對(duì)于意外功率損失的數(shù)據(jù)保護(hù)的制作方法
【專利摘要】本申請(qǐng)公開了對(duì)于意外功率損失的數(shù)據(jù)保護(hù)。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備接收寫入數(shù)據(jù)命令和數(shù)據(jù)。在所述存儲(chǔ)設(shè)備的緩沖器中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。以及在將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在緩沖器中之后，發(fā)出命令完成狀態(tài)指示。在發(fā)出所述命令完成狀態(tài)指示之后，將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)設(shè)備的主存儲(chǔ)器中。所述主存儲(chǔ)器包括第一類型的非易失性存儲(chǔ)器，以及所述緩沖器包括第二類型的非易失性存儲(chǔ)器，所述第二類型的非易失性存儲(chǔ)器不同于所述第一類型的非易失性存儲(chǔ)器。
【專利說明】對(duì)于意外功率損失的數(shù)據(jù)保護(hù)
[0001]發(fā)明概述
[0002]段落1.一種本文所描述的方法，包括:
[0003]在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備接收寫入數(shù)據(jù)命令和數(shù)據(jù)；
[0004]在所述存儲(chǔ)設(shè)備的緩沖器中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；
[0005]以及在將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在緩沖器中之后，發(fā)出命令完成狀態(tài)指示；
[0006]在發(fā)出所述命令完成狀態(tài)指示之后，將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)設(shè)備的主存儲(chǔ)器中，其中所述主存儲(chǔ)器包括第一類型的非易失性存儲(chǔ)器，所述緩沖器包括第二類型的非易失性存儲(chǔ)器，所述第二類型的非易失性存儲(chǔ)器不同于所述第一類型的非易失性存儲(chǔ)器。
[0007]段落2.如段落I所述的方法，其中所述第二類型的非易失性存儲(chǔ)器具有比第一類型的非易失性存儲(chǔ)器更快的訪問時(shí)間。
[0008]段落3.如段落1-2中的任何所述的方法，其中:
[0009]在所述主存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)包括在閃速存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，以及
[0010]在所述緩沖器中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)包括:在STRAM、PCRAM、RRAM和NVSRAM的一個(gè)或多個(gè)中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
[0011]段落4.如段落1-3中的任何所述的方法，進(jìn)一步包括:
[0012]在緩沖器中存儲(chǔ)映射元數(shù)據(jù)，所述映射元數(shù)據(jù)包括在所述主存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的邏輯塊地址和數(shù)據(jù)的物理地址之間的映射信息，以及
[0013]在發(fā)出命令完成狀態(tài)指示之后，在所述主存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)所述映射元數(shù)據(jù)。
[0014]段落5.如段落1-4中的任何所述的方法，進(jìn)一步包括:
[0015]在所述緩沖器中積累多次寫入數(shù)據(jù)命令的數(shù)據(jù)，直到在所述緩沖器中已積累閾值數(shù)據(jù)量，以及
[0016]在所述緩沖器中已積累閾值數(shù)據(jù)量之后，在所述主存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
[0017]段落6.如段落1-5中的任何所述的方法，進(jìn)一步包括:
[0018]所述主存儲(chǔ)器包括閃速存儲(chǔ)器，以及
[0019]所述積累數(shù)據(jù)的閾值量是數(shù)據(jù)的一個(gè)邏輯頁。
[0020]段落7.如段落1-5中的任何所述的方法，進(jìn)一步包括:
[0021]在段落5中所述的方法，其中:
[0022]所述主存儲(chǔ)器包括閃速存儲(chǔ)器，以及
[0023]所述積累數(shù)據(jù)的閾值量是數(shù)據(jù)的一個(gè)物理頁面。
[0024]段落8.如段落1-5中的任何所述的方法，其中所述主存儲(chǔ)器包括多級(jí)閃速存儲(chǔ)器，以及所述積累數(shù)據(jù)的閾值量足以使積累數(shù)據(jù)的至少一個(gè)頁面被存儲(chǔ)在閃速存儲(chǔ)器中；以及
[0025]進(jìn)一步包括:
[0026]從存儲(chǔ)至少一個(gè)頁面的所述主存儲(chǔ)器的至少一個(gè)塊中，從每個(gè)物理頁讀取一個(gè)或多個(gè)頁；
[0027]在所述緩沖器中存儲(chǔ)其他頁面，以及[0028]在至少一個(gè)頁面已經(jīng)被積累之后，在主存儲(chǔ)器中的物理頁面中存儲(chǔ)頁面和其它頁面。
[0029]段落9.如段落8所述的方法，其中在積累頁之前讀取其他頁面。
[0030]段落10.如段落8所述的方法，其中在積累頁期間讀取所述其他頁面。
[0031]段落11.如段落1-10中的任何所述的方法，進(jìn)一步包括:
[0032]計(jì)數(shù)所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)的邏輯塊區(qū)域已被寫入的次數(shù)；
[0033]在所述緩沖器中積累所述多次寫入數(shù)據(jù)命令的數(shù)據(jù)，以及
[0034]根據(jù)所述次數(shù)確定所述邏輯塊區(qū)域是否不頻繁寫入或頻繁寫入；以及
[0035]在存儲(chǔ)邏輯塊的頻繁寫入?yún)^(qū)域的數(shù)據(jù)之前，將邏輯塊的不頻繁寫入?yún)^(qū)域的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到主存儲(chǔ)器中。
[0036]段落12.如段落1-11中的任何所述的方法，進(jìn)一步包括:對(duì)提供所述寫入操作的狀態(tài)的元數(shù)據(jù)進(jìn)行更新。
[0037]段落13.如段落12中所述的方法，其中更新所述元數(shù)據(jù)包括:在接收所述寫入數(shù)據(jù)命令之后，更新所述元數(shù)據(jù)以指示寫入操作正在進(jìn)行中。
