專利名稱：具有多級別寫電流的磁記錄系統(tǒng)的制作方法
具有多級別寫電流的磁記錄系統(tǒng)
背景技術(shù)：
諸如硬盤驅(qū)動(dòng)器的各種磁記錄系統(tǒng)使用寫頭來在磁介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)。要被記錄的數(shù)據(jù)被作為交變電流提供給寫頭線圈。電流經(jīng)過圍繞寫頭的金屬線圈，產(chǎn)生磁場。通過該磁場來切換寫頭中極尖(pole tip)的磁化狀態(tài)。隨著磁化的極尖經(jīng)過磁存儲(chǔ)介質(zhì)(例如，旋轉(zhuǎn)的鐵磁盤片)，磁介質(zhì)中的位于極尖下面的區(qū)域的磁化被改變并且隨后可以被讀回以獲取數(shù)據(jù)。在磁記錄中，高速的寫(記錄)處理是具有挑戰(zhàn)性的。就寫電流脈沖特性而言，用來驅(qū)動(dòng)寫頭以在給定的磁道上記錄數(shù)據(jù)的傳統(tǒng)寫電流波形是固定的。然而，磁系統(tǒng)的切換響應(yīng)是非線性的?？梢詫τ谝粋€(gè)寫脈沖的磁響應(yīng)看作一個(gè)三階段過程:切換(階段I)、到飽和的轉(zhuǎn)換(階段II)以及飽和(階段III)。當(dāng)位單元周期(T)少于磁切換時(shí)間時(shí)，在高密度記錄模式(pattern)情況下，第三階段并且甚至可能第二階段可能被截除。隨著數(shù)據(jù)速率的增加，激勵(lì)和響應(yīng)信號之間的非線性更加明顯，并且位序列包括更多的高頻轉(zhuǎn)換。該記錄過程伴隨有以下不利影響:第一，轉(zhuǎn)換的曲率的增加；第二，位到位轉(zhuǎn)換惡化；第三，磁道寬度調(diào)制。其結(jié)果，整體記錄性能降低，并且數(shù)據(jù)速率和面密度受限。由于磁記錄系統(tǒng)在磁錄密度和更快的數(shù)據(jù)速率上持續(xù)提升，所以現(xiàn)有技術(shù)中存在改進(jìn)寫處理的需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例提供利用多級別寫電流進(jìn)行磁記錄的裝置、系統(tǒng)和方法。例如，公開了一種利用多級別寫電流進(jìn)行磁記錄的裝置，其包括:模式檢測電路，可操作來檢測要由磁性寫頭寫入的數(shù)據(jù)中的模式并產(chǎn)生模式指示信號；以及寫驅(qū)動(dòng)器，可操作來生成用于磁性寫頭的多級別寫電流。多級別寫電流的至少一個(gè)電特性基于模式檢測電路所檢測的模式。在某些情況下，模式表示磁性寫頭的磁飽和級別。在某些實(shí)例中，寫驅(qū)動(dòng)器可操作來在磁性寫頭的磁飽和級別在特定飽和級別之上時(shí)生成用于要寫入的數(shù)據(jù)中的轉(zhuǎn)換的第一寫電流級別，并且在磁性寫頭的磁飽和級別在該特定飽和級別之下時(shí)生成第二寫電流級另IJ，其中第一寫電流級別比第二寫電流級別更強(qiáng)烈。在某些實(shí)施例中，多級別寫電流波形的電特性可以包括過沖(overshoot)脈沖幅度、過沖脈沖寬度、以及過沖脈沖之后的穩(wěn)態(tài)電流級別中的一個(gè)或多個(gè)。本發(fā)明內(nèi)容僅僅提供根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的概要描述。根據(jù)以下的詳細(xì)描述、所附權(quán)利要求和附圖，本發(fā)明的許多其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)和其它實(shí)施例將變得更加全
面清楚。


