本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置與其補(bǔ)償方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置在現(xiàn)代電子裝置之中十分重要。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的種類繁多，阻變存儲(chǔ)器裝置屬于其中一種。阻變存儲(chǔ)器裝置包括相變形存儲(chǔ)器(phasechangememory，pcm)與過渡金屬氧化物電阻存儲(chǔ)器(transitionmetaloxideresistivememory，tmoreram)。阻變存儲(chǔ)器裝置的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存可通過改變其電阻值而達(dá)成。

阻變存儲(chǔ)器裝置的電阻值是溫度的函數(shù)，亦即，阻變存儲(chǔ)器裝置的電阻值受到存儲(chǔ)器裝置溫度的影響。

通常來說，當(dāng)裝置溫度升高時(shí)，阻變存儲(chǔ)器裝置的感應(yīng)窗口(sensingwindow)變小。如果考慮多個(gè)存儲(chǔ)器單元的電阻值分布的話，則在高溫下，感應(yīng)窗口甚至可能會(huì)消失，導(dǎo)致讀取失敗(readfail)。

圖1顯示現(xiàn)有技術(shù)中，施加固定讀取電壓所得到的電阻溫度關(guān)系圖，其中，參考電阻水平(referenceresistancelevel)是固定式的。如果所讀出的電阻值高于參考電阻水平，則該存儲(chǔ)器單元被判斷為處于高阻抗?fàn)顟B(tài)(highresistancestate)，例如是重設(shè)狀態(tài)(resetstate)。高阻抗?fàn)顟B(tài)可代表該存儲(chǔ)器單元儲(chǔ)存邏輯1。反之，如果所讀出的電阻值低于參考電阻水平，則該存儲(chǔ)器單元被判斷為處于低阻抗?fàn)顟B(tài)(lowresistancestate)(例是設(shè)定狀態(tài)(setstate)。低阻抗?fàn)顟B(tài)可代表該存儲(chǔ)器單元儲(chǔ)存邏輯0。

感應(yīng)窗口介于高阻抗?fàn)顟B(tài)與低阻抗?fàn)顟B(tài)之間。由圖1可看出，當(dāng)溫度愈高時(shí)，感應(yīng)窗口變得愈窄。而當(dāng)溫度超過溫度門坎值t1時(shí)，則將會(huì)發(fā)生讀取失敗。在感應(yīng)已被程序化為高阻抗?fàn)顟B(tài)的存儲(chǔ)器單元，所感應(yīng)到的該存儲(chǔ)器單元的電阻值卻低于參考電阻水平，所以此存儲(chǔ)器單元會(huì)被錯(cuò)誤地判定為低阻抗?fàn)顟B(tài)。

圖2顯示現(xiàn)有技術(shù)中，施加固定讀取電壓所得到的電阻溫度關(guān)系圖，其中，參考阻抗水平是追蹤式(tracking)。追蹤式參考阻抗水平可追蹤高阻抗?fàn)顟B(tài)與低阻抗?fàn)顟B(tài)。然而，當(dāng)溫度過高時(shí)，高阻抗?fàn)顟B(tài)與低阻抗?fàn)顟B(tài)將會(huì)重疊，導(dǎo)致讀取失敗。

阻變存儲(chǔ)器裝置的另一特征是，其阻抗值是讀取電壓的函數(shù)，亦即，其阻抗值有關(guān)于所施加的讀取電壓。圖3顯示在固定溫度下，阻變存儲(chǔ)器裝置的阻抗值與讀取電壓之間的關(guān)系。在相同溫度下，如果施加較低的讀取電壓的話，則其阻抗值較高；反之亦然。

本案提供一種半導(dǎo)體裝置與其補(bǔ)償方法，其在考慮阻抗值與溫度之間的關(guān)聯(lián)性，以及阻抗值與讀取電壓之間的關(guān)系性下，來補(bǔ)償負(fù)面效應(yīng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本案涉及一種半導(dǎo)體裝置與其補(bǔ)償方法，其可根據(jù)半導(dǎo)體裝置的溫度來改變讀取電壓。

