專利名稱：：包括具有磁阻存儲器元件的多位存儲器單元的存儲器裝置及相關方法
技術領域：
：本發(fā)明總的來說涉及電子技術，并且更具體地涉及電子存儲器裝置及相關方法。
背景技術：
：為了增加磁性隨機存取存儲器(MRAM)陣列的密度，已知的方法就是使用存儲器單元體系結構，其中該存儲器單元體系結構包括多于一個的磁性存儲元件。例如，標題為"MagneticRandomAccessMemoryCell"(磁性隨機存取存儲器單元)的美國專利公開No.2005/0087785就詳述了一種n-晶體管，n-MTJ(磁性隧道結)存儲器單元，其增加了單元密度而不會顯著降低與存儲器單元相關的MTJ裝置的橫向尺寸。但是，傳統(tǒng)的多位存儲器單元體系結構可以展示出已經(jīng)縮小的寫余量，這是由于(至少部分由于)如下的事實，S卩寫入期間的操作區(qū)域可以在寫入存儲器單元的寫入平面的所有四個象限內(nèi)基本上是均勻的。因此，給定存儲器單元中的多位彼此共享操作區(qū)域。標題為"Multiple-BitMagneticRandomAccessMemoryCellEmployingAdiabaticSwitching"(采用絕熱切換的多位磁性隨機存取存儲器單元)的美國專利No.7,109,539討論了一種多位存儲器單元，用于磁性隨機存取存儲器裝置中。更具體地，該多位存儲器單元包括第一絕熱切換儲存元件，其具有與其相關的第一各向異性軸；以及第二絕熱切換儲存元件，其具有與其相關的第二各向異性軸，該第一各向異性軸和第二各向異性軸的取向相對于對應于該存儲器單元的至少一個位線和至少一個字線基本上為非零度角。該存儲器單元被配置為使得沒有被用于寫入儲存元件之一的寫入平面的兩個象限可以有益地被用于寫入另一個儲存元件，因此，最主要的就是沒有損失掉存儲器單元中的寫余量。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，一種集成電路存儲器裝置可以包括集成電路基底，該集成電路基底上的存儲器單元，以及與該存儲器單元電聯(lián)接的控制器?？梢詫υ摯鎯ζ鲉卧M行編程，以通過自由磁層相對于固定磁層的磁極化來確定至少兩種不同的磁阻狀態(tài)。還可以對該存儲器單元進行編程，以通過阻抗存儲器材料層的阻抗特性來確定至少兩種不同的阻抗狀態(tài)。因此，該存儲器單元可以為存儲器單元提供至少四種不同的存儲器狀態(tài)。該控制器可以被配置為將多個不同磁場之一應用于存儲器單元，以對至少兩種不同的磁阻狀態(tài)之一進行編程。該控制器可以進一步被配置為將多個不同電信號之一應用于穿過存儲器單元，以對至少兩種不同的阻抗狀態(tài)之一進行編程，從而利用至少兩個數(shù)據(jù)位來對該存儲器單元進行編程。另外，該控制器可以被配置為將電信號應用于存儲器單元，以在至少四種不同的存儲器狀態(tài)之間加以區(qū)分，并且因此從存儲器單元中讀出至少兩個數(shù)據(jù)位。該控制器可以進一步被配置為將多個不同磁場中的第二個應用于存儲器單元，以對至少兩種不同的磁阻狀態(tài)中的第二種進行編程。該控制器還可以被配置為將多個不同電信號中的第二個應用于穿過存儲器單元，以對至少兩種不同的阻抗狀態(tài)中的第二種進行編程。這樣，就可以利用不同于兩個第一數(shù)據(jù)位的兩個第二數(shù)據(jù)位來對該存儲器單元進行編程，并且該控制器可以被配置為將電信號應用于存儲器單元，以在至少四種不同的存儲器狀態(tài)之間加以區(qū)分，并且因此從存儲器單元中讀出兩個第二數(shù)據(jù)位。該集成電路存儲器裝置可以包括聯(lián)接在控制器與存儲器單元之間的第一導線，以及聯(lián)接在控制器與存儲器單元之間的第二導線。更具體地，該存儲器單元可以電聯(lián)接在第一與第二導線之間，并且該第一和第二導線可以是非平行的。該存儲器單元可以包括具有固定和自由磁層的磁性存儲器元件，以及具有阻抗存儲器材料層的阻抗存儲器元件，并且該磁性存儲器元件和阻抗存儲器元件可以在第一和第二導線之間串聯(lián)地電聯(lián)接。另外，非歐姆裝置可以與第一和第二導線之間的存儲器單元串聯(lián)聯(lián)接，并且非歐姆裝置可以包括二極管(例如p-n結二極管)和/或莫特躍遷(Motttransition)層。并且，阻抗存儲器材料層可以包括第一和第二電極層之間的氧化層。該集成電路存儲器裝置可以包括位線，存儲器單元，以及字線。該位線可以聯(lián)接在控制器與存儲器單元之間，并且存儲器單元存取晶體管可以在位線與該存儲器單元存取晶體管的源極/漏極區(qū)域之間電聯(lián)接。該字線可以在控制器與該存儲器單元存取晶體管的控制電極之間電聯(lián)接。該存儲器單元可以包括具有固定和自由磁層的磁性存儲器元件，以及具有阻抗存儲器材料層的阻抗存儲器元件，并且該磁性存儲器元件和阻抗存儲器元件可以在該位線與存儲器單元存取晶體管的源極/漏極區(qū)域之間串聯(lián)地電聯(lián)接。該阻抗存儲器材料層可以在自由與固定磁層之間，并且該阻抗存儲器材料層可以包括金屬氧化物層(例如A10和/或MgO)。根據(jù)本發(fā)明的一些其他實施例，磁層之一可以位于另一個磁層與阻抗存儲器材料層之間，并且該阻抗存儲器材料層包括相變存儲器材料，鈣鈦礦材料，導電橋摻雜玻璃，有機材料(例如雙穩(wěn)態(tài)有機材料或多級有機材料)，二元過渡金屬氧化物，莫特躍遷層，和/或肖特基勢壘。將電信號應用于存儲器單元以對至少四個不同的存儲器狀態(tài)加以區(qū)分，可以包括將相同的電流穿過阻抗存儲器材料層以及穿過自由和固定磁層。將多個不同電信號之一應用于穿過存儲器單元以對至少兩種不同的阻抗狀態(tài)之一進行編程，可以包括將多個不同電流之一穿過阻抗存儲器材料層以及穿過自由和固定磁層。根據(jù)本發(fā)明的一些其他實施例，可以提供操作集成電路存儲器裝置的方法。該存儲器裝置可以包括存儲器單元，其中該存儲器單元可以被編程為由自由磁層相對于固定磁層的磁極化確定的至少兩種不同的磁阻狀態(tài)，以及由阻抗存儲器材料層的阻抗特性確定的至少兩種不同的阻抗狀態(tài)。因此，該存儲器單元可以為該存儲器單元提供至少四種不同的存儲器狀態(tài)。操作該存儲器單元的方法可以包括將多個不同磁場之一應用于該存儲器單元，以對至少兩種不同的磁阻狀態(tài)之一進行編程，以及將多個不同電信號之一應用于穿過存儲器單元，以對至少兩種不同的阻抗狀態(tài)之一進行編程。接著可以將電信號應用于存儲器單元，以在至少四種不同的存儲器狀態(tài)之間加以區(qū)分，從而從存儲器單元中讀取至少兩個數(shù)據(jù)位。另外，多個不同磁場中的第二個可以被應用于存儲器單元，以對至少兩種不同的磁阻狀態(tài)中的第二種進行編程，并且多個不同電信號中的第二可以穿過該存儲器單元，以對至少兩種不同的阻抗狀態(tài)中的第二種進行編程。接著可以將電信號應用于存儲器單元，以在至少四種不同的存儲器狀態(tài)之間加以區(qū)分，從而從存儲器單元中讀取至少兩個第二數(shù)據(jù)位。更具體地，該至少兩個第二數(shù)據(jù)位與至少兩個第一數(shù)據(jù)位可以是不同的。阻抗存儲器材料層可以位于自由和固定磁層之間，或者磁層之一可以位于另一個磁層與阻抗存儲器材料層之間。