模塊42，用于根據(jù)BS頂器件模型對所述網(wǎng)表進行前仿真，當前仿真結(jié)果滿足所述功能模塊的需求時，進行版圖繪制；
[0073]后仿真模塊43，用于在版圖繪制完成后，提取布線后的寄生的電容和電阻，根據(jù)BS頂器件模型對提取后的網(wǎng)表進行后仿真；
[0074]再次仿真模塊44，用于當后仿真結(jié)果滿足所述功能模塊的需求時，根據(jù)預(yù)先建立的老化BS頂器件模型再次進行仿真；
[0075]制版流片模塊45，用于當再次仿真結(jié)果滿足所述功能模塊的需求時，則進行制版流片。
[0076]試驗判斷模塊46，用于對制版流片后的芯片進行封裝，并進行產(chǎn)品可靠性試驗，判斷所述產(chǎn)品可靠性試驗是否通過；
[0077]判斷執(zhí)行模塊47，用于如果通過，則完成設(shè)計和研發(fā)；如果未通過，則重新進行所述網(wǎng)表設(shè)計或版圖繪制。
[0078]優(yōu)選的，建立所述老化BS頂模型包括:
[0079]對測試器件進行多種可靠性測試項目下不同應(yīng)力的晶圓級老化測試；
[0080]分別對多種可靠性測試后測試器件的特性進行擬合，提取出相應(yīng)失效模式的加速因子；
[0081]根據(jù)不同失效模式下提取出來的加速因子，計算出測試器件的各特性隨使用時間變化的特性；
[0082]根據(jù)不同失效模式下提取出來的加速因子，計算出測試器件特性隨時間變化的參量;
[0083]根據(jù)計算得出的器件特性參量，對傳統(tǒng)的BS頂器件模型進行修正，獲得老化BS頂器件模型。
[0084]優(yōu)選的，所述可靠性測試包括以下任意一種或多種:熱載流子注入、負溫度偏置不穩(wěn)定效應(yīng)、氧化膜的經(jīng)時擊穿。
[0085]優(yōu)選的，所述不同應(yīng)力、特性分別包括以下任意一種或多種:溫度、溫度梯度、電壓、電流。
[0086]本發(fā)明的芯片設(shè)計階段可靠性評估裝置，基于傳統(tǒng)的器件老化方法和現(xiàn)有工業(yè)標準的BS頂器件模型，將兩者相互結(jié)合起來，在芯片設(shè)計階段就能評估出芯片的壽命；與傳統(tǒng)的開發(fā)流程相比較，可以大大的縮小產(chǎn)品的開發(fā)周期，減少修改光刻板的次數(shù)，進而降低開發(fā)成本。
[0087]本發(fā)明能有多種不同形式的【具體實施方式】，上面以圖1-圖4為例結(jié)合附圖對本發(fā)明的技術(shù)方案作舉例說明，這并不意味著本發(fā)明所應(yīng)用的具體實例只能局限在特定的流程或?qū)嵤├Y(jié)構(gòu)中，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當了解，上文所提供的具體實施方案只是多種優(yōu)選用法中的一些示例，任何體現(xiàn)本發(fā)明權(quán)利要求的實施方式均應(yīng)在本發(fā)明技術(shù)方案所要求保護的范圍之內(nèi)。
[0088]最后應(yīng)說明的是:以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種芯片設(shè)計階段可靠性評估方法，其特征在于，包括: 根據(jù)確定的芯片功能劃分功能模塊，并根據(jù)所述功能模塊的需求進行網(wǎng)表設(shè)計； 根據(jù)BS頂器件模型對所述網(wǎng)表進行前仿真，當前仿真結(jié)果滿足所述功能模塊的需求時，進行版圖繪制； 在版圖繪制完成后，提取布線后的寄生的電容和電阻，根據(jù)BS頂器件模型對提取后的網(wǎng)表進彳丁后仿真； 當后仿真結(jié)果滿足所述功能模塊的需求時，根據(jù)預(yù)先建立的老化BS頂器件模型再次進行仿真； 當再次仿真結(jié)果滿足所述功能模塊的需求時，則進行制版流片。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括: 對制版流片后的芯片進行封裝，并進行產(chǎn)品可靠性試驗，判斷所述產(chǎn)品可靠性試驗是否通過； 如果通過，則完成設(shè)計和研發(fā)；如果未通過，則重新進行所述網(wǎng)表設(shè)計或版圖繪制。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，建立所述老化BS頂模型包括: 對測試器件進行多種可靠性測試項目下不同應(yīng)力的晶圓級老化測試； 分別對多種可靠性測試后測試器件的特性進行擬合，提取出相應(yīng)失效模式的加速因子; 根據(jù)不同失效模式下提取出來的加速因子，計算出測試器件的各特性隨使用時間變化的特性； 根據(jù)不同失效模式下提取出來的加速因子，計算出測試器件特性隨時間變化的參量； 根據(jù)計算得出的器件特性參量，對傳統(tǒng)的BSIM器件模型進行修正，獲得老化BSIM器件模型。