本發(fā)明涉及帶電路的懸掛基板及其制造方法、詳細(xì)而言涉及硬盤驅(qū)動器中使用的帶電路的懸掛基板及其制造方法。
背景技術(shù):
以往,在硬盤驅(qū)動器中能夠安裝供具有磁頭的滑橇搭載的帶電路的懸掛基板。
在這樣的帶電路的懸掛基板中,利用軟釬料球?qū)⒋蓬^側(cè)端子與滑橇的磁頭的端子電連接(參照例如日本特開2012-099204號公報)。
然而,在日本特開2012-099204號公報所記載的帶電路的懸掛基板中,磁頭側(cè)端子與磁頭的端子在厚度方向上分開,在其分開程度較大的情況下,在使軟釬料球溶融了時,存在無法確保磁頭側(cè)端子與磁頭的端子之間的接觸面積、引起接觸不良的情況。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于提供能夠使連接端子與滑橇的端子可靠地連接的帶電路的懸掛基板和帶電路的懸掛基板的制造方法。
本發(fā)明[1]包括一種帶電路的懸掛基板,其包括:金屬支承基板;基底絕緣層,其配置于金屬支承基板的厚度方向一側(cè);導(dǎo)體層,其配置于基底絕緣層的厚度方向一側(cè),具有與滑橇電連接的連接端子,基底絕緣層具有在沿著厚度方向投影時至少與連接端子重疊的端子區(qū)域以及與端子區(qū)域不重疊且位于端子區(qū)域的周邊的周邊區(qū)域,端子區(qū)域的厚度比周邊區(qū)域的厚度厚。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu),端子區(qū)域的厚度比周邊區(qū)域的厚度厚,因此,能夠在厚度方向上使連接端子接近滑橇的端子。
因此,能夠使連接端子和滑橇的端子可靠地連接。
另一方面,周邊區(qū)域的厚度比端子區(qū)域的厚度薄,因此,能夠謀求帶電路的懸掛基板的輕量薄型化。
本發(fā)明[2]包括上述[1]的帶電路的懸掛基板,其中,基底絕緣層包括:第1基底絕緣層,其配置于金屬支承基板的厚度方向一側(cè);第2基底絕緣層,其包覆第1基底絕緣層,配置于金屬支承基板的厚度方向一側(cè),端子區(qū)域包括:第1端子區(qū)域絕緣層,其由第1基底絕緣層形成,配置于金屬支承基板的厚度方向一側(cè);第2端子區(qū)域絕緣層,其由第2基底絕緣層形成,配置于第1端子區(qū)域絕緣層的厚度方向一側(cè),周邊區(qū)域至少包括第2周邊區(qū)域絕緣層,該第2周邊區(qū)域絕緣層由第2基底絕緣層形成,配置于金屬支承基板的厚度方向一側(cè)。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu),周邊區(qū)域包括由第2基底絕緣層形成的第2周邊區(qū)域絕緣層,而端子區(qū)域包括由第1基底絕緣層形成的第1端子區(qū)域絕緣層和由第2基底絕緣層形成的第2端子區(qū)域絕緣層。
因此,與端子區(qū)域由1層基底絕緣層形成的情況相比較,通過使端子區(qū)域由兩層、即、第1端子區(qū)域絕緣層和第2端子區(qū)域絕緣層形成,能夠容易地使端子區(qū)域的厚度比周邊區(qū)域的厚度厚。
其結(jié)果,能夠使連接端子接近滑橇的端子,因此,能夠使連接端子和滑橇的端子更可靠地連接。