并且，該阻抗存儲器材料層可以包括相變存儲器材料，鈣鈦礦材料，導電橋摻雜玻璃，有機材料(例如二元有機材料或多級有機材料)，二元過渡金屬氧化物，莫特躍遷層，和/或肖特基勢壘。將電信號應用于存儲器單元以對至少四種不同的存儲器狀態(tài)加以區(qū)分，可以包括將相同的電流穿過阻抗存儲器材料層以及穿過自由和固定磁層。將多個不同電信號之一應用于穿過存儲器單元以對至少兩種不同的阻抗狀態(tài)之一進行編程，可以包括將多個不同電流之一穿過阻抗存儲器材料層以及自由和固定磁層。根據(jù)本發(fā)明的仍舊其他實施例，一種集成電路存儲器裝置可以包括集成電路基底以及在該集成電路基底上的存儲器單元。更具體地，該存儲器單元可以包括磁性存儲器元件以及阻抗存儲器元件。該磁性存儲器元件可以包括自由磁層和固定磁層，并且該磁性存儲器元件可以被編程為由自由磁層相對于固定磁層的磁極化確定的至少兩種不同的磁阻狀態(tài)。該阻抗存儲器元件可以包括阻抗存儲器材料層，并且該阻抗存儲器元件可以被編程為由阻抗存儲器材料層的阻抗特性確定的至少兩種不同的阻抗狀態(tài)，以為存儲器單元提供至少四種不同的存儲器狀態(tài)。此外，該自由磁層，固定磁層，以及阻抗存儲器材料層可以串聯(lián)地電聯(lián)接，并且該固定磁層與自由磁層之一可以位于阻抗存儲器材料層和其他固定磁層以及自由磁層之間。在該集成電路基底上可以提供第一和第二導線，其中該存儲器單元在第一和第二導線之間電聯(lián)接。另外，非歐姆裝置可以與第一和第二導線之間的存儲器單元串聯(lián)聯(lián)接，并且該非歐姆裝置例如可以包括二極管(例如p-n結二極管或肖特基二極管)和/或莫特躍遷層。位線可以與存儲器單元聯(lián)接，并且存儲器單元可以在該位線與存儲器單元存取晶體管的源極/漏極區(qū)域之間電聯(lián)接。另外，在存儲器單元與集成電路基底之間可以提供數(shù)字線，因此該存儲器單元位于數(shù)字線與位線之間，并且絕緣層可以位于數(shù)字線與存儲器單元存取晶體管之間。該阻抗存儲器材料層可以包括金屬氧化物(例如AIO和/或MgO)，相變存儲器材料，鈣鈦礦材料，導電橋摻雜玻璃，以及有機材料(例如雙穩(wěn)態(tài)有機材料或多級有機材料)，二元過渡金屬氧化物，莫特躍遷層，和/或肖特基勢壘?？刂破骺梢耘c存儲器單元電聯(lián)接，并且該控制器可以被配置為將多個不同磁場之一應用于存儲器單元，以對至少兩種不同的磁阻狀態(tài)之一進行編程。該控制器可以進一步被配置為將多個不同電信號之一應用于穿過存儲器單元，以對至少兩種不同的阻抗狀態(tài)之一進行編程，從而利用至少兩個數(shù)據(jù)位來對該存儲器單元進行編程。另外，該控制器可以被配置為將電信號應用于存儲器單元，以在至少四種不同的存儲器狀態(tài)之間加以區(qū)分，并且因此從存儲器單元中讀出至少兩個數(shù)據(jù)位。該控制器可以被配置為將多個不同磁場中的第二個應用于存儲器單元，以對至少兩種不同的磁阻狀態(tài)中的第二種進行編程，以及將多個不同電信號中的第二個應用于穿過存儲器單元，以對至少兩種不同的阻抗狀態(tài)中的第二種進行編程，從而利用不同于兩個第一數(shù)據(jù)位的兩個第二數(shù)據(jù)位來對該存儲器單元進行編程。該控制器還可以被配置為將電信號應用于存儲器單元，以在至少四種不同的存儲器狀態(tài)之間加以區(qū)分，并且因此從存儲器單元中讀出兩個第二數(shù)據(jù)位。第一導線可以聯(lián)接在該控制器與存儲器單元之間，并且第二導線可以聯(lián)接在該控制器與存儲器單元之間。此外，該存儲器可以在第一和第二導線之間電聯(lián)接，以及該第一和第二導線可以是非平行的。將電信號應用于存儲器單元以在至少四種不同的存儲器狀態(tài)之間加以區(qū)分，包括將相同的電流穿過阻抗存儲器材料層以及穿過自由和固定磁層。將多個不同電信號之一應用于穿過存儲器單元以對至少兩種不同的阻抗狀態(tài)之一進行編程，包括將多個不同電流之一穿過阻抗存儲器材料層以及穿過自由和固定磁層。實施例，一種集成電路存儲器裝置可以包括集成電路基底，以及在該集成電路基底上的多位存儲器單元。此外該多位存儲器單元可以被配置為通過改變該多位存儲器單元的第一特性來存儲第一數(shù)據(jù)位。該多位存儲器單元還可以被配置為通過改變該多位存儲器單元的第二特性來存儲第二數(shù)據(jù)位，并且該第一特性和第二特性可以不同?？刂破骺梢耘c該多位存儲器單元電聯(lián)接。該控制器可以被配置為將多個不同磁場之一應用于該多位存儲器單元，以改變多位存儲器單元的第一特性，從而將該第一位編程給第一狀態(tài)。該控制器可以進一步被配置為將多個不同電信號之一應用于穿過該多位存儲器單元，以改變多位存儲器單元的第二特性，從而將該第二位編程給第二狀態(tài)。該控制器還可以進一步被配置為將多個不同磁場中的第二個應用于該多位存儲器單元，以改變該多位存儲器單元的第一特性，從而將該第一位編程給第三狀態(tài)，以及將多個不同電信號中的第二個應用于穿過該多位存儲器單元，以改變該多位存儲器單元的第二特性，從而將該第二位編程給第四狀態(tài)。更具體地，該第一和第三狀態(tài)可以不同，并且該第二和第四狀態(tài)可以不同。該多位存儲器單元可以包括自由磁層，固定磁層，以及阻抗存儲器材料層。此外，該第一特性可以包括由自由磁層相對于固定磁層的磁極化確定的磁阻狀態(tài)，以及該第二特性可以包括由阻抗存儲器材料層的阻抗定義的阻抗狀態(tài)。該阻抗存儲器材料層例如可以包括金屬氧化物，相變存儲器材料，鈣鈦礦材料，導電橋摻雜玻璃，有機材料，二元過渡金屬氧化物，莫特躍遷層，和/或肖特基勢壘。圖1A為根據(jù)本發(fā)明一些實施例的多位存儲器單元的元件的透視圖。圖1B和1C分別為沿著剖面線Ib-Ib'以及Ic-Ic'截取的包括圖1A的多位存儲器單元的存儲器裝置的截面圖。圖2為說明根據(jù)本發(fā)明一些實施例的可編程存儲器狀態(tài)和/或存儲器單元的切換屬性的圖。圖3A為根據(jù)本發(fā)明一些其他實施例的多位存儲器單元的元件的透視圖。圖3B和3C分別為沿著剖面線inb-nib，以及nic-nic，截取的包括圖3A的多位存儲器單元的存儲器裝置的截面圖。圖4A為根據(jù)本發(fā)明另一些其他實施例的多位存儲器單元的元件的透視圖。圖4B和4C分別為沿著剖面線IVb-IVb'以及IVc-IVc，截取的包括圖4A的多位存儲器單元的存儲器裝置的截面圖。具體實施方式下面將參照附圖來更充分地描述本發(fā)明，其中在附圖中示出了本發(fā)明的實施例。但是本發(fā)明可以實現(xiàn)為許多種不同形式，并且不應被解釋為僅限于這里所述的實施例。相反，提供這些實施例是為了使得該披露的內(nèi)容更透徹和完整，并且充分地將本發(fā)明的范疇傳遞給了本領域內(nèi)的技術人員。在圖中，為了清楚起見，各個層與區(qū)域的大小以及相對大小都被夸大了。從始至終，相同的數(shù)字表示相同的元件。可以理解的是，當元件或?qū)颖唤凶鲈诹硪粋€元件或?qū)拥?上面"，"與其相連"或者"與其聯(lián)接"時，它可以直接在其他元件或?qū)由厦?，與其相連，或與其聯(lián)接，或者可以出現(xiàn)中間元件或?qū)?。相反，當該元件被叫做直接在另一個元件或?qū)拥?上面"，"直接與其相連"或者"直接與其聯(lián)接"時，就不會出現(xiàn)中間元件或?qū)?。