本發(fā)明實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及用于布局相關變動分析的系統(tǒng)。

背景技術：

被歸類為數(shù)字、模擬、或混合信號的現(xiàn)代集成電路(integratedcircuit，ic)提供復雜的功能。單個集成電路包括數(shù)百萬個或數(shù)十億個晶體管，所述晶體管中的每一個晶體管接通及斷開以使微量電流傳播通過集成電路中的各種路徑。在集成電路制造之前的設計階段，設計者會針對集成電路中的每一晶體管指定一組目標工藝參數(shù)，所述目標工藝參數(shù)例如包括柵極長度、電子遷移率及電壓閾值。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種用于布局相關變動分析的系統(tǒng)，其包括：處理器；存儲裝置，存儲計算機程序碼，所述計算機程序碼由所述處理器執(zhí)行以實行以下中的至少一者：通過應用前段變動來實行第一模擬以獲得第一模擬結果，其中所述第一模擬結果指示集成電路的至少一個樣本，且所述集成電路具有至少一個裝置；通過應用布局相關變動中的一或多個布局相關變動來將所述至少一個裝置分離成所述集成電路的所述至少一個樣本的布局中的多個分離裝置，其中所述分離裝置具有單獨的變量；在第二模擬中將所述單獨的變量轉譯成所述分離裝置的等效變量；以及在所述第二模擬中重新檢查所述集成電路的所述至少一個樣本。

附圖說明

通過參照附圖閱讀以下詳細說明，能最好地理解本發(fā)明的各個方面。應注意，根據(jù)行業(yè)中的標準慣例，各種特征未按比例繪示。實際上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1是根據(jù)本發(fā)明各種實施例的一種系統(tǒng)的示意圖。

圖2是說明根據(jù)本發(fā)明各種實施例由系統(tǒng)100實施各種模擬的示意圖。

圖3說明一種根據(jù)本發(fā)明各種實施例的由圖1所示系統(tǒng)實施的方法的流程圖。

[符號的說明]

100：系統(tǒng)

102：處理器

104：存儲裝置

106：計算機程序碼

107：指令

108：總線

110：輸入/輸出接口

112：網(wǎng)絡接口

114：網(wǎng)絡

116：用戶界面

120：工藝設計套件

122：裝置變動轉譯器

130：前段變動

132：布局相關變動

140、141、142：模擬結果

150：裝置模型

170：工具

210：預先模擬

214：裝置

216：裝置

220：再模擬

222：關鍵組件布局

226：分離裝置

230：后模擬

232：電路布局

236：裝置

237：寄生電阻器

238：寄生電容器

239：偽裝置

300：方法

305、310、315、325、330：操作

具體實施方式

以下公開內容提供用于實施所提供主題的不同特征的許多不同的實施例或實例。以下闡述組件及排列的具體實例以簡化本公開內容。當然，這些僅為實例且不旨在進行限制。例如，以下說明中將第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征及第二特征被形成為直接接觸的實施例，且也可包括其中第一特征與第二特征之間可形成有附加特征、進而使得所述第一特征與所述第二特征可能不直接接觸的實施例。另外，本公開內容可能在各種實例中重復參考編號及/或字母。這種重復是出于簡潔及清晰的目的，而不是自身表示所論述的各種實施例及/或配置之間的關系。

在本說明書中使用的用語一般具有其在所屬技術領域及使用每一用語的具體上下文中的通常含意。在本說明書中使用的實例(包括本文中所論述的任何用語的實例)僅是說明性的，且不以任何方式限制本公開內容或任何示例性用語的范圍及含意。同樣地，本發(fā)明不限于在本說明書中給出的各種實施例。

圖1是根據(jù)本發(fā)明各種實施例的系統(tǒng)100的示意圖。在圖1中說明性地提供用于系統(tǒng)100的不同組件的標記。在一些實施例中，系統(tǒng)100是計算裝置或在計算裝置中實作，以進行例如包括布局相關變動分析在內的變動分析。為了進行說明，布局相關變動分析與布局相依因數(shù)相關聯(lián)，所述布局相依因數(shù)例如包括集成電路(ic)中的裝置的配置及/或特性。

