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      一種光纖圍欄單元的制作方法

      文檔序號:8431595閱讀:450來源:國知局
      一種光纖圍欄單元的制作方法
      【技術領域】
      [0001] 本發(fā)明屬于安全監(jiān)測領域,具體涉及一種全光纖周界圍欄中的光纖圍欄單元。
      【背景技術】
      [0002] 對軍事基地、領使館、大型工廠、煤礦、電廠、石油管線等進行安全監(jiān)測,是保證國 防安全、社會安定、經濟快速發(fā)展的一個基本要求。全光纖周界圍欄屬于分布式光纖傳感技 術的一種典型應用,采用的光纖傳感器具有將傳輸與傳感煤質合而為一的特點,沿布設路 徑上的光纖可全部成為敏感元件。全光纖周界圍欄通過光纖圍欄單元特殊的光路設計,使 兩束光在時間上發(fā)生延時,形成干涉,再通過后期處理解調出攜帶的擾動信息,結構簡單、 靈敏度高、抗電磁干擾,易于實現分布式傳感監(jiān)測,是現代周界安防的發(fā)展趨勢。
      [0003] 利用干涉原理進行光纖圍欄單元光路設計方面,目前的代表性技術的有Sagnac 技術、Michelson技術和Mach-Zehnhar技術。
      [0004] Sagnac光纖干涉的基本結構是將耦合器的輸出端相連接,基本原理是利用同一光 纖環(huán)中沿相反方向前進的兩光波,在外界因素影響下產生不同的相移。如果采用Sagnac干 涉方式,缺點有:(1)由于外圍光纖環(huán)形對稱,傳感系統會以對稱形式感受到物理入侵,順 時針和逆時針的光受到相同的相位改變,造成傳感信號抵消,發(fā)生互易效應,致使無傳感信 號的輸出,容易產生誤報;(2)若需避免互易效應,就需在布設光纖時,將其中一路進行擾 動隔離或者采用其他技術,這將造成系統成本大大提高,實現難度增大;(3)對解調電路的 要求很高,必須對光源進行調制,或者對解調光路進行掃頻解調。
      [0005] Miehelson光纖干涉的基本原理是光源發(fā)出的光,經耦合器分為兩路,分別入射到 傳感光纖和參考光纖,傳感光纖和參考光纖的反射光在耦合器處疊加,產生干涉效應。缺 點有:(1)是利用光纖反射光進行干涉測量,因此其信號較微弱;(2)該技術要求相干長度 大于光學回路的長度,在長距離測量時,需要相干度極高的光源,這就對光源的制作要求很 高;(3)需要利用復雜的解調技術進行相位解調。
      [0006] Mach-Zehnder干涉是一種基于相位干涉的方案,采用兩個親合器,其中一端發(fā)出 的光,經第一個耦合器后進入兩根長度基本相同的單模光纖,兩光纖輸出的光在第二個耦 合器處發(fā)生干涉。由于光路的對稱性,由另一段發(fā)出的光,也可以在第一個耦合器處發(fā)生干 涉。主要缺點信噪比問題:(1)由于Mach-Zehnder干涉技術中,光是分經兩根光纖進行傳 播的,因此溫度等環(huán)境的變化作用于傳感光纖上,會引起傳輸光相位的變化,從而使系統的 信噪比降低;(2)加強激光功率,可以適當提高信噪比,但是光纖的瑞利散射及其它非線性 效應也可能會降低信噪比。

