專利名稱：用于生成nand閃存中的軟信息的系統(tǒng)和方法
用于生成NAND閃存中的軟信息的系統(tǒng)和方法相關(guān)串請的交叉引用本公開內(nèi)容要求于2011年5月23日提交的美國臨時申請No. 61/489，108的權(quán)益，該申請以引用的方式全部并入本文。
背景技術(shù)：
在此提供的背景描述是出于大體上呈現(xiàn)本公開內(nèi)容的上下文的目的。本發(fā)明的發(fā)明人的工作，就在本背景描述部分中描述的程度而言，以及在遞交時不適合作為現(xiàn)有技術(shù)的說明書的方面而言，既不明示也不暗示地承認(rèn)它們?yōu)楸竟_內(nèi)容的現(xiàn)有技術(shù)。存儲器單元(特別是NAND閃存存儲器單元)通過在晶體管的浮動?xùn)艠O中存儲不同量的電荷而存儲比特，并且因此呈現(xiàn)不同量的閾值電壓。附加地，噪聲影響使得包含相同 存儲比特的單元具有不同的閾值電壓。由于這些問題，存儲器單元并不具有固定的閾值電壓，而是形成閾值電壓分布。當(dāng)前的閃存存儲器設(shè)備并不能提供直接測量它們的閾值電壓的能力。然而，需要知道存儲器單元的固有閾值電壓以便正確地讀取存儲在這些存儲器單元中的比特。用于確定存儲器單元的軟信息(即，對存儲器單元的固有閾值電壓的估計)的當(dāng)前方法既沒有魯棒性也不高效。當(dāng)前方法利用一系列在多遍讀取中的單調(diào)遞增或者單調(diào)遞減的參考電壓來探測存儲器單元。然而，如果這種多遍讀取中所施加的參考電壓之一不再按照單調(diào)遞增或者單調(diào)遞減順序，則軟信息生成方法會被損壞。該損壞是由于當(dāng)前方法將 混亂的參考電壓的電壓值與期望參考電壓的電壓值混淆而產(chǎn)生的。由于存儲器單元的測量輸出并不與正確的參考電壓值相關(guān)聯(lián)，因此這種錯誤導(dǎo)致軟信息生成方法的損壞。另外，由于在實際存儲器設(shè)備中的由測量不精確和影響讀取操作的噪聲而導(dǎo)致的讀取間變化，來自一個單元的測量輸出可能與來自同一單元的先前讀取抵觸。當(dāng)前方法不能處理此類不一致性。

發(fā)明內(nèi)容
提供了用于生成與存儲器單元的閾值電壓有關(guān)的軟信息的系統(tǒng)和方法。具體而言，這些系統(tǒng)和方法涉及高效地克服以下問題，即當(dāng)前的軟信息生成方法不能夠處理存儲器設(shè)備中存在的讀取間變化和參考電壓在多遍讀取中不再按照單調(diào)遞增序列。在某些實施方式中，向存儲器單元施加參考信號，并且可以測量存儲器單元的輸出。在某些實現(xiàn)方式中，測量存儲器單元的輸出可以包括向存儲器單元施加參考信號，向存儲器單元發(fā)布讀取命令以及讀出該存儲器單元中的存儲比特。在某些實施方式中，參考信號可以包括電壓值，并且還可以包括位置信息。在某些實施方式中，若干個容器(bin)劃分存儲器單兀的閾值電壓值的范圍。在某些實施方式中，這些容器之一可以由參考信號的位置信息標(biāo)識。在某些實施方式中，可以基于存儲器單元的輸出和參考信號的電壓值將所標(biāo)識的容器分裂為兩個或者更多個容器。在某些實現(xiàn)方式中，分裂的容器的邊界可以基于參考信號的電壓值確定。
在某些實施方式中，可以向所有容器指派索引。在某些實現(xiàn)方式中，可以基于存儲器單元的測量輸出向新分裂的容器指派索引。在某些實現(xiàn)方式中，還可以向未分裂的容器指派新的索引。在某些實現(xiàn)方式中，參考信號的位置信息可以包含標(biāo)識施加的參考信號相對于向存儲器單元的所有其他先前施加的參考信號的相對位置。在另一實現(xiàn)方式中，參考信號的位置信息可以包括參考信號的電壓值對應(yīng)于哪個容器的指示。 在某些實施方式中，可以將參考信號從參考電壓控制單位傳送到容器索引生成單位。參考電壓控制單位可以生成參考信號，而容器索引生成單位可以分裂由參考信號標(biāo)識的容器。在某些實施方式中，可以檢測來自存儲器單元的無效的測量輸出。響應(yīng)于檢測到這種無效的測量存儲器輸出，可以獨立于測量輸出的有效性向未分裂的容器指派新的索引。在某些實施方式中，容器索弓I可以被指派成使得以數(shù)字遞增順序布置所有容器索 引。


在結(jié)合所附附圖考慮以下詳細描述之后，本公開內(nèi)容的以上和其他目標(biāo)和優(yōu)勢將變得明顯，在附圖中，貫穿附圖類似的參考文字指代類似的部分，并且在附圖中圖I示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的某些實施方式的生成存儲器單元的軟信息的例示性系統(tǒng)；圖2示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的若干實施方式的描繪了經(jīng)索引的容器與存儲器單元的閾值電壓值之間的關(guān)系的例示性圖；圖3A示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的其中參考信號被示出為知道其相對于施加到存儲器單元的先前參考信號的相對位置的例示性圖；圖3B示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的其中參考信號被示出為知道其關(guān)于先前存在的容器的電壓值的例示性圖；圖4A示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的各個實施方式的用于描繪用于增加容器索引分辨率以改善軟信息生成過程的過程的例示性圖表；圖4B示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的各個實施方式的描繪了用于增加容器索引分辨率以改善軟信息生成過程的過程的例示性圖；圖5示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的若干實施方式的描繪用于生成軟信息的過程的例示性流程圖；以及圖6示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的若干實施方式的描繪用于生成軟信息的過程的另一個例示性流程。