為了在圖1中進行說明，系統(tǒng)100包括硬件處理器102及編碼有計算機程序碼106的非暫時性計算機可讀存儲裝置104。換句話說，計算機可讀存儲裝置104存儲有一組可執(zhí)行指令，所述可執(zhí)行指令例如包括計算機可執(zhí)行模擬指令。

在一些實施例中，計算機程序碼106例如包括電子設計自動化(electronicdesignautomation，eda)碼。在各種說明中，電子設計自動化也被稱為電子計算機輔助設計(electroniccomputeraideddesign，ecad)且用于設計及生產例如包括集成電路在內的電子系統(tǒng)。隨著半導體技術的不斷規(guī)?；?，電子設計自動化工具已得到快速開發(fā)。

在一些實施例中，系統(tǒng)100中的計算機可讀取存儲裝置104還存儲前段(front-end，fe)變動130。前段變動130與生產線前段(front-end-of-line，feol)工藝相關聯(lián)。為了進行說明，前段變動130指示在生產線前段(feol)工藝中裝置的變動，且被配置成應用在如下所述的模擬中。

在一些實施例中，生產線前段工藝例如包括晶片制備、隔離、井形成(wellformation)、柵極圖案化、間隔件、延伸及源極/漏極植入、硅化物形成、及雙應力襯層(dualstressliner)形成。在生產線前段工藝期間，在半導體晶片上形成半導體結構。

在另一些實施例中，在生產線前段工藝期間，各種處理步驟分成多種類別，所述類別例如包括沉積、移除、圖案化、及電質(即，摻雜)修改。以下是對上述處理類別的說明。沉積是使材料生長、涂布或以其他方式轉移至晶片上的工藝。沉積工藝或技術的一些實例包括物理氣相沉積(physicalvapordeposition，pvd)、化學氣相沉積(chemicalvapordeposition，cvd)、電化學沉積(electrochemicaldeposition，ecd)、分子束外延(molecularbeamepitaxy，mbe)、原子層沉積(atomiclayerdeposition，ald)等。移除是自基體晶片移除材料的工藝，例如包括蝕刻工藝。舉例來說，化學機械平坦化(chemicalmechanicalplanarization，cmp)是在裝置的各層之間使用的典型移除工藝。圖案化工藝是對所沉積的材料的形狀進行圖案化的工藝。圖案化也被稱為光刻。典型的圖案化工藝包括：使用光刻膠材料來選擇性地掩蓋半導體裝置的一些部分，將所述裝置暴露至特定波長的光，然后以顯影液沖洗掉未被暴露的區(qū)域。通過以擴散及/或離子植入對所選擇的區(qū)域進行摻雜來改變電質。在摻雜工藝之后通常進行退火工藝以活化所植入的摻雜物，所述退火工藝例如包括爐內退火或快速熱退火(rapidthermalanneal，rta)。

在一些實施例中，系統(tǒng)100中的計算機可讀存儲裝置104還存儲布局相關變動132。布局相關變動132與布局相關效果相關聯(lián)。為了進行說明，布局相關效果與布局相依效果(layoutdependenteffect，lde)、生產線中段(middle-end-of-line，meol)工藝、及生產線后段(back-end-of-line，beol)工藝相關聯(lián)。為了進行說明，布局相關變動132指示在布局相依效果、生產線中段工藝及生產線后段工藝中的裝置及其連接的變動，且被配置成應用在如下所述的模擬中。

在一些實施例中，生產線中段工藝例如包括柵極觸點形成。在半導體晶片上形成半導體結構的生產線前段工藝之后，在生產線中段工藝期間對所述半導體結構進行局部地互連來制成集成電路。

