專利名稱：存儲(chǔ)器控制器、存儲(chǔ)器芯片和用于操作存儲(chǔ)單元集合的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及二進(jìn)制數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。更特別地，本發(fā)明針對(duì)存儲(chǔ)和檢索 半導(dǎo)體計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器中的信息的方法。
背景技術(shù)：
典型的半導(dǎo)體計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器是在包含大量的物理存儲(chǔ)單元的陣列 的半導(dǎo)體襯底上制造的。
一般地，二進(jìn)制數(shù)據(jù)的一個(gè)位表示為與存儲(chǔ)單元相關(guān)的物理參數(shù)的變化。 一般使用的物理參數(shù)包含由于存儲(chǔ)在非易失性電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)中的浮動(dòng)?xùn)艠O或捕獲層 中的電荷的量導(dǎo)致的金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的閾值電 壓變化、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)或奧弗辛斯基統(tǒng)一存儲(chǔ)器 (OUM )中的相變存儲(chǔ)器元件的電阻變化和易失性動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ) 器(DRAM)中的電荷存儲(chǔ)變化。增加存儲(chǔ)在單一物理半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元中的位的數(shù)量是降低每位的 制造成本的有效方法。當(dāng)物理參數(shù)的變化可與多個(gè)位值相關(guān)時(shí)，數(shù)據(jù) 的多個(gè)位也可被存儲(chǔ)在單一存儲(chǔ)單元中。該多位存儲(chǔ)存儲(chǔ)單元一般被 稱為多級(jí)單元(MLC)。計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器裝置和電路設(shè)計(jì)中的大量的努 力致力于使存儲(chǔ)在單一物理存儲(chǔ)單元中的位的數(shù)量最大化。對(duì)于諸如 一般用作大容量存儲(chǔ)裝置的流行的非易失性閃存的存儲(chǔ)類存儲(chǔ)器尤其 如此。半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元中的多位存儲(chǔ)的基本需求是，使物理參數(shù)變化的 幅度(spectrum)容納值的多個(gè)非交迭的帶。n位單元所需要的帶的 數(shù)量是2"。 2位單元需要4個(gè)帶，3位單元需要8個(gè)帶，等等。因此， 半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元中的物理參數(shù)的可用的幅度是多位存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的限制因素。除了限制的幅寬以外，諸如溫度、功率和時(shí)間的環(huán)境變量的波動(dòng) 影響典型半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的所有操作和數(shù)據(jù)完整性。由于環(huán)境變量的 波動(dòng)，因此數(shù)據(jù)完整性是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的主要問題。希望設(shè)計(jì)成本有 效的方法以保護(hù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)系統(tǒng)中的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的完整性。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例是一種用于操作存儲(chǔ)單元集合(collection)的方法。存儲(chǔ)單元集合包含多個(gè)存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元集 合中的各個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)由特性參數(shù)的預(yù)設(shè)的值范圍劃界的至少一個(gè) 可能的二進(jìn)制值。另外，特性參數(shù)的值范圍隨時(shí)間偏移。用于存儲(chǔ)器控制器操作的方法要求讀出(sense)目標(biāo)存儲(chǔ)單元的 特性參數(shù)的偏移值。另 一讀出操作讀出存儲(chǔ)單元集合中的各個(gè)存儲(chǔ)單 元的特性參數(shù)的偏移值。產(chǎn)生操作對(duì)于可能的二進(jìn)制值中的每一個(gè)提 供特性參數(shù)的概率分布函數(shù)。概率分布函數(shù)從存儲(chǔ)單元集合中的各個(gè) 存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值產(chǎn)生。確定操作確定目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特 性參數(shù)的偏移值處于概率分布函數(shù)中的概率。轉(zhuǎn)換操作將目標(biāo)存儲(chǔ)單 元的特性參數(shù)的偏移值轉(zhuǎn)換成概率最高的二進(jìn)制值。該實(shí)施例可包括通過將存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的值設(shè)為初始基準(zhǔn)點(diǎn) 對(duì)存儲(chǔ)單元集合中的各個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程。但實(shí)際中，存儲(chǔ)單元的 制造中的自然變化導(dǎo)致存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的特性參數(shù)值形成正態(tài)分 布，從而產(chǎn)生特性參數(shù)值范圍。另外，可以通過使用最大可能性估計(jì) 量(estimator)從存儲(chǔ)單元集合中的各個(gè)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移 值確定特性參數(shù)值的概率分布函數(shù)。