具體實施例方式本公開內(nèi)容大體上涉及生成存儲器單元的閾值電壓值的軟信息。出于例示性的目的，在固態(tài)存儲器設(shè)備(例如，閃存存儲器設(shè)備)的上下文中描述本公開內(nèi)容。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本公開內(nèi)容的教導(dǎo)同樣可適于對于控制器電路而言具有待讀取單元(例如，隨機存取存儲器設(shè)備、可編程邏輯設(shè)備、非易失性存儲器、易失性存儲器、FeRAM, CBRAM、PRAM、SONOS、RRAM、賽道(Racetrack)存儲器、NRAM以及千足蟲(Millipede)存儲設(shè)備)的固有閾值電壓值的軟新信息而言有益的任何其他電子存儲系統(tǒng)。這種軟信息可以進一步在軟決策糾錯解碼中使用。例如，控制器電路可以要求關(guān)于存儲器單元的固有閾值電壓的信息以正確地讀取存儲值，以便對存儲器單元中的存儲值執(zhí)行糾錯。圖I不出了根據(jù)本公開內(nèi)容的某些實施方式的例不性系統(tǒng)100。系統(tǒng)100包括參考電壓控制單位102、容器索引生成單位104和閃存存儲器單元106。參考電壓控制單位102和容器索引生成單位104可以共同作為控制器110。存儲器單元106可以包括電子存儲設(shè)備(例如，閃存存儲器設(shè)備、隨機存取存儲器設(shè)備、可編程邏輯設(shè)備、非易失性存儲器、易失性存儲器、FeRAM, CBRAM、PRAM、SONOS, RRAM、賽道存儲器、NRAM以及千足蟲存儲設(shè)備)。在某些實施方式中，存儲器單元106可以是一個存儲器單元。在其他實施方式中，存儲器單元106可以是單獨或者組合使用以及并行或者串行使用的多個存儲器單元。存儲器單元106可以通過存儲不同量的電荷來存儲比特，并且因此不同存儲器單元可以呈現(xiàn)不 同量的閾值電壓。相應(yīng)地，存儲相同比特的不同存儲器單元可能由于噪聲而具有不同的固有閾值電壓。這些存儲器單元可以形成閾值電壓值的分布，而不是針對每個單元具有固定的電壓值。因此，能夠知道特定存儲器單元的閾值電壓處于閾值電壓分布的哪個位置以便正確并且高效地讀取存儲比特是有用的?？刂破?10通過向存儲器單元施加參考信號來讀取存儲比特。在一個實施方式中，依賴于閾值電壓是高于還是低于參考電壓，存儲器單元中的晶體管導(dǎo)通或者截止。這允許檢測存儲比特。在某些實施方式中，參考電壓控制單位102通過向存儲器單元106施加參考信號114而向存儲器單元發(fā)布讀取命令。在一個實施方式中，參考電壓控制單位102可以被配置成周期性地向存儲器單元106發(fā)送參考信號。在另一實施方式中，參考電壓控制單位102可以向存儲器單元106發(fā)送預(yù)定數(shù)目的參考信號。響應(yīng)于施加的參考信號114,存儲器單兀106向容器索引生成單位104輸出存儲器單元106中的存儲值108(此后，稱為硬決策比特)。硬決策比特可以簡單地是二進制值，以指示針對正被讀取的比特存儲器單元包含存儲的O還是I。在若干實施方式中，參考電壓控制單位102將施加的參考信號114的位置信息116傳送給容器索引生成單位104。位置信息116可以包含關(guān)于以下的信息參考信號114的電壓值、參考信號114相對于任何先前施加的參考信號的相對位置。在其他實施方式中，位置信息116可以指示與包括參考信號114的電壓的電壓范圍相關(guān)聯(lián)的容器的容器索引。在一個實施方式中，存儲器單元106針對每個單元存儲單個比特。存儲器單元106的這一實施方式被稱為單層存儲器單元。在另一實施方式中，存儲器單元106針對每個單元存儲多個比特，并且被稱為多層存儲器單元。出于本公開內(nèi)容的目的，關(guān)于針對每個單元存儲兩個比特的多層單元來討論各個實施方式。然而，可以在存儲器單元中存儲任意數(shù)目的更少或者更多的比特，并且本公開內(nèi)容同樣可適于此類單元。以下結(jié)合圖2描述圖I的附加實施方式。圖2描繪了軟信息與多層存儲器單元(諸如存儲器單元106)中的存儲比特的關(guān)系。圖2示出了存儲器單元關(guān)于閾值電壓的圖形分布。單個存儲器單元106的典型閾值電壓范圍208可以被劃分成稱為容器的子區(qū)域。容器索引生成單位104執(zhí)行必要的計算來將典型電壓值范圍208劃分成容器。容器索引生成單位104使用參考信號202、204以及206來將存儲器單元106的閾值電壓的范圍208劃分成容器。存儲兩個比特(最高有效位和最低有效位)的多層存儲器單元可以存儲4個不同的獨特的比特組合。存儲比特222、224、226以及228表示這4個獨特的兩比特組合。作為一個示例，存儲比特組合728包括最高有效位229和最低有效位230。存儲器單元106中的存儲兩比特值的每個獨特的組合與閾值電壓范圍208的特定部分相關(guān)聯(lián)。多個容器可以與范圍208的每個部分相關(guān)聯(lián)，范圍208的每個部分對應(yīng)于存儲器單元106中的特定兩比特存儲值。容器索引生成單位104將容器與存儲的存儲器比特相關(guān)聯(lián)，以下結(jié)合圖4B討論其細節(jié)?？梢詢H要求一個參考信號204來讀取兩個存儲比特的最高有效位。在執(zhí)行讀取操作之前，容器索引生成單位104向閾值電壓值的整個范圍208指派缺省容器索引。在圖2中示出的實施方式中，容器索引生成單位104已經(jīng)向?qū)?yīng)于閾值電壓值的整個范圍208的缺省容器240指派了為O的容器索引。施加到存儲器單元106的參考信號204將閾值電壓范圍208劃分成兩個子區(qū)域子區(qū)域232和子區(qū)域234。容器索引生成單位104在參考信號204的電壓值處將范圍208分裂為子區(qū)域232和子區(qū)域234。例如，容器索引生成單位104 標(biāo)識參考信號204的電壓值，該電壓值由參考電壓控制單位102作為位置信息116傳送給索引生成單位104。容器索引生成單位104繼而沿參考信號204的位置信息116的標(biāo)識電壓將范圍208劃分成子區(qū)域232和子區(qū)域234。這兩個子區(qū)域中的每個子區(qū)域與最高有效位的唯一值相關(guān)聯(lián)。例如，子區(qū)域232與最高有效位的為I的比特值相關(guān)聯(lián)。類似地，子區(qū)域234與最高有效位的為O的比特值相關(guān)聯(lián)。為了讀取存儲器單元106中的兩比特存儲值的最低有效位，要求至少兩個附加參考信號202和206。參考信號202和206可以同時施加至存儲器單元106。參考信號202和206各自將子區(qū)域232和子區(qū)域234分裂成4個子區(qū)域，每個子區(qū)域?qū)?yīng)于最高有效存儲比特和最低有效存儲比特的特定組合。例如，參考信號202將子區(qū)域232分裂成子區(qū)域250和子區(qū)域252。參考信號206將子區(qū)域234分裂成子區(qū)域254和子區(qū)域256。子區(qū)域250、252、254和256是在對存儲器單元106執(zhí)行第一讀取操作之后創(chuàng)建的前4個容器。這些容器中的每個容器對應(yīng)于多層單元中的兩個存儲比特的最高有效位和最低有效位的特定組合。將存儲器單元與給定容器相關(guān)聯(lián)等價于以某一程度的概率將該特定存儲器單元的閾值電壓與相關(guān)聯(lián)的容器的閾值電壓值范圍相關(guān)聯(lián)。