)行步驟S120；步驟S120判斷所述讀取的數(shù)據(jù)的頭部數(shù)據(jù)特征碼是否為參數(shù)特征碼，若是，則所述讀取的數(shù)據(jù)為Retry命令序列參數(shù)，執(zhí)行步驟S130，若否，則執(zhí)行步驟S200；步驟S130對NAND存儲器多個參數(shù)備份的page里讀取的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc計算并校驗，若校驗正確，則將所述Retry命令序列參數(shù)保存到系統(tǒng)內(nèi)存中，并執(zhí)行步驟S210；若校驗不正確，則未獲取正確的所述Retry命令序列參數(shù)，直接執(zhí)行步驟S210；S20：NAND存儲器中系統(tǒng)啟動代碼的讀取方法，包括步驟：步驟S200判斷所述讀取的數(shù)據(jù)是否為所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)，若是，則繼續(xù)執(zhí)行步驟S210，若否，則反饋所述錯誤信息給芯片啟動代碼，并執(zhí)行步驟S410；步驟S210從NAND存儲器燒錄有系統(tǒng)啟動代碼的page里，根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取所述系統(tǒng)啟動代碼；步驟S220若所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)讀取失敗，判斷是否可以通過所述預設的ECC和通用Retry Level成功讀取所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)，若還是讀取失敗，則執(zhí)行步驟S230，若讀取成功，則執(zhí)行步驟S250；步驟S230若所述系統(tǒng)啟動代碼讀取失敗，則根據(jù)NAND存儲器中讀取的所述Retry命令序列參數(shù)設置新的Retry Level；步驟S240根據(jù)所述新的Retry Level再次讀取NAND存儲器中的所述系統(tǒng)啟動代碼；步驟S250當成功將NAND存儲器中的所述系統(tǒng)啟動代碼讀完后，跳到系統(tǒng)內(nèi)存中完成系統(tǒng)啟動；步驟S260若所述系統(tǒng)啟動代碼無法成功讀取，則反饋所述錯誤信息給芯片啟動代碼，并執(zhí)行步驟S410；S30：系統(tǒng)啟動后的Retry命令序列參數(shù)的燒錄方法，包括步驟：步驟S300當系統(tǒng)啟動后，根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)，若沒有讀取到所述Retry命令序列參數(shù)，則執(zhí)行步驟S310；步驟S310讀取NAND存儲器的ID；步驟S320根據(jù)讀取的所述NAND存儲器的ID，獲取對應的所述Retry命令序列參數(shù)并保存在系統(tǒng)內(nèi)存中；所述步驟S320具體包括：步驟S321根據(jù)讀取的所述NAND存儲器的ID，獲取對應的Retry規(guī)則；步驟S322將所述Retry規(guī)則根據(jù)預設規(guī)則轉(zhuǎn)化為對應的Retry參數(shù)序列；步驟S323根據(jù)所述Retry參數(shù)序列，依次設置對應的Retry Level；步驟S324將所述Retry Level轉(zhuǎn)化為對應的NAND控制器的Retry命令序列參數(shù)；步驟S330計算所述Retry命令序列參數(shù)的第一crc，并把計算的所述第一crc放在所述Retry命令序列參數(shù)的頭部；步驟S340對系統(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc計算并校驗，若校驗正確，則在系統(tǒng)內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)出錯時，按照所述Retry命令序列參數(shù)重新讀取數(shù)據(jù)，若校驗不正確，則執(zhí)行步驟S310；所述步驟S340中對所述Retry命令序列參數(shù)進行crc計算并校驗具體包括：步驟S341計算系統(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)的第二crc；步驟S342獲取所述系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)中的頭部的所述第一crc；步驟S343將所述第一crc與所述第二crc進行比較，若一致，則校驗正確，若不一致，則校驗不正確；步驟S350若讀取了所述NAND存儲器的ID，并獲取了對應的所述Retry命令序列參數(shù)，在校驗正確后，根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則，把所述校驗正確后的Retry命令序列參數(shù)依次存入NAND存儲器的各個page中進行參數(shù)備份；S40：芯片啟動代碼接到錯誤信息反饋時的操作方法，包括步驟：步驟S410芯片啟動代碼跳到另一個啟動設備進行系統(tǒng)啟動。