      【發(fā)明內容】

      [0007] 本發(fā)明主要解決的技術問題是提供一種光纖圍欄單元,解決了現有光纖圍欄單元 結構復雜、信號強度弱、靈敏度不高、信噪比低的技術問題。
      [0008] 本發(fā)明的技術方案如下:
      [0009] -種光纖圍欄單元,包括光源、光電轉換模塊,還包括3X3雙向單模光纖親合器、 監(jiān)控光纖回路和延時光纖回路;所述監(jiān)控光纖回路鋪設于監(jiān)控區(qū)域周界;所述3X3雙向單 模光纖耦合器分光比為1:1: 1,其輸入端分別連接光源、監(jiān)控光纖回路的一端、光電轉換模 塊,輸出端分別連接監(jiān)控光纖回路的另一端以及延時光纖回路的兩端。
      [0010] 作為優(yōu)選方案,所述監(jiān)控光纖回路由傳感光纜中的兩根光纖的一端熔接而成。
      [0011] 作為優(yōu)選方案,所述傳感光纜為特殊結構的兩芯光纜。
      [0012] 作為優(yōu)選方案,所述光源為中心波長與3X3雙向單模光纖耦合器工作波長一致 的激光光源或LED光源。
      [0013] 本方案所述的光纖圍欄單元具有如下技術效果:只采用了一個3X3雙向單模光 纖耦合器,使單元結構簡單、可靠;進行干涉的信號是兩路同等信號疊加,可增加信號的強 度,使系統靈敏度高;干涉光是在同等路徑的光纖中傳播的,因此,在沒有擾動的情況下,其 光程是一樣的,只是在擾動時間上有差別,所以,其信噪比較高;此外,單元布設簡單,容易 實現,對光源的相干度要求也不高,解調也相對簡單。
      【附圖說明】
      [0014] 圖1為光纖圍欄單元結構示意圖
      [0015] 圖2為光纖圍欄單元監(jiān)控光路擾動模型
      【具體實施方式】
      [0016] 為使得本領域技術人員更易于理解本發(fā)明的技術方案,對本發(fā)明的光纖圍欄單元 的結構和工作原理進行說明。
      [0017] 光纖圍欄單元包括光源1、光電轉換模塊2、3X3雙向單模光纖耦合器3、監(jiān)控光纖 回路4和延時光纖回路5。按照圖1所示的連接關系,3X3雙向單模光纖耦合器3分光比 約1:1:1,其輸入端分別為413233,其輸出端分別為81、82、83。監(jiān)控光纖回路4鋪設于 監(jiān)控區(qū)域周界,回路兩端分別為J1、J2。延時光纖回路兩端分別為Y1、Y2。3X3雙向單模 光纖親合器3輸入端A1、A2、A3分別連接光源、監(jiān)控光纖回路的J1端、光電轉換模塊,輸出 端Bl、B2、B3分別連接監(jiān)控光纖回路的J1端以及延時光纖回路的兩端Yl、Y2。
      [0018] 光纖圍欄單元所需測量的是監(jiān)控光纖回路4附近的擾動。下列兩條光路因未經過 擾動,未攜帶傳感光纖信號,不形成干涉。第一條光路是入射光線經耦合器A2、B2,經延時 光纖Y1、Y2,經耦合器B3、A3,最后至光電轉換模塊;另一條光路是入射光線經耦合器經A2、 B3,經延時光纖Y2、Y1,經耦合器B2、A3,最后至光電轉換模塊。
      [0019] 下列兩條光路經過耦合器3次,光強分別為原來的1/27,但是這兩路光僅僅是 通過延時光纖的方向不同,所以兩路光是完全等效的可以合并,合并后光強為入射光強的 2/27。第一條光路是入射光線經耦合器A2、B1,經過監(jiān)控光纖J2、J1,經耦合器Al、B2,經 延時光纖Yl、Y2、經耦合器B3、A3,最后至光電轉換模塊;另一條光路是入射光線經耦合器 A2、B1,經過監(jiān)控光纖J2、J1,經耦合器Al、B3,經延時光纖Y2、Y1、經耦合器B2、A3,最后至 光電轉換模塊。
      [0020] 其他光路的光線都是3次以上經過耦合器,雖然存在可以形成干涉的成對光,但 是強度太小,可以忽略不計。
      [0021] 這里通過建立圖2中光纖圍欄單元監(jiān)控光路擾動模型,來分析系統傳感光路的工 作及定位方式。需要說明的是,為了使監(jiān)控光纜的兩根光纖構成環(huán)路,本實施例選用傳感 光纜中的兩根光纖,在光纜的尾端將兩根光纖熔接,構成回路,這樣既方便了傳感光纜的布 設,提高了光路的穩(wěn)定性,又可以使相干光兩次經過擾動點的調制。
      [0022] 設從傳感光纜J1到J2光路總長、=2 (1+L)。現在分析形成干涉的兩路光:一路 為從J1到J2的光,一路為從J2到J1的光。則有如下式1成立:
      [0023]
      【主權項】
      1. 一種光纖圍欄單元,包括光源、光電轉換模塊,其特征在于:還包括3X 3雙向單模光 纖耦合器、監(jiān)控光纖回路和延時光纖回路;所述監(jiān)控光纖回路鋪設于監(jiān)控區(qū)域周界;所述 3X3雙向單模光纖親合器分光比為1:1:1,其輸入端分別連接光源、監(jiān)控光纖回路的一端、 光電轉換模塊,輸出端分別連接監(jiān)控光纖回路的另一端以及延時光纖回路的兩端。
      2. 如權利要求1所述的光纖圍欄單元,其特征在于所述監(jiān)控光纖回路由傳感光纜中的 兩根光纖的一端熔接而成。
      3. 如權利要求2所述的光纖圍欄單元,其特征在于所述傳感光纜為特殊結構的兩芯光 纜。
      4. 如權利要求1至3中任1項所述的光纖圍欄單元,其特征在于所述光源為中心波長 與3X3雙向單模光纖耦合器工作波長一致的激光光源或LED光源。
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種光纖圍欄單元,包括光源、光電轉換模塊,其特征在于:還包括3×3雙向單模光纖耦合器、監(jiān)控光纖回路和延時光纖回路;所述監(jiān)控光纖回路鋪設于監(jiān)控區(qū)域周界;所述3×3雙向單模光纖耦合器分光比為1:1:1,其輸入端分別連接光源、監(jiān)控光纖回路的一端、光電轉換模塊,輸出端分別連接監(jiān)控光纖回路的另一端以及延時光纖回路的兩端。本發(fā)明解決了現有光纖圍欄單元結構復雜、信號強度弱、靈敏度不高、信噪比低的技術問題,在分布式光纖傳感監(jiān)控等應用領域具有廣泛的實用前景。
      【IPC分類】G08B13-186
      【公開號】CN104751585
      【申請?zhí)枴緾N201510130200
      【發(fā)明人】丁楠, 王丹鳳, 劉春曉
      【申請人】中國電子科技集團公司第八研究所
      【公開日】2015年7月1日
      【申請日】2015年3月24日
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