另外，將存儲器單元與給定容器相關(guān)聯(lián)也等價于以某一程度的概率將該特定存儲器單元的存儲比特與對應(yīng)于所標(biāo)識的容器的存儲比特的特定配置相關(guān)聯(lián)。容器索引生成單位104通過標(biāo)識對應(yīng)于參考信號的容器并且分裂所標(biāo)識的容器而利用每個附加讀取操作增加用來表示相同閾值電壓范圍的容器的數(shù)目。增加用來表示給定閾值電壓范圍的容器的數(shù)目減小了每個容器跨越的閾值電壓范圍，因而增加容器的分辨率。隨著容器分辨率增加，確定與該容器相關(guān)聯(lián)的閾值電壓或者存儲比特的特定配置的概率增加。因此,軟信息生成的質(zhì)量隨著容器分辨率的改善而得以改善。如果存儲器單元106是單層單元，則參考電壓控制單位102在一個讀取操作中將一個參考信號施加到存儲器單元106以讀取單層單元中的單個存儲比特。針對施加的參考信號的存儲器單元106的輸出108可以包含存儲器單元106中的存儲比特。存儲器單元106的輸出108被傳送到容器索引生成單位104。容器索引生成單位104使用測量輸出108來計算存儲器單元106的固有閾值電壓值的軟信息。容器索引生成單位104被配置成接收由參考電壓控制單位102生成的參考信號的位置信息116。由參考電壓控制單位102生成的每個參考信號114的位置信息116由參考電壓控制單位102生成，并且被傳送給容器索引生成單位104。容器索引生成單位104結(jié)合存儲器單元106的輸出108使用位置信息116來確定存儲器單元的閾值電壓屬于哪個容器。例如，容器索引生成單位104確定硬決策比特的二進制值，并且相應(yīng)地將存儲器單元106與和硬決策比特的二進制值相關(guān)聯(lián)的分裂容器之一相關(guān)聯(lián)。通過將存儲器單元106與容器相關(guān)聯(lián)，容器索引生成單位104有效地將存儲器單元106的閾值電壓與由該容器跨越的電壓范圍相關(guān)聯(lián)。通過確定特定存儲器單元可以與哪個容器相關(guān)聯(lián)，可以以某一程度的概率確定存儲器單元的閾值值以及存儲器單元的存儲值。參考信號114的位置信息116指代參考信號114在閾值電壓值范圍中的位置。位 置信息116可以包含標(biāo)識哪個容器對應(yīng)于參考信號的電壓值的信息。標(biāo)識哪個容器對應(yīng)于參考信號的電壓值的信息由容器索引生成單位104用來確定將哪個容器基于參考信號114而分裂成兩個容器。增加向存儲器單元施加的讀取命令的數(shù)目，而在每個讀取操作中調(diào)節(jié)參考信號的電壓，增加了容器的分辨率。這種利用不同電壓值向存儲器單元106施加參考信號的方法在此被稱為遞進讀取。通過接收從存儲器單元106到每個施加的參考信號114的輸出108，容器索引生成單位能夠更好地確定存儲器單元106屬于哪個容器。隨著容器索引生成單位104接收具有新的電壓值的每個參考信號的位置信息116，容器索引生成單位104確定哪個容器需要被分裂。這一確定由容器索引生成單位104基于參考信號114相對于先前容器的相對位置做出。響應(yīng)于確定施加的參考信號114對應(yīng)于哪個容器，容器索引生成單位104基于參考信號114的絕對值分裂所確定的容器。因此，所確定的容器被分裂為兩個容器，并且分裂邊界是參考信號114的絕對電壓值。容器索引生成電路104也可以將每個新創(chuàng)建的容器與對應(yīng)于存儲器單元中的存儲比特的二進制值相關(guān)聯(lián)?；卺槍κ┘拥膮⒖夹盘?14的存儲器單元輸出108的值，容器索引生成單位104確定存儲器單元的閾值電壓處于兩個新創(chuàng)建的容器的哪個容器中。例如，容器索引生成單位104確定輸出108的二進制值。容器索引生成單位104將存儲器單元與和輸出108的二進制值相匹配的存儲的存儲器比特相關(guān)聯(lián)的新創(chuàng)建的容器相關(guān)聯(lián)。容器索引生成單位也可以在多遍讀取的每個讀取操作之后向每個單個容器指派容器索引。因此，存儲器單元106的不一致讀出并不影響軟生成過程，因為無論針對參考信號存儲器單元的輸出如何，未分裂的容器的索引也得以更新。圖3A示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的一個實施方式的其中布置參考信號114的位置信息116的方法的示例。參考信號的位置信息116包含關(guān)于當(dāng)前施加的參考信號相對于所有先前施加的參考信號的相對位置的信息。在圖3A中示出的示例為具有兩個存儲比特的多層單元。在所描繪的遞進讀取序列中接續(xù)執(zhí)行4個不同讀取操作以讀取存儲在存儲器單元106中的兩個比特的最低有效存儲比特。在圖3A中描繪的每個讀取操作期間，向存儲器單元106施加兩個參考信號。參考信號302、304、306和308的第一集合被標(biāo)記為Vref_A，而參考信號312、314、316和318的第二集合被標(biāo)記為Vref_C。子區(qū)域322、324、326和328將所有閾值電壓的范圍320劃分成子區(qū)域，其中所描繪的存儲器單元中的具有兩個存儲比特的最高有效和最低有效位的特定組合的存儲單元可以位于子區(qū)域中。子區(qū)域322、324、326和328僅為示例性目的而示出。每個子區(qū)域可以與多個容器相關(guān)聯(lián)。在第一讀取操作期間，參考電壓控制單位102向存儲器單元106施加參考信號302和312。參考信號302是標(biāo)記為Vref_A的參考信號的第一集合的首先發(fā)布的參考信號。參考信號312是標(biāo)記為Vref_C的參考信號的第二集合的首先發(fā)布的參考信號。相應(yīng)地，參考電壓控制單位102將參考信號302和312的位置值設(shè)置為0，因為參考信號302和312為它們相應(yīng)的集合中的第一參考信號。在所描繪的遞進讀取序列的第二讀取期間，參考電壓控制單位向存儲器單元106施加參考信號304和314。參考電壓控制單位102確定參考信號304具有高于信號的集合Vref_A中的先前施加的參考信號302的電壓值，并且因此將參考信號304的位置值設(shè)置為I。類似地，參考電壓控制單位102確定參考信號314具有高于信號的集合Vref_C中的先前施加的參考信號312的電壓值，并且因此將參考信號314的位置值設(shè)置為I。在所描繪的遞進讀取序列的第三讀取期間，參考電壓控制單位向存儲器單 元106施加參考信號306和316。參考電壓控制單位102確定參考信號306具有高于信號的集合Vref_A中的先前施加的參考信號302和304的電壓值，并且因此將參考信號306的位置值設(shè)置為2。類似地，參考電壓控制單位102確定參考信號316具有高于信號的集合Vref_C中的先前施加的參考信號312和314的電壓值，并且因此將參考信號316的位置值設(shè)置為2。