本發(fā)明[3]包括上述[2]的帶電路的懸掛基板,其中,該帶電路的懸掛基板還包括:覆蓋絕緣層,其以使連接端子暴露的方式包覆導(dǎo)體層,配置于基底絕緣層的厚度方向一側(cè);底座,其用于支承滑橇,底座包括:第1基底底座層,其由第1基底絕緣層形成,配置于金屬支承基板的厚度方向一側(cè);第2基底底座層,其由第2基底絕緣層形成,配置于第1基底底座層的厚度方向一側(cè);覆蓋底座層,其由覆蓋絕緣層形成,配置于第2基底底座層的厚度方向一側(cè)。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu),第1基底底座層由第1基底絕緣層形成,第2基底底座層由第2基底絕緣層形成,覆蓋底座層由覆蓋絕緣層形成,因此,不另外設(shè)置用于支承滑橇的構(gòu)件,就能夠形成底座。
本發(fā)明[4]包括上述[1]的帶電路的懸掛基板,其中,基底絕緣層包括:第1基底絕緣層,其配置于金屬支承基板的厚度方向一側(cè);第2基底絕緣層,其配置于第1基底絕緣層的厚度方向一側(cè),端子區(qū)域包括:第1端子區(qū)域絕緣層,其由第1基底絕緣層形成,配置于金屬支承基板的厚度方向一側(cè);第2端子區(qū)域絕緣層,其由第2基底絕緣層形成,配置于第1端子區(qū)域絕緣層的厚度方向一側(cè),周邊區(qū)域至少包括第1周邊區(qū)域絕緣層,該第1周邊區(qū)域絕緣層由第1基底絕緣層形成,配置于金屬支承基板的厚度方向一側(cè)。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu),周邊區(qū)域包括由第1基底絕緣層形成的第1周邊區(qū)域絕緣層,而端子區(qū)域包括由第1基底絕緣層形成的第1端子區(qū)域絕緣層和由第2基底絕緣層形成的第2端子區(qū)域絕緣層。
因此,與使端子區(qū)域由1層基底絕緣層形成的情況相比較,通過使端子區(qū)域由兩層、即、第1端子區(qū)域絕緣層和第2端子區(qū)域絕緣層形成,能夠容易地使端子區(qū)域的厚度比周邊區(qū)域的厚度厚。
其結(jié)果,能夠使連接端子接近滑橇的端子,因此,能夠使連接端子和滑橇的端子更可靠地連接。
本發(fā)明[5]包括上述[4]的帶電路的懸掛基板,其中,該帶電路的懸掛基板還包括:覆蓋絕緣層,其以使連接端子暴露的方式包覆導(dǎo)體層,配置于基底絕緣層的厚度方向一側(cè);底座,其用于支承滑橇,底座包括:第1基底底座層,其由第1基底絕緣層形成,配置于金屬支承基板的厚度方向一側(cè);第2基底底座層,其由第2基底絕緣層形成,配置于第1基底底座層的厚度方向一側(cè);覆蓋底座層,其由覆蓋絕緣層形成,配置于第2基底底座層的厚度方向一側(cè)。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu),第1基底底座層由第1基底絕緣層形成,第2基底底座層由第2基底絕緣層形成,覆蓋底座層由覆蓋絕緣層形成,因此,不另外設(shè)置用于支承滑橇的構(gòu)件,就能夠形成底座。
本發(fā)明[6]包括一種帶電路的懸掛基板的制造方法,其是上述[3]所記載的帶電路的懸掛基板的制造方法,其包括如下工序:準(zhǔn)備金屬支承基板的工序;以在金屬支承基板的厚度方向一側(cè)至少配置第1端子區(qū)域絕緣層、在金屬支承基板的厚度方向一側(cè)配置第1基底底座層的方式形成第1基底絕緣層的工序;以在第1端子區(qū)域絕緣層的厚度方向一側(cè)配置第2端子區(qū)域絕緣層、在金屬支承基板的厚度方向一側(cè)配置第2周邊區(qū)域絕緣層、在第1基底底座層的厚度方向一側(cè)配置第2基底底座層的方式形成第2基底絕緣層的工序;在基底絕緣層的厚度方向一側(cè)形成具有連接端子的導(dǎo)體層的工序、以及以在第2基底底座層的厚度方向一側(cè)配置覆蓋底座層的方式形成使連接端子暴露、包覆導(dǎo)體層的覆蓋絕緣層的工序。