本案一實(shí)施例，提出一種半導(dǎo)體裝置，包括：一物理參數(shù)感應(yīng)電路，用以感應(yīng)一物理參數(shù)的一變化；一施加參數(shù)產(chǎn)生電路，耦接至該物理參數(shù)感應(yīng)電路，用以根據(jù)一轉(zhuǎn)移函數(shù)，從該物理參數(shù)的該變化來調(diào)整一施加參數(shù)，該轉(zhuǎn)移函數(shù)定義該物理參數(shù)與該施加參數(shù)之間的關(guān)系；以及一主電路，耦接至該施加參數(shù)產(chǎn)生電路，該施加參數(shù)產(chǎn)生電路所產(chǎn)生的該施加參數(shù)用以補(bǔ)償該物理參數(shù)的該變化對(duì)該主電路的操作所造成的影響。

本案另一實(shí)施例，提出一種半導(dǎo)體裝置的補(bǔ)償方法，包括：感應(yīng)一物理參數(shù)的一變化；根據(jù)一轉(zhuǎn)移函數(shù)，從該物理參數(shù)的該變化來調(diào)整一施加參數(shù)，該轉(zhuǎn)移函數(shù)定義該物理參數(shù)與該施加參數(shù)之間的關(guān)系；以及，以該施加參數(shù)補(bǔ)償該物理參數(shù)的該變化對(duì)該半導(dǎo)體裝置的操作所造成的影響。

為了對(duì)本案的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

圖1顯示現(xiàn)有技術(shù)中，施加固定讀取電壓所得到的電阻溫度關(guān)系圖，其中，參考電阻水平是固定式的；

圖2顯示現(xiàn)有技術(shù)中，施加固定讀取電壓所得到的電阻溫度關(guān)系圖，其中，參考阻抗水平是追蹤式；

圖3顯示在固定溫度下，阻變存儲(chǔ)器裝置的阻抗值與讀取電壓之間的關(guān)系；

圖4顯示根據(jù)本案實(shí)施例的阻抗-溫度-讀取電壓的3維關(guān)系圖；

圖5顯示根據(jù)本案實(shí)施例的轉(zhuǎn)移函數(shù)的一例；圖5顯示在固定阻抗下的轉(zhuǎn)移函數(shù)v＝f(t)；

圖6a顯示根據(jù)本案一實(shí)施例的溫度-阻抗-讀取電壓的關(guān)系圖；

圖6b顯示圖6a的溫度-阻抗-讀取電壓的關(guān)系圖；

圖7顯示根據(jù)本案一實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的方塊示意圖；

圖8顯示根據(jù)本案實(shí)施例，對(duì)單一存儲(chǔ)器單元在不同溫度下所得到的電流(i)與電壓(v)關(guān)系圖；

圖9顯示在本案實(shí)施例中，對(duì)單一存儲(chǔ)器單元所施加的讀取電壓與溫度之間的關(guān)系圖；

圖10顯示應(yīng)用本案實(shí)施例(變動(dòng)讀取電壓)與現(xiàn)有技術(shù)(固定讀取電壓)所得到的讀取良率；

圖11顯示根據(jù)本案實(shí)施例的多階單元的讀取電壓與溫度的轉(zhuǎn)移函數(shù)；

圖12a顯示現(xiàn)有技術(shù)(追蹤式參考阻抗水平)的多階單元的溫度與讀取電流之間的關(guān)系圖，而圖12b顯示根據(jù)本案實(shí)施例的多階單元的溫度與讀取電流之間的關(guān)系圖；