在所描繪的遞進讀取序列的第四讀取期間，參考電壓控制單位向存儲器單元106施加參考信號308和318。參考電壓控制單位102確定參考信號308具有高于信號的集合Vref_A中的先前施加的參考信號302、304和306的電壓值，并且因此將參考信號308的位置值設(shè)置為3。參考電壓控制單位102確定參考信號318具有高于信號的集合Vref_C中的先前施加的參考信號312、314但低于先前施加的參考信號316的電壓值,并且因此將參考信號318的位置值設(shè)置為2，因為其具有在信號的集合Vref_C中的所有施加的參考信號中第三高的電壓值。以這種方式，即使對于不再按照典型單調(diào)遞增或者單調(diào)遞減順序而施加的參考信號，參考電壓控制單位102也能夠適當(dāng)?shù)乜紤]施加的參考信號的相對位置。因此，最小化了由于施加的參考信號的相對位置的不適當(dāng)索引而導(dǎo)致的容器索引生成過程的損壞。圖3B示出了根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的其中布置參考信號114的位置信息116的另一方法的示例。參考信號的位置信息116包含關(guān)于參考信號對應(yīng)于哪個容器的信息。具體而言，參考電壓控制單位102向每個施加的參考信號114指派容器索引?；谥滥膫€當(dāng)前現(xiàn)有容器包括待向存儲器單元106施加的參考信號的電壓值而指派這一容器索引。在圖3B中示出的示例為具有兩個存儲比特的多層單元。在所描繪的遞進讀取序列中接續(xù)執(zhí)行4個不同讀取操作以讀取存儲在存儲器單元106中的兩個比特的最低有效存儲比特。在圖3B中描繪的每個讀取操作期間，向存儲器單元106施加兩個參考信號。參考信號352、354、356和358的第一集合為參考信號的集合Vref_A的一部分,而參考信號362、364,366和368的第二集合為信號的集合Vref_C的一部分。子區(qū)域372、374、376、和378將所有閾值電壓的范圍370劃分成子區(qū)域，其中所描繪的存儲器單元中的具有兩個存儲比特的最高有效和最低有效位的特定組合的存儲器單元可以位于子區(qū)域中。子區(qū)域372、374、376、和378僅為示例性目的而示出。每個子區(qū)域可以與多個容器相關(guān)聯(lián)。圖3B描繪了在系統(tǒng)100已經(jīng)經(jīng)歷了三個接續(xù)讀取操作之后已經(jīng)創(chuàng)建的容器。容器索引生成單位104在遞進讀取序列中的每個接續(xù)讀取操作之后利用與和每個容器索引相關(guān)聯(lián)的閾值電壓范圍有關(guān)的信息來更新參考電壓控制單位102。在圖3B中示出的實施方式中，在執(zhí)行三個讀取操作之后，容器380、382、384、386、388,390和392劃分所有閾值電壓的范圍。參考電壓控制單位102向存儲器單元106施加參考信號358和368。與此同時，參考電壓控制單位102將針對這些施加的參考信號中的每個施加的參考信號的位置信息116傳送到容器索引生成單位104。針對這些施加的參考信號中的每個施加的參考信號的位置信息116包含容器索引，該容器索引對應(yīng)于跨越包括由參考電壓控制單位102當(dāng)前施加的參考電壓的電壓的電壓范圍的現(xiàn)有容器。例如，參考電壓控制單位102確定參考信號358的電壓處于由容器386跨越的電壓范圍(標(biāo)記為B3)中。容器386具有為3的容器索引值。以下結(jié)合圖4A和圖4B描述向容器指派容器索引的詳細過程。相應(yīng)地，參考電壓控制單位102將參考信號358的位置設(shè)置為3。類似地，參考電壓 控制單位102確定參考信號368的電壓處于由容器390跨越的電壓范圍(標(biāo)記為B5)中。容器390具有為5的容器索引值。相應(yīng)地，參考電壓控制單位102將參考信號368的位置設(shè)置為5。容器索引生成單位104也可以創(chuàng)建全景(wraparound)容器，以標(biāo)記容器390與在存儲器單元106的典型的閾值電壓值范圍之外的電壓值之間的邊界。容器392是這種全景容器。圖4A和圖4B更詳細地圖示了容器索引生成的過程。圖4A示出了描繪容器索引生成過程的表400A，其中表400A的條目是在具有至少4個讀取的遞進讀取序列中的特定讀取操作之后生成的容器的容器索引。在圖4A和圖4B中示出的示例中使用了圖2的實施方式，在圖2的實施方式中，參考信號的位置信息116是關(guān)于由參考電壓控制單位102所有先前施加的參考信號的相對位置。圖4B圖示了與圖4A的容器索引生成過程相同的過程。表400A在列430中描繪了在第一讀取操作之后生成的容器索引。列450包含在第二讀取操作之后生成的容器索引。列470包含在第三讀取操作之后生成的容器索引。列490包含在第四讀取操作之后生成的容器索引。列420包含由在第一讀取操作期間向存儲器單元106施加參考信號402和404而產(chǎn)生的在第一讀取操作之后來自存儲器單元106的硬決策比特。列440包含由在第二讀取操作期間向存儲器單元106施加參考信號422和424而產(chǎn)生的在第二讀取操作之后來自存儲器單元106的硬決策比特。列460包含由在第三讀取操作期間向存儲器單元106施加參考信號442和444而產(chǎn)生的在第三讀取操作之后來自存儲器單元106的硬決策比特。列480包含由在第四讀取操作期間向存儲器單元106施加參考信號462和464而產(chǎn)生的在第四讀取操作之后來自存儲器單元106的硬決策比特。圖4B示出了在每個讀取操作之后創(chuàng)建的容器的可視表示。部分405示出了僅包含單個容器(容器401)的閾值電壓范圍，在第一讀取操作已經(jīng)發(fā)生之前容器401具有為O的容器索引。如果尚未執(zhí)行讀取操作，則容器索引生成單位104向閾值電壓的整個范圍指派為O的缺省容器索引。部分430示出了在第一讀取操作之后生成的容器。部分450示出了在第二讀取操作之后生成的容器。部分470示出了在第三讀取操作之后生成的容器。部分490示出了在第四讀取操作之后生成的容器。容器索引生成單位104也包含感測存儲的存儲器比特值的映射。例如，部分405示出了在第一讀取之前，容器索引生成單位具有以下信息在部分405中的閾值電壓范圍將與為1、0和I的最低有效位值相關(guān)聯(lián)。在圖4B中示出的實施方式中，為I的最低有效位值與閾值電壓范圍的較低端相關(guān)聯(lián)，而為O的最低有效位值與閾值電壓范圍的較高端相關(guān)聯(lián)。然而，如圖4B中所描繪的，閾值電壓范圍的最高端與為I的最低有效位值相關(guān)聯(lián)。閾值電壓范圍的最高端需要具有上邊界。一旦超過了典型的閾值電壓值的這一上邊界，則容器索引生成單位卷繞以利用為I的最低有效位值重新開始閾值值范圍的范圍。