[0038]段落14.如段落12中所述的方法，其中更新所述元數(shù)據(jù)包括:更新所述元數(shù)據(jù)以指示所述數(shù)據(jù)已被接收。
[0039]段落15.如段落12中所述的方法，其中更新所述元數(shù)據(jù)包括:在所述主存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)之后，更新所述元數(shù)據(jù)以指示寫入操作完成。
[0040]段落16.—種設(shè)備，包括:
[0041 ] 接口，經(jīng)被配置以接收寫入數(shù)據(jù)命令和數(shù)據(jù)；
[0042]主存儲(chǔ)器，包括第一類型的非易失性存儲(chǔ)器；
[0043]緩沖器，包括不同于第一類型的非易失性存儲(chǔ)器的第二類型的非易失性存儲(chǔ)器，以及
[0044]控制器，經(jīng)配置以:
[0045]使得所述數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在所述緩沖器中；
[0046]在所述緩沖器中存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)之后，發(fā)出指示寫入數(shù)據(jù)命令已完成的命令完成狀態(tài)指示；以及
[0047]在發(fā)出所述命令完成狀態(tài)指示之后，使得所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在所述主存儲(chǔ)器中。
[0048]段落17.如段落16所述的設(shè)備，其中第二內(nèi)存類型包含如下的一個(gè)或多個(gè):非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(NVSRAM)、相變存儲(chǔ)器(PCM)，電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)、自旋力矩RAM中描述的設(shè)備(STRAM)和磁性RAM (MRAM)0
[0049]段落18.如段落16-17中任何所述的設(shè)備，其中，所述設(shè)備包括固態(tài)驅(qū)動(dòng)器和第一存儲(chǔ)器類型的閃速存儲(chǔ)器。
[0050]段落19.如段落16-18中任何所述的設(shè)備，其中，所述設(shè)備包括混合驅(qū)動(dòng)。
[0051]段落20.如段落16-19中任何所述的設(shè)備，其中，當(dāng)在主存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，所述控制器經(jīng)被配置為預(yù)補(bǔ)償寫入干擾效果。
[0052]附圖簡(jiǎn)述
[0053]圖1是根據(jù)本文中討論的實(shí)施例，包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的系統(tǒng)的框圖；
[0054]圖2提供根據(jù)一些實(shí)施例，操作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備以執(zhí)行寫入操作的過程的流程圖；[0055]圖3是示出在寫操作過程中包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)并更新元數(shù)據(jù)的處理的流程圖；
[0056]圖4示出可在假想的2級(jí)存儲(chǔ)器單元格中用于表示兩位數(shù)據(jù)的可能電壓電平；以及
[0057]圖5示出根據(jù)一些實(shí)施例在存儲(chǔ)在主存儲(chǔ)器之前積累數(shù)據(jù)的處理。
[0058]發(fā)明詳述
[0059]對(duì)于發(fā)送到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備(諸如硬盤驅(qū)動(dòng)器)的數(shù)據(jù)的寫入操作、成功接收和存儲(chǔ)，固態(tài)驅(qū)動(dòng)或混合磁盤驅(qū)動(dòng)通常是公認(rèn)的經(jīng)由”命令完成”狀態(tài)消息指示(CCI)的發(fā)送設(shè)備(例如，主機(jī))。例如，具有易失性寫入緩存禁用的串行連接SCSI的盤驅(qū)動(dòng)器通常在數(shù)據(jù)被寫入介質(zhì)之后對(duì)于寫入命令操作發(fā)送該消息。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性，希望在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備突然失去電源供給的情況下發(fā)送存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。然而，為了提供最佳的系統(tǒng)吞吐量，即使從主機(jī)發(fā)送的數(shù)據(jù)還沒有被存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備中的最終存儲(chǔ)單元中，從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備向主機(jī)發(fā)送CCI也可是有益的。在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在其最終存儲(chǔ)器位置之前搶先發(fā)送CCI可有利于主機(jī)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的性能。數(shù)據(jù)通常保存在主機(jī)系統(tǒng)中，直到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)發(fā)生故障的情況下從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備接收CCI。CCI的接收使得主機(jī)系統(tǒng)釋放其數(shù)據(jù)緩沖器用于新工作。對(duì)于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，搶先發(fā)送CCI潛在地使得由主機(jī)系統(tǒng)發(fā)送其他的新命令，增加并行處理命令和用于合并互補(bǔ)命令的可能性，例如遍布命令界限的順序操作。然而，如果在CCI被發(fā)送給主機(jī)之后但在所述數(shù)據(jù)以及對(duì)應(yīng)元數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)到非易失性存儲(chǔ)器之前發(fā)生斷電，數(shù)據(jù)的完整性可能受到危害。