特性參數(shù)可以是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)中的電荷存儲(chǔ)變 化、電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)中的浮動(dòng)?xùn)艠O的閾值電壓 變化、相變存儲(chǔ)器(PCM )的電阻變化、電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM ) 的電阻變化或光存儲(chǔ)裝置的相變材料的光折射率。本發(fā)明的另 一示例性實(shí)施例是用于操作存儲(chǔ)單元集合的存儲(chǔ)器控制器。存儲(chǔ)單元集合包含多個(gè)存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元集合中的各個(gè)存儲(chǔ) 單元存儲(chǔ)由特性參數(shù)的值范圍劃界的至少一個(gè)可能的二進(jìn)制值。存儲(chǔ) 器控制器包含接收單元和產(chǎn)生單元。接收單元接收存儲(chǔ)單元集合中的 各個(gè)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的值。產(chǎn)生單元對(duì)于存儲(chǔ)單元集合的可能的二進(jìn)制值中的每一個(gè)產(chǎn)生特性參數(shù)的概率分布函數(shù)。產(chǎn)生單元使用概 率分布函數(shù)以確定目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值的可能值范圍。 并且，產(chǎn)生單元將目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)值轉(zhuǎn)換成概率最高的二進(jìn) 制值。存儲(chǔ)器控制器可包含將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成代表特性參數(shù)的數(shù)字信號(hào) 的模擬讀出放大器。另外，目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值的可能 值范圍可在產(chǎn)生單元中由最大可能性估計(jì)量產(chǎn)生。在本發(fā)明的特定實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器與中央處理單元和存儲(chǔ) 單元集合分開。在其它的實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器可被封裝在包含多 個(gè)存儲(chǔ)單元集合的存儲(chǔ)器芯片內(nèi)。因此，本發(fā)明的另一方面是包含存 儲(chǔ)單元集合的存儲(chǔ)器芯片。存儲(chǔ)單元集合包含多個(gè)存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單 元集合中的各個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)由特性參數(shù)的值范圍劃界的至少一個(gè)可 能的二進(jìn)制值。存儲(chǔ)器芯片另外包含接收單元和產(chǎn)生單元。接收單元 接收存儲(chǔ)單元集合中的各個(gè)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的值。產(chǎn)生單元對(duì)于存儲(chǔ)單元集合的可能的二進(jìn)制值中的每一個(gè)產(chǎn)生特性參數(shù)的概率分布 函數(shù)。產(chǎn)生單元使用概率分布函數(shù)以確定目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的 偏移值的可能值范圍。并且，產(chǎn)生單元將目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)值 轉(zhuǎn)換成概率最高的二進(jìn)制值。本發(fā)明的另 一示例性實(shí)施例是計(jì)算機(jī)程序。計(jì)算機(jī)程序包含體現(xiàn) 用于操作存儲(chǔ)單元集合的計(jì)算機(jī)程序代碼的有形計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。存 儲(chǔ)單元集合包含多個(gè)存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元集合中的各個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ) 由特性參數(shù)的預(yù)設(shè)的值范圍劃界的至少一個(gè)可能的二進(jìn)制值。特性參 數(shù)的值范圍隨時(shí)間偏移。計(jì)算機(jī)程序代碼包含被配置為用于完成以下步驟的可執(zhí)行指令接收目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值；接收存 儲(chǔ)單元集合中的各個(gè)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值；對(duì)于可能的二進(jìn)制值中的每一個(gè)，從特性參數(shù)的偏移值產(chǎn)生特性參數(shù)的概率分布函數(shù); 對(duì)于可能的二進(jìn)制值中的每一個(gè)，確定目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏 移值處于其值范圍內(nèi)的概率；和將目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值 轉(zhuǎn)換成概率最高的二進(jìn)制值。


這里參照附圖僅作為例子說明本發(fā)明，其中，圖1示出操作多個(gè)存儲(chǔ)單元、存儲(chǔ)單元集合和存儲(chǔ)器單元的系統(tǒng) 的示例性實(shí)施例。圖2是示出對(duì)于存儲(chǔ)器操作中的數(shù)據(jù)編程、存儲(chǔ)和檢索的環(huán)境影 響的流程圖。圖3示出特性參數(shù)值偏移前后的特性參數(shù)值范圍和基準(zhǔn)點(diǎn)。 圖4示出用于存儲(chǔ)器系統(tǒng)的操作的存儲(chǔ)器控制器。 圖5是在從存儲(chǔ)器系統(tǒng)讀取數(shù)據(jù)中包含的邏輯操作的流程圖。 圖6是在向存儲(chǔ)器系統(tǒng)寫入數(shù)據(jù)中包含的邏輯操作的流程圖。 圖7示出用各個(gè)存儲(chǔ)器單元封裝存儲(chǔ)器控制器的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的實(shí) 施例。圖8示出存儲(chǔ)器控制器位于各個(gè)體存儲(chǔ)器單元外面并操作系統(tǒng)中 的所有存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的實(shí)施例。圖9示出存儲(chǔ)器控制器包含于軟件產(chǎn)品中的實(shí)施例的典型元件。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在參照?qǐng)D1 9說明本發(fā)明。