通過參考附圖(其在本說明書其余部分中描述)，可以實(shí)現(xiàn)對本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的進(jìn)一步理解。附圖中，可以在多幅附圖中始終使用相同的附圖標(biāo)記來表示相類同的組件。在某些情況下，將包含小寫字母的下標(biāo)與附圖標(biāo)記相關(guān)聯(lián)，以只是多個(gè)相類同組件之一。當(dāng)對附圖標(biāo)記進(jìn)行引用而沒有說明存在下標(biāo)時(shí)，其意在表示所有這樣的多個(gè)相類同的組件。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的包括寫通道電路、前置放大器和寫頭的磁存儲(chǔ)系統(tǒng)；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的多級別寫電流的示例中已編碼的寫數(shù)據(jù)和相關(guān)與電流脈沖的波形；圖3A和3B示出了根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的分別在多級別寫電流使能和禁止時(shí)的通道數(shù)據(jù)、前置放大器寫電流以及寫頭磁場響應(yīng)的波形；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的模式檢測電路的示意圖；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的多級別差分信號生成電路；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的模式檢測電路和多級別差分信號生成電路中各種信號的時(shí)序圖；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的可以在前置放大器中使用的具有多級別差分信號接收器和輸出驅(qū)動(dòng)器的多級別寫驅(qū)動(dòng)器；圖8示出了根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的可以在輸出驅(qū)動(dòng)器中使用的功率電流源；圖9示出了根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的可以在功率電流源中使用的開關(guān)式電流鏡；圖10示出了根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的包括可以在前置放大器電路中使用的鎖相環(huán)、模式檢測電路和多級別寫驅(qū)動(dòng)器的前置放大器；以及圖11示出了根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的用于利用多級別寫電流在磁存儲(chǔ)設(shè)備中記錄數(shù)據(jù)的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例提供了利用多級別寫電流進(jìn)行磁記錄的裝置、系統(tǒng)和方法?？梢钥刂朴脕砥仁箤戭^中的極尖的磁化切換的寫電流波形的各種特性以提高記錄性能，包括但不限于:過沖幅度、過沖持續(xù)時(shí)間、穩(wěn)態(tài)電流Iw、電流上升時(shí)間等。在某些實(shí)施例中，寫電流的自適應(yīng)或者變化基于極尖的初始磁性狀態(tài)(飽和或者未飽和)和要記錄的恒定數(shù)據(jù)序列的長度(短或者長)。在某些實(shí)施例中，通過在前數(shù)據(jù)序列長度確定極尖的初始磁性狀態(tài)。如果剛剛寫入特定狀態(tài)的長數(shù)據(jù)序列，則極尖將具有足夠的時(shí)間來變?yōu)榇棚柡?。如果?shù)據(jù)信號最近改變了狀態(tài)，則極尖將不具有足夠的時(shí)間來在最后狀態(tài)中變?yōu)榇棚柡汀Ｊ褂脧?qiáng)烈的寫電流脈沖設(shè)定來快速和有效地將極尖從一個(gè)飽和狀態(tài)切換到相反的飽和狀態(tài)。使用較不強(qiáng)烈的設(shè)定來將極尖從未飽和狀態(tài)切換。另一個(gè)因素是要記錄的轉(zhuǎn)換之間的數(shù)據(jù)序列的長度。在單個(gè)位或者非常短的后續(xù)數(shù)據(jù)序列或者給定狀態(tài)的情況下，使用強(qiáng)烈設(shè)定以用于更快的磁切換。在給定狀態(tài)的較長的未來序列的情況下，使用較不強(qiáng)烈的設(shè)定。在此所公開的多級別寫電流提供明顯的極尖切換以保證數(shù)據(jù)被以基本恒定的磁道寬度和較好的位到位(bit-to-bit)轉(zhuǎn)換適當(dāng)?shù)貙懭氲酱沤橘|(zhì)，而不管寫頭的非線性磁切換行為如何。