根據(jù)這樣的方法,能夠制造端子區(qū)域的厚度比周邊區(qū)域的厚度厚、在厚度方向上使連接端子與滑橇的端子接近的帶電路的懸掛基板。
另外,在形成第2端子區(qū)域絕緣層和第2周邊區(qū)域絕緣層的工序中,能夠同時形成第2基底底座層。
因此,能夠一邊使連接端子可靠地接近滑橇的端子,一邊不另外增加工序就能夠效率良好地形成底座。
本發(fā)明[7]包括一種帶電路的懸掛基板的制造方法,其是上述[5]所記載的帶電路的懸掛基板的制造方法,其包括如下工序:準(zhǔn)備金屬支承基板的工序;以在金屬支承基板的厚度方向一側(cè)配置第1端子區(qū)域絕緣層、在金屬支承基板的厚度方向一側(cè)配置第1周邊區(qū)域絕緣層、在金屬支承基板的厚度方向一側(cè)配置第1基底底座層的方式形成第1基底絕緣層的工序;以在第1端子區(qū)域絕緣層的厚度方向一側(cè)至少配置第2端子區(qū)域絕緣、在第1基底底座層的厚度方向一側(cè)至少配置第2基底底座層的方式形成第2基底絕緣層的工序;在基底絕緣層的厚度方向一側(cè)形成具有連接端子的導(dǎo)體層的工序、以及以在第2基底底座層的厚度方向一側(cè)配置覆蓋底座層的方式形成使連接端子暴露、包覆導(dǎo)體層的覆蓋絕緣層的工序。
根據(jù)這樣的方法,能夠制造端子區(qū)域的厚度比周邊區(qū)域的厚度厚、在厚度方向上使連接端子接近滑橇的端子的帶電路的懸掛基板。
另外,在形成第1端子區(qū)域絕緣層和第1周邊區(qū)域絕緣層的工序中,能夠同時形成第1基底底座層。
因此,能夠一邊使連接端子可靠地接近滑橇的端子、一邊不另外增加工序就能夠效率良好地形成底座。
附圖說明
圖1表示本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的第1實施方式的俯視圖。
圖2表示圖1所示的帶電路的懸掛基板的懸架部的俯視圖。
圖3A表示沿著圖2所示的懸架部的A-A線的剖視圖;圖3B表示沿著圖2所示的懸架部的B-B線的剖視圖。
圖4A~圖4C是用于說明圖3B所示的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖,圖4A表示準(zhǔn)備金屬支承基板的工序,圖4B表示形成第1基底絕緣層的工序,圖4C表示形成第2基底絕緣層的工序。
圖5A~圖5C是用于接著圖4C說明圖3B所示的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖,圖5A表示形成導(dǎo)體層的工序,圖5B表示形成覆蓋絕緣層的工序,圖5C表示對金屬支承基板進(jìn)行外形加工的工序。
圖6A~圖6C是用于接著圖5C說明圖3B所示的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖,圖6A表示將第1基底絕緣層局部地去除的工序,圖6B表示形成鍍層的工序,圖6C表示安裝滑橇的工序。
圖7A是本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的第2實施方式的剖視圖,是與圖3A相對應(yīng)的剖視圖;圖7B是本發(fā)明的帶電路的懸掛基板的第2實施方式的剖視圖,是與圖3B相對應(yīng)的剖視圖。
具體實施方式
<第1實施方式>
圖1所示的帶電路的懸掛基板1用于安裝搭載磁頭3的滑橇4和壓電元件5,與外部基板6和電源7連接,而搭載于硬盤驅(qū)動器(未圖示)。