圖13顯示根據(jù)本案實(shí)施例的半導(dǎo)體多階單元存儲(chǔ)器裝置的讀取方法的流程圖。

t1：溫度門坎值

r1-r5：阻抗

t1-t7：溫度

v1-v6：讀取電壓

700：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置

710：溫度感應(yīng)電路

720：讀取電壓產(chǎn)生電路

730：存儲(chǔ)器陣列

731：存儲(chǔ)器單元

iref1(t)、iref2(t)、iref3(t)、iref1、iref2、iref3：參考電流

vread1(t)、vread2(t)、vread3(t)：讀取電壓

1310-1340：步驟

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。

本說明書的技術(shù)用語是參照本技術(shù)領(lǐng)域的習(xí)慣用語，如本說明書對(duì)部分用語有加以說明或定義，該部分用語的解釋是以本說明書的說明或定義為準(zhǔn)。本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例分別具有一或多個(gè)技術(shù)特征。在可能實(shí)施的前提下，本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可選擇性地實(shí)施任一實(shí)施例中部分或全部的技術(shù)特征，或者選擇性地將這些實(shí)施例中部分或全部的技術(shù)特征加以組合。

在本案實(shí)施例中，在不同溫度下，施加不同讀取電壓。亦即，讀取電壓是溫度的函數(shù)。例如，在高溫度下，如果用固定讀取電壓的話，則感應(yīng)窗口會(huì)縮小。但在本案實(shí)施例中，于高溫下，應(yīng)用較低的讀取電壓，所以，感應(yīng)窗口仍可維持，如此可避免兩種相鄰存儲(chǔ)器狀態(tài)的阻抗分布的重疊。

圖4顯示根據(jù)本案實(shí)施例的阻抗-溫度-讀取電壓的3維關(guān)系圖。在圖4中，附圖標(biāo)記t1～t7分別代表溫度，而附圖標(biāo)記v1～v6分別代表讀取電壓。假設(shè)目前所施加的讀取電壓是v5，而溫度則是t1。當(dāng)溫度從t1變化至t5時(shí)，存儲(chǔ)器單元的阻抗值會(huì)減少。為避免因?yàn)闇囟壬咚鶎?dǎo)致的感應(yīng)窗口縮小，在本案實(shí)施例中，將讀取電壓由v5減少至v3。如此一來，存儲(chǔ)器單元的阻抗值會(huì)增加，也就是說，即便是溫度從t1變化至t5，阻抗值變動(dòng)的情況可被減緩，以維持感應(yīng)窗口或者是避免感應(yīng)窗口縮小。

此外，本案實(shí)施例更找出讀取電壓與溫度之間的轉(zhuǎn)移函數(shù)(transferfunction)，此轉(zhuǎn)移函數(shù)可定義出在操作溫度下的讀取電壓。圖5顯示根據(jù)本案實(shí)施例的轉(zhuǎn)移函數(shù)的一例。圖5顯示在固定阻抗下的轉(zhuǎn)移函數(shù)v＝f(t)，其中，v代表讀取電壓，而t代表溫度。亦即，如果欲得到固定阻抗的話，則當(dāng)溫度改變時(shí)，根據(jù)此轉(zhuǎn)移函數(shù)可以得到相對(duì)應(yīng)的讀取電壓。

此外，如果存儲(chǔ)器單元包括存儲(chǔ)器元件(memoryelement)與開關(guān)(或選擇元件，如晶體管)的話，則此轉(zhuǎn)移函數(shù)可以包括存儲(chǔ)器元件與/或開關(guān)的溫度效應(yīng)。

圖6a顯示根據(jù)本案一實(shí)施例的溫度-阻抗-讀取電壓的關(guān)系圖。由圖6a可看出，在本案實(shí)施例中，當(dāng)溫度改變時(shí)，可利用轉(zhuǎn)移函數(shù)r＝a(t，v)來得到相對(duì)應(yīng)的讀取電壓，即便在溫度變化時(shí)仍可維持阻抗值，以減少因?yàn)闇囟茸兓鶎?dǎo)致的阻抗值變化，也可以減少因?yàn)闇囟茸兓鶎?dǎo)致的感應(yīng)窗口縮小的問題。

圖6b顯示圖6a的溫度-阻抗-讀取電壓的關(guān)系圖。由圖6b可看出，在不同阻抗r1-r5下，溫度與讀取電壓之間的轉(zhuǎn)移函數(shù)有所不同。