盡管在此所公開的利用多級別寫電流的磁記錄不限于任何特定應(yīng)用，但一個(gè)示例性應(yīng)用是諸如圖1所示的硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁存儲(chǔ)系統(tǒng)100。存儲(chǔ)系統(tǒng)100包括接口控制器102、通道電路104、前置放大器106、硬盤控制器110、馬達(dá)控制器112、主軸馬達(dá)114、盤片116、和讀/寫頭組件120。接口控制器102控制到/來自盤片116的數(shù)據(jù)的尋址和時(shí)序。接口控制器102可以包括諸如處理器、緩沖存儲(chǔ)器、格式控制、錯(cuò)誤校正電路和接口電路的設(shè)備。盤片116上的數(shù)據(jù)包括當(dāng)讀/寫頭組件適當(dāng)?shù)匚挥诒P片116上時(shí)可以由讀/寫頭組件120寫入和檢測的磁信號的組。在一個(gè)實(shí)施例中，盤片116包括依據(jù)或者縱向或者垂直的記錄方案來記錄的磁信號。在典型的寫操作中，接口控制器102接收要存儲(chǔ)在盤片116上的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)122，并將相應(yīng)的數(shù)字寫數(shù)據(jù)124提供給通道電路104中的寫通道126?？梢栽谥T如串行高級技術(shù)附接(SATA)接口的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備接口上串行地接收數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)122。在寫操作期間，在本地緩沖存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)122，并且利用錯(cuò)誤校正碼對數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)122進(jìn)行格式化和擴(kuò)增。寫通道126可采用以多種方式來處理數(shù)字寫數(shù)據(jù)124，諸如將數(shù)據(jù)串行化、對數(shù)據(jù)進(jìn)行調(diào)制編碼并添加奇偶校驗(yàn)位、以期望的位速率將數(shù)據(jù)串行化、以及執(zhí)行寫預(yù)補(bǔ)償。寫通道126將已編碼的寫數(shù)據(jù)130提供給前置放大器106中的寫驅(qū)動(dòng)器132。在某些實(shí)施例中，前置放大器106安裝在致動(dòng)器臂134上，并且已編碼的寫數(shù)據(jù)130由發(fā)送器從通道電路104驅(qū)動(dòng)，并且經(jīng)過撓性電纜以差分正射極耦合邏輯(PECL)格式傳遞到臂上安裝的前置放大器106中的寫驅(qū)動(dòng)器132。前置放大器106將已編碼的寫數(shù)據(jù)130轉(zhuǎn)換為模擬信號，執(zhí)行波整形，添加過沖脈沖以輔助記錄處理，以及在讀/寫頭組件120的寫頭部分中加以具有由PECL輸入所確定的極性的雙極性可編程寫電流136?；谧x/寫頭組件120中極尖的初始磁性狀態(tài)控制過沖脈沖的特性(包括過沖脈沖之后的穩(wěn)態(tài)電流的級別)。在典型的讀操作中，通過馬達(dá)控制器112將讀/寫頭組件120準(zhǔn)確地定位于盤片116的期望的數(shù)據(jù)磁道上。馬達(dá)控制器112不僅相對于盤片116定位讀/寫頭組件120，并且還在硬盤控制器110的指導(dǎo)下通過將讀/寫頭組件120移動(dòng)到盤片116上的適當(dāng)數(shù)據(jù)磁道來驅(qū)動(dòng)主軸馬達(dá)114。主軸馬達(dá)114使盤片116以確定的旋轉(zhuǎn)速率(RPM)旋轉(zhuǎn)。前置放大器106中的讀電路140建立讀/寫頭組件120上磁阻寫頭中的偏置電流。一旦將讀/寫頭組件120放置鄰近于適當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)磁道，則隨著通過主軸馬達(dá)114使盤片116旋轉(zhuǎn)，讀/寫頭組件120感測表示盤片116上的數(shù)據(jù)的磁信號。將所感測的磁信號被提供作為表示盤片116上的磁數(shù)據(jù)的連續(xù)、微小的模擬信號142。