當(dāng)參照附圖時(shí)，類似的結(jié)構(gòu)始終由 類似的附圖標(biāo)記表示。圖1示出由本發(fā)明構(gòu)思的系統(tǒng)102的示例性實(shí)施例。系統(tǒng)102包 含通過存儲(chǔ)器總線108與一個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)器單元106耦接的存儲(chǔ)器 控制器104。存儲(chǔ)器單元(memory unit) 106可以是個(gè)體封裝的存儲(chǔ)器芯片。 作為替代方案，存儲(chǔ)器單元106可存在于單一封裝件中并被復(fù)合在一起。并且，存儲(chǔ)器控制器104可被單獨(dú)封裝或與存儲(chǔ)器單元106合并。存儲(chǔ)器單元106不限于特定的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)技術(shù)。本領(lǐng)域技術(shù)人員 可以認(rèn)識(shí)到，不同的存儲(chǔ)器技術(shù)使用不同的特性參數(shù)以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。例 如，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)技術(shù)使用電荷存儲(chǔ)變化作為保持二進(jìn) 制數(shù)據(jù)的特性參數(shù)。相變存儲(chǔ)器(PCM)和電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (RRAM )技術(shù)使用電阻變化作為存儲(chǔ)二進(jìn)制數(shù)據(jù)的特性參數(shù)。如圖所示，各存儲(chǔ)器單元106被分成多個(gè)存儲(chǔ)單元集合110。各 存儲(chǔ)單元集合IIO由多個(gè)存儲(chǔ)單元(memory cell) 112構(gòu)成。并且， 各個(gè)體存儲(chǔ)單元112包含初始由特性參數(shù)的預(yù)設(shè)值范圍劃界的至少一 個(gè)可能的二進(jìn)制值。如上面討論的那樣，特性參數(shù)可以是但不限于 DRAM中的電荷存儲(chǔ)變化、電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM) 的浮動(dòng)?xùn)艠O中的閾值電壓變化、光存儲(chǔ)器(CD、 DVD)的光折射率 和電阻變化(PCM和RRAM)。如下面更詳細(xì)地討論的那樣，存儲(chǔ)器控制器104被配置為操作存 儲(chǔ)器單元106。存儲(chǔ)器控制器通過不僅讀取目標(biāo)存儲(chǔ)單元112的特性 參數(shù)值而且讀取包含目標(biāo)存儲(chǔ)單元112的存儲(chǔ)單元集合110的特性參 數(shù)值，有益地補(bǔ)償特性參數(shù)值隨時(shí)間的偏移。單元集合110內(nèi)的存儲(chǔ)單元的物理位置接近目標(biāo)單元112并因此 經(jīng)受類似的特性參數(shù)劣化。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器104通過 存儲(chǔ)器總線108接收目標(biāo)存儲(chǔ)單元112的特性參數(shù)的模擬值。存儲(chǔ)器 控制器104還從存儲(chǔ)單元集合110讀出特性參數(shù)值。存儲(chǔ)器控制器104 然后將目標(biāo)存儲(chǔ)單元112的特性參數(shù)值與存儲(chǔ)單元集合110的特性參 數(shù)值相比較。通過使用統(tǒng)計(jì)分析，存儲(chǔ)器控制器104確定最可能存儲(chǔ) 在目標(biāo)存儲(chǔ)單元112中的二進(jìn)制值?？梢岳斫?，存儲(chǔ)器控制器104可通過使用本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的 各種技術(shù)與電子裝置接口。由存儲(chǔ)器控制器104確定的二進(jìn)制數(shù)據(jù)可 例如被輸出到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的中央數(shù)據(jù)總線114。數(shù)據(jù)總線114還可 將二進(jìn)制數(shù)據(jù)傳送給存儲(chǔ)器控制器104用于在存儲(chǔ)器單元106中記錄。對(duì)系統(tǒng)102中的目標(biāo)存儲(chǔ)單元112編程包含由存儲(chǔ)器控制器104執(zhí)行的統(tǒng)計(jì)操作。在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器104從中央數(shù)據(jù)總 線114接收數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)包含一個(gè)或更多個(gè)目標(biāo)存儲(chǔ)單元112需要編 程的指示和目標(biāo)存儲(chǔ)單元112需要存儲(chǔ)的二進(jìn)制值。作為響應(yīng)，存儲(chǔ)器控制器104通過將單元的特性參數(shù)設(shè)為預(yù)定值 將目標(biāo)存儲(chǔ)單元112編程為希望的二進(jìn)制值。例如，存儲(chǔ)器控制器可 將Ol的二進(jìn)制值與存儲(chǔ)在目標(biāo)單元的浮動(dòng)?xùn)艠O中的200個(gè)電子的特性 參數(shù)值相關(guān)聯(lián)。一旦目標(biāo)單元112被編程，那么存儲(chǔ)器控制器104還對(duì)包含目標(biāo) 存儲(chǔ)單元112的存儲(chǔ)單元集合110中的所有存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程。通過 使用與用于讀取目標(biāo)單元112的統(tǒng)計(jì)分析技術(shù)相同的統(tǒng)計(jì)分析技術(shù)， 控制器104讀取存儲(chǔ)單元集合110中的所有存儲(chǔ)單元，并確定存儲(chǔ)在 其中的二進(jìn)制值。存儲(chǔ)器控制器104然后將各存儲(chǔ)單元重新編程為與 讀取的二進(jìn)制值對(duì)應(yīng)的預(yù)定的特性參數(shù)值。這樣，目標(biāo)單元112和目 標(biāo)單元112屬于的整個(gè)存儲(chǔ)單元集合110均在大致相同的時(shí)間被編程。 通過同時(shí)對(duì)存儲(chǔ)器集合IIO中的所有單元編程，可以使用下述的統(tǒng)計(jì) 技術(shù)對(duì)各單元中的寄生效應(yīng)進(jìn)行補(bǔ)償。可以設(shè)想本發(fā)明的其它實(shí)施例 可在對(duì)目標(biāo)存儲(chǔ)單元112編程之前對(duì)存儲(chǔ)單元集合110進(jìn)行編程。圖2—般表示根據(jù)本發(fā)明的用于存儲(chǔ)和檢索存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)的 過程。