專利名稱：耐沖擊的內(nèi)存的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種內(nèi)存，特別是涉及一種利用耐沖擊擋條使印刷電路板 可以緩沖沖擊力，能防止內(nèi)存在摔落時電性斷路導(dǎo)致產(chǎn)品失效，并且更具 有不容易受到外力碰撞與防止靜電放電燒毀記憶體晶片可能的耐沖擊的內(nèi) 存。
背景技術(shù)：
在計算機主機、筆記型計算機等電子產(chǎn)品中，內(nèi)存(memory,內(nèi)存即記 憶體模組，以下均稱為內(nèi)存)是一關(guān)鍵零組件，可以重復(fù)插拔至主機板的內(nèi) 存插槽(即記憶體插槽，以下均稱為內(nèi)存插槽)，以供計算機系統(tǒng)的運算使 用。目前高頻內(nèi)存，可包含單直列內(nèi)存(SIMM, Single In-Line Memory Module)、雙直列內(nèi)存(DI畫，Dual In-Line Memory Module)以及小型雙 直列內(nèi)存(SO-DI固，Small Outline Dual In-Line Memory Module)。在攜 帶、搬運與更換的過程中，內(nèi)存會有不慎掉落至地面的可能，然而目前的 內(nèi)存不甚耐摔，經(jīng)常會有故障損壞的情形。
請參閱圖1所示，是一種現(xiàn)有習(xí)知的內(nèi)存的俯視示意圖。該現(xiàn)有習(xí)知 的內(nèi)存100,包含一多層印刷電路板110以及復(fù)數(shù)個記憶體(記憶體即存儲 介質(zhì)，存儲器，內(nèi)存等，以下均稱為記憶體)封裝件120。該多層印刷電路 板IIO，具有兩個較長側(cè)111與兩個較短側(cè)112;該些記憶體封裝件120，設(shè) 置于該多層印刷電路板110。該多層印刷電路板110的一較長側(cè)111,設(shè)有 復(fù)數(shù)個金手指113,并且該兩個較短側(cè)112各形成設(shè)有至少一圓弧形扣槽 114，以能電性接觸并結(jié)合固定至內(nèi)存插槽。
為確認(rèn)現(xiàn)有習(xí)知內(nèi)存100的耐摔抗震性，會進(jìn)行一掉落試驗(dr叩 test)。請參閱圖2所示，是繪示現(xiàn)有習(xí)知的內(nèi)存從高處依多種不同角度落 下進(jìn)行掉落試驗的示意圖?，F(xiàn)有習(xí)知的內(nèi)存IOO設(shè)定于一預(yù)定高度H，如50 公分或100公分，并以不同角度呈自由落體落下并撞擊到水泥地面10。之后 檢測將經(jīng)沖擊試驗之后的內(nèi)存100是否功能仍是正常。然而目前習(xí)知的內(nèi) 存100已知其耐摔性不良，不容易通過沖擊試驗，經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)其主要因素 是在該印刷電路板110與該些記憶體封裝件120的接合界面發(fā)生斷裂，而導(dǎo) 致電性斷路。
請參閱圖3所示，是繪示在掉落試驗之后現(xiàn)有習(xí)知的內(nèi)存的焊球斷裂 處的局部截面示意圖。通常該些記憶體封裝件120是可為球柵陣列式(BGA)封裝而包含有復(fù)數(shù)個焊球121,其是接合至其基板的球墊122且不被一防焊
層123覆蓋。此外，該多層印刷電路板110是可設(shè)有復(fù)數(shù)個接球墊115且外 露于其表面防焊層116，以供該些焊球121接合。當(dāng)自由落體落下時撞擊到 該印刷電路板110的應(yīng)力會傳導(dǎo)至該些記憶體封裝件120，造成焊球121在 球墊122的焊接界面產(chǎn)生斷裂縫124,使得整個內(nèi)存100產(chǎn)品無法運作。
由此可見，上述現(xiàn)有的內(nèi)存在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺 陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡 心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般 產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的 問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的耐沖擊的內(nèi)存，實屬當(dāng)前重要研發(fā) 課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