如這里所用的，術語"和/或"表示一個或多個相關列項的任意和全部組合?？梢岳斫獾氖?，雖然術語第一，第二，第三等可以在這里被用于描述各種元件，部件，區(qū)域，層和/或部分，但是這些元件，部件，層和/或部分應該不被限于這些術語。這些術語僅僅是用于將這些元件，部件，層和/或部分彼此分開。這樣，在不脫離本發(fā)明的教授的情況下，下面所述的第一元件，部件，區(qū)域，層或部分也可以被轉(zhuǎn)稱為第二元件，部件，區(qū)域，層或部分。空間相對術語，例如"在……之下"，"下面"，"更低"，"在……之上"，"更高"等可以在這里被用于簡單地描述所示圖中一個元件或特征與另外(多個)元件或特征的關系?？梢岳斫獾氖?，該空間相對術語意圖除了包含圖中所示的取向以外，還包含所使用或操作的裝置的不同取向。例如，如果圖中的裝置被翻了過來，被描述為在其他元件或特征"之下"的元件那么就應該被定位為其他元件或特征"之上"。這樣，該示例行術語"在...之下"能夠包含所有的上面和下面的取向。因此，該裝置可以被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或其他取向)，并且這里使用的空間相對描述符進行了解釋。還有，這里所使用的"橫向"是指基本上與垂直方向正交的方向。這里使用的術語僅僅是用于描述特定實施例的目的，并不是要限制本發(fā)明。這里使用的單數(shù)形式"一"、"一個"、"這個"還意圖包括復數(shù)形式，除非上下文中清楚地表明例外。還可以理解的是，說明書中所用的"包括"和/或"包括著"是指存在狀態(tài)特征，整數(shù)，步驟，操作，元件，和/或部件，但是并不排除存在或增加一個或多個其他特征，整數(shù)，步驟，操作，元件，部件和/或組。這里參照截面說明來描述本發(fā)明的實施例，其中這些截面說明只是本發(fā)明理想實施例(和中間結構)的示意性說明。因此，作為例如制造技術和/或容差的結果可以期待圖示形狀的變化。這樣，本發(fā)明的實施例不應該被解釋為僅限于這里所述的特定區(qū)域形狀，而是應該包括從例如制造中衍化而來的形狀。例如，被圖示為矩形的注入?yún)^(qū)域?qū)⒌湫偷鼐哂袌A形或曲線特征，和/或在其邊緣上注入濃度的梯度，而不是從注入到非注入?yún)^(qū)的二元變化。同樣地，通過注入形成的埋置區(qū)可以在埋置區(qū)與發(fā)生注入表面之間的區(qū)域中導致一些注入。這樣，圖中所示區(qū)域本身僅僅是示意性的，并且它們的形狀并不是要說明該裝置區(qū)域的實際形狀，并且不是要限制本發(fā)明的范圍。除了有其他定義，這里使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有本發(fā)明所述領域的普通技術人員可以共同理解的相同的涵義。因此，這些術語可以包括今后產(chǎn)生的等同術語。還可以理解的是，術語，例如普通所使用字典中定義的術語，應該被解釋為具有與本說明書中以及相關技術的上下文中它們的涵義一致的涵義，并且不應該被解釋為理想化或過度的形式感覺，除非這里有特殊定義。這里提到的所有的公開，專利申請，專利，以及其他參考都在整體上被引入這里作為參考。根據(jù)如圖1A，1B和1C中所示本發(fā)明的一些實施例，集成電路存儲器裝置可以包括(多個)數(shù)字線101，(多個)位線103，以及電聯(lián)接在該(多個)數(shù)字線101與(多個)位線103之間的(多個)存儲器單元Mc。如圖1B和1C所示，在半導體集成電路基底105上以交叉點結構提供了多個數(shù)字線101、多個位線103、以及多個存儲器單元Mc，并且第一絕緣層107可以將該數(shù)字線101與半導體基底105分離開。另外，在第一絕緣層107與位線103之間可以提供第二絕緣層109，并且非歐姆裝置117(例如二極管和/或莫特躍遷層)可以與數(shù)字和位線101和103之間的各個存儲器單元Mc串聯(lián)地電聯(lián)接。此外，導電塞121a和121b可以在該存儲器單元Mc、非歐姆裝置117、和/或數(shù)字和位線101和103之間提供電聯(lián)接。通過使得該并聯(lián)數(shù)字線101相對于并聯(lián)位線103與存儲器單元Mc在它們的交叉點上正交，可以在讀寫操作期間由控制器119個別地對該存儲器單元Mc進行尋址。更具體地，每個存儲器單元Mc都可以包括在各個數(shù)字線101與各個位線103之間串聯(lián)電聯(lián)接的磁性存儲器元件111和阻抗存儲器元件115。每個磁性存儲器元件lll可以包括在自由磁層llla與固定磁層lllc之間的隧道絕緣層lllb;并且每個阻抗存儲器元件115可以包括阻抗存儲器材料層。雖然圖1A，1B，和1C的每個阻抗存儲器元件115都提供在磁性存儲器元件111與數(shù)字線101之間，但是根據(jù)本發(fā)明的其他實施例可以提供其他安排。例如，可以在阻抗存儲器元件115與數(shù)字線101之間提供磁性存儲器元件111。雖然圖1A，1B和1C的每個自由磁層llla都提供在固定磁層lllc與數(shù)字線101之間，但是也可以提供其他安排。例如，固定磁層lllc可以提供在自由磁層llla與數(shù)字線101之間。每個磁性存儲器元件111可以被編程為由該磁性存儲器元件111的自由磁層llla相對于固定磁層Illc的磁極化確定的至少兩種不同的磁阻狀態(tài)。每個阻抗存儲器元件115都可以被編程為由它的阻抗存儲器材料層的阻抗特性確定的至少兩個不同的阻抗狀態(tài)。將它們組合在一塊，這樣該存儲器單元Mc的磁性存儲器元件111和阻抗存儲器元件115就可以提供至少四個不同的存儲器狀態(tài)，因此在每個存儲器單元Mc中可以存儲至少兩個數(shù)據(jù)位。如圖1A中進一步所示，可以通過各個數(shù)字和位線101和103將控制器119與存儲器單元Mc電聯(lián)接。通過將不同的位線電流I—B/L應用于穿過位線103以及將不同的數(shù)字線電流I—D/L應用于穿過數(shù)字線101,該控制器U9可以被配置為將多個不同磁場Hx和/或Hy應用于存儲器單元Mc的磁性存儲器元件lll，以對該磁性存儲器元件lll的至少兩個不同磁阻狀態(tài)之一進行編程。通過要求兩個磁場Hx和Hy都被應用于存儲器單元Mc，以將數(shù)據(jù)寫入到存儲器單元Mc的磁性存儲器元件111中，可以在讀寫操作期間個別地對交叉點結構中的每個磁性存儲器元件111進行尋址。由于根據(jù)本發(fā)明實施例的磁阻編程為非易失性的，因此在沒有電流I一B/L和I_D/L以及磁場Hx和/或Hy時，以及在電源消失之后，也能夠保持磁性存儲器元件Ul的磁阻存儲器狀態(tài)。該控制器119還可以被配置為將多個不同電切換電流I一Sw應用于穿過包括阻抗存儲器元件115的存儲器單元MC，以對該阻抗存儲器元件115的至少兩個不同阻抗狀態(tài)之一進行編程。因此，可以個別地將每個存儲器單元Mc的阻抗存儲器元件115編程為至少兩個不同存儲器狀態(tài)之一。由于根據(jù)本發(fā)明實施例的阻抗編程為非易失性的，因此在沒有切換電流^Sw時以及在電源消失之后，也能夠保持阻抗存儲器元件115的阻抗存儲器狀態(tài)。