在步驟202中，獲得要被存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)202可來自各種源， 諸如中央處理單元(CPU)或與包含存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器單元耦接的外 圍裝置。在編程操作204中，獲取的數(shù)據(jù)被寫入存儲(chǔ)單元中。根據(jù)使用的 存儲(chǔ)技術(shù)，寫入數(shù)據(jù)可包含將電荷存儲(chǔ)在用于電荷存儲(chǔ)的電容器中； 向浮動(dòng)?xùn)艠O晶體管中的源極、漏極或控制柵極施加電壓用于閾值電壓 變化；熔化并冷卻相變材料以改變光折射率或熔化并冷卻相變材料以 改變電阻。在數(shù)據(jù)被寫入存儲(chǔ)器之后，它在存儲(chǔ)操作206中被存儲(chǔ)一 段時(shí)間。在將來的某個(gè)時(shí)間，在讀取操作208中從存儲(chǔ)單元檢索(retrieve ) 數(shù)據(jù)。用于檢索數(shù)據(jù)的確切過程也依賴于使用的技術(shù)。例如，當(dāng)讀取DRAM存儲(chǔ)器時(shí)，晶體管被激活，從而將存儲(chǔ)單元電容器連接到讀出 線。當(dāng)讀取 PCM 存儲(chǔ)單元時(shí)，晶化/結(jié)晶 (non-amorphizing/crystallizing )電流穿過單元的相變材料。最終在 步驟210中檢索數(shù)據(jù)。如解釋的那樣，環(huán)境212 (存儲(chǔ)單元內(nèi)外)影響數(shù)據(jù)的編程204、 存儲(chǔ)206和讀取208。諸如但不限于濕度、時(shí)間、溫度、磁場和電場 的環(huán)境因素可導(dǎo)致DRAM中的電荷泄漏、EEPROM中的閾值電壓偏 移、光存儲(chǔ)器的相變材料中的光折射率的變化或PCM和RRAM中的 電阻水平的變化。更一般地，用于描繪存儲(chǔ)單元中的二進(jìn)制值的特性 參數(shù)可能由于環(huán)境條件隨時(shí)間偏移。環(huán)境因素212導(dǎo)致數(shù)據(jù)畸變，使 得從存儲(chǔ)單元提取的數(shù)據(jù)可能不與輸入存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)相同。如下面 討論的那樣，本發(fā)明的實(shí)施例是補(bǔ)償特性參數(shù)隨時(shí)間的偏移的操作過 程。通過這樣做，存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)密度可增加。現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖3，該圖示出存儲(chǔ)單元集合中的特性參數(shù)偏移的表示。 理想情況下，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元集合中的二進(jìn)制值由精確的特性參數(shù)值 318、 320、 322、 324表示。但是，實(shí)際上，特性參數(shù)值形成以初始基 準(zhǔn)點(diǎn)318、 320、 322、 324為中心的值范圍302、 304、 306、 308 ( — 般為高斯分布曲線)。這一般是由于存儲(chǔ)單元制造中的自然變化。因 此，初始基準(zhǔn)點(diǎn)318、 320、 322、 324是最初在存儲(chǔ)單元集合中對(duì)數(shù)據(jù) 編程時(shí)的特性參數(shù)的平均值。值范圍和基準(zhǔn)點(diǎn)與數(shù)據(jù)的二進(jìn)制值對(duì)應(yīng)。 例如，值范圍302和基準(zhǔn)點(diǎn)318可與二進(jìn)制值00對(duì)應(yīng)，值范圍304 和基準(zhǔn)點(diǎn)320可與二進(jìn)制值01對(duì)應(yīng)，值范圍306和基準(zhǔn)點(diǎn)322可與二 進(jìn)制值10對(duì)應(yīng)，值范圍310和基準(zhǔn)點(diǎn)324可與二進(jìn)制值11對(duì)應(yīng)。并且，如上面討論的那樣，特性參數(shù)值作為環(huán)境因素的結(jié)果隨時(shí) 間偏移。因此，偏移值范圍310、 312、 314、 316代表隨時(shí)間從初始值 范圍302、 304、 306、 308偏移的特性參數(shù)值范圍。偏移值范圍310、 312、 314、 316以偏移基準(zhǔn)點(diǎn)326、 328、 330、 332為中心。例如，值 范圍310代表初始值范圍302以前表示的二進(jìn)制數(shù)據(jù)，值范圍312代 表初始值范圍304曾經(jīng)表示的二進(jìn)制數(shù)據(jù)，等等。如下面說明的那樣，根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)器控制器基于接近要被讀取的目標(biāo)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元集合構(gòu)建偏移特性參數(shù)曲線310、 312、 314、 316。將目標(biāo)單元的特性參數(shù)值與構(gòu)建的偏移特性參數(shù)曲線310、 312、 314、 316相比較，并確定對(duì)于目標(biāo)存儲(chǔ)單元來說最可能的二進(jìn) 制值。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，每當(dāng)讀取目標(biāo)存儲(chǔ)單元或存儲(chǔ)單元 塊時(shí)重建存儲(chǔ)單元集合的偏移特性參數(shù)曲線310、 312、 314、 316?？?以設(shè)想，本發(fā)明的其它實(shí)施例可在從最后的曲線構(gòu)建過去閾值時(shí)間間 隔之后重建參數(shù)曲線310、 312、 314、 316。這要求數(shù)據(jù)應(yīng)在閾值時(shí)間 間隔之后并且/或者當(dāng)存儲(chǔ)單元被編程或被重新編程時(shí)被重寫。如上面討論的那樣，時(shí)間、熱和其它的環(huán)境因素使特性參數(shù)值和 它們的范圍偏移。在一段時(shí)間上，值范圍偏移得足以使得它們可變成 一條連續(xù)的曲線。例如，偏移值范圍310、 312、 314、 316不表現(xiàn)出較 大的交迭區(qū)域，但很顯然給予足夠的時(shí)間值范圍將明顯交迭。雖然最 大可能性估計(jì)量可被用于對(duì)于位于交迭區(qū)域中的值產(chǎn)生良好的估計(jì)， 但隨著交迭增加，最大可能性估計(jì)量的精度降低。通過重建和重寫偏移值范圍310、 312、 314、 316和它們的相應(yīng)的 基準(zhǔn)點(diǎn)326、 328、 330、 332，防止值范圍中的有害的交迭。通過用在 偏移之前寫入的初始特性參數(shù)值對(duì)存儲(chǔ)單元集合中的單元進(jìn)行重新編 程，實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。