有鑒于上述現(xiàn)有的內(nèi)存存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計 制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及其專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運用，積極加以研 究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的耐沖擊的內(nèi)存，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的內(nèi) 存，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改 進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的內(nèi)存存在的缺陷，而提供一種新 型結(jié)構(gòu)的耐沖擊的內(nèi)存，所要解決的技術(shù)問題是使其利用耐沖擊擋條使印 刷電路板能夠緩沖沖擊力，而可防止內(nèi)存在摔落時電性斷路導(dǎo)致產(chǎn)品失效 的問題；并且更具有不容易受到外力碰撞與防止靜電放電燒毀記憶體晶片 的可能。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種新型結(jié)構(gòu)的耐沖擊的內(nèi)存，所要解 決的技術(shù)問題是使其利用耐沖擊擋條的質(zhì)量密度，能夠避免過度增加內(nèi)存 的總重量，而影響掉落試驗的結(jié)果，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種耐沖擊的內(nèi)存，其包含 一多層印刷電路板，概呈矩形，其 具有兩較長側(cè)與兩較短側(cè)，其中一較長側(cè)是設(shè)有復(fù)數(shù)個金手指，且該兩較 短側(cè)各形成設(shè)有至少一圓弧形扣槽；復(fù)數(shù)個記憶體封裝件，其是至少設(shè)置 于該多層印刷電路板的其中一表面；以及復(fù)數(shù)個第一耐沖擊擋條，其設(shè)置 于該多層印刷電路板的該表面且位于該兩較短側(cè)的邊緣，其中該些第一耐 沖擊擋條是較高于該些記憶體封裝件。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。
前述的耐沖擊的內(nèi)存，其中所述的該些記憶體封裝件是可為球柵陣列 式(BGA)封裝而包含有復(fù)數(shù)個焊球。
前述的耐沖擊的內(nèi)存，其中所述的多層印刷電路板是可設(shè)有復(fù)數(shù)個接 球墊，以供接合該些焊球。
前述的耐沖擊的內(nèi)存，其中所述的該些接球墊是可為非焊罩界定墊
(Non—Solder Mask Defined pad, NSMD)。
前述的耐沖擊的內(nèi)存，其中所述的該些第一耐沖擊擋條的材料是可為 無電性連接功能的吸震物質(zhì)。
前述的耐沖擊的內(nèi)存，其中所述的該些第一耐沖擊擋條是可為玻璃纖 維布和樹脂含浸而成的粘合膠條。
前述的耐沖擊的內(nèi)存，其中在同 一較短側(cè)的該些第 一耐沖擊擋條是可 為直線排列。
前述的耐沖擊的內(nèi)存，其中所述的多層印刷電路板在遠(yuǎn)離該些金手指
的另一較長側(cè)是可形成設(shè)有至少一第二耐沖擊擋條。
前述的耐沖擊的內(nèi)存，其中所述的內(nèi)存是為雙直列內(nèi)存(DI畫，Dual In—Line Memory Module)。
前述的耐沖擊的內(nèi)存，其中部分的該些記憶體封裝件是可設(shè)置于該多 層印刷電路板的另一表面，并且部分的第一耐沖擊擋條是設(shè)置于該另一表 面。