在一些實施例中，生產線后段工藝例如包括一系列晶片處理步驟。實行所述晶片處理步驟是為了對在生產線前段工藝及生產線中段工藝期間形成的半導體結構進行互連。

在各種實施例中，布局相關變動132與環(huán)境變動相關聯(lián)。環(huán)境變動例如包括電壓、溫度等。

在一些其他實施例中，系統(tǒng)100中的計算機可讀存儲裝置104還存儲工藝設計套件(processdesignkit，pdk)120以及裝置變動轉譯器122。在一些替代實施例中，系統(tǒng)100中的計算機可讀存儲裝置104還存儲用于裝置變動轉譯器122的裝置模型150。以下闡釋與裝置變動轉譯器122及裝置模型150相關聯(lián)的操作。

為了在系統(tǒng)100中進行說明，處理器102用以執(zhí)行與模擬指令相關聯(lián)的計算機程序碼106，所述模擬指令被編碼在計算機可讀存儲裝置104中。因此，系統(tǒng)100能夠進行操作來實行各種模擬。

在一些實施例中，系統(tǒng)100將前段變動130應用至第一模擬。為了進行說明，處理器102執(zhí)行計算機程序碼106以應用前段變動130。因此，第一模擬得以實行，且因此而獲得模擬結果140。在一些其他實施例中，系統(tǒng)100將布局相關變動132的一部分應用至第二模擬。為了進行說明，處理器102執(zhí)行計算機程序碼106以應用裝置變動轉譯器122。因此，通過使用模擬結果140而使第二模擬得以實行，且因此而獲得模擬結果141。在一些替代實施例中，系統(tǒng)100將所有布局相關變動132應用至另一第二模擬。為了進行說明，處理器102執(zhí)行計算機程序碼106以應用裝置變動轉譯器122。因此，通過使用模擬結果140而使第二模擬得以實行，且因此而獲得模擬結果142。在另一些實施例中，模擬結果141或模擬結果142充當對用于制作集成電路的布局進行修改的基礎。

在一些其他實施例中，計算機可讀存儲裝置104還被編碼有用于與工具170進行接口的指令107，所述工具170例如包括制造裝備、腔室等。為了進行說明，工具170在一些實施例中被配置成用于基于上述經(jīng)修改布局來生產集成電路。

在一些實施例中，工具170實行各種半導體工藝，所述半導體工藝例如包括蝕刻、沉積、植入及退火。工具170例如包括光刻步進器、蝕刻工具、沉積工具、研磨工具、快速熱退火工具、離子植入工具等。每一工具170根據(jù)特定操作方法來對晶片進行修改。為了進行說明，一個工具170用以將具有某一厚度的膜沉積在晶片上，而另一個工具170用以自晶片蝕刻掉一層。此外，在一些實施例中，同一類型的工具170被設計成實行同一類型的工藝。

在其他實施例中，存儲裝置104存儲用于與外部機器進行接口的指令107。指令107使處理器102能夠產生可由外部機器讀取的指令以在分析期間有效地實施操作。

為了在圖1中進行說明，處理器102通過總線108電耦合至計算機可讀存儲裝置104。處理器102還通過總線108電耦合至輸入/輸出(i/o)接口110。網(wǎng)絡接口112也通過總線108電連接至處理器102。網(wǎng)絡接口112連接至網(wǎng)絡114，從而使處理器102及計算機可讀存儲裝置104能夠通過網(wǎng)絡114連接至外部元件。在一些實施例中，網(wǎng)絡114是公用網(wǎng)絡(例如包括因特網(wǎng))，或作為另外一種選擇，網(wǎng)絡114是由鑄造廠(foundry)擁有或運行的專用網(wǎng)絡。用于實作網(wǎng)絡114的各種網(wǎng)絡均處于本發(fā)明所設想的范圍內。

在一些實施例中，處理器102是中央處理單元(centralprocessingunit，cpu)、多元處理器(multi-processor)、分布式處理系統(tǒng)、應用專用集成電路(applicationspecificintegratedcircuit，asic)、適當?shù)奶幚韱卧?。用于實作處理?02的各種電路或單元均處于本發(fā)明所設想的范圍內。