此外，該控制器119可以被配置為串眹地或者至少部分在時間上重疊地，提供電切換電流I一Sw之一穿過存儲器單元Mc并且將多個不同磁場Hx和/或Hy之一應用于存儲器單元Mc。因此，可以在對阻抗存儲器元件115進行編程之前和/或之后對該磁性存儲器元件111進行編程，或者可以同時對該磁性存儲器元件111以及阻抗存儲器元件115進行編程。圖2的圖線中示出了根據(jù)本發(fā)明一些實施例的包括磁性存儲器元件111以及阻抗存儲器元件115的存儲器單元Mc的可編程存儲器狀態(tài)。特別地，線l、2、3、和4說明了在每個四個不同編程阻抗狀態(tài)下存儲器單元Mc的阻抗特性。例如，線1可以說明當該磁性存儲器元件111和阻抗存儲器元件U5兩者都被編程為相對低阻抗狀態(tài)("on(接通)"存儲器狀態(tài))時該存儲器單元Mc的阻抗特性；線2可以說明當該磁性存儲器元件111被編程為相對高阻抗狀態(tài)("off(斷開)"存儲器狀態(tài))以及阻抗存儲器元件115被編程為相對低阻抗狀態(tài)("on(接通)"存儲器狀態(tài))時該存儲器單元Mc的阻抗特性；線3可以說明當該磁性存儲器元件lll被編程為相對低阻抗狀態(tài)("on(接通)"存儲器狀態(tài))以及阻抗存儲器元件115被編程為相對高阻抗狀態(tài)("off(斷開)"存儲器狀態(tài))時該存儲器單元Mc的阻抗特性；以及線4可以說明當該磁性存儲器元件111和阻抗存儲器元件115兩者都被編程為相對高阻抗狀態(tài)("off(斷幵)"存儲器狀態(tài))時該存儲器單元Mc的阻抗特性。該控制器19還可以被配置為個別地將電信號應用于每個存儲器單元MC，以在至少四個不同的存儲器狀態(tài)之間加以區(qū)分，從而從存儲器單元MC中讀出至少兩個數(shù)據(jù)位。特別地，通過控制器19將讀取電流應用于穿過存儲器單元Mc，用以確定表示存儲器單元Mc的編程狀態(tài)的存儲器單元Mc的阻抗特性。雖然圖1B和1C中沒有示出，但是仍然可以通過使用常規(guī)技術將該控制器119個別地與每個位線101以及數(shù)字線103聯(lián)接，因此在讀和/或?qū)懖僮髌陂g可以個別地對每個存儲器單元Mc進行尋址。根據(jù)本發(fā)明實施例的存儲器單元Mc可以被再編程許多次。在將存儲器單元Mc編程為如上所述的第一編程阻抗狀態(tài)之后，例如，可以對該存儲器單元Mc進行再編程。更具體地，該控制器19可以將多個不同磁場中的第二個應用于存儲器單元Mc，以對該磁性存儲器元件111的至少兩個不同磁阻狀態(tài)中的第二個進行編程；以及該控制器119可以將多個不同電流中的第二個應用于穿過該存儲器單元Mc，以對該阻抗存儲器元件115的至少兩個不同阻抗狀態(tài)中的第二個進行編程。因此，可以利用不同于該兩個第一數(shù)據(jù)位以外的兩個第二數(shù)據(jù)位對該存儲器單元Mc進行編程。如上所述，該控制器119可以被配置為將電信號應用于該存儲器單元Mc，用以在至少四個不同的存儲器狀態(tài)之間加以區(qū)分，并因此從該存儲器單元中讀取兩個第二數(shù)據(jù)位。通過提供用于對存儲器單元Mc的阻抗存儲器元件115進行編程的電流大大小于可以改變該存儲器單元Mc的磁性存儲器元件lll的磁阻狀態(tài)(例如，由于旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)矩/動量轉(zhuǎn)移現(xiàn)象)的電流，就可以獨立地對相同存儲器單元Mc的阻抗存儲器元件115和磁性存儲器元件111進行編程。但是，如果用于對阻抗存儲器元件115進行編程的電流足以改變磁性存儲器元件的磁阻狀態(tài)，則需要在對相同存儲器單元Mc的阻抗存儲器元件115進行任何編程之后對該磁性存儲器元件111進行編程/再編程。此外，通過提供在讀取期間穿過該存儲器單元Mc的電流大大小于可以改變磁性存儲器元件111和/或阻抗存儲器元件任一的狀22態(tài)的電流，就可以對存儲器單元Mc進行許多讀操作，而不需要對它的阻抗存儲器元件115和/或磁性存儲器元件111的任一進行再編程。例如，可以通過在第一方向上提供磁場HX以及在第二方向上提供磁場Hy來將圖1A的磁性存儲器元件111編程為第一狀態(tài)。接著可以通過在第三方向(不同于第一方向)上提供磁場Hx以及在第四方向(不同于第二方向)上提供磁場Hy來將該磁性存儲器元件111再編程為第二狀態(tài)(不同于第一狀態(tài))。根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，可以通過在第一方向上提供切換電流I一Sw來將該圖1A的阻抗存儲器元件115編程為第一狀態(tài)，并且可以通過在第二方向(不同于第一方向)上提供切換電流I一Sw來將該阻抗存儲器元件115再編程為第二狀態(tài)(不同于第一狀態(tài))。根據(jù)本發(fā)明的其他實施例，通過提供第一量級/持續(xù)時間的切換電流I—Sw可以將圖1A的阻抗存儲器元件115編程為第一狀態(tài)，并且可以通過提供第二量級/持續(xù)時間(不同于第一量級/持續(xù)時間)的切換電流I_Sw可以將該阻抗存儲器元件115再編程為第二狀態(tài)(不同于第一狀態(tài))。因此，可以不需要改變該切換電流I一Sw的極性/方向。如上所述，每個磁性存儲器元件111都可以包括自由磁層llla，隧道絕緣層lllb，以及固定磁層lllc。例如，自由磁層llla可以包括CoFeB層；隧道絕緣層111b可以包括MgO和/或A10層；并且該固定磁層lllc可以包括合成反鐵磁性層(例如，包括CoFe、Ru、以及CoFeB層)和/或PtMn層。此外，每個導電塞121a和或121b都可以包括金屬、金屬氮化物(例如氮化鈦)、和/或摻雜多晶硅層。另外，該自由磁層llla可以包括與隧道絕緣層lllb相隔開的覆蓋層(例如Ta和/或Ti層)，和/或該固定磁層lllc可以包括與隧道絕緣層lllb相隔開的覆蓋層(例如Ta和/或Ti層)。在例如美國專利No.7，092，283，美國公開No.2006/0011958，美國公開No.2006/0022237，美國公開No.2006/0027846，美國公開No.2006/0034117，美國公開No.2006/0062044，以及美國公開No.2006/0083054中詳述了包括固定磁層，隧道絕緣層，以及自由磁層的磁性存儲器結構。上述每個參考專利以及專利公開所披露的內(nèi)容都在整體上被引入這里作為參考。如上所述，該阻抗存儲器元件115可以包括阻抗存儲器材料層。更具體地，根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，該阻抗存儲器材料可以包括氧化層例如金屬氧化物(例如MgO和域AlO)。根據(jù)本發(fā)明的其他實施例，阻抗存儲器材料層可以包括相變存儲器材料、鈣鈦礦材料、導電橋摻雜玻璃、有機材料(例如雙穩(wěn)態(tài)有機材料和/或多級有機材料)，二元過渡金屬氧化物，莫特躍遷層，和/或肖特基勢壘。如圖1A，1B和1C中所示，可以在每個存儲器單元Mc與各個位線103之間提供非歐姆裝置117。根據(jù)本發(fā)明的其他實施例，可以取而代之的是在每個存儲器單元Mc與各個數(shù)字線101之間提供非歐姆裝置。