因此，偏移基準(zhǔn)點(diǎn)326、 328、 330、 332基本上分別 設(shè)回初始基準(zhǔn)點(diǎn)318、 320、 322、 324。這樣，曲線返回最小的交迭， 并且數(shù)據(jù)較好地保持在存儲(chǔ)單元內(nèi)。以下討論該過程的邏輯操作。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，通過概率分布函數(shù)產(chǎn)生特性參數(shù)曲線，p(々，…乂 ^，c^(-J^)，e ^這里， 是在第A個(gè)值范圍中具有特性參數(shù)的存儲(chǔ)單元的數(shù)量， 附是每個(gè)存儲(chǔ)單元的位存儲(chǔ)值的數(shù)量，V是與特定曲線相關(guān)的存儲(chǔ)單 元讀取的特性參數(shù)值的值，不是x的A次方；因此，x;指示來自存儲(chǔ) 單元集合中的第一特性參數(shù)值范圍的第一特性參數(shù)。值范圍/曲線的數(shù)量和讀取的特性參數(shù)值的平均值(7 )由"1，...，2 7 =丄￡/限定。另外，^是第A個(gè)值范圍的平均值，也被用作圖3中的基準(zhǔn)點(diǎn)，^是 第A:個(gè)值范圍的方差。最大可能性估計(jì)量由下式給出這里，^是第/t個(gè)值范圍的平均估計(jì)量，^是第A個(gè)值范圍的方 差估計(jì)量。最大可能性估計(jì)量被用于通過使用最小二乘法確定特定值 屬于的值范圍從而確定存儲(chǔ)單元包含的二進(jìn)制數(shù)據(jù)。來自存儲(chǔ)單元的 讀出的值被放在存儲(chǔ)單元集合的各個(gè)體值范圍中，并且，基于該值及 其與值范圍的平均值的關(guān)系向各個(gè)值范圍分配概率。如果各個(gè)體存儲(chǔ)單元被單獨(dú)地編程，那么出現(xiàn)構(gòu)建新的分布曲線的問題。由于各存儲(chǔ)單元可能在編程之間的不同的持續(xù)時(shí)間上暴露于 環(huán)境因素，因此各特性參數(shù)的偏移將不同。例如，在EEPROM中， 作為時(shí)間和熱的結(jié)果，存儲(chǔ)在浮動(dòng)?xùn)艠O中的電子可能泄漏。在不同的 時(shí)間編程的存儲(chǔ)單元將根據(jù)初始編程之后的環(huán)境暴露的持續(xù)時(shí)間具有 不同的電子泄漏量。并且，特性參數(shù)曲線可在存儲(chǔ)單元集合之間大大 不同。不管需要編程的存儲(chǔ)單元的數(shù)量如何，在它們的整體上被編程的 存儲(chǔ)單元集合考慮到存儲(chǔ)單元集合中的一致的數(shù)據(jù)偏移。這防止在單 一存儲(chǔ)單元集合中特性參數(shù)值偏移量在存儲(chǔ)單元之間不同的上述問 題?，F(xiàn)在可通過使用概率分布函數(shù)和最大可能性估計(jì)量用一致偏移的 數(shù)據(jù)產(chǎn)生新的分布曲線。圖4表示根據(jù)本發(fā)明的用于操作存儲(chǔ)單元的示例性存儲(chǔ)器控制器 104。存儲(chǔ)器控制器104包含接收單元404和產(chǎn)生單元406。接收單元 404接收用于存儲(chǔ)器陣列402中的各存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的值?？衫?如通過使用輸入存儲(chǔ)器陣列402的塊地址對(duì)接收單元404檢查的存儲(chǔ) 單元尋址。產(chǎn)生單元406與接收單元404耦接，并被配置成為存儲(chǔ)器 陣列402的可能的二進(jìn)制值中的每一個(gè)產(chǎn)生特性參數(shù)的概率分布函數(shù)。更具體地，通過定位包含希望的數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器陣列402的塊地址， 存取數(shù)據(jù)。原始數(shù)據(jù)作為模擬信號(hào)被模擬讀出放大器408讀取。模擬 讀出放大器408放大信號(hào)并將信號(hào)發(fā)送給模數(shù)轉(zhuǎn)換器410。模數(shù)轉(zhuǎn)換 器410將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成可被產(chǎn)生單元406讀取和處理的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，模數(shù)轉(zhuǎn)換器410的分辨率是存儲(chǔ)在各個(gè)存 儲(chǔ)單元中的位的數(shù)量的倍數(shù)。例如，模數(shù)轉(zhuǎn)換器410的分辨率可具有 三倍于每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的位的數(shù)量的分辨率。對(duì)于存儲(chǔ)兩個(gè)位的存 儲(chǔ)單元，分辨率因此等于六位。產(chǎn)生單元406中的分布參數(shù)估計(jì)器412用概率分布函數(shù)為存儲(chǔ)器 塊產(chǎn)生正態(tài)分布曲線。還通過分布參數(shù)估計(jì)器412計(jì)算這些分布曲線 的平均值和方差。與參數(shù)估計(jì)器412耦接的二進(jìn)制數(shù)據(jù)檢索單元414 將目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的值轉(zhuǎn)換成概率最高的二進(jìn)制值。圖5表示由本發(fā)明的實(shí)施例設(shè)想的用于操作存儲(chǔ)單元集合的流程 圖。應(yīng)當(dāng)注意，可以用這里一般均可稱為"電路"、"模塊"或"系 統(tǒng)"的完全為硬件的實(shí)施例、完全為軟件的實(shí)施例(包含固件、駐留 軟件、微碼等)或組合軟件和硬件方面的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)示出的邏輯操作。 并且，本發(fā)明可采取具有在介質(zhì)中實(shí)現(xiàn)的計(jì)算機(jī)可用程序代碼的計(jì)算 機(jī)可用存儲(chǔ)介質(zhì)上的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式?？梢岳萌魏芜m當(dāng)?shù)挠?jì)算機(jī)可用或計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。計(jì)算機(jī)可用 或計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可以為，例如但不限于，電子、磁、光、電磁、紅 外或半導(dǎo)體系統(tǒng)、設(shè)備或裝置。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的更具體的例子(非 詳盡的列表)包含具有一根或更多根導(dǎo)線的電連接、便攜式計(jì)算機(jī) 磁盤、硬盤、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、可 擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM或閃存)、光纖、便攜式光盤只讀存 儲(chǔ)器(CD-ROM)、光存儲(chǔ)裝置或磁存儲(chǔ)裝置?？