圖7顯示根據(jù)本案一實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的方塊示意圖。如圖7所示，本案實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置700包括：溫度感應(yīng)電路710、讀取電壓產(chǎn)生電路720與存儲(chǔ)器陣列730。存儲(chǔ)器陣列730包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元731。存儲(chǔ)器陣列730可視為是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置700的主電路。

溫度感應(yīng)電路710可以感應(yīng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置700的溫度，并將所感應(yīng)的溫度t以電性信號(hào)的方式(如電壓或電流)傳送給讀取電壓產(chǎn)生電路720。

溫度感應(yīng)電路710例如可以是內(nèi)部半導(dǎo)體溫度傳感器，例如，包括pn接面二極管或者是雙極接面晶體管(bjt)。溫度感應(yīng)電路710的輸出參數(shù)是溫度的函數(shù)，該輸出參數(shù)包括：一電壓參數(shù)，一電流參數(shù)，一脈沖波形參數(shù)或一脈沖時(shí)序參數(shù)等。故而，偵測(cè)其輸出參數(shù)可以偵測(cè)溫度?；蛘撸诒景钙渌赡軐?shí)施例中，溫度感應(yīng)電路710可以是外部的半導(dǎo)體溫度傳感器。

或者是，溫度感應(yīng)電路710可以由正比絕對(duì)溫度(proportionaltoabsolutetemperature，ptat)能帶隙溫度傳感器所實(shí)現(xiàn)。

亦或，溫度感應(yīng)電路710可以由正比絕對(duì)溫度能帶隙溫度傳感器與電壓控制電壓源(voltagecontrolledvoltagesource，vcvs)所實(shí)現(xiàn)，電壓控制電壓源例如可以由操作放大器與電阻串所構(gòu)成。

讀取電壓產(chǎn)生電路720可以根據(jù)轉(zhuǎn)移函數(shù)(如本案圖4、圖5、圖6a與圖6b所示)，從溫度感應(yīng)電路710所感應(yīng)的溫度t產(chǎn)生相對(duì)應(yīng)的讀取電壓v。此讀取電壓v可以施加至存儲(chǔ)器陣列730的(被選擇)存儲(chǔ)器單元731。如上述般，轉(zhuǎn)移函數(shù)可由存儲(chǔ)器單元731的溫度-阻抗-讀取電壓之間的關(guān)系而定。

轉(zhuǎn)移函數(shù)可視為將實(shí)際物理參數(shù)(如是溫度，電壓等的任意組合)鏈結(jié)于半導(dǎo)體裝置的性能/特性(例如，單元阻抗值，輸出電流，臨界電壓等的任意組合)。

圖7中，為方便說明，存儲(chǔ)器單元731包括存儲(chǔ)器元件與開關(guān)。開關(guān)包括但不受限于，mos晶體管，bjt晶體管，結(jié)二極管，雙向臨界開關(guān)裝置(ots，ovonicthresholdswitching)，或其他相類似元件?；蛘?，在本案其他可能實(shí)施例中，存儲(chǔ)器單元731可以是自選擇(self-selecting)存儲(chǔ)器元件，亦即，存儲(chǔ)器單元731可以不包括開關(guān)。存儲(chǔ)器單元731包括但不受限于，相變形存儲(chǔ)器，過渡金屬氧化物電阻存儲(chǔ)器，導(dǎo)通橋(conductionbridge)ram，磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(magnetoresistiverandomaccessmemory，mram)等。

圖8顯示根據(jù)本案實(shí)施例所得到的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)圖。圖8是對(duì)單一存儲(chǔ)器單元在不同溫度下所得到的電流(i)與電壓(v)關(guān)系圖。在圖8中，實(shí)點(diǎn)代表實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，而實(shí)線則代表由模型所推論出。如圖8所示，可以知道，通過本案實(shí)施例，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與模型之間非常匹配。