此外,在圖1中,紙面左右方向是前后方向(第1方向),紙面左側(cè)是前側(cè)(第1方向一側(cè)),紙面右側(cè)是后側(cè)(第1方向另一側(cè))。另外,紙面上下方向是左右方向(寬度方向、第2方向),紙面上側(cè)是左側(cè)(寬度方向一側(cè)、第2方向一側(cè)),紙面下側(cè)是右側(cè)(寬度方向另一側(cè)、第2方向另一側(cè))。另外,紙面紙厚方向是上下方向(厚度方向、第3方向),紙面跟前側(cè)是上側(cè)(厚度方向一側(cè)、第3方向一側(cè)),紙面進(jìn)深側(cè)是下側(cè)(厚度方向另一側(cè)、第3方向另一側(cè))。具體而言,依據(jù)各圖的方向箭頭。
另外,在圖1中,省略了橋接部36(隨后論述)以外的基底絕緣層9(隨后論述)和覆蓋絕緣層11。另外,在圖2中,圖示基底絕緣層9(第1基底絕緣層26(隨后論述)、第2基底絕緣層27(隨后論述)),省略了覆蓋絕緣層11(隨后論述)。
如圖1所示,帶電路的懸掛基板1形成為沿著前后方向延伸的平帶形狀。如圖3A和圖3B所示,帶電路的懸掛基板1包括:金屬支承基板8;在金屬支承基板8之上形成的基底絕緣層9;在基底絕緣層9之上形成的導(dǎo)體層10;在基底絕緣層9之上以包覆導(dǎo)體層10的方式形成的覆蓋絕緣層11、以及包覆導(dǎo)體層10的隨后論述的多個端子(外部側(cè)端子57、磁頭側(cè)端子58、壓電側(cè)端子59)的表面的鍍層12。
如圖1所示,金屬支承基板8形成為沿著前后方向延伸的平帶形狀,一體地具有主體部13和在主體部13的前側(cè)形成的懸架部14。
主體部13形成為沿著前后方向延伸的俯視大致矩形形狀。主體部13在帶電路的懸掛基板1搭載于硬盤驅(qū)動器時支承于硬盤驅(qū)動器的載荷臂(未圖示)。
如圖2所示,懸架部14以從主體部13的前端朝向前側(cè)延伸的方式形成。
懸架部14包括一對懸臂部17、搭載部18以及一對連結(jié)部19。
懸臂部17呈俯視細(xì)長矩形形狀,以從主體部13的寬度方向兩端部朝向前側(cè)呈直線狀延伸的方式形成為一對。
搭載部18以在寬度方向內(nèi)側(cè)與一對懸臂部17隔開間隔且沿著前后方向與主體部13的前端緣隔開間隔的方式配置。搭載部18形成為朝向?qū)挾确较騼蓚?cè)敞開的俯視大致H字狀。即、搭載部18的前后方向中央部的寬度方向兩端部被局部切除(開口)。具體而言,搭載部18一體地具有基部21、載物臺22以及中央部23。
基部21配置于搭載部18的后端部,形成為寬度方向較長地延伸的俯視大致矩形形狀。
載物臺22與基部21隔開間隔地配置于基部21的前側(cè),形成為寬度方向較長地延伸的俯視大致矩形形狀。另外,載物臺22具有載物臺開口部25。
如圖2和圖3A所示,載物臺開口部25形成為沿著厚度方向呈俯視大致矩形形狀貫通載物臺22。
如圖2所示,中央部23將基部21和載物臺22的寬度方向中央連接,形成為沿著前后方向延伸的俯視細(xì)長矩形形狀。中央部23形成為能夠向?qū)挾确较驈澢恼?/p>
此外,在搭載部18中,被切除的部分劃分出一對連通空間24。一對連通空間24被劃分在中央部23的寬度方向兩側(cè),以沿著厚度方向貫通金屬支承基板8的方式形成。
一對連結(jié)部19分別從一對懸臂部17各自的前端部以與基部21的寬度方向兩端部連結(jié)的方式向?qū)挾确较騼?nèi)側(cè)斜后方延伸。由此,一對連結(jié)部19將一對懸臂部17和搭載部18連結(jié)起來。另外,由此,在一對連結(jié)部19與一對懸臂部17之間以及搭載部18與主體部13之間開設(shè)有俯視時朝向前側(cè)敞開的大致U字狀的基板開口部16。