[0060]雖然在數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在其最終的非易失性存儲(chǔ)器位置之前返回CCI的技術(shù)可提高數(shù)據(jù)吞吐量，該技術(shù)和避免數(shù)據(jù)丟失導(dǎo)致額外的電能存儲(chǔ)元件，例如備用電池和/或電容能量存儲(chǔ)。這些額外的能量存儲(chǔ)組件被設(shè)計(jì)成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備保持備用電源，其足以允許即使當(dāng)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)發(fā)生主電源損耗，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)操作可被完成。結(jié)合額外的硬件增加了設(shè)備的復(fù)雜性、成本和尺寸。
[0061]由于需要維持映射元數(shù)據(jù)來跟蹤數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在主存儲(chǔ)器中的位置而引入額外的復(fù)雜性。一般地，在大多數(shù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不直接在主存儲(chǔ)器中的邏輯地址(由主機(jī)所用)和物理位置之間映射。相反，映射元數(shù)據(jù)跟蹤邏輯塊在主存儲(chǔ)器的物理位置中的位置。即使在意外斷電的情況下準(zhǔn)確地保持映射元數(shù)據(jù)提高了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的數(shù)據(jù)完整性。因?yàn)橛成湓獢?shù)據(jù)被頻繁更新，在快速、持久存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)映射元數(shù)據(jù)是有幫助的。易失性存儲(chǔ)器(諸如SRAM或DRAM)具有兼容映射元數(shù)據(jù)速度和耐用性的特點(diǎn)，但在斷電情況下易易失并丟失它們的內(nèi)容。在較慢的不耐用非易失性存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)元數(shù)據(jù)增加了非易失性存儲(chǔ)元件的寫入擴(kuò)增和磨損，并降低了性能。
[0062]本文所描述的實(shí)施例包括和主非易失性存儲(chǔ)器相比具有更快存取時(shí)間和/或更高耐久性的輔助的非易失性存儲(chǔ)器。在這些實(shí)施例中，輔助非易失性存儲(chǔ)器充當(dāng)主非易失性存儲(chǔ)器的緩沖器，其中所述主非易失性存儲(chǔ)器通常用作用戶數(shù)據(jù)的最后存儲(chǔ)位置。在這里所討論的實(shí)施例中，在數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)到輔助非易失性存儲(chǔ)器之后但在數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)到主存儲(chǔ)器中之前，CCI從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備發(fā)送到主機(jī)。需要注意:術(shù)語”主存儲(chǔ)器”和”輔助存儲(chǔ)器”在本文中用于表示存儲(chǔ)器的差異(例如，使用、容量、性能、存儲(chǔ)類或類型等)，而不是一定是順序或偏好。
[0063]在一些存儲(chǔ)設(shè)備配置中，主存儲(chǔ)器是固態(tài)存儲(chǔ)器，諸如NAND或NOR閃速存儲(chǔ)器。閃速存儲(chǔ)器通常指基于浮柵FET技術(shù)的電可擦除可編程存儲(chǔ)器。閃速存儲(chǔ)器正在成為越來越重要的存儲(chǔ)技術(shù)，并已用作固態(tài)硬盤(SSD)中的主存儲(chǔ)器。閃速存儲(chǔ)器還用于集合混合驅(qū)動(dòng)中的盤(旋轉(zhuǎn)盤)存儲(chǔ)器。在一些配置中，其中主存儲(chǔ)器是閃存或硬盤，輔助存儲(chǔ)器可以是比閃速存儲(chǔ)器更快和/或更持久的非易失性存儲(chǔ)器，諸如相變存儲(chǔ)器(PCM)，阻抗隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)、自旋力矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(STRAM)和/或非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(NVSRAM)0 PCM和RRAM可以比NAND閃存幾千倍更耐用(以重復(fù)編程周期計(jì)算)，而且也是位可變。STRAM和NVRAM設(shè)備具有幾乎無限的耐用性，以及也是位可變的。
[0064]圖1是示出數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備101和主機(jī)140的系統(tǒng)的框圖。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備101包括非易失性主存儲(chǔ)器110 (例如，閃存、硬盤或其它非易失性存儲(chǔ)器)以及非易失性輔助存儲(chǔ)器120(例如，STRAM、PCRAM、RRAM、NVSRAM或其它類型的非易失性存儲(chǔ)器)。主存儲(chǔ)器110通常包括大量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)位置111，以及輔助存儲(chǔ)器120典型地包括較少的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)位置121。在許多配置中，輔助存儲(chǔ)器120比主存儲(chǔ)器具有更快的存取時(shí)間和/或更耐用。注意:主存儲(chǔ)器可包括多種類型的存儲(chǔ)器，諸如在混合驅(qū)動(dòng)中一起使用的閃存和硬盤存儲(chǔ)器。類似地，輔助存儲(chǔ)器120也可以使用多個(gè)類型的存儲(chǔ)器。