在一些實施例中，計算機可讀存儲裝置104是電子、磁性、光學、電磁性、紅外存儲系統(tǒng)(或設備、或裝置)。舉例來說，計算機可讀存儲裝置104包括固態(tài)存儲器、磁帶、可移除的計算機磁盤、隨機存取存儲器(randomaccessmemory，ram)、只讀存儲器(read-onlymemory，rom)、硬質磁盤、及/或光盤。為了對光盤進行說明，計算機可讀存儲裝置104包括光盤-只讀存儲器(compactdisk-readonlymemory，cd-rom)、可讀/寫光盤(compactdisk-read/write，cd-r/w)及/或數(shù)字化視頻光盤(digitalvideodisc，dvd)。

在一些實施例中，存儲裝置104存儲計算機程序碼106，計算機程序碼106用以使系統(tǒng)100實行一種或多種操作。在一些其他實施例中，存儲裝置104還存儲在實行所述操作期間產生的信息。所述信息包括例如用戶界面(userinterface，ui)116、前段變動130、布局相關變動132、模擬結果140至142及/或一組可執(zhí)行指令107。在一些實施例中，用戶界面116是圖形用戶界面(graphicaluserinterface，gui)。

在一些實施例中，i/o接口110電耦合至外部電路系統(tǒng)。i/o接口110例如包括鍵盤、小鍵盤、鼠標、軌跡球(trackball)、軌跡板(track-pad)、觸摸屏及/或光標方向鍵，以用于將信息及命令傳達至處理器102。在各種實施例中，i/o接口110例如包括顯示器，所述顯示器包括例如陰極射線管(cathoderaytube，crt)、液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)、揚聲器等。

為了在圖1中進行說明，網(wǎng)絡接口112使系統(tǒng)100能夠與網(wǎng)絡114通信，其中一個或多個計算機系統(tǒng)連接至網(wǎng)絡114。在一些實施例中，網(wǎng)絡接口112包括無線網(wǎng)絡接口，所述無線網(wǎng)絡接口包括例如藍芽(bluetooth)、wifi、全球微波接入互操作性(wimax)、通用分組無線業(yè)務(gprs)或寬帶碼分多址(wcdma)。在一些其他實施例中，網(wǎng)絡接口112包括有線網(wǎng)絡接口，所述有線網(wǎng)絡接口包括例如以太網(wǎng)(ethernet)、通用串行總線(usb)或ieee-1394。為了進行說明，例如包括用戶界面116、前段變動130、布局相關變動132及/或模擬結果140至142在內的信息在包括系統(tǒng)100在內的不同系統(tǒng)之間通過網(wǎng)絡114進行交換。

為了闡釋由系統(tǒng)100實行的各種模擬，參照圖2。圖2是說明由根據(jù)本發(fā)明各種實施例的系統(tǒng)100實作的各種模擬的示意圖。以下將圖1中所示系統(tǒng)100的運行與圖2中所說明的模擬一起加以說明。在圖2中說明性地提供用于不同模擬的標記。

為了在圖1及圖2中進行說明，處理器102執(zhí)行計算機程序碼106，以通過應用前段變動130來實行預先模擬(pre-simulation)210。為了在圖2中進行說明，在一些實施例中是以具有較長溝道長度的裝置214來實行預先模擬210。為了進行預先模擬210，裝置214由為了進行說明起見在前置工藝節(jié)點(advanceprocessnode)中串聯(lián)堆疊的裝置216實作。為了在圖2中進行說明，裝置216是晶體管。

圖2中所示的串聯(lián)堆疊的裝置216是為了進行說明而提供。裝置216的各種配置均處于本發(fā)明所設想的范圍內。舉例來說，在一些實施例中，裝置214由并聯(lián)堆疊的裝置216實作。

此外，在一些實施例中，裝置變動轉譯器122被應用于具有串聯(lián)及/或并聯(lián)電路配置的分離裝置。換句話說，裝置變動轉譯器122能夠應用于對以串聯(lián)及/或并聯(lián)堆疊的裝置進行的預先模擬210的分析中。