金屬支承基板8由例如不銹鋼、42合金、鋁、銅-鈹、磷青銅等金屬材料形成。優(yōu)選由不銹鋼形成。
金屬支承基板8的厚度例如是5μm以上,優(yōu)選是10μm以上,例如是30μm以下,優(yōu)選是25μm以下。
基底絕緣層9在金屬支承基板8的上表面形成為與導(dǎo)體層10相對應(yīng)的圖案。基底絕緣層9具有第1基底絕緣層26和第2基底絕緣層27。
第1基底絕緣層26配置于金屬支承基板8的上表面。第1基底絕緣層26具有第1端子區(qū)域絕緣層28、作為第1基底底座層的一個例子的一對第1前側(cè)基底層29、以及作為第1基底底座層的一個例子的一對第1后側(cè)基底層30。
第1端子區(qū)域絕緣層28形成于載物臺22中的載物臺開口部25的前側(cè)。第1端子區(qū)域絕緣層28形成為延伸到比載物臺開口部25的寬度方向兩端部靠寬度方向外側(cè)的位置的俯視大致矩形形狀。如圖2和圖3A所示,第1端子區(qū)域絕緣層28的后端緣與載物臺開口部25的前端緣對齊。
一對第1前側(cè)基底層29分別在一對連通空間24與載物臺開口部25之間配置于載物臺22之上。第1前側(cè)基底層29形成為俯視大致矩形形狀。一對第1前側(cè)基底層29在寬度方向上彼此隔開間隔地配置。
如圖2和圖3B所示,一對第1后側(cè)基底層30分別配置于中央部23之上。第1后側(cè)基底層30形成為俯視大致矩形形狀。一對第1后側(cè)基底層30在前后方向上彼此隔開間隔地配置。
第1基底絕緣層26由例如聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚砜樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等合成樹脂等的絕緣材料形成。優(yōu)選由聚酰亞胺樹脂形成。
具體而言,第1基底絕緣層26的厚度是1μm以上,優(yōu)選是3μm以上,例如是30μm以下,優(yōu)選是15μm以下。
第2基底絕緣層27以包覆第1基底絕緣層26的方式配置于金屬支承基板8之上。第2基底絕緣層27具有與主體部13相對應(yīng)的主體部絕緣層31和與懸架部14相對應(yīng)的懸架部絕緣層32。
主體部絕緣層31以與導(dǎo)體層10的位于圖1所示的主體部13的部分(具體而言,隨后論述的外部側(cè)端子57和配線60)相對應(yīng)的方式形成。
如圖2所示,懸架部絕緣層32具有與基板開口部16相對應(yīng)的基板開口部絕緣層34、與搭載部18相對應(yīng)的搭載部絕緣層35、以及橋接部36。
基板開口部絕緣層34以沿著前后方向跨著基板開口部16的方式形成。具體而言,基板開口部絕緣層34以從主體部絕緣層31的寬度方向兩端部的前端連續(xù)而通過基板開口部16的方式朝向前側(cè)延伸,在基板開口部16的后側(cè)向?qū)挾确较騼蓚?cè)分支,在比基部21靠后側(cè)的位置合二為一,形成為延伸到基部21的前后方向中途的俯視大致Y字狀。
搭載部絕緣層35與搭載部18相對應(yīng)地形成為俯視大致H字狀。具體而言,搭載部絕緣層35具有基部絕緣層38、載物臺絕緣層39以及中央部絕緣層40。
基部絕緣層38與導(dǎo)體層10的位于搭載部18的基部21的部分相對應(yīng)地形成。基部絕緣層38形成為在搭載部18的基部21的前側(cè)從基板開口部絕緣層34 連續(xù)而向?qū)挾确较騼赏鈧?cè)延伸的俯視大致矩形形狀。另外,基部絕緣層38以延伸到比基部21的前端緣靠前方的位置的方式形成。在基部絕緣層38中,跨著搭載部18的中央部23而從連通空間24暴露的部分被劃分為一對后壓電側(cè)端子形成部43。