因此，在圖4A和圖4B中描繪的示例中，向存儲器單元106施加的參考電壓的兩個集合幫助確定閾值電壓范圍中的與為O和I的最低有效位存儲器值相關(guān)聯(lián)的區(qū)域的上邊界和下邊界。參考電壓控制單位102向存儲器單元106施加集合V_RefA的第一參考信號即參考信號402和集合V_RefC的第一參考信號即參考信號404。相應(yīng)地，參考電壓控制單位102將參考信號402和404的位置設(shè)置為O。容器索引生成單位104使用參考信號402和404的位置信息來將唯一的容器402劃分為三個容器容器432、容器434以及容器436。表400A的列420示出了由于接收參考信號402和404而來自存儲器單元106的輸出108的值。在接收到來自參考電壓控制單位102的位置信息和來自存儲器單元106的存儲器輸出之后，容器索引生成單位104標(biāo)識哪個容器將被分裂以生成新的容器。在第一讀取操作405中， 容器索引生成單位104基于所接收到的參考信號402和404的位置信息標(biāo)識容器402將被分裂成兩個附加容器。容器索引生成單位104使用參考信號402和404的位置信息和響應(yīng)于施加的參考信號而來自存儲器單兀106的對應(yīng)的存儲器輸出以生成新分裂的容器432、434和436的容器索引值。容器索引生成單位使用參考信號402的位置信息來確定將沿其分裂舊的容器402以創(chuàng)建容器432和434的電壓值。類似地，容器索引生成單位使用參考信號404的位置信息來確定將沿其分裂舊的容器402以創(chuàng)建容器434和436的電壓值。容器索引生成單位104繼而確定由向存儲器單元106施加參考信號402而產(chǎn)生為I的硬決策比特。因此，容器索引生成單位104將存儲器單元106與容器432相關(guān)聯(lián)。由于容器432是閾值值范圍的最左側(cè)容器，因此容器索引生成單位104自動將容器432與為I的存儲的最低有效位值相關(guān)聯(lián)。類似地，容器索引生成單位104確定由向存儲器單元106施加參考信號404而產(chǎn)生為I的硬決策比特。因此，容器索引生成單位104將存儲器單元106與容器436相關(guān)聯(lián)。由于容器436是閾值范圍的最右側(cè)容器，因此容器索引生成單位104自動將容器436與為I的存儲的最低有效位值相關(guān)聯(lián)。容器436功能上等效于容器432。容器434與容器436之間的邊界標(biāo)記了閾值電壓值范圍的邊緣。容器索引生成單位104向新創(chuàng)建的容器432、434和436分別指派為O、I和O的容器索引值。容器432被指派了為O的容器索引，因為其與閾值電壓的最低范圍相關(guān)聯(lián)。容器434與為I的容器索引相關(guān)聯(lián)，因為其跨越比容器O高的閾值電壓范圍。容器436被指派了為O的容器索引，因為其包含閾值電壓的最高范圍，并且標(biāo)記閾值電壓范圍之外的邊界。在第二讀取操作期間，參考電壓控制單位102向存儲器單元106施加V_RefA集合中具有最高電壓值的第二參考信號即參考信號422以及V_RefC集合中具有最高電壓值的第二參考信號即參考信號424。參考電壓控制單位102將參考信號422和424的位置信息傳送給容器索引生成單位104。相應(yīng)地，參考電壓控制單位將參考信號402和404兩者的位置設(shè)置為I。響應(yīng)于接收到來自存儲器單元106的輸出以及參考信號422和424的位置信息，容器索引生成單位104確定參考信號422將分裂容器434以及參考信號424將分裂容器436。響應(yīng)于確定參考信號422將分裂容器434，容器索引生成單位104沿參考信號422的電壓值將容器434分裂成容器452和453。容器索引生成單位104使用參考信號422的位置信息和相應(yīng)于施加的參考信號422而來自存儲器單兀106的對應(yīng)的存儲器輸出，以生成新分裂的容器452、453的容器索引值。參考信號422的電壓值包含在容器索引生成單位104從參考電壓控制單位102接收的位置信息中。容器索引生成單位104確定由向存儲器單元106施加參考信號422而產(chǎn)生為I的硬決策比特。因此，容器索引生成單位104將存儲器單元106與容器452相關(guān)聯(lián)。由于容器452與存儲器單元106的閾值電壓估計相關(guān)聯(lián)，因此容器索引生成單位104將容器452與為I的存儲的最低有效位值相關(guān)聯(lián)。容器索引生成單位104將容器453 (從分裂舊的容器434創(chuàng)建的另一容器)與為O的存儲的最低有效位值相關(guān)聯(lián)。容器索引生成單位104向新創(chuàng)建的容器452和容器453分別指派為I和2的容器索引值。向容器452指派為I的容器索引，因為其是具有第二最低閾值電壓范圍的容 器。向容器453指派為2的容器索引，因為其跨越僅比容器I高的閾值電壓范圍。類似地，響應(yīng)于確定參考信號424將分裂容器436，容器索引生成單位104沿參考信號424的電壓值將容器436分裂成容器454和455。容器索引生成單位104使用參考信號424的位置信息和響應(yīng)于施加的參考信號424而來自存儲器單兀106的對應(yīng)的存儲器輸出，以生成新分裂的容器454、455的容器索引值。參考信號424的電壓值包含在容器索引生成單位104從參考電壓控制單位102接收的位置信息中。容器索引生成單位104確定由向存儲器單元106施加參考信號424而產(chǎn)生為I的硬決策比特。因此，容器索引生成單位104將存儲器單元106與容器455相關(guān)聯(lián)。由于容器455是閾值值范圍的最右側(cè)容器，因此容器索引生成單位104自動將容器455與為I的存儲的最低有效位值相關(guān)聯(lián)。容器索引生成單位104將容器454 (從分裂舊的容器436創(chuàng)建的另一容器)與為O的存儲的最低有效位值相關(guān)聯(lián)，這是由于確定其具有比容器455 (即全景容器)低的閾值電壓范圍。容器454和容器455之間的邊界標(biāo)記閾值電壓值范圍的邊緣。容器索引生成單位104向新創(chuàng)建的容器454和455分別指派為3和O的容器索引值。容器索引生成單位104向容器454指派為3的容器索引，這是由于其跨越僅高于容器2的閾值電壓范圍。容器索引生成單位104向容器436指派為O的容器索引，這是由于其包含閾值電壓的最高范圍，并且標(biāo)記閾值電壓范圍之外的邊界。除了向新分裂的容器452至455指派容器索引值之外，容器索引生成單位104還確定舊的容器432沒有分裂。容器索引生成控制單位104還更新舊的容器432的容器索引。更新未分裂的容器的容器索引可以實際改變或者不改變該容器的容器索引。例如，即使在容器索引生成單位將舊的容器432的容器索引更新為新的容器451的容器索引之后，實際容器索引仍然保持不變?yōu)镺的容器索引。