[0065]數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置101包括耦合所述主存儲(chǔ)器110以及輔助存儲(chǔ)器120到主機(jī)140的控制器130，所述主存儲(chǔ)器110包括大量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)位置?？刂破?30控制對(duì)于主存儲(chǔ)器110和輔助存儲(chǔ)器120的讀出和寫入訪問。例如，主機(jī)140可以向數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備101發(fā)出寫入命令，其中所述寫入命令包括要被存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)以及數(shù)據(jù)的邏輯塊地址(LBA)?？刂破?30從主機(jī)接收數(shù)據(jù)存儲(chǔ)命令，并控制第二存儲(chǔ)器120和主存儲(chǔ)器110，以便從主機(jī)140發(fā)送的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在主存儲(chǔ)器110中的最終目的地存儲(chǔ)器位置111。如本文所使用的，術(shù)語數(shù)據(jù)的”最終目的地”指在執(zhí)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)命令的上下文中數(shù)據(jù)的最終目的地，即使主存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不一定永久駐留在該最終目的地，并在執(zhí)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)命令之后可移動(dòng)到主存儲(chǔ)器的其他存儲(chǔ)位置或其他位置，作為垃圾收集和/或其它設(shè)備操作的結(jié)果。作為被執(zhí)行的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)操作的一部分，控制器130生成映射元數(shù)據(jù)，所述映射元數(shù)據(jù)將數(shù)據(jù)的主機(jī)LBA映射到主存儲(chǔ)器110和/或輔助存儲(chǔ)器120中的數(shù)據(jù)物理位置。此外，控制器130產(chǎn)生各種握手信號(hào)。所述握手信息被返回給主機(jī)140并指示數(shù)據(jù)存儲(chǔ)命令的狀態(tài)，如在圖1中所示的CCI信號(hào)。
[0066]圖2示出根據(jù)本文描述的各種實(shí)施例操作的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的處理流程圖。如上文所討論地，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置包括主存儲(chǔ)器和主要用作緩沖器的輔助存儲(chǔ)器。主存儲(chǔ)器包括第一類型的非易失性存儲(chǔ)器，以及緩沖器包括第二類型的非易失性存儲(chǔ)器，其中所述第二類型的非易失性存儲(chǔ)器和所述第一類型的非易失性存儲(chǔ)器相比具有更高訪問速度和/或更高的耐久性。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備210從主機(jī)接收寫入命令，請(qǐng)求數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備中。數(shù)據(jù)最初存儲(chǔ)220在緩沖器中。在數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在緩沖器中之后，控制器向主機(jī)發(fā)送CCI命令230，其中，所述CCI命令向主機(jī)指示:寫入命令中的數(shù)據(jù)已被存儲(chǔ)。在CCI命令已被發(fā)送到主機(jī)之后，數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)240在主存儲(chǔ)器中。
[0067]在一些配置中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備可以選擇性地在緩沖器中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。例如，在某些情況下，寫入命令可包括和/或控制器可確定:寫入數(shù)據(jù)命令中的數(shù)據(jù)優(yōu)先級(jí)。如果該數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)低于預(yù)定閾值優(yōu)先級(jí)，則控制器可以繞過緩沖器以及可直接將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在主存儲(chǔ)器中。如果該數(shù)據(jù)的優(yōu)先級(jí)大于或等于所述閾值優(yōu)先級(jí)時(shí)，則數(shù)據(jù)在被存儲(chǔ)在主存儲(chǔ)器之前首先被存儲(chǔ)在緩沖器中。在某些情況下，希望在緩沖器中不確定地保留一些數(shù)據(jù)。例如，認(rèn)為對(duì)于系統(tǒng)性能更重要的數(shù)據(jù)(諸如，用于經(jīng)常讀取的LBA的數(shù)據(jù))可被保持在緩沖器中。作為另一個(gè)示例，優(yōu)先于很少被重寫的LBA的數(shù)據(jù)，頻繁被重寫的LBA的數(shù)據(jù)可以被保存在緩沖器中以減少磨損或提高性能。作為又一示例，在別處存儲(chǔ)(備份)的數(shù)據(jù)和未在別處存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)相比具有較低的緩沖器保留優(yōu)先級(jí)。在某些情況下，用戶數(shù)據(jù)可被確定為是更重要的并因此比其他數(shù)據(jù)(諸如對(duì)于設(shè)備數(shù)據(jù)完整性不重要的內(nèi)部驅(qū)動(dòng)日志和日記)具有較高的優(yōu)先級(jí)。
[0068]在一些實(shí)施例中，所述控制器計(jì)數(shù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)的邏輯塊區(qū)域已被寫入的次數(shù)。在緩沖器中積累來自多個(gè)寫入數(shù)據(jù)命令的數(shù)據(jù)。控制器基于計(jì)數(shù)確定邏輯塊區(qū)域是否被不頻繁寫入或頻繁寫入。控制器使得在頻繁寫入的LBA區(qū)域的緩沖數(shù)據(jù)之前存儲(chǔ)不頻繁寫入的LBA區(qū)域的緩沖數(shù)據(jù)。
[0069]在圖2所示的寫入操作期間，控制器可以更新元數(shù)據(jù)，其中記錄寫入操作的進(jìn)度。寫入操作元數(shù)據(jù)可以被存儲(chǔ)在緩沖器或其它非易失性存儲(chǔ)器中，諸如控制器的非易失性寄存器(如果有的話)。例如，寫入操作元數(shù)據(jù)可被更新以指示信息，諸如:寫入操作在進(jìn)行中、寫入操作已完成、LBA和/或要存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度、在主存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)收集的數(shù)據(jù)之前收集數(shù)據(jù)。