具體的，在NAND存儲器中燒錄其自身對應的Retry命令序列參數(shù)，使芯片啟動代碼能夠更好地兼容不同的NAND存儲器，并且在無需改變芯片啟動代碼的情況下，能夠很好地兼容各種新出的NAND存儲器，使其Read Retry能夠正常工作，在對應的Retry Level下重新讀取數(shù)據(jù)，提高NAND存儲器中數(shù)據(jù)讀取的成功率，解決在某些從NAND存儲器進行系統(tǒng)啟動的場景下，由于無法進行對應的Read Retry(即NAND存儲器中沒有對應的Retry命令序列參數(shù))而導致系統(tǒng)啟動失敗的情況。

在本發(fā)明的另一個實施例中，如圖4所示，一種系統(tǒng)，包括：NAND存儲器100、中央處理器200、系統(tǒng)內(nèi)存300；所述NAND存儲器100與所述中央處理器200電連接；所述系統(tǒng)內(nèi)存300與所述中央處理器200電連接；所述NAND存儲器100包括：page 110，存儲有參數(shù)，以及，系統(tǒng)啟動代碼；其中，所述參數(shù)包括：Retry命令序列參數(shù)；所述系統(tǒng)內(nèi)存300，進一步用于若從NAND存儲器100多個參數(shù)備份的page里讀取的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc校驗正確，則將所述Retry命令序列參數(shù)保存到系統(tǒng)內(nèi)存300中；所述中央處理器200包括：數(shù)據(jù)讀取模塊210，從所述NAND存儲器100多個參數(shù)備份的page里，根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取數(shù)據(jù)；若讀取數(shù)據(jù)失敗，則繼續(xù)從下一個page里讀取數(shù)據(jù)；以及，從NAND存儲器100燒錄有系統(tǒng)啟動代碼的page里，根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取所述系統(tǒng)啟動代碼；以及，若所述系統(tǒng)啟動代碼讀取失敗，則根據(jù)所述Retry命令序列參數(shù)設置的新的Retry Level再次讀取NAND存儲器中的所述系統(tǒng)啟動代碼；其中，所述芯片啟動代碼包括：預設的ECC、格式和通用Retry Level；所述芯片啟動代碼的規(guī)則包括：預設的ECC和格式；數(shù)據(jù)判斷模塊220，檢查所述讀取的數(shù)據(jù)是否是全ff；以及，若所述讀取的數(shù)據(jù)不是全ff，則進一步判斷所述讀取的數(shù)據(jù)的頭部數(shù)據(jù)特征碼是否為參數(shù)特征碼；計算校驗模塊230，對NAND存儲器多個參數(shù)備份的page里讀取的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc計算并校驗；設置模塊240，若所述系統(tǒng)啟動代碼讀取失敗，則根據(jù)NAND存儲器中讀取的所述Retry命令序列參數(shù)設置新的Retry Level；啟動模塊250，當成功將NAND存儲器中的所述系統(tǒng)啟動代碼讀完后，跳到所述系統(tǒng)內(nèi)存中完成系統(tǒng)啟動。

具體的，中央處理器可以理解為CPU(Central Processing Unit)，是一塊集成的芯片，芯片啟動代碼是固化在CPU中的，CPU與NAND存儲器電連接，CPU中包含了NAND存儲器的控制器，可以在此NAND存儲器的控制器的控制下讀取NAND存儲器中的數(shù)據(jù)。

NAND存儲器中存儲有與它型號對應的Retry命令序列參數(shù)，首先讀取此Retry命令序列參數(shù)，經(jīng)過校驗正確后，再讀取NAND存儲器中存儲的系統(tǒng)啟動代碼，若系統(tǒng)啟動代碼讀取出錯，CPU就根據(jù)此Retry命令序列參數(shù)設置新的Retry Level，進入Read Retry模式，在新的Retry Level下重新讀取數(shù)據(jù)。

優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)判斷模塊220，若所述讀取的數(shù)據(jù)的頭部數(shù)據(jù)特征碼不是參數(shù)特征碼時，進一步用于判斷所述讀取的數(shù)據(jù)是否為所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)；所述中央處理器還包括：錯誤反饋模塊260，若所述讀取的數(shù)據(jù)不是所述系統(tǒng)啟動代碼，則反饋所述錯誤信息給芯片啟動代碼；所述啟動模塊，進一步用于若接收到所述錯誤信息，芯片啟動代碼跳到另一個啟動設備進行系統(tǒng)啟動。