容器索引生成單位104確定容器451是具有閾值電壓的最低范圍的最左側(cè)容器，并且因此向其指派為O的容器索引?？梢韵蛭挥陂撝惦妷褐底V的兩端處的兩個容器指派相同的容器索引值。在圖4A和圖4B中描繪的示例中，向容器451和455指派的是為O的容器參考號值。在第三讀取操作期間，參考電壓控制單位102向存儲器單元106施加V_RefA集合中具有最高電壓值的第三參考信號即參考信號442以及V_RefC集合中具有最高電壓值的第三參考信號即參考信號444。參考電壓控制單位102將參考信號442和444的位置信息傳送給容器索引生成單位104。相應(yīng)地，參考電壓控制單位將參考信號402和404這兩者的位置設(shè)置為2。響應(yīng)于接收到來自存儲器單元106的輸出和參考信號442和444的位置信息，容器索引生成單位104確定參考信號442將分裂容器453以及參考信號444將分裂容器455。響應(yīng)于確定參考信號442將分裂容器453，容器索引生成單位104沿參考信號442的電壓值將容器453分裂成容器473和474。容器索引生成單位104使用參考信號442的位置信息和響應(yīng)于施加的參考信號442而來自存儲器單元106的對應(yīng)的輸出，以生成新分裂的容器473、474的容器索引值。參考信號442的電壓值包含在容器索弓I生成單位104從參考電壓控制單位102接收的位置信息中。容器索引生成單位104確定由向存儲器單元106施加參考信號442而產(chǎn)生為I的硬決策比特。因此，容器索引生成單位104將存儲器單元106與容器473相關(guān)聯(lián)。由于容器473與存儲器單元106的閾值電壓估計相關(guān)聯(lián)，因此容器索引生成單位104將容器473與為I的存儲的最低有效位值相關(guān)聯(lián)。容器索引生成單位104將容器474 (從分裂舊的容器453創(chuàng)建的另一容器)與為O的存儲的最低有效位值相關(guān)聯(lián)。容器索引生成單位104為新創(chuàng)建的容器473和474分別指派為2和3的容器索引值。容器 473被指派了為2的容器索引，因為其是具有第三低閾值電壓范圍的容器。容器474被指派了為3的容器索引，這是由于其跨域僅高于容器2的閾值電壓范圍。類似地，響應(yīng)于確定參考信號444將分裂容器455，容器索引生成單位104沿參考信號444的電壓值將容器455分裂成容器476和477。容器索引生成單位104使用參考信號444的位置信息和響應(yīng)于施加的參考信號444而來自存儲器單兀106的對應(yīng)的存儲器輸出，以生成新分裂的容器476和477的容器索引值。參考信號444的電壓值包含在容器索引生成單位104從參考電壓控制單位102接收的位置信息中。容器索引生成單位104確定由向存儲器單元106施加參考信號444而產(chǎn)生為I的硬決策比特。因此，容器索引生成單位104將存儲器單元106與容器477相關(guān)聯(lián)。由于容器477是閾值值范圍的最右側(cè)容器，容器索引生成單位104自動將容器477與為I的存儲的最低有效位值相關(guān)聯(lián)。容器索引生成單位104將容器476 (從分裂舊的容器455創(chuàng)建的另一容器)與為O的存儲的最低有效位值相關(guān)聯(lián)，因為其被確定為具有比容器477 (全景容器)低的閾值電壓范圍。容器476和477之間的邊界標(biāo)記閾值電壓值范圍的邊緣。容器索引生成單位104向新創(chuàng)建的容器476和477分別指派為5和O的容器索引值。容器索引生成單位104給容器476指派為5的容器索引，因為其是具有增加的閾值電壓范圍的容器的有序集合中的第六個容器。容器索引生成單位104向容器477指派為O的容器索引，因為其包含最高的閾值電壓范圍，并且標(biāo)記閾值電壓范圍之外的邊界。除了向新分裂的容器473、474、476、和477指派容器索引值之外，容器索引生成單位104還確定舊的容器451、452和454沒有分裂。容器索引生成控制單位104還更新舊的容器451、452和454的容器索引。更新未分裂的容器的容器索引可以實際改變或者不改變該容器的容器索引。例如，舊的容器451的容器索引被更新為具有與容器471相同的為O的容器索引值，因為容器索引生成單位104確定其仍然是具有最低閾值電壓范圍的容器。類似地，舊的容器452的容器索引被更新為與容器472具有相同的為I的容器索引值，因為容器索引生成單位104確定其仍然是具有第二低閾值電壓范圍的容器。然而，容器索引生成單位將舊的容器454的為3的容器索引值更新為如新容器475的為4的容器索引值。容器索引生成單位確定容器475現(xiàn)在是具有增加的閾值電壓范圍的容器的有序集合中的第五個容器，并且相應(yīng)地向容器475指派為4的容器索引。在第四讀取操作期間，參考電壓控制單位102向存儲器單元106施加V_RefA集合中具有最高電壓值的第四參考信號即參考信號462。相應(yīng)地，參考電壓控制單位將參考信號462的位置設(shè)置為3。另外，參考電壓控制單位102向存儲器單元106施加V_RefC集合中的第四參考信號即參考信號464。參考電壓控制單位知道參考信號的電壓大于V_RefC集合中兩個其他先前施加的參考信號(即參考信號404和424)但是小于先前施加的參考信號444的電壓值。相應(yīng)地，參考電壓控制單位將參考信號464的位置設(shè)置為2，因為其具有在參考信號的V_RefC集合中的第三高電壓值。通過保持對參考信號的相對位置的追蹤，容器索引生成單位104能夠處理可能不再按照多遍讀取中的單調(diào)遞增或者單調(diào)遞減遞進讀取序列而施加的參考信號。響應(yīng)于接收到來自存儲器單元106的輸出和參考信號462和464的位置信息，容 器索引生成單位104確定參考信號462將分裂容器474，而參考信號464將分裂容器476。響應(yīng)于確定參考信號462將分裂容器474，容器索引生成單位104沿參考信號462的電壓值將容器474分裂成容器494和495。容器索引生成單位104使用參考信號462的位置信息和響應(yīng)于施加的參考信號442而來自存儲器單元106的對應(yīng)的存儲器輸出，以生成新分裂的容器494、495的容器索引值。參考信號462的電壓值包含在容器索引生成單位104從參考電壓控制單位102接收的位置信息中。容器索引生成單位104確定從向存儲器單元106施加參考信號462而產(chǎn)生為I的硬決策比特。因此，容器索引生成單位104將存儲器單元106與容器494相關(guān)聯(lián)。由于容器494與存儲器單元106的閾值電壓估計相關(guān)聯(lián)，因此容器索引生成單位104將容器494與為I的存儲的最低有效位值相關(guān)聯(lián)。