將該微小模擬信號142從讀/寫頭組件120傳輸?shù)角爸梅糯笃?06中的讀電路140，在這里，對該微小模擬信號進(jìn)行放大并且將其作為模擬讀數(shù)據(jù)146傳送到通道電路104中的讀通道144。讀通道144又將所接收的模擬信號解碼和數(shù)字化，以重現(xiàn)原始寫入盤片116的用戶數(shù)據(jù)，以及提取伺服信息。作為對模擬讀數(shù)據(jù)146的處理的一部分，讀通道電路802可以執(zhí)行諸如模擬濾波、可變增益放大、模數(shù)轉(zhuǎn)換、均衡化、時(shí)序恢復(fù)、數(shù)據(jù)檢測、解碼、去串行化(deserialization)、和伺服解調(diào)的一個(gè)或多個(gè)操作，以獲得用戶數(shù)據(jù)和伺服信息。通過讀通道144將用戶數(shù)據(jù)作為數(shù)字讀數(shù)據(jù)150提供給接口控制器102，在這里對數(shù)字讀數(shù)據(jù)進(jìn)行錯(cuò)誤校正，剝離特殊格式化字段，并在緩沖存儲(chǔ)器中進(jìn)行重組裝，以作為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)122傳輸?shù)接脩粼O(shè)備。讀通道144還將伺服數(shù)據(jù)152提供給接口控制器102，以供在驅(qū)動(dòng)硬盤控制器110和馬達(dá)控制器112中使用。在讀和寫操作兩者期間，接口控制器102中的微代碼控制旋轉(zhuǎn)速度并且調(diào)節(jié)頭位置，以保持準(zhǔn)確的磁道跟隨以及在磁道之間進(jìn)行查找。通過讀通道144由預(yù)先記錄在盤片116上在數(shù)據(jù)記錄之間的間隔處的專用字段解調(diào)用于這些功能的伺服位置信息。應(yīng)當(dāng)注意，存儲(chǔ)系統(tǒng)100可以集成到諸如例如基于RAID (廉價(jià)磁盤冗余陣列或者獨(dú)立磁盤冗余陣列)的存儲(chǔ)系統(tǒng)的較大存儲(chǔ)系統(tǒng)中。還應(yīng)當(dāng)注意，可以以軟件或者固件來實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)系統(tǒng)100的各種功能或者模塊，而以硬件來實(shí)現(xiàn)其它功能或者模塊。在此所公開的各種模塊可以與其它功能一同以集成電路來實(shí)現(xiàn)。這樣的集成電路可以包括給定的模塊、系統(tǒng)或者電路的全部功能，或者可以僅僅包括所述模塊、系統(tǒng)或電路的子集。此外，可以跨多個(gè)集成電路來實(shí)現(xiàn)模塊、系統(tǒng)或者電路的元件。這樣的集成電路可以是現(xiàn)有技術(shù)中已知的任何類型的集成電路，包括但不限于:單片集成電路、倒裝芯片集成電路、多芯片模塊集成電路、和/或混合信號集成電路。還應(yīng)當(dāng)注意，可以以軟件或者固件來實(shí)現(xiàn)在此所述的模塊、系統(tǒng)或者電路的各種功能。在某些這樣的情況下，整個(gè)系統(tǒng)、模塊或者電路可以使用其軟件或者固件等效來實(shí)現(xiàn)。在其它情況下，可以以軟件或者固件來實(shí)現(xiàn)給定的系統(tǒng)、模塊或者電路的一個(gè)部分，而以硬件來實(shí)現(xiàn)其它部分?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖2，示出了根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的針對各種輸入數(shù)據(jù)模式而生成的寫電流特性。再次，通過使寫電流特性適合極尖的初始磁性狀態(tài)，來控制極尖的磁化切換來提高記錄性能。在某些實(shí)施例中，通過最近寫入數(shù)據(jù)序列來確定極尖的初始磁性狀態(tài)。在左邊的列202中，示出了四個(gè)數(shù)據(jù)序列204、206、210和212。在右邊的列220，示出了四個(gè)所生成的寫電流波形222、224、226和230。換言之，當(dāng)要接收數(shù)據(jù)序列204以用于寫入時(shí)，將使用寫電流波形222來磁化極尖。