在一些實施例中，互連至集成電路中的其他裝置的裝置216作為一種或多種功能電路或組件來運行。所述功能電路或組件包括例如存儲器、處理器、傳感器、放大器、功率分配電路系統(tǒng)、輸入/輸出電路系統(tǒng)等。所屬領域中的普通技術人員將理解，給出上述實例是為了進行說明。例如包括電阻器、電容器、電感器等在內的各種功能電路或組件均處于本發(fā)明所設想的范圍內。

此外，為了在圖1及圖2中進行說明，處理器102執(zhí)行計算機程序碼106以實行再模擬(re-simulation)220。在一些實施例中，在要實行再模擬220時，會應用布局相關變動132的一部分。為了在圖2中進行說明，再模擬220是以包括至少一個裝置216的關鍵組件布局222來實行。為了進行再模擬220，將裝置216分離成為了進行說明起見而并聯(lián)連接的多個裝置226。

此外，為了在圖1及圖2中進行說明，處理器102執(zhí)行計算機程序碼106以實行后模擬(post-simulation)230。在一些實施例中，在要實行后模擬230時，會應用所有的布局相關變動132。為了在圖2中進行說明，后模擬230是以電路布局232來實行，所述電路布局232包括至少一個裝置216、偽裝置239及/或氧化物界定(od)邊緣上覆有多晶硅的(polyonodedge，“pode”)結構(圖中未示出)。為了進行后模擬230，將裝置216分離成為了進行說明起見而并聯(lián)連接的多個裝置236以及與裝置236耦合的寄生組件，所述寄生組件包括例如寄生電阻器237及寄生電容器238。

以上所述的pode指示沿有源區(qū)的邊緣形成的多晶硅結構。在一些應用中，偽裝置239及/或pode結構不構成集成電路的任何功能特征。

在一些實施例中，上述有源區(qū)被稱為氧化物界定(oxide-definition，od)區(qū)。所述氧化物界定區(qū)是為了形成晶體管的漏極或源極而提供。在本發(fā)明的各種實施例中，晶體管的源極充當漏極，反之亦然。為了進行說明，晶體管是鰭式場效晶體管(finfieldeffecttransistor，finfet)類型，但平面類型或各種類型的晶體管均處于本發(fā)明所設想的范圍內。

圖2中所示的模擬是為了進行說明而提供。圖2中所示的各種模擬均處于本發(fā)明所設想的范圍內。此外，給出圖2中所示的模擬次數(shù)也是為了進行說明。圖2中所示的各種模擬次數(shù)也處于本發(fā)明所設想的范圍內。

圖3說明一種根據(jù)本發(fā)明各種實施例的由圖1所示系統(tǒng)100實施的方法300的流程圖。以下參照圖2中的模擬并通過圖3中所說明的方法300來闡述圖1所示系統(tǒng)100的運行。在圖3中說明性地提供用于方法300的不同操作的標記。

上述說明包括示例性操作，但所述操作未必按圖3中所示的次序實行?？梢暻闆r根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的精神及范圍來添加操作、替換操作、改變操作的次序及/或取消操作。

在方法300中，處理器102用以執(zhí)行在計算機可讀存儲裝置104中所編碼的計算機程序碼106。因此，系統(tǒng)100能夠進行操作以實行包括例如如下所述的操作305、310、315、325及330在內的操作的一部分或全部。

在一些實施例中，操作305及操作310對應于如圖2中所說明的預先模擬210。操作325、操作330及操作335對應于如圖2中所說明的再模擬220及/或后模擬230。

在操作305中，處理器102執(zhí)行計算機程序碼106以通過應用前段變動130來實行預先模擬210。在此種操作中，能夠在預先模擬210中(為了進行說明起見)以如圖2中所示的至少一個裝置214來實行系統(tǒng)驗證。

為了進行預先模擬210，在晶體管層次上、以基于晶體管的網(wǎng)表(transistor-basednet-list)或示意圖的形式開發(fā)集成電路的初始設計。所述網(wǎng)表是對晶體管及其連接的節(jié)點式描述。為了進行說明，晶體管包括n型金屬氧化物半導體(n-typemetal-oxidesemiconductor，nmos)及/或p型金屬氧化物半導體(p-typemetal-oxidesemiconductor，pmos)。