前述的耐沖擊的內(nèi)存，其中所述的該些第一耐沖擊擋條的質(zhì)量密度是 可不大于該多層印刷電路板的質(zhì)量密度。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上可知，為了 達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種內(nèi)存，主要包含一多層印刷電路板、復(fù)數(shù) 個記憶體封裝件以及復(fù)數(shù)個第一耐沖擊擋條。該多層印刷電路板是概呈矩 形而具有兩較長側(cè)與兩較短側(cè)，其中一較長側(cè)是設(shè)有復(fù)數(shù)個金手指，且該 兩較短側(cè)各形成有至少 一 圓弧形扣槽。該些記憶體封裝件是至少設(shè)置于該 多層印刷電路板的其中一表面。該些第一耐沖擊擋條是設(shè)置于該多層印刷 電路板的該表面且位于該兩較短側(cè)的邊緣，其中該些第一耐沖擊擋條是較 高于該些記憶體封裝件。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明耐沖擊的內(nèi)存至少具有下列優(yōu)點
1、 本發(fā)明利用耐沖擊擋條使印刷電路板可緩沖沖擊力，能夠防止內(nèi)存 在摔落時電性斷路導(dǎo)致產(chǎn)品失效的問題；并且其更具有不容易受到外力碰 撞與防止靜電放電燒毀記憶體晶片的可能。
2、 再者，本發(fā)明利用耐沖擊擋條的質(zhì)量密度，能夠避免過度增加內(nèi)存 的總重量，而影響掉落試驗的結(jié)果，從而更加適于實用。
綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種耐沖擊的內(nèi)存，主要包含一多層印刷 電路板、復(fù)數(shù)個記憶體封裝件以及復(fù)數(shù)個第一耐沖擊擋條。該多層印刷電 路的 一較長側(cè)設(shè)有復(fù)數(shù)個金手指。該些第 一耐沖擊擋條是設(shè)置于該多層印
刷電路板的一表面且位于該兩較短側(cè)的邊緣，其中該些第 一耐沖擊擋條是 較高于該些記憶體封裝件。較佳地，遠(yuǎn)離該些金手指的另一較長側(cè)是形成 設(shè)有至少一第二耐沖擊擋條。本發(fā)明利用第一耐沖擊擋條或/及第二耐沖擊 擋條可以緩沖沖擊力，而能夠防止該內(nèi)存在不慎摔落時發(fā)生產(chǎn)品失效的問 題。本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點及實用價值，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆 有較大改進(jìn),在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn) 有的內(nèi)存具有增進(jìn)的突出功效，從而更加適于實用，并具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利 用價值，誠為一新穎、進(jìn)步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附 圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是一種現(xiàn)有習(xí)知的內(nèi)存的俯視示意圖。
圖2是繪示現(xiàn)有習(xí)知的內(nèi)存從高處依多種不同角度落下進(jìn)行掉落試驗 的示意圖。
圖3是繪示在掉落試驗之后現(xiàn)有習(xí)知內(nèi)存的焊球斷裂處的局部截面示 意圖。
圖4是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實施例， 一種內(nèi)存的俯視示意圖。 圖5是依據(jù)本發(fā)明的第 一具體實施例，該內(nèi)存的側(cè)視示意圖。 圖6是依據(jù)本發(fā)明的第 一具體實施例，該內(nèi)存依其中 一記憶體封裝件的 局部截面示意圖。
圖7是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實施例，另 一種內(nèi)存的俯視示意圖。
10地面H高度
100內(nèi)存(記憶體模組)110多層印刷電路板
111較長側(cè)112較短側(cè)
113金手指114扣槽
115接球墊116防焊層
120記憶體封裝件121焊球
122球墊123防焊層
124斷裂縫200內(nèi)存
210多層印刷電路板211較長側(cè)
212較短側(cè)213金手指
214扣槽215上表面
216下表面217接球墊