載物臺絕緣層39與導(dǎo)體層10的位于搭載部18的載物臺22的部分相對應(yīng)地形成。載物臺絕緣層39與基部絕緣層38隔開間隔地配置于基部絕緣層38的前側(cè),形成為從搭載部18的載物臺22的前側(cè)延伸到比載物臺22的后端緣靠后方的位置的俯視大致矩形形狀。在載物臺絕緣層39中,跨著搭載部18的中央部23而從連通空間24暴露的部分被劃分為一對前壓電側(cè)端子形成部44。另外,在載物臺絕緣層39中,在沿著厚度方向投影時與第1端子區(qū)域絕緣層28重疊的部分被劃分為第2端子區(qū)域絕緣層54,除了第2端子區(qū)域絕緣層54以外的部分被劃分為第2周邊區(qū)域絕緣層55。另外,在載物臺絕緣層39中,在沿著厚度方向投影時與一對第1前側(cè)基底層29分別重疊的部分被劃分為作為第2基底底座層的一個例子的一對第2前側(cè)基底層50。也就是說,第2前側(cè)基底層50在寬度方向上彼此隔開間隔地配置。另外,載物臺絕緣層39具有與載物臺開口部25相對應(yīng)的連接端子開口部45和多個(兩個)接地開口部46。
如圖2和圖3A所示,連接端子開口部45以沿著厚度方向呈大致矩形貫通載物臺絕緣層39的方式形成。連接端子開口部45的寬度方向兩端緣和后端緣在沿著厚度方向投影時與載物臺開口部25的寬度方向兩端緣和后端緣對齊。連接端子開口部45的前端緣位于比載物臺開口部25的前端緣靠后方的位置。
接地開口部46形成為,在沿著厚度方向投影時,在與搭載部18的載物臺22的后端部重疊的部分,沿著厚度方向貫通載物臺絕緣層39。
如圖2所示,中央部絕緣層40與導(dǎo)體層10的位于搭載部18的中央部23的部分對應(yīng)地形成。中央部絕緣層40將基部絕緣層38和載物臺絕緣層39的寬度方向中央連接,形成為沿著前后方向延伸的俯視細(xì)長矩形形狀。此外,中央部絕緣層40的寬度比中央部23的寬度窄,形成為能夠沿著寬度方向彎曲。另外,在中央部絕緣層40中,在沿著厚度方向投影時,與一對第1后側(cè)基底層30分別重疊的部分被劃分為作為第2基底底座層的一個例子的一對第2后側(cè)基底層51。也就是說,第2后側(cè)基底層51在前后方向上彼此隔開間隔地配置。
此外,將一對后壓電側(cè)端子形成部43和一對前壓電側(cè)端子形成部44一起作為壓電側(cè)端子形成部47。
如圖2和圖3A所示,壓電側(cè)端子形成部47具有端子開口部49。
端子開口部49在基部絕緣層38的一對后壓電側(cè)端子形成部43中的每一個和載物臺絕緣層39的一對前壓電側(cè)端子形成部44中的每一個各形成有1個。端子開口部49以沿著厚度方向呈大致矩形貫通后壓電側(cè)端子形成部43和前壓電側(cè)端子形成部44的方式形成。
如圖2所示,橋接部36具有將一對懸臂部17的前端和載物臺22的寬度方向兩端呈彎曲狀連結(jié)的一對彎曲部52以及將一對懸臂部17的前端和載物臺22的前端連結(jié)的E字部53。
彎曲部52從懸臂部17的前端朝向?qū)挾确较騼?nèi)側(cè)斜前側(cè)呈彎曲狀延伸,直至載物臺22的寬度方向兩端。
E字部53呈俯視大致E字狀,具體而言,從兩懸臂部17的前端朝向前側(cè)延伸,之后,向?qū)挾确较騼?nèi)側(cè)彎曲,向?qū)挾确较騼?nèi)側(cè)延伸而合二為一之后,向后側(cè)彎曲而直至載物臺22的前端的寬度方向中央。
第2基底絕緣層27由與形成第1基底絕緣層26的絕緣材料相同的絕緣材料形成。