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述可靠性測試包括以下任意一種或多種:熱載流子注入、負溫度偏置不穩(wěn)定效應(yīng)、氧化膜的經(jīng)時擊穿。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述不同應(yīng)力、特性分別包括以下任意一種或多種:溫度、溫度梯度、電壓、電流。6.一種芯片設(shè)計階段可靠性評估裝置，其特征在于，包括: 網(wǎng)表設(shè)計模塊，用于根據(jù)確定的芯片功能劃分功能模塊，并根據(jù)所述功能模塊的需求進行網(wǎng)表設(shè)計； 前仿真模塊，用于根據(jù)BS頂器件模型對所述網(wǎng)表進行前仿真，當前仿真結(jié)果滿足所述功能模塊的需求時，進行版圖繪制； 后仿真模塊，用于在版圖繪制完成后，提取布線后的寄生的電容和電阻，根據(jù)BS頂器件豐吳型對提取后的網(wǎng)表進彳丁后仿真； 再次仿真模塊，用于當后仿真結(jié)果滿足所述功能模塊的需求時，根據(jù)預(yù)先建立的老化BS頂器件模型再次進行仿真； 制版流片模塊，用于當再次仿真結(jié)果滿足所述功能模塊的需求時，則進行制版流片。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，還包括: 試驗判斷模塊，用于對制版流片后的芯片進行封裝，并進行產(chǎn)品可靠性試驗，判斷所述產(chǎn)品可靠性試驗是否通過； 判斷執(zhí)行模塊，用于如果通過，則完成設(shè)計和研發(fā)；如果未通過，則重新進行所述網(wǎng)表設(shè)計或版圖繪制。8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的裝置，其特征在于，建立所述老化BS頂模型包括: 對測試器件進行多種可靠性測試項目下不同應(yīng)力的晶圓級老化測試； 分別對多種可靠性測試后測試器件的特性進行擬合，提取出相應(yīng)失效模式的加速因子; 根據(jù)不同失效模式下提取出來的加速因子，計算出測試器件的各特性隨使用時間變化的特性； 根據(jù)不同失效模式下提取出來的加速因子，計算出測試器件特性隨時間變化的參量； 根據(jù)計算得出的器件特性參量，對傳統(tǒng)的BSIM器件模型進行修正，獲得老化BSIM器件模型。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述可靠性測試包括以下任意一種或多種:熱載流子注入、負溫度偏置不穩(wěn)定效應(yīng)、氧化膜的經(jīng)時擊穿。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述不同應(yīng)力、特性分別包括以下任意一種或多種:溫度、溫度梯度、電壓、電流。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種芯片設(shè)計階段可靠性評估方法和裝置，其中，該方法包括：根據(jù)確定的芯片功能劃分功能模塊，并根據(jù)所述功能模塊的需求進行網(wǎng)表設(shè)計；根據(jù)BSIM器件模型對所述網(wǎng)表進行前仿真，當前仿真結(jié)果滿足所述功能模塊的需求時，進行版圖繪制；在版圖繪制完成后，提取布線后的寄生的電容和電阻，根據(jù)BSIM器件模型對提取后的網(wǎng)表進行后仿真；當后仿真結(jié)果滿足所述功能模塊的需求時，根據(jù)預(yù)先建立的老化BSIM器件模型再次進行仿真；當再次仿真結(jié)果滿足所述功能模塊的需求時，則進行制版流片。本發(fā)明的芯片設(shè)計階段可靠性評估方法和裝置，與傳統(tǒng)的開發(fā)流程相比，可以縮小產(chǎn)品的開發(fā)周期，減少修改光刻板的次數(shù)，進而降低開發(fā)成本。
【IPC分類】G06F17/50
【公開號】CN105183978
【申請?zhí)枴緾N201510557112
【發(fā)明人】陳燕寧, 趙東艷, 張海峰, 付振, 李伯海
【申請人】北京智芯微電子科技有限公司, 國家電網(wǎng)公司
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年9月2日