根據(jù)本發(fā)明的仍舊其他實施例，可以在每個存儲器單元Mc的阻抗存儲器元件115與磁性存儲器元件111之間提供非歐姆裝置。此外，每個非歐姆裝置117可以包括二極管(例如p-n結二極管或肖特基二極管)或莫特躍遷層。通過在圖1A-1C所示交叉點結構中提供非歐姆裝置，通過在一個方向上允許電流動而在其他方向上禁止電流動就可以有利于選擇各個存儲器單元。根據(jù)圖3A，3B，以及3C所示的本發(fā)明的一些其他實施例，集成電路存儲器裝置可以包括(多個)數(shù)字線101，(多個)位線103，以及電聯(lián)接在該(多個)數(shù)字線101與(多個)位線103之間的(多個)存儲器單元Mc'。圖3A，3B,以及3C的集成電路存儲器裝置的結構和操作與圖1A，1B，以及1C類似，為了簡明起見將不會重復對圖3A，3B和3C中相同的元件和操作的描述。特別地，圖3A，3B，以及3C中的基底105、第一絕緣層107、數(shù)字線101、第二絕緣層109、自由磁層llla、及固定磁層lllc、導電塞121a和121b、非歐姆裝置117，以及位線103可以與上面參照圖1A，1B，1C和2的描述相同。另外，圖3A的控制器119的操作可以與上面參照圖1A，1B，1C和2所述相同。在圖3A，3B，和3C中，阻抗和磁性存儲器元件可以集成在存儲器單元Mc'中。更具體地，該層lllb'可以同時起到阻抗存儲器材料層(如上面對阻抗存儲器元件115所述)與磁性存儲器元件的隧道絕緣層(如上面對隧道絕緣層lll所述)的作用。更具體地，該層lllb'可以包括金屬氧化物層例如MgO禾口/或AIO。因此，每個存儲器單元Mc'可以被編程為由該存儲器單元Mc'的自由磁層llla相對于固定磁層lllc的磁極化所確定的至少兩種不同的磁阻狀態(tài)。每個存儲器單元Mc'還可以被編程為由阻抗存儲器材料層lllb'的阻抗特性所確定的至少兩種不同的阻抗狀態(tài)。將其組合在一塊兒，該存儲器的單元Mc'的可編程磁阻以及阻抗狀態(tài)可以提供至少四個不同的存儲器狀態(tài)，使得在每個存儲器單元Mc'中可以存儲至少兩個數(shù)據(jù)位。使用位線電流I一B/L、數(shù)字線電流LD/L、磁場Hx和Hy，以及切換電流I_Sw來對該存儲器單元Mc'的磁阻和阻抗狀態(tài)進行編程的操作可以與上面參照圖1A,1B，1C和2的描述相同。此外，每個存儲器單元Mc'的可編程存儲器狀態(tài)結果可以與上面參照圖2的描述相同。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，該多位存儲器單元Mc禾口/或Mc'可以用在交叉點集成電路存儲器結構中。根據(jù)下面參照圖4A，4B和4C所述的本發(fā)明的其他實施例，多位存儲器單元Mc"可以用在l-晶體管/l-單元存儲器結構中，該多位存儲器單元Mc"可以實現(xiàn)為如上所述的關于圖1A、1B、和lC的多位存儲器單元Mc，或者圖3A、3B、和3C的多位存儲器單元Mc'的任一。如圖4A,4B，以及4C所示，每個多位存儲器單元Mc"可以電聯(lián)接在位線403與各個存儲器單元存取晶體管T的源極/漏極區(qū)域S/D之間。更具體地的，場氧化物區(qū)域F/0可以定義半導體基底451的激活區(qū)域，并且每個存儲器單元存取晶體管T可以包括在半導體基底451的激活區(qū)域的源極/漏極區(qū)域S/D之間的字線WL柵電極，以及在字線WL與基底451之間的柵絕緣層GI。此外，每個晶體管T的第二源極/漏極區(qū)域S/D可以通過導電塞457與接地電極GND電聯(lián)接。該接地電極GND和數(shù)字線401可以提供在第一絕緣層407上，因此該數(shù)字線與字線WL分開。此外，可以在第二絕緣層409上提供導電層435，因此該導電層435與該數(shù)字線401分開。每個存儲器單元Mc，，可以串聯(lián)地與各個導電層435和數(shù)字線403之間的導電塞421a及421b電聯(lián)接，并且每個導電層435可以通過各個導電塞433與各個源極/漏極區(qū)域S/D電聯(lián)接。此外，該存儲器單元Mc"和導電塞421a及421b可以延伸穿過第三絕緣層431，并且該數(shù)字線可以提供在第三絕緣層431上、以及導體塞421b的暴露部分上。這樣，字線WL和數(shù)字線401可以是平行的，并且位線403可以與字線WL以及數(shù)字線401正交。此外，每個存儲器單元Mc"都可以物理地提供在各個數(shù)字和位線401和403之間、在它們的交叉處，并且每個存儲器單元Mc"都可以在各個位線403與存儲器單元存取晶體管T之間電聯(lián)接?？刂破?09可以個別地與每個字線WL聯(lián)接，個別地與每個數(shù)字線401聯(lián)接，并且個別地與每個位線403聯(lián)接。這樣，就可以將每個存儲器單元Mc"編程為由存儲器單元Mc"的自由磁層相對于存儲器單元Mc"的固定磁層的磁極化確定的至少兩個不同的磁阻狀態(tài)。還可以將每個存儲器單元Mc"編程為由存儲器Mc"的阻抗存儲器材料層的阻抗特性確定的至少兩個不同的阻抗狀態(tài)。將它們組合在一塊兒，每個存儲器單元Mc"的可編程磁阻和阻抗狀態(tài)就可以提供至少四個不同的存儲器狀態(tài)，因此至少兩個數(shù)據(jù)位可以被存儲器在每個存儲器單元Mc"中。每個存儲器單元Mc"的可編程存儲器狀態(tài)結果可以與上面參照圖2所述的一樣。使用電流穿過各個位和數(shù)字線403和401來生成穿過存儲器單元Mc"的各個磁場來對存儲器單元Mc"的磁阻狀態(tài)進行編程的控制器419的操作可以與上面參照圖1A-1C和/或3A-3C所述的操作一樣，其中各個存儲器單元存取晶體管T被斷開，以降低/防止電流流經(jīng)該存儲器單元Mc"。對存儲器單元Mc"的阻抗狀態(tài)進行編程的控制器419的操作可以包括接通各個存儲器單元存取晶體管T，以及生成流經(jīng)各個位線403、存儲器單元Mc"、以及晶體管T的電流。用于對存儲器單元Mc"的特定阻抗狀態(tài)進行編程的電流的特性可以與上面參照圖1A-C和/或3A-3C所述的一樣。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，可以通過將磁場應用于存儲器單元來對多位存儲器單元(Mc，Mc'，和/或Mc")的磁阻狀態(tài)進行編程，并且通過將電流應用于穿過存儲器單元來對該多位存儲器單元的阻抗狀態(tài)進行編程。根據(jù)本發(fā)明的其他實施例，可以通過將各個電流應用于穿過存儲器單元，可以對多位存儲器單元的磁阻和阻抗狀態(tài)兩者進行編程，其中提供使用大大低于對另一狀態(tài)進行編程/再編程所需的電流的電流可以對狀態(tài)之一進行編程。例如，可以根據(jù)旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)矩/動量轉(zhuǎn)移現(xiàn)象來對多位存儲器單元的磁阻狀態(tài)進行編程，其中要求的電流要大大高于對存儲器單元的阻抗狀態(tài)進行編程所可能需要的電流。接著，可以使用不會改變已被編程的磁阻狀態(tài)的、顯著更低的電流來對多位存儲器單元的阻抗狀態(tài)進行編程/再編程。