在這些示例中，示出了數(shù)據(jù)204、206、210和212以及所生成的寫電流波形222、224、226和230中的正轉(zhuǎn)換232。然而，還會(huì)使用相應(yīng)的負(fù)轉(zhuǎn)換來生成具有如圖2所示的受控特性的寫電流波形，而極性相反。第一數(shù)據(jù)序列204包括短在前的序列240 (其可以包括就在轉(zhuǎn)換232之前已經(jīng)被寫入的一個(gè)或多個(gè)“0”)，以及在轉(zhuǎn)換232之后要寫入的長跟隨序列242。長跟隨序列242可以要在轉(zhuǎn)換232開始寫入的一連串“I”。短和長序列中的位數(shù)不限于任何特定值，因?yàn)樗麄兛梢曰跀?shù)據(jù)速率、影響到磁飽和的時(shí)間的極尖磁特性等而改變。在在此所公開的某些實(shí)施例中，短和長序列被稱為具有IT和2T的持續(xù)時(shí)間，其中持續(xù)時(shí)間2T是IT長度的兩倍。在某些實(shí)施例中，IT持續(xù)時(shí)間被定義成一個(gè)位單元(bit cell)，而在其它實(shí)施例中，IT持續(xù)時(shí)間可以被定義成包含多于一個(gè)的數(shù)據(jù)位。根據(jù)數(shù)據(jù)序列204產(chǎn)生的經(jīng)過極尖的寫電流222將具有弱過沖設(shè)定，這意味著將會(huì)生成小的過沖脈沖244，隨后是穩(wěn)態(tài)寫電流級別246。由于短在前的序列240，極尖將不會(huì)在轉(zhuǎn)換232之前飽和，并且由于長跟隨序列242，將不需要迫使極尖快速進(jìn)入磁飽和。因?yàn)檫@兩種因素的組合，所以將弱過沖設(shè)定用于寫電流222。再次，可以控制寫電流的各種特性，包括但不限于:過沖幅度、過沖持續(xù)時(shí)間、穩(wěn)態(tài)電流Iw、電流上升時(shí)間等。在此，總的來說，依據(jù)過沖強(qiáng)度來稱呼這些特性，諸如寫電流222的弱過沖設(shè)定。數(shù)據(jù)序列206包括長在前的序列250和長跟隨序列252。在此情況下，在轉(zhuǎn)換232之前，極尖將已經(jīng)飽和，但長跟隨序列252對此進(jìn)行均衡。在所產(chǎn)生的寫電流224中使用常規(guī)的過沖設(shè)定。數(shù)據(jù)序列210包括短在前的序列254和短跟隨序列256。在此情況下，在轉(zhuǎn)換232之前，極尖將未飽和，但短跟隨序列252對此進(jìn)行均衡。在所產(chǎn)生的寫電流226中使用強(qiáng)烈過沖設(shè)定。數(shù)據(jù)序列212包括長在前的序列260和短跟隨序列262。在此情況下，在轉(zhuǎn)換232之前，極尖將已經(jīng)飽和，并且跟隨序列252短。由于這兩種因素的組合，所以在所產(chǎn)生的寫電流230中使用超強(qiáng)烈過沖設(shè)定。在下面的表I中概述了某些實(shí)施例的寫電流特性對數(shù)據(jù)序列特性:
表I
權(quán)利要求
1.一種利用多級別寫電流波形進(jìn)行磁記錄的裝置，包括: 磁性寫頭； 模式檢測電路，能操作來檢測要由所述磁性寫頭寫入的數(shù)據(jù)中的模式以及產(chǎn)生模式指示信號；以及 寫驅(qū)動(dòng)器，能操作來生成用于所述磁性寫頭的多級別寫電流波形，其中所述多級別寫電流波形的至少一個(gè)電特性基于所述模式檢測電路所檢測的模式。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述要由所述磁性寫頭寫入的數(shù)據(jù)中的模式表示所述磁性寫頭的磁飽和級別。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述寫驅(qū)動(dòng)器能操作來:在所述磁性寫頭的所述磁飽和級別在特定飽和級別之上時(shí)生成用于所述要寫入的數(shù)據(jù)中的轉(zhuǎn)換的第一寫電流級別，以及在所述磁性寫頭的所述磁飽和級別在所述特定飽和級別之下時(shí)生成第二寫電流級別，其中所述第一寫電流級別比第二寫電流級別更強(qiáng)烈。