圖9顯示在本案實(shí)施例中，對(duì)單一存儲(chǔ)器單元所施加的讀取電壓與溫度之間的關(guān)系圖。由圖9可得知，本案實(shí)施例能通過改變不同讀取電壓來得到穩(wěn)定的讀取電流(constantreadcurrent)(介于1μa至10μa)。

圖10顯示應(yīng)用本案實(shí)施例(變動(dòng)讀取電壓)與現(xiàn)有技術(shù)(固定讀取電壓)所得到的讀取良率。由圖10可看出，由于現(xiàn)有技術(shù)采用固定讀取電壓，所以，無法在溫度范圍(0度-100度)內(nèi)都有很好的讀取良率。例如，以讀取電壓固定為0.4v來看，雖然在低溫時(shí)有較好的讀取良率，但在高溫時(shí)其讀取良率降低。相反地，以本案實(shí)施例而言，不論在高溫或低溫下，讀取良率皆接近100％。

故而，由上述可知，本案實(shí)施例可追蹤存儲(chǔ)器裝置的溫度來計(jì)算對(duì)應(yīng)的讀取電壓，以補(bǔ)償單元阻抗值因?yàn)闇囟刃?yīng)所導(dǎo)致的變化。

另外，本案其他實(shí)施例亦可應(yīng)用于多階單元(mlc，multi-levelcell)存儲(chǔ)器裝置之中。圖11顯示根據(jù)本案實(shí)施例的多階單元的讀取電壓與溫度的轉(zhuǎn)移函數(shù)。存儲(chǔ)器陣列包括多個(gè)mlc。如圖11所示，為得到穩(wěn)定的讀取電流，不同的存儲(chǔ)器狀態(tài)有不同的轉(zhuǎn)移函數(shù)。通過在操作溫度下來施加適當(dāng)?shù)淖x取電壓，各存儲(chǔ)器狀態(tài)可以得到穩(wěn)定的讀取電流。

圖12a顯示現(xiàn)有技術(shù)(追蹤式參考阻抗水平)的多階單元的溫度與讀取電流之間的關(guān)系圖，而圖12b顯示根據(jù)本案實(shí)施例的多階單元的溫度與讀取電流之間的關(guān)系圖。由圖12a(現(xiàn)有技術(shù))可看出，在低溫時(shí)，由于讀取電流較小，所以，現(xiàn)有技術(shù)的讀取速度較慢；而在高溫時(shí)，則是感應(yīng)窗口會(huì)縮小。iref1(t)、iref2(t)與iref3(t)分別代表不同的參考電流，這些參考電流會(huì)隨溫度而變。

相反地，如圖12b所示，在本案實(shí)施例中，當(dāng)溫度改變時(shí)，讀取電壓vread1(t)、vread2(t)與vread3(t)亦隨的改變，但本案所用的參考電流iref1、iref2與iref3則不隨溫度而變。當(dāng)在低溫時(shí)，讀取速度不會(huì)變慢，而在高溫時(shí)，感應(yīng)窗口亦可以得到維持。

圖13顯示根據(jù)本案實(shí)施例的半導(dǎo)體多階單元存儲(chǔ)器裝置的讀取方法的流程圖。在步驟1310中，判斷施加讀取電壓vread2(t)所得到的讀取電流是否大于參考電流iref2，如果是的話，則代表此多階單元可能是狀態(tài)00或狀態(tài)01(低阻抗?fàn)顟B(tài))；如果否的話，則代表此多階單元可能是狀態(tài)10或狀態(tài)11(高阻抗?fàn)顟B(tài))。

如果步驟1310為是，則流程接續(xù)至步驟1315，判斷施加讀取電壓vread1(t)所得到的讀取電流是否大于參考電流iref1，如果是的話，則決定此多階單元是狀態(tài)00(步驟1325)；如果否的話，則決定此多階單元是狀態(tài)01(步驟1330)。

如果步驟1310為否，則流程接續(xù)至步驟1320，判斷施加讀取電壓vread3(t)所得到的讀取電流是否大于參考電流iref3，如果是的話，則決定此多階單元是狀態(tài)10(步驟1335)；如果否的話，則決定此多階單元是狀態(tài)11(步驟1340)。