具體的，雖然一開始想要讀取NAND存儲器中的數(shù)據(jù)為Retry命令序列參數(shù)，但是讀取的數(shù)據(jù)需要解析到最后才知道它的數(shù)據(jù)類型，當讀取的數(shù)據(jù)是系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)時，說明NAND存儲器中未包含有它特定的Retry命令序列參數(shù)，那就跳過讀取Retry命令序列參數(shù)的步驟，直接讀取NAND存儲器中系統(tǒng)啟動代碼；若讀取的數(shù)據(jù)既不是Retry命令序列參數(shù)，也不是系統(tǒng)啟動代碼(系統(tǒng)啟動代碼本身也是一種數(shù)據(jù)，因此它和系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)的意義等同)，則說明讀取數(shù)據(jù)過程中遇到了不可修正的錯誤，需要將錯誤信息反饋給芯片啟動代碼，讓它即時做出相應的操作。在從NAND存儲器進行系統(tǒng)啟動時，若在啟動過程中，芯片啟動代碼接收到了錯誤信息，就會選擇跳到另一個啟動設備進行系統(tǒng)啟動。

優(yōu)選地，所述中央處理器200還包括：讀取判斷模塊270，若所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)讀取失敗，所述讀取判斷模塊判斷是否可以通過所述預設的ECC和通用Retry Level成功讀取所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)。

具體的，芯片啟動代碼中本身就包含有預設的ECC和通用Retry Level，這是為了在碰到數(shù)據(jù)讀取出錯時，可以進行及時的校正或用此通用Retry Level重新讀取數(shù)據(jù)。通用Retry Level是針對大部分NAND存儲器，而對于新出的NAND存儲器可能無法有效地進行數(shù)據(jù)恢復，因此，為了提高芯片啟動代碼對各種NAND存儲器的兼容性，會在其page里燒錄其特定的Retry命令序列參數(shù)。

優(yōu)選地，錯誤反饋模塊260，進一步用于若所述系統(tǒng)啟動代碼無法成功讀取，則反饋所述錯誤信息給芯片啟動代碼。

具體的，在讀取NAND存儲器中的數(shù)據(jù)出錯后，且無法進行修復的情況下，會反饋錯誤信息給芯片啟動代碼，讓它能夠及時做出后續(xù)的操作。讀取NAND存儲器中的數(shù)據(jù)出錯有多種情況，例如：一開始就無法讀取NAND存儲器中的數(shù)據(jù)；可以讀取NAND存儲器中Retry命令序列參數(shù)，但在讀取系統(tǒng)啟動代碼時出錯，又無法通過各種途徑校正，保證成功讀取所有的芯片啟動代碼等，在這些情況下，芯片啟動代碼都會接收到反饋的錯誤信息。

優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)讀取模塊210，當系統(tǒng)啟動后，進一步用于根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)；以及，若沒有讀取到所述Retry命令序列參數(shù)，則讀取NAND存儲器的ID；以及，若系統(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc校驗正確時，在系統(tǒng)內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)出錯時，按照所述Retry命令序列參數(shù)重新讀取數(shù)據(jù)；所述中央處理器200還包括：參數(shù)獲取模塊280，若系統(tǒng)內(nèi)存中沒有讀取到所述Retry命令序列參數(shù)或?qū)ο到y(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc檢驗不正確時，根據(jù)讀取的所述NAND存儲器的ID，獲取對應的所述Retry命令序列參數(shù)；所述計算校驗模塊230，進一步用于對系統(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc計算并校驗；所述系統(tǒng)內(nèi)存300，進一步用于將根據(jù)讀取的所述NAND存儲器的ID獲取的對應的所述Retry命令序列參數(shù)保存到所述系統(tǒng)內(nèi)存中；所述page，若讀取了所述NAND存儲器的ID，并獲取了對應的所述Retry命令序列參數(shù)，在校驗正確后，進一步用于根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則，把校驗正確后的所述Retry命令序列參數(shù)依次存入NAND存儲器的各個page中進行參數(shù)備份。