[0070]在大多數(shù)固態(tài)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中，由主機(jī)使用的邏輯塊地址(LBA中)不直接映射到主存儲(chǔ)器中的物理位置?？刂破魇褂糜成湓獢?shù)據(jù)以跟蹤主機(jī)LBA的物理存儲(chǔ)器位置。即使在意外的主機(jī)系統(tǒng)功率損耗的情況下準(zhǔn)確地保持映射元數(shù)據(jù)有助于確保數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的數(shù)據(jù)完整性。為了降低電源中斷期間丟失映射元數(shù)據(jù)的可能性，映射元數(shù)據(jù)可以被存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器(例如，非易失性緩存器或其他的非易失性寄存器控制器(如果有的話))中，直到映射元數(shù)據(jù)被傳輸?shù)街鞔鎯?chǔ)器中。
[0071]由于寫入操作由控制器提供服務(wù)，因此通常頻繁地更新寫入操作元數(shù)據(jù)和映射元數(shù)據(jù)。在一些配置中，非易失性緩存器用于存儲(chǔ)寫入操作元數(shù)據(jù)和/或映射元數(shù)據(jù)。使用非易失性緩沖器在電源中斷的情況下保護(hù)元數(shù)據(jù)以避免損失。如果該緩沖器具有比主存儲(chǔ)器更快的存取時(shí)間，通過使用緩沖器可以最迅速地執(zhí)行元數(shù)據(jù)的頻繁更新。如果緩沖器具有有比主存儲(chǔ)器更強(qiáng)大的耐用性，則對(duì)元數(shù)據(jù)的頻繁更新減少主存儲(chǔ)器的磨損。原子地執(zhí)行對(duì)元數(shù)據(jù)的更新是有幫助的，其中原子地更新對(duì)應(yīng)于以可能寫入操作的最小增量更新元數(shù)據(jù)。如果元數(shù)據(jù)不能原子地遞增，可以以寫入操作的最小增量進(jìn)行更新，將保持低于預(yù)定概率的數(shù)據(jù)損失風(fēng)險(xiǎn)。替代地或補(bǔ)充地，當(dāng)元數(shù)據(jù)不能原子地更新時(shí)，信號(hào)量(實(shí)質(zhì)上表示”更新正在進(jìn)行-使用備用復(fù)制”)可被保持以跟蹤并防止當(dāng)元數(shù)據(jù)更新在進(jìn)行時(shí)的電源損耗破壞。
[0072]圖3提供在寫入操作過程中示出包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和更新元數(shù)據(jù)的處理的流程圖。根據(jù)圖3所示的過程，控制器從主機(jī)接收305寫入命令并啟動(dòng)寫入操作。寫入操作元數(shù)據(jù)任選地被更新310以指示寫入操作正在進(jìn)行中。在某些情況下，寫入操作的元數(shù)據(jù)可以包括關(guān)于寫入操作的附加信息，諸如寫入操作的當(dāng)前狀態(tài)。數(shù)據(jù)從主機(jī)傳輸315以及數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)320在緩沖器中。在數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在緩沖器中之后，寫入操作元數(shù)據(jù)被更新325以指示該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備已經(jīng)接收數(shù)據(jù)(并將向主機(jī)返回CCI狀態(tài))。所述控制器產(chǎn)生并發(fā)送330寫入操作的CCI到主機(jī)。使用在非易失性緩存中安全存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，控制器可以發(fā)起數(shù)據(jù)從緩沖器到主存儲(chǔ)器的傳輸335。該傳輸335是根據(jù)控制器邏輯的判斷。該邏輯可以選擇推遲存儲(chǔ)直到后來例如與其他進(jìn)入數(shù)據(jù)合并所述數(shù)據(jù)?？刂破骺梢源鎯?chǔ)340到主存儲(chǔ)器的映射元數(shù)據(jù)?？刂破鞲?45寫入操作元數(shù)據(jù)以指示寫入操作結(jié)束。如果映射元數(shù)據(jù)被寫入到主存儲(chǔ)器，對(duì)于存儲(chǔ)器寫入操作用于臨時(shí)存儲(chǔ)映射元數(shù)據(jù)的緩沖器位置不再被需要，并且被添加到可用緩沖器的存儲(chǔ)器位置。當(dāng)寫入操作正在進(jìn)行的標(biāo)志被清零時(shí)，表明寫入操作完成，對(duì)于寫入操作使用或保留的緩沖器位置將返回到可用的緩沖器位置池。
[0073]在多級(jí)存儲(chǔ)器中，一位以上的數(shù)據(jù)可以被存儲(chǔ)在單元格中。對(duì)于將存儲(chǔ)單元格組合為頁的設(shè)備，諸如在NAND閃存設(shè)備中通常進(jìn)行的操作，多個(gè)邏輯數(shù)據(jù)頁可被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器的單個(gè)物理頁中。存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器的單個(gè)物理頁中的這些多個(gè)邏輯數(shù)據(jù)頁在此統(tǒng)稱為伴隨頁。使用四個(gè)級(jí)別存儲(chǔ)器作為示例，每4級(jí)存儲(chǔ)器單元格可以存儲(chǔ)兩位信息。在將這些單元格配置為頁的設(shè)備中，閃速存儲(chǔ)器單元格的每個(gè)物理頁可以存儲(chǔ)兩個(gè)邏輯(伴隨)頁。在一個(gè)配置中，第一邏輯頁(表示為較低頁)可以被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元格的物理頁的存儲(chǔ)器單元格的最高有效位(MSB)，以及第二邏輯頁(表示為較上頁)可以被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元格的物理頁的最低有效位(LSB)?？梢远喾N方式將多級(jí)數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器單元格的物理頁中。在一種情形中，通過將MSB存儲(chǔ)在物理存儲(chǔ)器單元格而首先存儲(chǔ)較低頁。在寫入較低頁之后，通過進(jìn)一步改變物理存儲(chǔ)器單元格的狀態(tài)而將較較上頁稍后存儲(chǔ)到物理存儲(chǔ)器單元格。
[0074]考慮在圖4所示的假想的兩級(jí)存儲(chǔ)器單元格中表示兩位數(shù)據(jù)的可能電壓電平。在該示例中，電壓電平Vl對(duì)應(yīng)于2比特的數(shù)據(jù)11(二進(jìn)制)，電壓V2對(duì)應(yīng)于2比特的數(shù)據(jù)10，電壓V3對(duì)應(yīng)于01，以及電壓V4對(duì)應(yīng)于00。在第一步，在寫入Y(MSB)的兩步處理中將數(shù)據(jù)YX寫入到存儲(chǔ)器單元格，接著在第二步寫入X (LSB)0在第一步寫入Y之后，存儲(chǔ)器單元格的電壓電平為Vl (如果Y=I)或V3 (如果Y=0)。在第二步，存儲(chǔ)器單元格的電壓電平保持在Vl (如果YX=Il)或電壓電平變到V2 (如果YX=IO)或電壓電平保持在V3 (如果YX=Ol)或電壓電平變到V4 (如果YX=OO)。