因此，可以要求對多位存儲器單元的阻抗狀態(tài)進行編程跟在對存儲器單元的磁阻狀態(tài)進行編程之后，這是因為每次對磁阻狀態(tài)進行編程時都可能改變阻抗狀態(tài)的狀態(tài)。如上面參照圖1A-1C所述，每個阻抗存儲器元件115都可以包括阻抗存儲器材料層，例如金屬氧化物(例如MgO和/或AIO)，相變存儲器材料，鈣鈦礦材料，導&02等)，莫特躍遷層，和/或肖特基勢壘。存儲器單元中用于儲存第二數(shù)據(jù)位的阻抗存儲器材料層可以提供相對較高的感應余量(即，>10x)，相對較低的工作電壓(即，<3V)，以及相對好的熱穩(wěn)定性。此外，磁阻和阻抗存儲器元件之間的串擾可以相對較低，和/或阻抗存儲器材料可以基本上對尺寸不敏感。阻抗存儲器裝置中使用的相變存儲器材料(例如硫族化物材料，例如包括Ge、Sb、以及Te的合金)已經(jīng)通過如下方式進行了描述，即美國專利No.5,166,758，標題為"ElectricallyErasablePhaseChangeMemory(電可擦除相變存儲器)"；美國專利No.6,507,061，標題為"MultipleLayerPhase-ChangeMemory(多層相變存儲器)"；美國專禾UNo.7，037，749，標題為"MethodsForFormingPhaseChangeableMemoryDevices(形成可相變存儲器裝置的方法)"；美國專利No.7,042,001，標題為"PhaseChangeMemorydevicesIncludingMemoryElementsHavingVariableCross-SectionalAreas(包括具有可變橫截面積的存儲器元件的相變存儲器裝置)"；以及美國專利No.7,061,013，標題為"PhaseChangeStorageCellsForMemoryDevices,MemoryDevicesHavingPhaseChangeStorageCellsAndMethodsOfFormingTheSame(用于存儲器裝置的相變存儲單元，具有相變存儲單元的存儲器裝置及其形成方法)"。上述各個參考專利所披露的內(nèi)容都在整體上被引入這里作為參考。阻抗存儲器裝置中使用的鈣鈦礦材料可以包括CMR材料(例如Pr0.7Ca。.3MnO3)，過渡金屬氧化物(例如摻雜Cr的SrZr03和/或摻雜Cr的SrTi03)，和/或鐵電材料(例如鋯鈦酸鉛，也被稱為PZT)。存儲器裝置中使用CMR材料已經(jīng)通過如下方式進行了描述，即IEEE，2002，中Zhuang等所著的"NovellColossalMagnetoresistiveThinFilmNonvolatileResistanceRandomAccessMemory(MRAM)(新型巨磁阻薄膜非易失性阻抗隨機存取存儲器(MRAM))"，2002年5月8日的AppliedPhysicsLetters(APL)第76巻第19期2749-2751頁中Liu等所著的"Electric-Pulse-InducedReversibleResistanceChangeEffectInMagnetoresistiveFilms(磁阻薄膜中電脈沖引導可逆阻抗變化效果)"，以及美國專利No.6,870,755'標題為"Re-WritableMemoryWithNon-LinearMemoryElement(具有非線性存儲器元件的可重寫存儲器)"。存儲器裝置中使用過渡金屬氧化物已經(jīng)通過如下方式進行了描述，即IBMZurich研究實驗室，標題為"ResistanceChangeMemory:Transition-MetalOxiadesForNonvolatileMemoryApplications(阻抗變化存儲器用于非易失性存儲器應用的過渡金屬氧化物)"，h加:〃wwwZurich,imb.com/st/storage/resistance.html。存儲器裝置中使用鐵電材料已經(jīng)通過如下方式進行了描述，即美國專利No.7，106，617，標題為"FerroelectricMemoryDevicesHavingAPlateLineControlCircuitAndMethodsForOperatingTheSame(具有板線控制電路的鐵電存儲器裝置及其操作方法)"，美國專利No.6,982,447，標題為"FerroelectricMemoryDevice(鐵電存儲器裝置)"，以及美國專利No.6,075,264，標題為"StructureOfAFerroelectricMemoryCellAndMethodsOfFabricatingIt(鐵電存儲器單元的結構及其制造方法)"。上述各個參考專利和公開所披露的內(nèi)容都在整體上被引入這里作為參考。阻抗存儲器裝置中使用導電橋摻雜玻璃已經(jīng)通過如下方式進行了描述，即2003年非易失性存儲器技術研討會會議記錄中Symanczyk等所著的為"ElectricalCharacterizationOfSolidStateIonicMemoryElements(固態(tài)離子存儲器元件的電特性)"。存儲器裝置中使用有機材料已經(jīng)通過如下方式進行了描述，即2002年4月22日的AppliedPhysicsLetters(APL)第80巻第16期2997-2999頁中Ma等所著的"OrganicElectricalBistableDevicesAndRewritableMemoryCells(有機電雙穩(wěn)態(tài)裝置以及可重寫存儲器單元)"，以及2003年8月11日的AppliedPhysicsLetters(APL)第83巻第6期1252-1254頁中Oyamada等所著的"SwitchingEffectInCu:TCNQChargeTransfer-ComplexThinFilmsByVacuumCodeposition(通過真空共沉積的Cu:TCNQ電荷轉(zhuǎn)移-配合物薄膜中的切換效應)"。阻抗存儲器裝置中使用二元過渡金屬氧化物已經(jīng)通過如下方式進行了描述，即2004年12月的IDEM技術摘要第587-590頁中Baek等所著的"HighlyScalableNonvolatileResistiveMemoryUsingSimpleBinaryOxideDrivenByAsymmetricUnipolarVoltagePulses(使用由不對稱單極電壓脈沖驅(qū)動的簡單二元氧化物的大尺寸非易失性阻抗存儲器)"，以及2005年12月的IDEM技術摘要第750-753頁中Baek等所著的"Multi-LayerCross-PointBinaryOxideResistiveMemory(OxRRAM)ForPost-NANDStorageApplication(用于后NAND存儲應用的多層交叉點二元氧化物阻抗存儲器(OxRRAM))"。莫特躍遷層已經(jīng)在例如如下參考文獻中詳述，即Phys.Rev丄ett.92，178302(2004)中Rozenberg等所著的"NonvolatileMemoryWithMultilevelSwitching:ABasicModel(具有多級切換的非易失性存儲器基本模型)"。上述各個參考專利和公開所披露的內(nèi)容都在整體上被引入這里作為參考。根據(jù)上述本發(fā)明的實施例，集成電路存儲器裝置可以包括集成電路基底，以及該集成電路基底上的多位存儲器單元。