具體的，從NAND存儲器中讀取系統(tǒng)啟動代碼成功后，就會跳到系統(tǒng)內(nèi)存中進行系統(tǒng)啟動，從NAND存儲器中讀取系統(tǒng)啟動代碼可以理解為將NAND存儲器中的系統(tǒng)啟動代碼保存到系統(tǒng)內(nèi)存，為后續(xù)的系統(tǒng)啟動打下基礎。

系統(tǒng)啟動后，會讀取先前保存在系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)，若成功讀取到Retry命令序列參數(shù)，則會對它進行計算及校驗，只有校驗正確，才會在后續(xù)讀取數(shù)據(jù)出錯時用此Retry命令序列參數(shù)重新讀取數(shù)據(jù)。前面從NAND存儲器中讀取Retry命令序列參數(shù)時也會進行計算及校驗，這是由芯片啟動代碼完成的，而系統(tǒng)內(nèi)存中讀取的Retry命令序列參數(shù)是由系統(tǒng)啟動代碼完成的，這兩者的運行空間不同的，因此，兩者并不重復。

若沒有在系統(tǒng)內(nèi)存中讀取到Retry命令序列參數(shù)，則說明NAND存儲器中沒有它對應的Retry命令序列參數(shù)，因此，需要讀取NAND存儲器的ID，獲取它的ID對應的Retry命令序列參數(shù)，然后將其保存在系統(tǒng)內(nèi)存中，為后續(xù)對系統(tǒng)內(nèi)存中讀取到的Retry命令序列參數(shù)進行crc校驗提供基礎。

只要讀取了NAND存儲器的ID，并獲取了對應的Retry命令序列參數(shù)，就說明NAND存儲器中無Retry命令序列參數(shù)或者保存的Retry命令序列參數(shù)不正確，需要重新燒錄進正確的Retry命令序列參數(shù)；因此，在讀取了所述NAND存儲器的ID，并獲取了對應的所述Retry命令序列參數(shù)，在校驗正確后，會把校驗正確后的Retry命令序列參數(shù)保存到NAND存儲器的各個page中進行參數(shù)備份。

優(yōu)選地，所述參數(shù)獲取模塊280具體包括：規(guī)則獲取子模塊281，根據(jù)讀取的所述NAND存儲器的ID，獲取對應的Retry規(guī)則；序列轉(zhuǎn)化子模塊282，將所述Retry規(guī)則根據(jù)預設規(guī)則轉(zhuǎn)化為對應的Retry參數(shù)序列；設置子模塊283，根據(jù)所述Retry參數(shù)序列，依次設置對應的Retry Level；參數(shù)轉(zhuǎn)化子模塊284，將所述Retry Level轉(zhuǎn)化為對應的NAND控制器的Retry命令序列參數(shù)。

具體的，每個NAND存儲器的規(guī)則不同，因此，需要將其對應的Retry規(guī)則按照預設的規(guī)則轉(zhuǎn)化為同一種規(guī)則的Retry參數(shù)序列，然后根據(jù)此Retry參數(shù)序列，依次設置對應的Retry Level，方便后續(xù)數(shù)據(jù)讀取出錯后，用此Retry Level重新讀取數(shù)據(jù)。

優(yōu)選地，所述計算校驗模塊230，進一步用于計算所述Retry命令序列參數(shù)的第一crc，并把計算的所述第一crc放在所述Retry命令序列參數(shù)的頭部。

優(yōu)選地，所述計算校驗模塊230包括：計算子模塊231，計算系統(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)的第二crc；獲取子模塊232，獲取所述系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)中的頭部的所述第一crc；檢驗子模塊233，將所述第一crc與所述第二crc進行比較，若一致，則校驗正確，若不一致，則校驗不正確。

具體的，在獲取了Retry命令序列參數(shù)后，會計算其第一crc，并把此第一crc放在頭部，為后續(xù)校驗提供了基礎。

而在對Retry命令序列參數(shù)進行校驗過程中，會先計算它的第二crc，再將第二crc和第一crc進行比較，若一致，則說明讀取的Retry命令序列參數(shù)是正確的，沒有在傳輸過程中發(fā)生錯誤，可以利用此Retry命令序列參數(shù)在后續(xù)數(shù)據(jù)讀取出錯時進行Read Retry。