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述模式檢測電路能操作來檢測所述要由所述磁性寫頭寫入的數(shù)據(jù)中的至少第一游程長度和第二游程長度。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述模式檢測電路能操作來檢測轉(zhuǎn)換之前的數(shù)據(jù)是否在比第一持續(xù)時(shí)間更長的時(shí)間保持不變，以及所述轉(zhuǎn)換之后的數(shù)據(jù)是否將會(huì)在比第二持續(xù)時(shí)間更長的時(shí)間保持不變。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述第一持續(xù)時(shí)間和所述第二持續(xù)時(shí)間包括所述要由所述磁性寫頭寫入的數(shù)據(jù)中的位 周期。
7.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述寫驅(qū)動(dòng)器能操作來在所述轉(zhuǎn)換之前的數(shù)據(jù)沒有在比所述第一持續(xù)時(shí)間更長的時(shí)間保持不變并且所述轉(zhuǎn)換之后的數(shù)據(jù)在比所述第二持續(xù)時(shí)間更長的時(shí)間保持不變時(shí)生成具有第一特性的所述多級別寫電流波形； 其中所述寫驅(qū)動(dòng)器能操作來在所述轉(zhuǎn)換之前的數(shù)據(jù)在比所述第一持續(xù)時(shí)間更長的時(shí)間保持不變并且所述轉(zhuǎn)換之后的數(shù)據(jù)在比所述第二持續(xù)時(shí)間更長的時(shí)間保持不變時(shí)生成具有第二特性的所述多級別寫電流波形； 其中所述寫驅(qū)動(dòng)器能操作來在所述轉(zhuǎn)換之前的數(shù)據(jù)沒有在比所述第一持續(xù)時(shí)間更長的時(shí)間保持不變并且所述轉(zhuǎn)換之后的數(shù)據(jù)沒有在比所述第二持續(xù)時(shí)間更長的時(shí)間保持不變時(shí)生成具有第三特性的所述多級別寫電流波形； 其中所述寫驅(qū)動(dòng)器能操作來在所述轉(zhuǎn)換之前的數(shù)據(jù)在比所述第一持續(xù)時(shí)間更長的時(shí)間保持不變并且所述轉(zhuǎn)換之后的數(shù)據(jù)沒有在比所述第二持續(xù)時(shí)間更長的時(shí)間保持不變時(shí)生成具有第四特性的所述多級別寫電流波形；以及 其中所述第二特性比所述第一特性更強(qiáng)烈，并且所述第三特性比所述第二特性更強(qiáng)烈，并且所述第四特性比所述第三特性更強(qiáng)烈。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述多級別寫電流波形的所述至少一個(gè)電特性選自:過沖脈沖幅度、過沖脈沖寬度、和過沖脈沖之后的穩(wěn)態(tài)電流級別。
9.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述模式指示信號包括指示所述要由所述磁性寫頭寫入的數(shù)據(jù)具有第一脈沖持續(xù)時(shí)間的第一信號和指示要寫入的所述數(shù)據(jù)具有第二脈沖持續(xù)時(shí)間的第二信號， 所述裝置還包括多級別差分信號生成電路，其能操作來基于所述模式指示信號生成三兀信號。
10.如權(quán)利要求9所述的裝置，還包括接收器，其能操作來確定所述三元信號的狀態(tài)以及基于所述三元信號的狀態(tài)控制所述寫驅(qū)動(dòng)器。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述接收器包括過零檢測器和多個(gè)限制器。
12.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述模式檢測電路和所述多級別差分信號生成電路位于通道電路中，并且其中所述接收器和所述寫驅(qū)動(dòng)器位于前置放大器電路中。
13.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述寫驅(qū)動(dòng)器包括過沖脈沖生成器，其能操作來在所述要寫入的數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)換處在所述多級別寫電流波形中提供過沖脈沖。