并且該多位存儲器單元可以被配置為通過改變該多位存儲器單元的第一特性來儲存第一數(shù)據(jù)位。該多位存儲器單元還可以被配置為通過改變該多位存儲器單元的第二特性來儲存第二數(shù)據(jù)位，并且該第一和第二特性可以不同。另外，根據(jù)本發(fā)明實施例的多位存儲器單元陣列可以排列為交叉點結構陣列和/或字線結構陣列。更具體地，該多位存儲器單元可以包括自由磁層，固定磁層，以及阻抗存儲器材料層。此外，該第一特性可以包括由自由磁層相對于固定磁層的磁極化確定的磁阻狀態(tài)，并且該第二特征可以包括由阻抗存儲器材料層的阻抗定義的阻抗狀態(tài)。該阻抗存儲器材料層，例如，可以包括金屬氧化物，相變存儲器材料，鈣鈦礦材料，導電橋摻雜玻璃，有機材料，二元過渡金屬氧化物，莫特躍遷層，和/或肖特基勢壘。雖然已經(jīng)具體示出了本發(fā)明并且參照它的實施例對其進行了描述，但是本領域內(nèi)的普通技術人員可以理解的是，在不脫離如所附權利要求規(guī)定的本發(fā)明的精神和范疇的情況下，可以有各種形式和細節(jié)上的變化。權利要求1.一種集成電路存儲器裝置，包括集成電路基底；所述集成電路基底上的存儲器單元，其中所述存儲器單元可以被編程為由自由磁層相對于固定磁層的磁極化確定的至少兩種不同的磁阻狀態(tài)、和由阻抗存儲器材料層的阻抗特性確定的至少兩種不同的阻抗狀態(tài)，以便為所述存儲器單元提供至少四種不同的存儲器狀態(tài)；以及與所述存儲器單元電聯(lián)接的控制器，其中所述控制器被配置為將多個不同磁場之一應用于所述存儲器單元以對所述至少兩種不同的磁阻狀態(tài)之一進行編程，以及將多個不同電信號之一應用于穿過所述存儲器單元以對所述至少兩種不同的阻抗狀態(tài)之一進行編程，從而通過至少兩個數(shù)據(jù)位來對所述存儲器進行編程；以及其中所述控制器被配置為將電信號應用于所述存儲器單元以在所述至少四種不同的存儲器狀態(tài)之間加以區(qū)分，并且由此從所述存儲器單元中讀出所述至少兩個數(shù)據(jù)位。2.根據(jù)權利要求1的集成電路存儲器裝置，其中所述阻抗存儲器材料層包括位于第一和第二電極層之間的氧化層。3.根據(jù)權利要求1的集成電路存儲器裝置，其中所述控制器進一步被配置為將所述多個不同磁場中的第二個應用于所述存儲器單元以對所述至少兩種不同的磁阻狀態(tài)中的第二種進行編程，以及將所述多個不同電信號中的第二個應用于穿過所述存儲器單元以對所述至少兩種不同的阻抗狀態(tài)中的第二種進行編程，從而利用不同于兩個第一數(shù)據(jù)位的兩個第二數(shù)據(jù)位來對所述存儲器單元進行編程；并且其中所述控制器被配置為將電信號應用于所述存儲器單元以在所述至少四種不同的存儲器狀態(tài)之間加以區(qū)分，并且由此從所述存儲器單元中讀出所述兩個第二數(shù)據(jù)位。4.根據(jù)權利要求1的集成電路存儲器裝置，還包括聯(lián)接在所述控制器與所述存儲器單元之間的第一導線；以及聯(lián)接在所述控制器與所述存儲器單元之間的第二導線，其中所述存儲器單元電聯(lián)接在所述第一與第二導線之間；并且其中所述第一和第二導線是非平行的。5.根據(jù)權利要求4的集成電路存儲器裝置，其中所述存儲器單元包括具有所述固定和自由磁層的磁性存儲器元件、以及具有所述阻抗存儲器材料層的阻抗存儲器元件，其中所述磁性存儲器元件和所述阻抗存儲器元件串聯(lián)地電聯(lián)接在所述第一和第二導線之間。6.根據(jù)權利要求1的集成電路存儲器裝置，還包括與所述第一和第二導線之間的所述存儲器單元串聯(lián)聯(lián)接的非歐姆裝置。7.根據(jù)權利要求6的集成電路存儲器裝置，其中所述非歐姆裝置包括二極管和/或莫特躍遷層。8.根據(jù)權利要求1的集成電路存儲器裝置，還包括位線，聯(lián)接在所述控制器與所述存儲器單元之間；存儲器單元存取晶體管，其中所述存儲器單元電聯(lián)接在所述位線與所述存儲器單元存取晶體管的源極/漏極區(qū)域之間；以及字線，電聯(lián)接在所述控制器與所述存儲器單元存取晶體管的控制電極之間。9.根據(jù)權利要求8的集成電路存儲器裝置，其中所述存儲器單元包括具有所述固定和自由磁層的磁性存儲器元件、以及具有所述阻抗存儲器材料層的阻抗存儲器元件，其中所述磁性存儲器元件和所述阻抗存儲器元件串聯(lián)地電聯(lián)接在所述位線與所述存儲器單元存取晶體管的源極/漏極區(qū)域之間。10.根據(jù)權利要求1的集成電路存儲器裝置，其中所述阻抗存儲器材料層在所述自由與固定磁層之間。11.根據(jù)權利要求io的集成電路存儲器裝置，其中所述阻抗存儲器材料層包括金屬氧化物。12.根據(jù)權利要求1的集成電路存儲器裝置，其中所述磁層之一位于所述磁層中的另一個與所述阻抗存儲器材料層之間。13.根據(jù)權利要求1的集成電路存儲器裝置，其中所述阻抗存儲器材料層包括相變存儲器材料、鈣鈦礦材料、導電橋摻雜玻璃、有機材料、二元過渡金屬氧化物、莫特躍遷層，和/或肖特基勢壘。14.根據(jù)權利要求1的集成電路存儲器裝置，其中將所述電信號應用于所述存儲器單元以對所述至少四種不同的存儲器狀態(tài)加以區(qū)分包括使相同的電流穿過所述阻抗存儲器材料層以及穿過所述自由和固定磁層。15.根據(jù)權利要求1的集成電路存儲器裝置，其中將多個不同電信號之一應用于穿過所述存儲器電源以對所述至少兩種不同的阻抗狀態(tài)之一進行編程包括使多個不同電流之一穿過所述阻抗存儲器材料層以及穿過所述自由和固定磁層。16.—種操作集成電路存儲器裝置的方法，所述存儲器裝置包括存儲器單元，所述存儲器單元可以被編程為由自由磁層相對于固定磁層的磁極化確定的至少兩種不同的磁阻狀態(tài)、以及由阻抗存儲器材料層的阻抗特性確定的至少兩種不同的阻抗狀態(tài)，以便為所述存儲器單元提供至少四種不同的存儲器狀態(tài)；所述方法包括將多個不同磁場之一應用于所述存儲器單元，以對所述至少兩種不同的磁阻狀態(tài)之一進行編程；將多個不同電信號之一應用于穿過所述存儲器單元，以對所述至少兩種不同的阻抗狀態(tài)之一進行編程；以及將電信號應用于所述存儲器單元，以在所述至少四種不同的存儲器狀態(tài)之間加以區(qū)分，從而從所述存儲器單元中讀取至少兩個數(shù)據(jù)位。17.根據(jù)權利要求16的方法，還包括將所述多個不同磁場中的第二個應用于所述存儲器單元，以對所述至少兩種不同的磁阻狀態(tài)中的第二種進行編程；將所述多個不同電信號中的第二個穿過所述存儲器單元，以對所述至少兩種不同的阻抗狀態(tài)中的第二種進行編程；以及將電信號應用于所述存儲器單元，以在所述至少四種不同的存儲器狀態(tài)之間加以區(qū)分，從而從所述存儲器單元中讀取至少兩個第二數(shù)據(jù)位，其中所述至少兩個第二數(shù)據(jù)與至少兩個第一數(shù)據(jù)位不同。18.根據(jù)權利要求16的方法，其中所述阻抗存儲器材料層位于所述自由和固定磁層之間。19.根據(jù)權利要求16的方法，其中所述磁層之一位于所述磁層中的另一個與所述阻抗存儲器材料層之間。20.根據(jù)權利要求16的方法，其中所述阻抗存儲器材料層包括相變存儲器材料、鈣鈦礦材料、導電橋摻雜玻璃、有機材料、二元過渡金屬氧化物、莫特躍遷層，和/或肖特基勢壘。