為了實行操作310，通過預先模擬210，使處理器102執(zhí)行計算機程序碼106以應用前段變動130。因此，獲得模擬結果140并將模擬結果140存儲在存儲裝置104中。模擬結果140指示集成電路的至少一個樣本，其中所述樣本指示與集成電路中的至少一個組件的特性相關的模擬數(shù)據(jù)。

在一些實施例中，實行預先模擬210會通過應用前段變動130而產生集成電路的各種樣本。處理器102執(zhí)行計算機程序碼106來識別樣本。為了進行說明，至少一個樣本被識別為與其他樣本相比為異常的。舉例來說，異常樣本的性能參數(shù)低于正常樣本的性能參數(shù)。

在操作310中，識別例如包括具有大的失配度的樣本在內的至少一個異常樣本。因此，通過預先模擬210，能夠識別出異常樣本。結果，能夠在模擬過程的早期識別出設計故障。

在操作315中，在一些實施例中，處理器102執(zhí)行計算機程序碼106，以通過應用布局相關變動132的一部分來實行再模擬220。在一些實施例中，根據(jù)設計規(guī)則來應用布局相關變動132的一部分。

為了進行說明，圖2中所示的裝置226具有單獨的變量。在要實行再模擬220時，由裝置變動轉譯器122將所述單獨的變量轉譯成分離裝置226的等效變量。此外，在操作315中，應用裝置變動轉譯器122來根據(jù)因數(shù)值選擇裝置模型150中的一個對應裝置模型。裝置變動轉譯器122還用于存取所述裝置模型150中的一個對應裝置模型以確定分離裝置226的等效變量，從而用于實行再模擬220。

在一些實施例中，因數(shù)值是基于如在圖2中所說明的分離裝置226的裝置類型、裝置幾何結構、布局相依效果及/或配置來確定。所述裝置類型包括例如晶體管類型、電阻器類型、電容器類型及電感器類型。

在操作325中，在一些實施例中，再模擬220是利用關鍵組件布局222中的分離裝置226的等效變量來實行。在再模擬220之后，獲得模擬結果141并將模擬結果141存儲在存儲裝置104中，且將模擬結果141充當為對用于制作集成電路的布局進行修改的基礎。

利用裝置變動轉譯器122，將分離裝置226的單獨的變量轉譯成用于再模擬220的等效變量。結果，減少了再模擬220所需的模擬時間。

在替代實施例中，在不實行再模擬220時，將實行操作330。在操作330中，為了進行說明，將在再模擬220中重新檢查在操作310中所識別的異常樣本。由于僅重新檢查異常樣本，因此進一步減少了模擬時間。

在一些方法中，以集成電路為重心(spice)的模擬使用一種被稱為蒙特-卡羅建模(monte-carlomodeling)的技術，其中以針對每一次模擬而隨機選擇的不同裝置參數(shù)對集成電路進行許多次模擬。每一次模擬均提供工藝拐點圖(processcornerchart)上的不同點。因此，一些模擬裝置參數(shù)產生快/快或慢/慢裝置或集成電路，其他模擬裝置參數(shù)產生偏斜(skewed)的裝置或集成電路，而另一些其他模擬裝置參數(shù)產生位于由制作設施所提供的工藝拐點的多邊形邊界內的其他地方的裝置或集成電路。然而，為了驗證集成電路是否可能不滿足其設計規(guī)范，需要進行的多次蒙特-卡羅模擬，而消耗大量時間及計算資源。

與上述方法相比，僅重新檢查在操作310中所識別的異常樣本而無需進行上述蒙特-卡羅分析。此外，在模擬中應用裝置變動轉譯器122。因此，能夠在模擬中使用由裝置變動轉譯器122所確定的分離裝置226的等效變量，以減少模擬時間。