218防焊層220:記憶體封裝件
221焊球222:晶片
223基板224:焊線
225封膠體226:粘晶層
227焊夢228:球墊
229防'焊層230:第一耐沖擊擋條
240第二耐沖擊擋條300:內(nèi)存
310多層印刷電路板311:較長側(cè)
312較短側(cè)313:金手指
314扣槽320:記憶體封裝件
330耐沖擊擋條
具體實施例方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的耐沖擊的內(nèi)存其具體 實施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
依據(jù)本發(fā)明的第一具體實施例，揭示一種耐沖擊的內(nèi)存。請參閱圖4 至圖6所示，圖4是該內(nèi)存的俯視示意圖，圖5是該內(nèi)存的側(cè)視示意圖，圖 6是該內(nèi)存依其中一記憶體封裝件的局部截面示意圖。該內(nèi)存200,主要包 含一多層印刷電路板210、復(fù)數(shù)個記憶體封裝件220以及復(fù)數(shù)個第一耐沖擊 擋條230。其另外還可以包含有適當(dāng)數(shù)量的電容電阻等被動元件(圖中未繪 出)；其中
上述的多層印刷電路板210,是概呈矩形，而具有兩較長側(cè)211與兩較 短側(cè)212,其中一較長側(cè)211是設(shè)有復(fù)數(shù)個金手指213，以供插接至計算機 或筆記型計算機主機板的內(nèi)存插槽(圖中未繪出)，且該兩較短側(cè)212各形 成設(shè)有至少一圓弧形扣槽214。其中，該些圓弧形扣槽214是可供內(nèi)存插槽 的兩側(cè)扣件加以扣接，以使該內(nèi)存200固定在對應(yīng)的內(nèi)存插槽而為不可脫 出。
此外，該多層印刷電路板210是具有一上表面215與一下表面216。在 本實施例中，該內(nèi)存200是可為適用于筆記型計算機的小型雙直列內(nèi)存 (SO-D腿，Small Outline Dual In-Line Memory Module)，在該上表面215 與該下表面216的同一側(cè)邊各形成設(shè)有復(fù)數(shù)個雙面且電性獨立的金手指 213。
上述的該些記憶體封裝件220，是至少設(shè)置于該多層印刷電路板210的 其中一表面，例如可以設(shè)置于該多層印刷電路板210的上表面215或下表 面216,或是上下表面215、 216皆設(shè)置有記憶體封裝件220。請參閱圖5
及圖6所示，除了上表面215，部分的該些記憶體封裝件22 0亦可設(shè)置于該
多層印刷電路板210的下表面216,并且部分的第一耐沖擊擋條230是設(shè)置 于該下表面216。
請參閱圖6所示，在本實施例中，該些記憶體封裝件220是可為球柵 陣列式(BGA, Ball Grid Array)而包含有復(fù)數(shù)個焊球221。該些記憶體封裝 件220的封裝架構(gòu)是可為微間距球柵陣列封裝(fine pitch BGA)，或可稱之 為窗口型球柵陣列封裝(window BGA)，其內(nèi)封設(shè)有一記憶體晶片222，通常其 是為動態(tài)隨機存取的記憶體晶片，以組成DDR2 (雙倍資料傳輸率2) 、DDR3 (雙 倍資料傳輸率3) 、 Rambus等記憶體封裝產(chǎn)品。
每一記憶體封裝件220，可另包含一供電性訊號轉(zhuǎn)接的基板223、復(fù)數(shù) 個供內(nèi)部電性互連的焊線224與一電絕緣性的封膠體225。該晶片222是以 一粘晶層226貼設(shè)于基板223上，但是該晶片222的焊墊227是不可被該 基板223遮蓋，利用該些焊線224通過該基板223的一槽孔，以將該晶片 222的焊墊227電性連接至該基板223，并以該封膠體225密封該晶片222 與該些焊線224。
而該些焊球221，則接合在該基板223的另一表面的球墊228。其中該 些球墊228是外露于該基板223同一表面的防焊層229。通常該些球墊228 可為焊罩界定墊(Solder Mask Defined pad, SMD)或是非焊罩界定墊 (Non-Solder Mask Defined pad, NSMD)。所謂"焊罩界定墊"是指該些球 墊228的周邊是被該防焊層229覆蓋，以圓形墊為例，即指該防焊層229 的開口直徑小于該些球墊228的直徑；相對地，所謂"非焊罩界定墊"是 指該些球墊228的周邊是不被該防焊層229覆蓋，指該防焊層229的開口 直徑應(yīng)大于該些球墊228的直徑。