在本發(fā)明的另一個實施例中，如圖5所示，一種系統(tǒng)，包括：NAND存儲器100、中央處理器200、系統(tǒng)內(nèi)存300；所述NAND存儲器200與所述中央處理器200電連接；所述系統(tǒng)內(nèi)存300與所述中央處理器200電連接；所述NAND存儲器100包括：page 110，存儲有參數(shù)，以及，系統(tǒng)啟動代碼；其中，所述參數(shù)包括：Retry命令序列參數(shù)；若讀取了所述NAND存儲器的ID，并獲取了對應的所述Retry命令序列參數(shù)，在校驗正確后，進一步用于根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則，把校驗正確后的所述Retry命令序列參數(shù)依次存入NAND存儲器的各個page中進行參數(shù)備份；所述系統(tǒng)內(nèi)存300，進一步用于若從NAND存儲器多個參數(shù)備份的page里讀取的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc校驗正確，則將所述Retry命令序列參數(shù)保存到系統(tǒng)內(nèi)存中；進一步用于將根據(jù)讀取的所述NAND存儲器的ID獲取的對應的所述Retry命令序列參數(shù)保存到所述系統(tǒng)內(nèi)存中；所述中央處理器200包括：數(shù)據(jù)讀取模塊210，從所述NAND存儲器多個參數(shù)備份的page里，根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取數(shù)據(jù)；若讀取數(shù)據(jù)失敗，則繼續(xù)從下一個page里讀取數(shù)據(jù)；以及，從NAND存儲器燒錄有系統(tǒng)啟動代碼的page里，根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取所述系統(tǒng)啟動代碼；以及，若所述系統(tǒng)啟動代碼讀取失敗，則根據(jù)所述Retry命令序列參數(shù)設置的新的Retry Level再次讀取NAND存儲器中的所述系統(tǒng)啟動代碼；當系統(tǒng)啟動后，進一步用于根據(jù)芯片啟動代碼的規(guī)則依次讀取系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)；以及，若沒有讀取到所述Retry命令序列參數(shù)，則讀取NAND存儲器的ID；以及，若系統(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc校驗正確時，在系統(tǒng)內(nèi)存中讀取數(shù)據(jù)出錯時，按照所述Retry命令序列參數(shù)重新讀取數(shù)據(jù)；其中，所述芯片啟動代碼包括：預設的ECC、格式和通用Retry Level；所述芯片啟動代碼的規(guī)則包括：預設的ECC和格式；數(shù)據(jù)判斷模塊220，檢查所述讀取的數(shù)據(jù)是否是全ff；以及，若所述讀取的數(shù)據(jù)不是全ff，則進一步判斷所述讀取的數(shù)據(jù)的頭部數(shù)據(jù)特征碼是否為參數(shù)特征碼；若所述讀取的數(shù)據(jù)的頭部數(shù)據(jù)特征碼不是參數(shù)特征碼時，進一步用于判斷所述讀取的數(shù)據(jù)是否為所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)；計算校驗模塊230，對NAND存儲器多個參數(shù)備份的page里讀取的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc計算并校驗；進一步用于對系統(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc計算并校驗；進一步用于計算所述Retry命令序列參數(shù)的第一crc，并把計算的所述第一crc放在所述Retry命令序列參數(shù)的頭部；所述計算校驗模塊包括：計算子模塊231，計算系統(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)的第二crc；獲取子模塊232，獲取所述系統(tǒng)內(nèi)存中的Retry命令序列參數(shù)中的頭部的所述第一crc；檢驗子模塊233，將所述第一crc與所述第二crc進行比較，若一致，則校驗正確，若不一致，則校驗不正確；設置模塊240，若所述系統(tǒng)啟動代碼讀取失敗，則根據(jù)NAND存儲器中讀取的所述Retry命令序列參數(shù)設置新的Retry Level；啟動模塊250，當成功將NAND存儲器中的所述系統(tǒng)啟動代碼讀完后，跳到所述系統(tǒng)內(nèi)存中完成系統(tǒng)啟動；進一步用于若接收到所述錯誤信息，芯片啟動代碼跳到另一個啟動設備進行系統(tǒng)啟動；錯誤反饋模塊260，若所述讀取的數(shù)據(jù)不是所述系統(tǒng)啟動代碼，則反饋所述錯誤信息給芯片啟動代碼；進一步用于若所述系統(tǒng)啟動代碼無法成功讀取，則反饋所述錯誤信息給芯片啟動代碼；讀取判斷模塊270，若所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)讀取失敗，所述讀取判斷模塊判斷是否可以通過所述預設的ECC和通用Retry Level成功讀取所述系統(tǒng)啟動代碼數(shù)據(jù)；參數(shù)獲取模塊280，若系統(tǒng)內(nèi)存中沒有讀取到所述Retry命令序列參數(shù)或?qū)ο到y(tǒng)內(nèi)存中的所述Retry命令序列參數(shù)進行crc檢驗不正確時，根據(jù)讀取的所述NAND存儲器的ID，獲取對應的所述Retry命令序列參數(shù)；所述參數(shù)獲取模塊280具體包括：規(guī)則獲取子模塊281，根據(jù)讀取的所述NAND存儲器的ID，獲取對應的Retry規(guī)則；序列轉(zhuǎn)化子模塊282，將所述Retry規(guī)則根據(jù)預設規(guī)則轉(zhuǎn)化為對應的Retry參數(shù)序列；設置子模塊283，根據(jù)所述Retry參數(shù)序列，依次設置對應的Retry Level；參數(shù)轉(zhuǎn)化子模塊284，將所述Retry Level轉(zhuǎn)化為對應的NAND控制器的Retry命令序列參數(shù)。