21.根據(jù)權利要求16的方法，其中將所述電信號應用于所述存儲器單元以對所述至少四種不同的存儲器狀態(tài)加以區(qū)分包括使相同的電流穿過所述阻抗存儲器材料層以及穿過所述自由和固定磁層。22.根據(jù)權利要求16的方法，其中將多個不同電信號之一應用于穿過所述存儲器電源以對所述至少兩種不同的阻抗狀態(tài)之一進行編程包括使多個不同電流之一穿過所述阻抗存儲器材料層以及所述自由和固定磁層。23.—種集成電路存儲器裝置，包括集成電路基底；在所述集成電路基底上的存儲器單元，其中所述存儲器單元包括磁性存儲器元件，包括自由磁層和固定磁層，其中所述磁性存儲器元件可以被編程為由所述自由磁層相對于所述固定磁層的磁極化確定的至少兩種不同的磁阻狀態(tài)，以及阻抗存儲器元件，包括阻抗存儲器材料層，其中所述阻抗存儲器元件可以被編程為由所述阻抗存儲器材料層的阻抗特性確定的至少兩種不同的阻抗狀態(tài)，以便為所述存儲器單元提供至少四種不同的存儲器狀態(tài)，其中所述自由磁層、所述固定磁層和所述阻抗存儲器材料層是串聯(lián)地電聯(lián)接的，以及其中所述自由磁層和所述固定磁層之一位于所述阻抗存儲器材料層與所述自由磁層和所述固定磁層的另一個之間。24.根據(jù)權利要求23的集成電路存儲器裝置，還包括位于所述集成電路基底上的第一和第二導線，其中所述存儲器單元電聯(lián)接在所述第一和第二導線之間。25.根據(jù)權利要求24的集成電路存儲器裝置，還包括-與所述第一和第二導線之間的所述存儲器單元串聯(lián)聯(lián)接的非歐姆裝置。26.根據(jù)權利要求25的集成電路存儲器裝置，其中所述非歐姆裝置包括二極管和/或莫特躍遷層中的至少一個。27.根據(jù)權利要求23的集成電路存儲器裝置，還包括位線，與所述存儲器單元聯(lián)接；以及存儲器單元存取晶體管，其中所述存儲器單元電聯(lián)接在所述位線與所述存儲器單元存取晶體管的源極/漏極區(qū)域之間。28.根據(jù)權利要求27的集成電路存儲器裝置，還包括-在所述存儲器單元與所述集成電路基底之間的數(shù)字線，從而使所述存儲器單元位于所述數(shù)字線與所述位線之間；以及位于所述數(shù)字線與所述存儲器單元存取晶體管之間的絕緣層。29.根據(jù)權利要求23的集成電路存儲器裝置，其中所述阻抗存儲器材料層包括金屬氧化物。30.根據(jù)權利要求23的集成電路存儲器裝置，其中所述阻抗存儲器材料層包括相變存儲器材料、鈣鈦礦材料、導電橋摻雜玻璃、有機材料、二元過渡金屬氧化物、莫特躍遷層，和/或肖特基勢壘。31.根據(jù)權利要求23的集成電路存儲器裝置，還包括與所述存儲器單元電聯(lián)接的控制器，其中所述控制器被配置為將多個不同磁場之一應用于所述存儲器單元以對所述至少兩種不同的磁阻狀態(tài)之一進行編程，以及將多個不同電信號之一應用于穿過所述存儲器單元以對所述至少兩種不同的阻抗狀態(tài)之一進行編程，從而利用至少兩個數(shù)據(jù)位來對所述存儲器進行編程；并且其中所述控制器被配置為將電信號應用于所述存儲器單元，以在所述至少四種不同的存儲器狀態(tài)之間加以區(qū)分，并且由此從所述存儲器單元中讀出至少兩個數(shù)據(jù)位。32.根據(jù)權利要求31的集成電路存儲器裝置，其中所述控制器進一步被配置為將所述多個不同磁場中的第二個應用于所述存儲器單元以對所述至少兩種不同的磁阻狀態(tài)中的第二種進行編程，以及將所述多個不同電信號中的第二個應用于穿過所述存儲器單元以對所述至少兩種不同的阻抗狀態(tài)中的第二種進行編程，從而利用不同于兩個第一數(shù)據(jù)位的兩個第二數(shù)據(jù)位來對所述存儲器單元進行編程；并且其中所述控制器被配置為將電信號應用于所述存儲器單元，以在所述至少四種不同的存儲器狀態(tài)之間加以區(qū)分，并且由此從所述存儲器單元中讀出所述兩個第二數(shù)據(jù)位。33.根據(jù)權利要求31的集成電路存儲器裝置，還包括第一導線，聯(lián)接在所述控制器與所述存儲器單元之間；以及第二導線，聯(lián)接在所述控制器與所述存儲器單元之間，其中所述存儲器電聯(lián)接在所述第一和第二導線之間，以及其中所述第一和第二導線是非平行的。34.根據(jù)權利要求31的集成電路存儲器裝置，其中將所述電信號應用于所述存儲器單元以對所述至少四種不同的存儲器狀態(tài)加以區(qū)分包括使相同的電流穿過所述阻抗存儲器材料層以及穿過所述自由和固定磁層。35.根據(jù)權利要求31的集成電路存儲器裝置，其中將多個不同電信號之一應用于穿過所述存儲器單元以對所述至少兩種不同的阻抗狀態(tài)之一進行編程包括使多個不同電流之一穿過所述阻抗存儲器材料層以及穿過所述自由和固定磁層。36.—種集成電路存儲器裝置，包括集成電路基底；以及在所述集成電路基底上的多位存儲器單元，其中所述多位存儲器單元被配置為通過改變所述多位存儲器單元的第一特性來儲存第一數(shù)據(jù)位，以及通過改變所述多位存儲器單元的第二特性來儲存第二數(shù)據(jù)位，其中所述第一特性和第二特性不同。37.根據(jù)權利要求36的集成電路存儲器裝置，還包括與所述多位存儲器單元電聯(lián)接的控制器，其中所述控制器被配置為將多個不同磁場之一應用于所述多位存儲器單元以改變所述多位存儲器單元的所述第一特性，從而將所述第一位編程給第一狀態(tài)；以及將多個不同電信號之一應用于穿過所述多位存儲器單元以改變所述多位存儲器單元的所述第二特性，從而將所述第二位編程給第二狀態(tài)。38.根據(jù)權利要求37的集成電路存儲器裝置，其中所述控制器進一步被配置為將多個不同磁場中的第二個應用于所述多位存儲器單元以改變所述多位存儲器單元的所述第一特性，從而將所述第一位編程給第三狀態(tài)；以及將多個不同電信號中的第二個應用于穿過所述多位存儲器單元以改變所述多位存儲器單元的所述第二特性，從而將所述第二位編程給第四狀態(tài)；其中所述第一和第三狀態(tài)不同，并且其中所述第二和第四狀態(tài)不同。39.根據(jù)權利要求36的集成電路存儲器裝置，其中所述多位存儲器單元包括自由磁層、固定磁層、以及阻抗存儲器材料層，其中所述第一特性包括由所述自由磁層相對于所述固定磁層的磁極化確定的磁阻狀態(tài)，以及其中所述第二特性包括由所述阻抗存儲器材料層的阻抗確定的阻抗狀態(tài)。40.根據(jù)權利要求39的集成電路存儲器裝置，其中所述阻抗存儲器材料層包括金屬氧化物、相變存儲器材料、鈣鈦礦材料、導電橋摻雜玻璃、有機材料、二元過渡金屬氧化物、莫特躍遷層，和/或肖特基勢壘。全文摘要一種集成電路存儲器裝置可以包括集成電路基底，以及在所述集成電路基底上的多位存儲器單元。所述多位存儲器單元可以被配置為通過改變所述多位存儲器單元的第一特性來儲存第一數(shù)據(jù)位，以及通過改變所述多位存儲器單元的第二特性來儲存第二數(shù)據(jù)位。此外，所述第一和第二特性可以不同。還描述了相關方法。文檔編號G11C11/16GK101256831SQ200810004459公開日2008年9月3日申請日期2008年1月30日優(yōu)先權日2007年1月30日發(fā)明者南坰兌,吳世忠,李將銀,白寅圭,鄭峻昊申請人:三星電子株式會社