此外，在操作315中，在一些其他實施例中，處理器102執(zhí)行計算機程序碼106以通過應用所有布局相關變動132來實行后模擬230。

相應地，在要實行后模擬230時，由裝置變動轉譯器122將分離裝置226的單獨的變量轉譯成分離裝置226的等效變量。在一些實施例中，裝置變動轉譯器122進一步轉譯寄生電阻器237、及/或寄生電容器238及/或偽裝置239的單獨的變量。此外，如上所述應用裝置變動轉譯器122來根據(jù)因數(shù)值選擇裝置模型150中的一個對應裝置模型。裝置變動轉譯器122還用于存取裝置模型150中的一個對應裝置模型以確定分離裝置226的等效變量，從而實行后模擬230。

此后，在操作325中，在一些其他實施例中，利用分離裝置226的等效變量來實行后模擬230。在一些替代實施例中，進一步利用電路布局232中的寄生電阻器237、及/或寄生電容器238及/或偽裝置239的等效變量來實行后模擬230。在后模擬230之后，獲得模擬結果142并將模擬結果142存儲在存儲裝置104中，且將模擬結果142充當為對用于制作集成電路的布局進行修改的基礎。

利用裝置變動轉譯器122，將電路布局232中的裝置的單獨的變量轉譯成用于后模擬230的等效變量。結果，減少了后模擬230所需的模擬時間。

在一些實施例中，方法300采用存儲在非暫時性計算機可讀存儲媒體上的計算機程序產品的形式，其中所述非暫時性計算機可讀存儲媒體中收錄有計算機可讀指令。上述計算機是中央處理器、控制單元、微處理器或等效組件。使用任何適當?shù)姆菚簳r性存儲媒體，包括：非易失性存儲器，例如只讀存儲器(rom)、可編程只讀存儲器(programmablereadonlymemory，prom)、可擦除可編程只讀存儲器(erasableprogrammablereadonlymemory，eprom)、及電可擦除可編程只讀存儲器(electricallyerasableprogrammablereadonlymemory，eeprom)裝置；易失性存儲器，例如包括靜態(tài)隨機存取存儲器(staticrandomaccessmemory，sram)、動態(tài)隨機存取存儲器(dynamicrandomaccessmemory，dram)、及雙倍數(shù)據(jù)速率隨機存取存儲器(doubledataraterandomaccessmemory，ddr-ram)；光學存儲裝置，例如包括光盤只讀存儲器(compactdiscreadonlymemory，cd-rom)及數(shù)字多功能光盤只讀存儲器(digitalversatilediscreadonlymemory，dvd-rom)；及磁性存儲裝置，例如包括硬盤驅動器(harddiskdrive，hdd)及軟盤驅動器。

綜上所述，本發(fā)明提供不同設計階段中的變量分析流程。裝置變動轉譯器122在再模擬220及/或后模擬230中設定分離裝置的等效變量以避免復雜的計算。再模擬220及/或后模擬230重新使用預先模擬210的特定所識別樣本。因此，減少了模擬時間。

在一些實施例中，公開了一種方法，所述方法包括：通過應用第一變動來實行第一模擬，以識別集成電路(ic)的至少一個樣本，其中所述集成電路包括至少一個裝置；將實作所述至少一個裝置的分離裝置的單獨的變量轉譯成所述分離裝置的等效變量；以及利用所述分離裝置的所述等效變量、通過應用第二變動的至少一部分來實行第二模擬，以獲得模擬結果，所述模擬結果充當對用于制作所述集成電路的布局進行修改的基礎。

在一些實施例中，所述第一變動與生產線前段(feol)工藝相關聯(lián)。

在一些實施例中，所述第二變動與布局相關效果及環(huán)境變動中的至少一者相關聯(lián)。

在一些實施例中，所述布局相關效果與布局相依效果(lde)、生產線中段(meol)工藝、及生產線后段(beol)工藝中的至少一者相關聯(lián)。

在一些實施例中，所述將所述單獨的變量轉譯成所述等效變量包括根據(jù)因數(shù)值確定所述等效變量，其中所述因數(shù)值是基于所述分離裝置的裝置類型、裝置幾何結構、布局相依效果(lde)、及配置中的至少一者來確定。

在一些實施例中，所述分離裝置以串聯(lián)連接及/或并聯(lián)連接形式進行配置。

在一些實施例中，所述通過應用所述第一變動來實行所述第一模擬包括通過應用所述第一變動來識別所述集成電路的多種樣本，以及識別與所述多種樣本中的其他樣本相比為異常的所述至少一個樣本。