具體的，將根據(jù)NAND存儲器的ID，獲取的對應的Retry命令序列參數(shù)存入NAND存儲器，使芯片啟動代碼能夠更好地兼容各種不同的NAND存儲器，降低不同NAND存儲器的由于沒有對應的Retry命令序列參數(shù)而無法啟動的情況，提升使用效果。

在本發(fā)明的另一個實施例中，以H27UBG8T2CTR這個現(xiàn)代20nm的NAND存儲器為例，這個NAND存儲器的Retry規(guī)則的特點是每個NAND存儲器的Retry規(guī)則都存儲在otp(One Time Programmable，一次性可編程)block里面，需要專門的命令讀取，并且每個NAND存儲器的Retry規(guī)則是不同的；首先通過otp block的讀取命令從NAND存儲器中讀出完整的內(nèi)容，并按照異或規(guī)則檢驗后取得正確的Retry規(guī)則。

然后根據(jù)此Retry規(guī)則獲取對應的Retry Level，然后將每個Retry Level轉(zhuǎn)換為NAND控制器的Retry命令序列參數(shù)并保存，首先將NAND控制器的cmd fifo地址換成Retry命令序列參數(shù)保存的內(nèi)存地址，然后從level0開始持續(xù)到level7依次調(diào)用set level函數(shù)進入Read Retry模式，由于fifo已經(jīng)更換為內(nèi)存地址，這樣實際上并沒真正寫入fifo，而是在內(nèi)存里，NAND存儲器并沒有真正進入Read Retry模式，level7完了以后將內(nèi)存fifo數(shù)據(jù)計算crc，并調(diào)用wirte page的接口依次把Retry命令序列參數(shù)寫入固定的page里面，并保證跨block和block里面的page都有Retry命令序列參數(shù)保存；最后恢復內(nèi)存fifo為正常NAND控制器的fifo地址，保證后續(xù)的命令正常進行。

芯片啟動代碼啟動后，首先依次從各個page讀取Retry命令序列參數(shù)并校驗，通過后，按照level0到level7的順序依次還原fifo數(shù)據(jù)；后續(xù)真正的數(shù)據(jù)(例如：系統(tǒng)啟動代碼)讀取如果發(fā)現(xiàn)錯誤且ECC和通用Retry Level無法校正，就依據(jù)fifo數(shù)據(jù)依次把對應的level的fifo數(shù)據(jù)寫入NAND控制器的cmd fifo里面進入Read Retry模式，重新讀取數(shù)據(jù)。

應當說明的是，上述實施例均可根據(jù)需要自由組合。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。