容器索引生成單位104將容器495 (從分裂舊的容器474創(chuàng)建的另一容器)與為O的存儲的最低有效位相值關(guān)聯(lián)。容器索引生成單位104向新創(chuàng)建的容器494和495分別指派為3和4的容器索引值。容器494被指派了為3的容器索引，因為其是具有第四低閾值電壓范圍的容器。容器474被指派了為4的容器索引，因為其跨越僅高于容器3的閾值電壓范圍。類似地，響應(yīng)于確定參考信號464將分裂容器476，容器索引生成單位104沿參考信號464的電壓值將容器476分裂成容器497和498。容器索引生成單位104使用參考信號464的位置信息和響應(yīng)于施加的參考信號464而來自存儲器單兀106的對應(yīng)的存儲器輸出，以生成新分裂的容器497和498的容器索引值。參考信號464的電壓值包含在容器索引生成單位104從參考電壓控制單位102接收的位置信息中。容器索引生成單位104確定從向存儲器單元106施加參考信號464而產(chǎn)生為I的硬決策比特。因此，容器索引生成單位104將存儲器單元106與容器498相關(guān)聯(lián)。由于容器498與存儲器單元106的閾值電壓估計相關(guān)聯(lián)，因此容器索引生成單位104將容器498與為I的存儲的最低有效位值相關(guān)聯(lián)。容器索引生成單位104將兩個新分裂的容器的每個容器與不同最低有效位值相關(guān)聯(lián)。因此，容器索引生成單位104將容器497 (從分裂舊的容器476創(chuàng)建的另一容器)與為O的存儲的最低有效位值相關(guān)聯(lián)，這是由于其是從舊的容器476分裂的另一容器。容器索引生成單位104向新創(chuàng)建的容器497和498分別指派為6和7的容器索引值。容器索引生成單位104向容器497指派為6的容器索引，因為其是具有增加的閾值電壓范圍的容器的有序集合中的第七個容器。容器索引生成單位104向容器498指派為7的容器索引，因為其是具有增加的閾值電壓范圍的容器的有序集合中的第八個容器。除了向新分裂的容器494、495、497和498指派容器索引值之外，容器索引生成單位104還確定舊的容器471、472、473、475和477沒有分裂。容器索引生成控制單位104更新舊的容器471、472、473、475和477的容器索引。舊的容器471的容器索引被更新為與容器491具有相同的為O的容器索引值，因為容器索引生成單位104確定容器491是具有最低閾值電壓范圍的容器。類似地，舊的容器472的容器索引被更新為具有與容器492相同的為I的容器索引值，因為容器索引生成單位104確定容器492是具有第二低閾值電壓范圍的容器。類似地，舊的容器473的容器索引被更新為具有與容器493相同的為2的容器索引值，因為容器索引生成單位104確定容器493是具有第三低閾值電壓范圍的容器。類似地，舊的容器477的容器索引被更新為與容器499具有相同的為O的容器索引值，因為容器索引生成單位104確定容器499是具有最高閾值電壓范圍的容器。然而，容器索引生成單位將舊的容器475的為4的容器索引值更新為如新的容器496的為5的容器索引值。容器索引生成單位確定容器496現(xiàn)在是具有增加的閾值電壓范圍的容器的有序集合中的第六個容器，并且相應(yīng)地向容器496指派為5的容器索引。 以這種方式，容器索引生成單位104利用每個讀取操作將存儲器單元106的典型閾值電壓范圍劃分成更多個容器。通過增加在閾值電壓值的設(shè)定范圍中的容器的數(shù)目，由每個容器跨越的電壓范圍減小，借此增加容器分辨率。通過增加容器分辨率，容器索引生成單位104也向控制器102提供對閾值電壓范圍的哪個區(qū)域與給定存儲的最低有效位值相關(guān)聯(lián)的更精確的估計。圖5和圖6的以下流程圖用于圖示本公開內(nèi)容的某些實施方式在單個讀取操作期間中涉及的過程。應(yīng)當(dāng)理解，流程圖的操作僅是例示性的，并且所描繪的操作中的任何操作都可以被修改、省略或者重新布置，兩個或者多個操作可以被組合，或者可以添加任何附加操作，而不脫離本發(fā)明的范圍。此外，在適當(dāng)時，某些操作可以基本上同時或者并行執(zhí)行或者運行，以減小等待時間和處理時間。圖5描繪了由容器索引生成單位104在單個讀取操作期間實施的用于增加容器分辨率的過程。在502處，容器索引生成單位104確定其是否已接收到來自參考電壓控制單位102的位置信息116和來自存儲器單元106的存儲器輸出108。如果容器索引生成單位104已經(jīng)接收到來自參考電壓控制單位102的位置信息116和來自存儲器單元106的存儲器輸出108這兩者，則其將行進到504。如果容器索引生成單位104尚未接收到來自參考電壓控制單位102的位置信息116和來自存儲器單元106的存儲器輸出108這兩者，則其將等待，直到接收到位置信息116和存儲器輸出108這兩者其才進一步行進。在504處，容器索引生成單位504標(biāo)識其需要基于存儲器輸出108和參考信號的位置信息116來分裂哪個現(xiàn)有容器。在506處，容器索引生成單位確定存儲器單元106的狀態(tài)。例如，容器索引生成單位104確定存儲在存儲器單元106的最低有效位中的二進制值。在508處，容器索引生成單位104將在504中標(biāo)識的容器分裂成兩個新的容器。容器索引生成單位104沿根據(jù)參考信號的位置信息116確定的電壓值分裂所標(biāo)識的容器。在510處，容器索引生成單位基于存儲器單元狀態(tài)、位置信息和任何先前指派的容器索引向新分裂的容器指派新的容器索弓I。在512處，容器索引生成單位104向未分裂的先前存在的容器指派新的容器索引。被指派給未分裂的容器的該容器索引可以與先前指派給未分裂的容器的容器索引相同或者不同。圖6示出了根據(jù)本公開方式的若干實施方式的描繪了用于生成軟信息的例示性流程。在602處，測量存儲器單元106的輸出108。存儲器單元106向應(yīng)于由參考電壓控制單位110發(fā)布以發(fā)起讀取操作的參考信號114生成輸出108。參考信號114包含電壓值并且也可以包含位置信息。在604處,容器索引生成單位104基于參考信號116的位置信息標(biāo)識多個容器中的容器。參考信號116被從參考電壓控制單位102傳送到容器索引生成單位104。參考信號116可以是與參考信號114相同的參考信號。在606處，容器索引生成單位104基于存儲器單元106的測量輸出108和參考信號114的電壓值將所標(biāo)識的容器分裂為至少兩個容器。在608處，容器索引生成單位104向待被分裂的標(biāo)識的容器、所分裂的至少兩個容器以及以上提到的多個容器指派相應(yīng)的容器索引。 閃存控制器110擁有存儲器單元106的固有閾值電壓值的軟信息是有益的。知道存儲器單元106的閾值電壓值允許閃存控制器110施加適當(dāng)?shù)膮⒖茧妷阂哉_地存儲或者讀取存儲器單元106中的信息。此外，這種軟信息可以被用在軟決策糾錯碼解碼中。例如，閃存控制器110將要求關(guān)于存儲器單元106的固有閾值電壓的信息以正確地讀取存儲器單元106中的存儲值，以便對存儲器單元106中的存儲值執(zhí)行糾錯。上述僅例示了本公開內(nèi)容的原理，并且可以在不脫離本公開內(nèi)容的范圍的情況下做出各種修改。以上描述的本公開內(nèi)容的實施方式僅出于圖示而不是限制目的而呈現(xiàn)，并且本公開內(nèi)容僅由以下權(quán)利要求書限定。