請再參閱圖6所示，該多層印刷電路板210是可以設(shè)有復(fù)數(shù)個接球墊 217，以供接合該些焊球221。較佳地，該些接球墊217是為非焊罩界定墊 (NSMD),即該些接球墊217的外側(cè)壁是不被該多層印刷電路板210的防焊 層218覆蓋與界定，藉以能夠增加與對應(yīng)的該些焊球221的接合力，可以 減少該些接球墊217與該些焊球221的焊接界面發(fā)生斷裂的可能。但非限 定地，該些接球墊217亦可為焊罩界定墊(SMD)。
上述的該些第一耐沖擊擋條230,是設(shè)置于該多層印刷電路板210的該 表面215、 216且位于該兩較短側(cè)212的邊緣，其中該些第一耐沖擊擋條 2 3 0是較高于該些記憶體封裝件2 2 0 ，當(dāng)該內(nèi)存2 0 0在不慎摔落或做掉落試 驗時，以該些第一耐沖擊擋條230碰撞地面，能夠避免該些記憶體封裝件 220直接碰撞地面，可以大幅降低直接傳導(dǎo)至該些記憶體封裝件220的沖擊 應(yīng)力，因此，該些焊球221與該些球墊228的接合界面不容易產(chǎn)生斷裂，明 顯具有耐沖擊的功效。
在本實施例中，在同一豐支短側(cè)212的該些第一耐沖擊擋條230是可為 直線排列。該些第一耐沖擊擋條230的材料是可為無電性連接功能的吸震 物質(zhì)，例如珪膠條、橡膠條、聚亞酰胺膠條或三。秦樹脂(BT resin)樹脂膠 條。該些第一耐沖擊擋條230亦可為玻璃纖維布和樹脂含浸而成的粘合膠 條，例如氟樹脂(FR-3與FR-4)。較佳地，該些第一耐沖擊擋條230的質(zhì)量 密度是可不大于該多層印刷電路板210的質(zhì)量密度，可以避免過度增加內(nèi) 存200的總重量，而影響掉落試驗結(jié)果。在本實施例中，該多層印刷電路 板210在遠(yuǎn)離該些金手指213的另一較長側(cè)211是可形成設(shè)有至少一第二 耐沖擊擋條240。
此外，當(dāng)該內(nèi)存200尚未插接在一內(nèi)存插槽時，可平放在一桌面或任意 物品等承載物，以該些第一耐沖擊擋條230與/或該第二耐沖擊擋條240接 觸之，而該些記憶體封裝件220將為懸空，不容易受到外力碰撞。再者，使 用者在拿取該內(nèi)存200時抓起電絕緣性的該些第一耐沖擊擋條230與/或該 第二耐沖擊擋條240即可，不會直接碰觸至該些記憶體封裝件220,而可以 大幅降低靜電放電導(dǎo)致晶片燒毀的可能。
在本發(fā)明的第二具體實施例中，揭示了另 一種耐沖擊的內(nèi)存，可適用于 桌上型計算機的內(nèi)存，例如DDR400 (雙倍資料傳輸率400MHz) 、 DDR2-533 (雙 倍資料傳輸率2且533MHz)、 DDR2-667 (雙倍資料傳輸率2且667MHz)與 DDR2-800 (雙倍資料傳輸率2且800MHz)等規(guī)格。
請參閱圖7所示，是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實施例，另一種內(nèi)存的俯視 示意圖。該內(nèi)存300，主要包含一多層印刷電路板310、復(fù)數(shù)個記憶體封裝 件320以及復(fù)數(shù)個耐沖擊擋條330;其中
該多層印刷電路板310,是概呈矩形而具有兩較長側(cè)311與兩較短側(cè) 312，其中一較長側(cè)311是設(shè)有復(fù)數(shù)個金手指313,且該兩較短側(cè)312各形成 設(shè)有至少一圓弧形扣槽314。
該些記憶體封裝件320，是至少設(shè)置于該多層印刷電路板310的其中一 表面。該些記憶體封裝件320是可置于該多層印刷電路板的單一表面或上 下表面。
該些耐沖擊擋條330,是設(shè)置于該多層印刷電路板的該表面且位于該兩 較短側(cè)312的邊緣，其中該些耐沖擊擋條330是較高于該些記憶體封裝件 320。在本實施例中，該些耐沖擊擋條330是可為一體連接的L形，而可以 加強抗震性，防止該多層印刷電路板310與該些記憶體封裝件320的接合 界面產(chǎn)生斷裂，明顯具有耐沖擊的功效。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利