梢砸灾T如Java、 Smalltalk或C+十等的面向?qū)ο蟮木幊陶Z言編 寫用于實(shí)施本發(fā)明的操作的計(jì)算機(jī)程序代碼。但是，也可以以諸如"C" 編程語言或類似的編程語言的常規(guī)過程編程語言編寫用于實(shí)施本發(fā)明的操作的計(jì)算機(jī)程序代碼。在讀出操作502中，接收目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值。換 句話說，目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)值被讀取。其例子是使用晶化/結(jié)晶 電壓的電流以檢測PCM單元的電阻。在完成讀出操作502后，控制 轉(zhuǎn)到讀出操作504。在讀出操作504中，接收存儲(chǔ)單元集合中的各存儲(chǔ)單元的特性參 數(shù)的偏移值。如上面討論的那樣，偏移值是隨時(shí)間改變特性參數(shù)的寄 生因素的結(jié)果?？梢栽O(shè)想，在讀出操作504中讀出的存儲(chǔ)單元集合包 含數(shù)量足夠多的存儲(chǔ)單元，使得可產(chǎn)生用于所有的二進(jìn)制值的精確的 特性參數(shù)曲線。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元集合中的單元的 數(shù)量是1028個(gè)單元?？梢栽O(shè)想，可以使用許多其它的數(shù)量的單元以限 定單元集合。在完成讀出操作504之后，流程前進(jìn)到產(chǎn)生操作506。在產(chǎn)生操作506中，對(duì)于存儲(chǔ)單元能夠存儲(chǔ)的可能的二進(jìn)制值中 的每一個(gè)產(chǎn)生特性參數(shù)的概率分布函數(shù)。還從概率分布函數(shù)提取偏移 值的平均值和方差。在本發(fā)明的特定實(shí)施例中，從在讀出操作504中 讀出的各存儲(chǔ)單元的模擬信號(hào)獲得概率分布函數(shù)。由于如上面討論的 那樣存儲(chǔ)單元集合中的所有存儲(chǔ)單元同時(shí)被編程，因此概率分布函數(shù)數(shù)偏移。在完成產(chǎn)生操作5(J之后，控制轉(zhuǎn)^確定操作;08。在確定操作508中，通過使用最大可能性估計(jì)量和偏移值的平均 值和方差計(jì)算目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值處于各個(gè)產(chǎn)生的概率 分布函數(shù)的值范圍內(nèi)的概率。因此，將在讀出操作502中從目標(biāo)存儲(chǔ) 單元讀出的模擬數(shù)據(jù)與在產(chǎn)生操作506中構(gòu)建的概率分布函數(shù)的值范 圍相比較。 一旦完成確定操作508，控制就轉(zhuǎn)到轉(zhuǎn)換操作510。在轉(zhuǎn)換操作510中，目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值被轉(zhuǎn)換成 在確定操作508中計(jì)算的概率最高的二進(jìn)制值。存儲(chǔ)器控制器向請(qǐng)求 二進(jìn)制值的數(shù)據(jù)總線或其它的電路輸出二進(jìn)制值。圖6所示的流程圖詳述示例性存儲(chǔ)器控制器將數(shù)據(jù)編程到存儲(chǔ)單 元集合中的目標(biāo)存儲(chǔ)單元時(shí)執(zhí)行的操作。同樣，可以在完全為硬件的實(shí)施例、完全為軟件的實(shí)施例或組合硬件和軟件的實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)這些 邏輯操作。對(duì)目標(biāo)存儲(chǔ)單元編程從讀出操作602開始。在該操作中，對(duì)于包 含目標(biāo)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)器集合中的各個(gè)存儲(chǔ)單元檢測特性參數(shù)的偏移 值。如上面討論的那樣，可以通過從與存儲(chǔ)器集合中的各個(gè)單元電耦 接的模擬讀出放大器讀取模擬信號(hào)執(zhí)行讀出偏移的特性參數(shù)值。模數(shù) 轉(zhuǎn)換器可被用于將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。在完成讀出操作602之 后，控制轉(zhuǎn)到確定操作604。在確定操作604中，通過使用上述的統(tǒng)計(jì)分析確定由存儲(chǔ)單元集 合中的各個(gè)單元存儲(chǔ)的二進(jìn)制值。簡言之，對(duì)于存儲(chǔ)單元集合中的各 個(gè)可能的二進(jìn)制值產(chǎn)生偏移的特性參數(shù)的概率分布函數(shù)。計(jì)算存儲(chǔ)單元集合中的各個(gè)單元的偏移的特性參數(shù)處于各個(gè)函數(shù)中的概率。最后， 與概率分布函數(shù)對(duì)應(yīng)的二進(jìn)制值被分配給存儲(chǔ)單元。在完成確定操作 604之后，控制轉(zhuǎn)到重寫操作606。在重寫操作606中，在確定操作604中計(jì)算的二進(jìn)制值被編程回 存儲(chǔ)單元集合中的單元。在該步驟中，各單元的特性參數(shù)基本上恢復(fù) 到其預(yù)定值?？紤]例如在其浮動(dòng)?xùn)艠O中初始用200個(gè)電子編程以存儲(chǔ) 二進(jìn)制值01的單元。隨著時(shí)間的過去，電子電荷可降為175個(gè)電子。 確定操作604基于存儲(chǔ)單元集合計(jì)算出175個(gè)電子的特性參數(shù)值與二 進(jìn)制值Ol對(duì)應(yīng)。重寫操作606使用該信息以將存儲(chǔ)單元重新編程回其 200個(gè)電子的初始電荷。可以設(shè)想，可以在操作604中確定所有的二進(jìn)制值之后立即執(zhí)行 重寫操作606。作為替代方案，可以在存儲(chǔ)器控制器逐步通過存儲(chǔ)單 元集合時(shí)對(duì)于各個(gè)單元以遞歸的方式執(zhí)行讀出操作602、確定操作604 和重寫操作606。在寫入操作608中，目標(biāo)存儲(chǔ)單元被編程為與分配給該單元的二 進(jìn)制值對(duì)應(yīng)的預(yù)定特性參數(shù)值?？梢栽O(shè)想，可以在讀出操作602之前 執(zhí)行寫入操作608。圖7示出由本發(fā)明設(shè)想的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的實(shí)施例，其中，存儲(chǔ)器控制器104被加入各個(gè)體存儲(chǔ)器單元106中。在本實(shí)施例中，各個(gè)存儲(chǔ) 器單元106包含其自身的存儲(chǔ)器控制器104。