14.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述寫驅(qū)動(dòng)器包括輸出驅(qū)動(dòng)器橋和連接到所述輸出驅(qū)動(dòng)器橋的多個(gè)參考電流源。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述輸出驅(qū)動(dòng)器橋包括多個(gè)功率電流源，其能操作來切換經(jīng)過所述磁性寫頭的所述多級別寫電流波形。
16.如權(quán)利要求15所述的裝置，其中所述多個(gè)功率電流源中的每一個(gè)包括多個(gè)電流鏡，所述多個(gè)電流鏡中的每一個(gè)將來自所述參考電流源中的一個(gè)的電流貢獻(xiàn)到所述多級別寫電流波形。
17.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述模式檢測電路和所述寫驅(qū)動(dòng)器位于前置放大器電路中， 所述裝置還包括在所述前置放大器電路中的鎖相環(huán)，其能操作來從所述要由所述磁性寫頭寫入的數(shù)據(jù)恢復(fù)時(shí)鐘信號。
18.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述磁性寫頭、所述模式檢測電路和所述寫驅(qū)動(dòng)器被整合在存儲(chǔ)設(shè)備中。
19.一種利用多級別寫電流波形在磁存儲(chǔ)設(shè)備中記錄數(shù)據(jù)的方法，包括: 基于與數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換相鄰的數(shù)據(jù)序列的游程長度確定寫頭中極尖的磁化狀態(tài)； 生成表示所述極尖的所述磁化狀態(tài)的至少一個(gè)信號；以及 基于所述至少一個(gè)信號生成所述多級別寫電流波形以用于所述寫頭，其中當(dāng)所述磁化狀態(tài)為飽和時(shí)所述多級別寫電流波形對于所述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換而言更強(qiáng)烈，并且當(dāng)所述磁化狀態(tài)為不飽和時(shí)對于所述數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換而言更不強(qiáng)烈。
20.—種存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括: 存儲(chǔ)介質(zhì)，其保持?jǐn)?shù)據(jù)集； 寫頭，其能操作來將所述數(shù)據(jù)集磁性地記錄到所述存儲(chǔ)介質(zhì)； 模式檢測電路，其能操作來檢測與轉(zhuǎn)換相鄰的所述數(shù)據(jù)集中的游程長度；以及 寫驅(qū)動(dòng)器，其能操作來生成用于所述寫頭中的線圈的多級別寫電流波形，其中所述多級別寫電流波形的 至少一個(gè)電特性基于所述模式檢測電路所檢測的游程長度。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有多級別寫電流的磁記錄系統(tǒng)。本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例提供了利用多級別寫電流波形進(jìn)行磁記錄的裝置、系統(tǒng)和方法。例如，公開了一種利用多級別寫電流波形進(jìn)行磁記錄的裝置，其包括模式檢測電路，能操作來檢測要由磁性寫頭寫入的數(shù)據(jù)中的模式并產(chǎn)生模式指示信號；以及寫驅(qū)動(dòng)器，能操作來生成用于磁性寫頭的多級別寫電流波形。所述多級別寫電流波形的至少一個(gè)電特性基于模式檢測電路所檢測的模式。
文檔編號G11B5/02GK103137142SQ20121035654
公開日2013年6月5日 申請日期2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月22日
發(fā)明者B·利維徹茲, R·S·威爾森, J·S·高登博格 申請人:Lsi公司