用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例 所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種耐沖擊的內(nèi)存，其特征在于其包含一多層印刷電路板，概呈矩形，其具有兩較長側(cè)與兩較短側(cè)，其中一較長側(cè)是設(shè)有復(fù)數(shù)個金手指，且該兩較短側(cè)各形成設(shè)有至少一圓弧形扣槽；復(fù)數(shù)個記憶體封裝件，其是至少設(shè)置于該多層印刷電路板的其中一表面；以及復(fù)數(shù)個第一耐沖擊擋條，其設(shè)置于該多層印刷電路板的該表面且位于該兩較短側(cè)的邊緣，其中該些第一耐沖擊擋條是較高于該些記憶體封裝件。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐沖擊的內(nèi)存，其特征在于其中所述的該些 記憶體封裝件是為球柵陣列式封裝而包含有復(fù)數(shù)個焊球。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的耐沖擊的內(nèi)存，其特征在于其中所述的多層 印刷電路板是設(shè)有復(fù)數(shù)個接球墊，以供接合該些焊球。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的耐沖擊的內(nèi)存，其特征在于其中所述的該些 接球墊是非焊罩界定墊。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐沖擊的內(nèi)存，其特征在于其中所述的該些 第 一耐沖擊擋條的材料是為無電性連接功能的吸震物質(zhì)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐沖擊的內(nèi)存，其特征在于其中所述的該些 第一耐沖擊擋條是為玻璃纖維布和樹脂含浸而成的粘合膠條。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐沖擊的內(nèi)存，其特征在于其中在同一較短 側(cè)的該些第 一耐沖擊擋條是為直線排列。
8、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的耐沖擊的內(nèi)存，其特征在于其中所述的多層 印刷電路板在遠(yuǎn)離該些金手指的另一較長側(cè)是形成設(shè)有至少一第二耐沖擊 擋條。
9、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的耐沖擊的內(nèi)存，其特征在于其中所述的內(nèi)存 是為雙直列內(nèi)存。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐沖擊的內(nèi)存，其特征在于其中部分的該 些記憶體封裝件是設(shè)置于該多層印刷電路板的另 一表面，并且部分的第一 耐沖擊擋條是設(shè)置于該另一表面。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐沖擊的內(nèi)存，其特征在于其中所述的該 些第一耐沖擊擋條的質(zhì)量密度是不大于該多層印刷電路板的質(zhì)量密度。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種耐沖擊的內(nèi)存，主要包含一多層印刷電路板、復(fù)數(shù)個記憶體封裝件以及復(fù)數(shù)個第一耐沖擊擋條。該多層印刷電路的一較長側(cè)設(shè)有復(fù)數(shù)個金手指。該些第一耐沖擊擋條是設(shè)置于該多層印刷電路板的一表面且位于該兩較短側(cè)的邊緣，其中該些第一耐沖擊擋條是較高于該些記憶體封裝件。較佳地，遠(yuǎn)離該些金手指的另一較長側(cè)是形成設(shè)有至少一第二耐沖擊擋條。本發(fā)明利用第一耐沖擊擋條或/及第二耐沖擊擋條可以緩沖沖擊力，能夠防止該內(nèi)存在不慎摔落時發(fā)生產(chǎn)品失效的問題。
文檔編號G11C5/00GK101192442SQ200610145948
公開日2008年6月4日 申請日期2006年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月28日
發(fā)明者范文正 申請人:力成科技股份有限公司