[0075]在某些情況下，可以單一步驟將數(shù)據(jù)寫入到多級(jí)存儲(chǔ)器單元格。例如，考慮圖4的存儲(chǔ)器單元格，在單一步驟處理中，如果YX=Il,則存儲(chǔ)器單元格的電壓被帶到(或留在)電平Vl，如果ΥΧ=10，則存儲(chǔ)器單元格的電壓電平變到電平V2，如果YX=Ol，存儲(chǔ)器單元格的電壓電平被帶到平V3，如果YX是00，則存儲(chǔ)器單元的電壓電平被帶到電平V4。
[0076]在前面的示例中使用”電壓電平等級(jí)”以記錄數(shù)據(jù)是為了示范的目的。在其他示例中，數(shù)據(jù)可被存儲(chǔ)和感測(cè)為磁狀態(tài)、充電電平、電阻水平等，以及該技術(shù)仍然適用。
[0077]當(dāng)在上面概述的兩個(gè)步驟處理中數(shù)據(jù)被寫入到物理存儲(chǔ)器頁面的伴隨較低和較上頁時(shí)，當(dāng)對(duì)應(yīng)的較上頁面被存儲(chǔ)在主存儲(chǔ)器中期間發(fā)生電源損耗時(shí)存儲(chǔ)在主存儲(chǔ)器的較低頁的數(shù)據(jù)可被損壞。為了減少這種類型的數(shù)據(jù)損壞的可能性，當(dāng)來自寫入數(shù)據(jù)命令的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在主存儲(chǔ)器中的較上頁時(shí)，相應(yīng)的較低頁被從主存儲(chǔ)器讀入緩沖器，以防止較上頁編程期間由于電源損耗而損壞較低頁的內(nèi)容。當(dāng)從主存儲(chǔ)器讀取較低頁時(shí)，也可以對(duì)較低頁執(zhí)行糾錯(cuò)。
[0078]在某些情況下，如果在對(duì)主緩沖器的寫入操作發(fā)生之前在緩沖器中累計(jì)一定量的數(shù)據(jù)可以是更有效的。例如，某些類型的存儲(chǔ)器都寫在預(yù)定單元中，例如，閃速存儲(chǔ)器通常被寫在頁中。根據(jù)圖5的處理，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備從主機(jī)接收520寫入命令并在緩沖器中累積530來自寫入命令的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)累積繼續(xù)540直到閾值量的數(shù)據(jù)被累計(jì)。所述閾值量可以對(duì)應(yīng)于主存儲(chǔ)器的寫入操作的存儲(chǔ)器單元。如果主存儲(chǔ)器是多級(jí)存儲(chǔ)器，可從寫入命令累積數(shù)據(jù)，直到將被存儲(chǔ)在主存儲(chǔ)器寫入單元的每個(gè)物理頁的所有邏輯頁(較下，較上和任何中間)被累積。
[0079]在某些情況下，在緩沖器中累積來自寫入命令的數(shù)據(jù)之前，期間和/或之后，控制器可選地將該累積數(shù)據(jù)的伴隨頁從主存儲(chǔ)器讀取到緩沖器中。該可選的處理由虛線框510表示。注意:在本文所提供的流程圖中，塊的的排列不意味著暗示執(zhí)行塊中所描述處理的任何特定順序。例如，雖然讀取操作所示為在接收寫入數(shù)據(jù)520的前面，該操作也可以同時(shí)或在接收寫入數(shù)據(jù)520之后發(fā)生。當(dāng)獲得所需量的數(shù)據(jù)，通過從寫入命令累積數(shù)據(jù)并可任選地通過從主存儲(chǔ)器讀取伴隨頁面，積累的數(shù)據(jù)頁及其伴隨頁面被寫入550到主存儲(chǔ)器中。
[0080]在一些實(shí)施例中，當(dāng)使用多級(jí)主存儲(chǔ)器的情況下，邏輯數(shù)據(jù)頁可以在寫入處理中被寫入到主存儲(chǔ)器的物理頁面，所述寫入處理將較下頁、較上頁和任意數(shù)量的中間頁分別寫入主存儲(chǔ)器的每個(gè)物理頁面?？商鎿Q地，通過將每個(gè)存儲(chǔ)器單元格直接轉(zhuǎn)換到對(duì)應(yīng)于在存儲(chǔ)器單元格中存儲(chǔ)的多位數(shù)據(jù)的電壓電平，較下、較上和中間頁可以被在單個(gè)步驟中被寫入到主存儲(chǔ)器頁的物理頁面。
[0081]某些類型的非存儲(chǔ)器(諸如閃存)體驗(yàn)寫入操作期間的干擾影響。例如，當(dāng)附近的存儲(chǔ)器單元格被寫入時(shí)，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器單元格中的數(shù)據(jù)可以被改變。當(dāng)這些類型的存儲(chǔ)器被用作主存儲(chǔ)器時(shí)，該數(shù)據(jù)可根據(jù)降低這些寫入干擾影響的處理而寫入到主存儲(chǔ)器。
[0082]如前面所討論地，在兩步處理中，較低數(shù)據(jù)頁可以首先被寫入到物理頁。在寫入較下頁時(shí)，其物理上鄰近的相鄰頁之一是未編程的。之后，伴隨上部頁被編程。在較上頁被編程時(shí)，物理上鄰接的相鄰頁可以是未編程或編程為每個(gè)單元格僅I比特(僅其較下頁被編程)。當(dāng)相鄰頁被編程或僅部分編程時(shí)，被編程的頁面對(duì)于相鄰頁的電荷電平的耦合效應(yīng)是不補(bǔ)償?shù)?。?dāng)相鄰頁最終完全編程時(shí)，之前編程頁的電平可以轉(zhuǎn)移。例如，在NAND閃存中，存儲(chǔ)器單元格的浮置柵極的接近引起相鄰單元格柵極之間的電容耦合，所述電容耦合轉(zhuǎn)移存儲(chǔ)器單元格以偏離他們的理想電平。
[0083]在一些實(shí)施例中，本文所述的非易失性緩沖器可以積累多個(gè)頁面的數(shù)據(jù)，以及多個(gè)相鄰頁可以同時(shí)或以降低寫入干擾效應(yīng)的協(xié)調(diào)方式來進(jìn)行編程。根據(jù)此處理，在完全編程頁之前或同時(shí)，它的鄰居頁也被編程，但僅“柔和地”。在這種情況下，“柔和地”編程指相鄰頁面被“欠編程”到接近其目標(biāo)值的充電水平，但低于其最終充電水平以允許其鄰居需要的可能電平補(bǔ)償?！叭岷汀本幊锑従拥哪康脑谟?向相鄰頁賦予最終充電水平，以使其耦合效應(yīng)在編程期間最大程度地補(bǔ)償。相鄰頁的該協(xié)調(diào)編程允許寫入操作預(yù)補(bǔ)償潛在的寫入干擾。本文所討論的緩沖器可用于通過存儲(chǔ)足夠的數(shù)據(jù)量而促進(jìn)預(yù)補(bǔ)償寫入操作，所述足夠的數(shù)據(jù)量使得控制器”期待”將要編程的數(shù)據(jù)。然后，控制器可確定“柔和”編程的合適程度，該“柔和”編程將使得相鄰頁足夠接近最終充電水平，以便引起寫入干擾的耦合被顯著地預(yù)補(bǔ)償。
[0084]例如，考慮具有四個(gè)物理上相鄰頁面的假設(shè)NAND閃存:A、B、C和D (A和D是僅具有一個(gè)鄰居的邊緣頁)。預(yù)補(bǔ)償寫入操作將工作如下:
[0085]1.對(duì)于頁面A和B收集將被編程的數(shù)據(jù)。
[0086]2.柔和地編程B。
[0087]3.編程頁面A到它的最終水平。[0088]4.收集頁面C的數(shù)據(jù)。
[0089]5.柔和地編程頁面C。
[0090]6.編程頁面B到它的最終水平。
[0091]7.收集頁面D的數(shù)據(jù)。
[0092]8.柔和地編程頁面D。
[0093]9.編程頁面C到它的最終水平。
[0094]10.編程頁面D到它的最終水平。
[0095]以上處理1-10可以重復(fù)兩次，一次對(duì)于較低頁面，依次對(duì)于較上邏輯頁或可以應(yīng)用到僅較上頁。
[0096]在可替換處理中，在正常運(yùn)行某個(gè)時(shí)間之前的某一點(diǎn)上，相鄰位單元格的耦合被特征化。該特征化可用于確定耦合補(bǔ)償系數(shù)，該耦合補(bǔ)償系數(shù)可用于預(yù)補(bǔ)償寫入干擾影響。取決于耦合的可變性，存儲(chǔ)的耦合系數(shù)數(shù)量可以與錯(cuò)誤率的所需改進(jìn)進(jìn)行平衡。
[0097]在某些設(shè)計(jì)中，耦合系數(shù)可以被確定并用于當(dāng)遠(yuǎn)離正編程單元格而編程位單元格多個(gè)頁面(頁面中的單元格到位單元格的側(cè)面)以及多個(gè)位位置(之前和之后在相同頁面字線中的單元格)時(shí)用于補(bǔ)償寫入干擾效應(yīng)?？扇Q于頁數(shù)而確定耦合系數(shù)以例如降低模具位置影響。
[0098]在一些實(shí)施方式中，在設(shè)備正常工作期間，寫入處理的操作如下:
[0099]1.對(duì)于存儲(chǔ)單元格和任何顯著耦合的附近單元格收集要被存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
[0100]2.直到完全收集，在存儲(chǔ)在緩沖器的最終目的地之前，存儲(chǔ)并保持該數(shù)據(jù)。
[0101]3.當(dāng)編程頁面時(shí)，使用耦合系數(shù)和數(shù)據(jù)補(bǔ)償每個(gè)存儲(chǔ)器單元格的電平，以減輕相鄰單元格的影響。
[0102]4.重復(fù)，直到存儲(chǔ)所有數(shù)據(jù)。
[0103]下面的假設(shè)示例示出了根據(jù)一些實(shí)施例的預(yù)補(bǔ)償寫入操作。
[0104]假設(shè)假想的NAND閃速主存儲(chǔ)器存儲(chǔ)2位/單元格(4個(gè)電荷水平)。假設(shè)在制造期間確定相鄰頁引起每個(gè)單元格水平差異的2%的漂移。歸一化單元格電荷等級(jí)是0.95、
0.6、0.3和0.05伏特，對(duì)應(yīng)于11、10、01和00的所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位。
[0105]假設(shè)單元格I將被編程到01 (具有0.3的標(biāo)稱電平)。不考慮相鄰位單元格，該單元將被編程到0.3的電荷電平。
[0106]假設(shè)相鄰但將要編程的頁面包含存儲(chǔ)數(shù)據(jù)00的相鄰單元格(單元格2)。并不是將單元格編程到I至0.3的電平，執(zhí)行如下補(bǔ)償計(jì)算:
[0107]賠償00頁相鄰單元格(單元格2) =+ (0.3*0.02) =0.006
[0108]0.006 (補(bǔ)償值)+0.3 (標(biāo)稱值)=0.306 (新目標(biāo)值)。
[0109]因此，單元格I將被編程到0.306的電荷電平(而不是0.3)，以預(yù)補(bǔ)償所述相鄰單元格的(單元格2)未來編程電平。
[0110]在該實(shí)施方式中，補(bǔ)償可只對(duì)于含有10和01值的單元格進(jìn)行。具有11或00的單元格永遠(yuǎn)保持在最佳信號(hào)噪聲比(SNR)的0.95/0.05值。
[0111]需要注意:已編程的單元格的影響也被進(jìn)行補(bǔ)償。因?yàn)檫@些單元格已經(jīng)被編程，當(dāng)編程單元格時(shí)它們的耦合效應(yīng)將固有地被感測(cè)并用于補(bǔ)償(后補(bǔ)償)。上述處理的概述提供預(yù)補(bǔ)償(例如，調(diào)整編程電壓電平，以補(bǔ)償由未編程單元格引起的寫入干擾影響)和后補(bǔ)償(調(diào)整編程電壓電平，以補(bǔ)償由以前編程的單元格引起的寫入干擾影響)。
[0112]但是應(yīng)當(dāng)理解:這種詳細(xì)描述只是說明性的，并且可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行各種增補(bǔ)和/或修改，特別是在結(jié)構(gòu)和部件配置和/或處理方面。因此，本發(fā)明的范圍不應(yīng)該由上面描述的具體實(shí)施例限制，而是應(yīng)該由下面提出的權(quán)利要求書及其等效物來限定。
【權(quán)利要求】
1.一種方法，包括: 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備接收寫入數(shù)據(jù)命令和數(shù)據(jù)； 在所述存儲(chǔ)設(shè)備的緩沖器中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)； 以及在將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在緩沖器中之后，發(fā)出命令完成狀態(tài)指示； 在發(fā)出所述命令完成狀態(tài)指示之后，將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)設(shè)備的主存儲(chǔ)器中，其中所述主存儲(chǔ)器包括第一類型的非易失性存儲(chǔ)器，所述緩沖器包括第二類型的非易失性存儲(chǔ)器，所述第二類型的非易失性存儲(chǔ)器不同于所述第一類型的非易失性存儲(chǔ)器。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二類型的非易失性存儲(chǔ)器具有比第一類型的非易失性存儲(chǔ)器更快的訪問時(shí)間。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中: 在所述主存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)包括在閃速存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，以及 在所述緩沖器中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)包括:在STRAM、PCRAM、RRAM和NVSRAM的一個(gè)或多個(gè)中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括: 在緩沖器中存儲(chǔ)映射元數(shù)據(jù)，所述映射元數(shù)據(jù)包括在所述主存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的邏輯塊地址和數(shù)據(jù)的物理地址之間的映射信息，以及 在發(fā)出命令完成狀態(tài)指示之后，在所述主存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)所述映射元數(shù)據(jù)。