因此，在各個(gè)存儲(chǔ)器單 元106中獨(dú)立地執(zhí)行數(shù)據(jù)的處理(轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)、產(chǎn)生曲線、檢索二進(jìn)制 數(shù)據(jù))。各個(gè)存儲(chǔ)器單元106將二進(jìn)制數(shù)據(jù)發(fā)送給數(shù)據(jù)總線114,該 數(shù)據(jù)總線114可將二進(jìn)制數(shù)據(jù)發(fā)送給中央處理單元(未示出)。可以 設(shè)想，存儲(chǔ)器控制器104能夠執(zhí)行同步交換或被另外配置為避免同時(shí) 將數(shù)據(jù)寫入數(shù)據(jù)總線114。圖8表示由本發(fā)明設(shè)想的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的另一實(shí)施例。在本實(shí)施例 中，存儲(chǔ)器控制器104位于存儲(chǔ)器單元106外面。在存儲(chǔ)器單元106 中讀出的模擬值被發(fā)送給中央存儲(chǔ)器控制器104。存儲(chǔ)器控制器104 如上面討論的那樣處理數(shù)據(jù)(轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)、產(chǎn)生曲線、檢索二進(jìn)制數(shù)據(jù))。 存儲(chǔ)器控制器104進(jìn)一步將二進(jìn)制數(shù)據(jù)發(fā)送給數(shù)據(jù)總線114，該數(shù)據(jù) 總線114可將數(shù)據(jù)傳送給中央處理單元(未示出)?？梢栽O(shè)想，存儲(chǔ)器控制器可以實(shí)現(xiàn)為嵌入的計(jì)算機(jī)。在圖9中給 出這種計(jì)算機(jī)的元件中的一些，其中，示出具有輸入/輸出(1/0)單 元904、中央處理單元(CPU) 909和主存儲(chǔ)單元908的處理器902。 主存儲(chǔ)單元908 —般存儲(chǔ)處理器902使用的程序指令和數(shù)據(jù)。例如可 以在存儲(chǔ)器908中實(shí)現(xiàn)實(shí)施本發(fā)明的指令和指令序列?？梢栽谥鞔鎯?chǔ) 單元908中利用各種類型的存儲(chǔ)器技術(shù)，諸如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)和閃存。I/O單元904與輸入裝置單元912與輸出裝置單元914連接。輸 入裝置單元912可包含諸如模數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸入硬件。輸出裝置單元914 可以是諸如數(shù)據(jù)緩沖器的輸出硬件。圖9中的箭頭代表計(jì)算機(jī)的系統(tǒng) 總線結(jié)構(gòu)，但是，這些箭頭僅用于示意目的。這里使用的術(shù)語目的僅是用于說明特定的實(shí)施例，并且意圖不在 于限制本發(fā)明。如這里使用的那樣，除非上下文另外清楚地指出，單 數(shù)形式"一"、"一個(gè)"和"該"意圖在于還包含復(fù)數(shù)形式，還應(yīng)理 解，在本說明書中使用的術(shù)語"包含"和/或"包括"規(guī)定陳述的特征、 整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多個(gè)其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組的存在或添 加。以下的權(quán)利要求中的所有裝置或步驟加功能元件的相應(yīng)的結(jié)構(gòu)、材料、動(dòng)作和等同物意圖在于包含用于執(zhí)行與特別要求權(quán)利的其它要求權(quán)利的元件組合的功能的任何結(jié)構(gòu)、材料或動(dòng)作。已出于解釋和說明的目的給出本發(fā)明的說明，但其意圖不在于詳盡無遺或限于所公開的形式的發(fā)明。在不背離本發(fā)明的范圍和精神的條件下，本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易想到許多修改和變化。實(shí)施例的選擇和說明是為了最好地解釋本發(fā)明的原理和實(shí)際應(yīng)用，以及使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解本 發(fā)明的具有適于所設(shè)想的特定用途的各種修改的各種實(shí)施例。由此參照其實(shí)施例詳細(xì)說明了本申請(qǐng)的發(fā)明，很顯然，在不背離 在所附的權(quán)利要求中限定的本發(fā)明的范圍的條件下，修改和變化是可 能的。
權(quán)利要求
1.一種用于操作存儲(chǔ)單元集合的方法，該存儲(chǔ)單元集合包含多個(gè)存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元集合中的各個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)由特性參數(shù)的預(yù)設(shè)的值范圍劃界的至少一個(gè)可能的二進(jìn)制值，其中，特性參數(shù)的值范圍隨時(shí)間偏移，該方法包括讀出目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值；讀出存儲(chǔ)單元集合中的各個(gè)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值；從存儲(chǔ)單元集合中的各個(gè)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值產(chǎn)生用于可能的二進(jìn)制值中的每一個(gè)的特性參數(shù)的概率分布函數(shù)；對(duì)于可能的二進(jìn)制值中的每一個(gè)，確定目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值處于其概率分布函數(shù)中的概率；和將目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值轉(zhuǎn)換成概率最高的二進(jìn)制值。