另外，本案上述實(shí)施例的根據(jù)裝置溫度來調(diào)整讀取電壓(所施加的電壓)，除了可以應(yīng)用在讀取操作外，也可以應(yīng)用在重設(shè)操作及/或設(shè)定操作中的驗(yàn)證步驟，以補(bǔ)償溫度效應(yīng)。

更甚者，本案不受限于應(yīng)用于補(bǔ)償溫度相關(guān)效應(yīng)，本案其他可能實(shí)施例亦可延伸至較廣應(yīng)用范圍。例如，讓轉(zhuǎn)移函數(shù)可將多個(gè)物理參數(shù)連結(jié)至感應(yīng)性能/特性，本案實(shí)施例可以設(shè)計(jì)成能得到穩(wěn)定輸出。

本案上述實(shí)施例的基本精神與概念可以延伸至調(diào)整其他類型的電性信號(hào)，如果感應(yīng)參數(shù)是施加參數(shù)的轉(zhuǎn)移函數(shù)。例如，施加參數(shù)可以是電流，施加時(shí)間等。亦即，在本案其他可能實(shí)施例中，可以根據(jù)感應(yīng)參數(shù)(如溫度)來調(diào)整施加參數(shù)(如電流，施加時(shí)間等)，此亦在本案精神范圍內(nèi)。

亦即，本案上述實(shí)施例的精神在于，控制施加參數(shù)(如果感應(yīng)參數(shù)是施加參數(shù)的函數(shù))以補(bǔ)償由于感應(yīng)參數(shù)變化所帶來的影響，其中，感應(yīng)參數(shù)的變化可能是因?yàn)榄h(huán)境參數(shù)(例如但不受限于，溫度，亮度等)的變化所造成。在此，感應(yīng)參數(shù)例如但不受限于，可以包括：阻抗值，單元電流，自然頻率等的任意組合。施加參數(shù)例如但不受限于，可以包括：讀取電壓，電流，施加時(shí)間的任意組合等。亦即，如果以圖7來看的話，溫度感應(yīng)電路710乃是物理參數(shù)感應(yīng)電路，而讀取電壓產(chǎn)生電路720則是施加參數(shù)產(chǎn)生電路。

如上述般，本案實(shí)施例所揭露的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的補(bǔ)償方法，可根據(jù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的溫度來改變讀取電壓，以補(bǔ)償存儲(chǔ)器單元電阻的溫度效應(yīng)。即便在高溫下，感應(yīng)窗口仍不會(huì)過度變窄，大大地提高了數(shù)據(jù)讀取正確性并有助于發(fā)展高可靠性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。

另外，在現(xiàn)有技術(shù)中，因?yàn)楦邷貙?dǎo)致感應(yīng)窗口變小，不只影響到數(shù)據(jù)讀取正確性，也連帶影響到程序化(program)與抹除(erase)操作過程當(dāng)中的驗(yàn)證(verification)。本案實(shí)施例通過改變所施加的偏壓，可以避免驗(yàn)證操作受到高溫效應(yīng)的負(fù)面影響。

在本案實(shí)施例中，于高溫度下采用較低讀取電壓的另一好處在于，可減少讀出電流，以避免讀取干擾(disturbance)的發(fā)生。

更甚者，在本案實(shí)施例中，在高溫下采用較低讀取電壓的好處在于，可降低未被選單元被錯(cuò)誤導(dǎo)通的可能性，及/或減少由未被選單元所導(dǎo)致的漏電流。

在本案實(shí)施例中，于低溫度下采用較高讀取電壓的好處在于，可提高讀出電流，以提高感應(yīng)速度及操作速度。

此外，在本案其他可能實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移函數(shù)可以是線性函數(shù)，倒數(shù)形函數(shù)或指數(shù)形函數(shù)，此皆在本案精神范圍內(nèi)。

以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。