在一些實施例中，還公開了一種包括計算機可執(zhí)行指令的非暫時性計算機可讀媒體，所述計算機可執(zhí)行指令用于實施一種方法，且所述方法包括：應用前段(fe)變動來實行第一模擬以獲得第一模擬結果，其中所述第一模擬結果指示集成電路的至少一個樣本，且所述集成電路包括至少一個裝置；應用布局相關變動的至少一部分來獲得實作所述至少一個裝置的分離裝置的單獨的變量；將所述單獨的變量轉譯成所述分離裝置的等效變量；以及利用所述分離裝置的所述等效變量充當對用于制作所述集成電路的所述布局進行修改的基礎來實行第二模擬。

在一些實施例中，所述前段變動與生產線前段工藝相關聯(lián)。

在一些實施例中，所述布局相關變動與布局相關效果及環(huán)境變動中的至少一者相關聯(lián)。

在一些實施例中，所述布局相關效果與布局相依效果、生產線中段工藝、及生產線后段工藝中的至少一者相關聯(lián)。

在一些實施例中，將所述單獨的變量轉譯成所述等效變量包括根據(jù)因數(shù)值確定所述等效變量，其中所述因數(shù)值是基于所述分離裝置的裝置類型、裝置幾何結構、布局相依效果、及配置中的至少一者來確定。

在一些實施例中，所述分離裝置以串聯(lián)連接及/或并聯(lián)連接形式進行配置。

在一些實施例中，所述通過應用所述前段變動來實行所述第一模擬包括通過應用所述前段變動來識別所述集成電路的多種樣本，以及識別與所述多種樣本中的其他樣本相比為異常的所述至少一個樣本。

在一些實施例中，還公開了一種系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括處理器及存儲裝置。所述存儲裝置存儲計算機程序碼，且所述計算機程序碼由所述處理器執(zhí)行以實行以下中的至少一者：通過應用前段變動來實行第一模擬以獲得第一模擬結果，其中所述第一模擬結果指示集成電路的至少一個樣本，且所述集成電路具有至少一個裝置；通過應用布局相關變動中的一或多個布局相關變動來將所述至少一個裝置在所述集成電路的所述至少一個樣本的布局中分離成多個分離裝置，其中所述分離裝置具有單獨的變量；在第二模擬中將所述單獨的變量轉譯成所述分離裝置的等效變量；以及在所述第二模擬中重新檢查所述集成電路的所述至少一個樣本。

在一些實施例中，所述前段變動與生產線前段工藝相關聯(lián)。

在一些實施例中，所述布局相關變動與布局相關效果及環(huán)境變動相關聯(lián)。

在一些實施例中，所述的系統(tǒng)進一步包括利用所述分離裝置的所述等效變量充當對用于制作所述集成電路的所述布局進行修改的基礎來實行所述第二模擬。

在一些實施例中，所述將所述單獨的變量轉譯成所述等效變量包括根據(jù)因數(shù)值確定所述等效變量，其中所述因數(shù)值是基于所述分離裝置的裝置類型、裝置幾何結構、布局相依效果、及結構。

在一些實施例中，所述通過應用所述前段變動來實行所述第一模擬包括通過應用所述前段變動來識別所述集成電路的多種樣本，以及識別與所述多種樣本中的其他樣本相比為異常的所述至少一個樣本。

以上概述了幾個實施例的特征以使所屬領域中的技術人員可更好地理解本發(fā)明的各個方面。所屬領域中的技術人員應理解，其可輕易地使用本發(fā)明作為基礎來設計或修改其他過程及結構，以實現(xiàn)本文中介紹的實施例的相同目的及/或實現(xiàn)所述實施例的相同優(yōu)點。所屬領域中的技術人員還應認識到，此種等效構造并不背離本發(fā)明的精神及范圍，且其可在本文中作出各種變化、替代及更改，而此并不背離本發(fā)明的精神及范圍。