2，根據(jù)權(quán)利要求1的方法，還包括通過將存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的 值設(shè)為可能的二進(jìn)制值中的 一個(gè)的預(yù)設(shè)值范圍的中心，對(duì)存儲(chǔ)單元集 合中的各個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中，通過使用最大可能性估計(jì)從存 儲(chǔ)單元集合中的各個(gè)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值確定特性參數(shù)的概 率分布函數(shù)中的每一個(gè)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中，特性參數(shù)是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ) 器(DRAM)中的電荷存儲(chǔ)變化。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中，特性參數(shù)是電可擦可編程只讀 存儲(chǔ)器(EEPROM)中的浮動(dòng)?xùn)艠O的閾值電壓變化。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，特性參數(shù)是相變存儲(chǔ)器(PCM) 的電阻變化。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中，特性參數(shù)是電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ) 器(RRAM)的電阻變化。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l的方法，其中，特性參數(shù)是光存儲(chǔ)裝置的光折射率。
9. 一種用于操作存儲(chǔ)單元集合的存儲(chǔ)器控制器，該存儲(chǔ)單元集合 包含多個(gè)存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元集合中的各個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)由特性參數(shù) 的值范圍劃界的至少一個(gè)可能的二進(jìn)制值，該方法包括用于接收存儲(chǔ)單元集合中的各個(gè)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的值的接收 單元5和用于對(duì)于存儲(chǔ)單元集合的可能的二進(jìn)制值中的每一個(gè)產(chǎn)生特性參 數(shù)的概率分布函數(shù)的產(chǎn)生單元，該產(chǎn)生單元使用概率分布函數(shù)以確定 目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值的可能值范圍，并且該產(chǎn)生單元將目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)值轉(zhuǎn)換成概率最高的二進(jìn)制值。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9的存儲(chǔ)器控制器，其中，存儲(chǔ)器控制器與中 央處理單元和存儲(chǔ)單元集合分開。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9的存儲(chǔ)器控制器，其中，接收單元包含將模 擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成代表特性參數(shù)的數(shù)字信號(hào)的模擬讀出放大器。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9的存儲(chǔ)器控制器，其中，目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特 性參數(shù)的偏移值的可能值范圍由最大可能性估計(jì)量產(chǎn)生。
13. —種存儲(chǔ)器芯片，包括包含多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元集合，存儲(chǔ)單元集合中的各個(gè)存儲(chǔ) 單元存儲(chǔ)由特性參數(shù)的值范圍劃界的至少一個(gè)可能的二進(jìn)制值；用于接收存儲(chǔ)單元集合中的各個(gè)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的值的接收單元；用于對(duì)于存儲(chǔ)單元集合的可能的二進(jìn)制值中的每一個(gè)產(chǎn)生特性參 數(shù)的概率分布函數(shù)的產(chǎn)生單元，該產(chǎn)生單元使用概率分布函數(shù)以確定 目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值的可能值范圍，并且該產(chǎn)生單元將目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)值轉(zhuǎn)換成概率最高的二進(jìn)制值。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13的存儲(chǔ)器芯片，其中，多個(gè)存儲(chǔ)單元集合被包含。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13的存儲(chǔ)器芯片，其中，接收單元包含將模擬 信號(hào)轉(zhuǎn)換成代表特性參數(shù)的數(shù)字信號(hào)的模擬讀出放大器。16.根據(jù)權(quán)利要求13的存儲(chǔ)器芯片，其中，目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性 參數(shù)的偏移值的可能值范圍由最大可能性估計(jì)量產(chǎn)生，
全文摘要
本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器控制器、存儲(chǔ)器芯片和用于操作存儲(chǔ)單元集合的方法。操作過程提供用于使有關(guān)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的水平的數(shù)量最大化的成本有效方法。所述過程利用統(tǒng)計(jì)分析以確定與特性參數(shù)值相關(guān)的最可能的二進(jìn)制值。在一個(gè)實(shí)施例中，接收單元讀取包含目標(biāo)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元集合中的各存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的值。產(chǎn)生單元對(duì)于存儲(chǔ)單元集合的可能的二進(jìn)制值中的每一個(gè)產(chǎn)生特性參數(shù)的概率分布函數(shù)。產(chǎn)生單元使用所述概率分布函數(shù)以確定目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)的偏移值的可能值范圍。目標(biāo)存儲(chǔ)單元的特性參數(shù)值被轉(zhuǎn)換成概率最高的二進(jìn)制值。
文檔編號(hào)G11C7/10GK101217057SQ20081000197
公開日2008年7月9日 申請(qǐng)日期2008年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月7日
發(fā)明者林仲漢 申請(qǐng)人:國際商業(yè)機(jī)器公司