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括: 在所述緩沖器中積累多次寫入數(shù)據(jù)命令的數(shù)據(jù)，直到在所述緩沖器中已積累閾值數(shù)據(jù)量，以及 在所述緩沖器中已積累閾值數(shù)據(jù)量之后，在所述主存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中: 所述主存儲(chǔ)器包括閃速存儲(chǔ)器，以及 所述積累數(shù)據(jù)的閾值量是數(shù)據(jù)的一個(gè)邏輯頁。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中: 所述主存儲(chǔ)器包括閃速存儲(chǔ)器，以及 所述積累數(shù)據(jù)的閾值量是數(shù)據(jù)的一個(gè)物理頁面。
8.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述主存儲(chǔ)器包括多級(jí)閃速存儲(chǔ)器，以及所述積累數(shù)據(jù)的閾值量足以使積累數(shù)據(jù)的至少一個(gè)頁面被存儲(chǔ)在閃速存儲(chǔ)器中；以及 進(jìn)一步包括: 從存儲(chǔ)至少一個(gè)頁面的所述主存儲(chǔ)器的至少一個(gè)塊中，從每個(gè)物理頁讀取一個(gè)或多個(gè)頁； 在所述緩沖器中存儲(chǔ)其他頁面，以及 在至少一個(gè)頁面已經(jīng)被積累之后，在主存儲(chǔ)器中的物理頁面中存儲(chǔ)頁面和其它頁面。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中在積累頁之前讀取其他頁面。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中在積累頁期間讀取所述其他頁面。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括: 計(jì)數(shù)所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)的邏輯塊區(qū)域已被寫入的次數(shù)； 在所述緩沖器中積累所述多次寫入數(shù)據(jù)命令的數(shù)據(jù)，以及根據(jù)所述次數(shù)確定所述邏輯塊區(qū)域是否不頻繁寫入或頻繁寫入；以及在存儲(chǔ)邏輯塊的頻繁寫入?yún)^(qū)域的數(shù)據(jù)之前，將邏輯塊的不頻繁寫入?yún)^(qū)域的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到主存儲(chǔ)器中。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括:對(duì)提供所述寫入操作的狀態(tài)的元數(shù)據(jù)進(jìn)行更新。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中更新所述元數(shù)據(jù)包括:在接收所述寫入數(shù)據(jù)命令之后，更新所述元數(shù)據(jù)以指示寫入操作正在進(jìn)行中。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中更新所述元數(shù)據(jù)包括:更新所述元數(shù)據(jù)以指示所述數(shù)據(jù)已被接收。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中更新所述元數(shù)據(jù)包括:在所述主存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)之后，更新所述元數(shù)據(jù)以指示寫入操作完成。
16.—種設(shè)備,包括: 接口，經(jīng)被配置以接收寫入數(shù)據(jù)命令和數(shù)據(jù)； 主存儲(chǔ)器，包括第一類型的非易失性存儲(chǔ)器； 緩沖器，包括不同于第一類型的非易失性存儲(chǔ)器的第二類型的非易失性存儲(chǔ)器，以及 控制器，經(jīng)配置以: 使得所述數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)在所述緩沖器中； 在所述緩沖器中存儲(chǔ)所述數(shù)據(jù)之后，發(fā)出指示寫入數(shù)據(jù)命令已完成的命令完成狀態(tài)指示；以及 在發(fā)出所述命令完成狀態(tài)指示之后，使得所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在所述主存儲(chǔ)器中。
17.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中第二內(nèi)存類型包含如下的一個(gè)或多個(gè):非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(NVSRAM)、相變存儲(chǔ)器(PCM)，電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)、自旋力矩RAM中描述的設(shè)備(STRAM)和磁性RAM (MRAM)0
18.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中，所述設(shè)備包括固態(tài)驅(qū)動(dòng)器和第一存儲(chǔ)器類型的閃速存儲(chǔ)器。
19.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中，所述設(shè)備包括混合驅(qū)動(dòng)。
20.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中，當(dāng)在主存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，所述控制器經(jīng)被配置為預(yù)補(bǔ)償寫入干擾影響。
【文檔編號(hào)】G11C14/00GK103985409SQ201410045201
【公開日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年2月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月7日
【發(fā)明者】J·D·珊薩姆, M·J·斯坦納, A·克利亞 申請(qǐng)人:希捷科技有限公司