權(quán)利要求
1.一種用于生成存儲器單元的軟信息的方法，所述方法包括 響應(yīng)于施加參考信號，測量所述存儲器單元的輸出，其中所述參考信號包括電壓值和位置信息； 基于所述參考信號的所述位置信息標(biāo)識多個容器中的容器，其中所述多個容器表示所述存儲器單元的閾值電壓范圍； 基于所述存儲器單元的所述輸出和所述參考信號的所述電壓值將所標(biāo)識的容器分裂成至少兩個容器；以及 向所述所標(biāo)識的容器、所述多個容器以及所述至少兩個容器指派相應(yīng)的索引。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述參考信號的所述位置信息包括所述參考信號相對于先前施加的參考信號的相對位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述參考信號的所述位置信息是包括所述參考信號的所述電壓值的容器的索引。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，進一步包括將所述參考信號從參考電壓控制單位傳送到容器索引生成單位。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中測量所述存儲器單元的所述輸出包括向所述存儲器單元施加所述參考信號、向所述存儲器單元發(fā)布讀取命令以及讀取所述存儲器單元中的存儲比特。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，進一步包括基于所述參考信號的所述電壓值確定待分裂的所述多個容器的邊界。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中基于所述存儲器單元的測量輸出向所述至少兩個容器指派索引。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中向所述多個容器中沒有分裂的容器子集指派新的索引。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，進一步包括檢測所述存儲器單元的無效的測量輸出，以及獨立于所述測量輸出的有效性向所述多個容器中沒有分裂的容器子集指派新的索引。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所標(biāo)識的容器、所述多個容器以及所述至少兩個容器被指派容器索引，從而使得所述容器索引以數(shù)字遞增順序布置。
11.一種用于生成存儲器單元的軟信息的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括 控制電路，被配置成 響應(yīng)于施加參考信號，測量所述存儲器單元的輸出，其中所述參考信號包括電壓值和位置信息； 基于所述參考信號的所述位置信息標(biāo)識多個容器中的容器，其中所述多個容器表示所述存儲器單元的閾值電壓范圍； 基于所述存儲器單元的所述輸出和所述參考信號的所述電壓值將所標(biāo)識的容器分裂成至少兩個容器；以及 向所述所標(biāo)識的容器、所述多個容器以及所述至少兩個容器指派相應(yīng)的索引。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述參考信號的所述位置信息包括所述參考信號相對于先前施加的參考信號的相對位置。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述參考信號的所述位置信息是包括所述參考信號的所述電壓值的容器的索引。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中參考電壓控制單位將所述參考信號傳送到所述容器索引生成單位。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述控制電路進一步被配置成 向所述存儲器單元施加所述參考信號； 向所述存儲器單元發(fā)布讀取命令；以及 讀取所述存儲器單元中的存儲比特。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述控制電路進一步被配置成基于所述參考信號的所述電壓值確定待分裂的所述多個容器的邊界。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中基于所述存儲器單元的測量輸出向所述至少兩個容器指派索引。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中向所述多個容器中沒有分裂的容器子集指派新的索引。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述控制電路進一步被配置成檢測所述存儲器單元的無效的測量輸出，以及獨立于所述測量輸出的有效性向所述多個容器中沒有分裂的容器子集指派新的索引。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所標(biāo)識的容器、所述多個容器以及所述至少兩個容器被指派容器索引，從而使得所述容器索引以數(shù)字遞增順序布置。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于生成NAND閃存中的軟信息的系統(tǒng)和方法。提供了用于生成與存儲器單元的閾值電壓有關(guān)的軟信息的系統(tǒng)和方法。存儲器單元的閾值電壓范圍被劃分成閾值電壓值的子區(qū)域，在此稱為容器。測量響應(yīng)于施加的參考信號存儲器單元的輸出。施加的參考信號包括電壓值和位置信息?；趨⒖夹盘柕奈恢眯畔?biāo)識單個容器。基于存儲器單元的輸出和參考信號的電壓值將所標(biāo)識的容器分裂為多個容器。向新分裂的容器和未分裂的所有其他容器指派新的容器索引。
文檔編號G11C7/24GK102800351SQ201210167149
公開日2012年11月28日 申請日期2012年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月23日
發(fā)明者陳振鋼, G·伯德, S·K·奇拉帕加里, 陽學(xué)仕 申請人:馬維爾國際貿(mào)易有限公司