相對于第1基底絕緣層26的厚度100%而言,第2基底絕緣層27的厚度例如是20%以上,優(yōu)選是40%以上,例如是500%以下,優(yōu)選是300%以下。具體而言,第2基底絕緣層27的厚度例如是1μm以上,優(yōu)選是3μm以上,例如是30μm以下,優(yōu)選是15μm以下。
此外,在基底絕緣層9中,形成有第1端子區(qū)域絕緣層28和第2端子區(qū)域絕緣層54的區(qū)域被劃分為端子區(qū)域62,在沿著厚度方向投影時與端子區(qū)域62不重疊的區(qū)域即基底絕緣層9中的除了端子區(qū)域62以外的所有區(qū)域(形成有第2周邊區(qū)域絕緣層55的區(qū)域)被劃分為周邊區(qū)域63。
如圖1所示,導(dǎo)體層10具有外部側(cè)端子57、作為連接端子的一個例子的磁頭側(cè)端子58、壓電側(cè)端子59以及配線60。
在與主體部13相對應(yīng)主體部絕緣層31的后端部配置有多個(6個)外部側(cè)端子57。外部側(cè)端子57具有信號端子57A和電源端子57B。
信號端子57A是多個(6個)外部側(cè)端子57內(nèi)的配置于后方的4個,沿著寬度方向彼此隔開間隔地配置。信號端子57A與外部基板6電連接。
電源端子57B是多個(6個)外部側(cè)端子57內(nèi)的配置于前方的兩個,沿著寬度方向彼此隔開間隔地配置。電源端子57B與電源7電連接。
如圖2所示,磁頭側(cè)端子58設(shè)于與載物臺22相對應(yīng)的載物臺絕緣層39的前端部的上表面,沿著寬度方向彼此隔開間隔地配置有多個(4個)磁頭側(cè)端子58。如圖3A和圖3B所示,磁頭側(cè)端子58以跨著載物臺開口部25的前端緣和連接端子開口部45的前端緣的方式沿著前后方向延伸。磁頭側(cè)端子58借助隨后論述的磁頭接合材料66與磁頭3電連接。磁頭側(cè)端子58具有前側(cè)部58A、中央部58B以及后側(cè)部58C。
前側(cè)部58A是磁頭側(cè)端子58中的比載物臺開口部25的前端緣靠前側(cè)的前側(cè)部分。前側(cè)部58A在沿著厚度方向投影時與金屬支承基板8、第1基底絕緣層26的第1端子區(qū)域絕緣層28、以及第2基底絕緣層27重疊。也就是說,前側(cè)部58A在沿著厚度方向投影時與端子區(qū)域62重疊。換言之,端子區(qū)域62在沿著厚度方向投影時與前側(cè)部58A重疊。前側(cè)部58A支承著磁頭側(cè)端子58。
中央部58B是磁頭側(cè)端子58中的位于載物臺開口部25的前端緣與連接端子開口部45的前端緣之間的部分。中央部58B從前側(cè)部58A的后端部連續(xù)地延伸。中央部58B在沿著厚度方向投影時與第2基底絕緣層27重疊。中央部58B配置于載物臺開口部25內(nèi),由第2基底絕緣層27支承。
后側(cè)部58C是磁頭側(cè)端子58中的比連接端子開口部45的前端緣靠后側(cè)的后側(cè)部分。后側(cè)部58C從中央部58B的后端部連續(xù)而向下方彎曲之后,向后方延伸。由此,后側(cè)部58C的上表面與中央部58B的上表面之間形成有臺階。另外,后側(cè)部58C的下表面與第2基底絕緣層27的位于載物臺開口部25內(nèi)的下表面平齊。后側(cè)部58C配置于載物臺開口部25內(nèi),能夠更位于磁頭3的附近。
在連通空間24中的基底絕緣層9的壓電側(cè)端子形成部47配置有多個(4個)壓電側(cè)端子59。具體而言,壓電側(cè)端子59落入并填充于基部絕緣層38的一對后壓電側(cè)端子形成部43各自的端子開口部49以及載物臺絕緣層39的一對前壓電側(cè)端子形成部44各自的端子開口部49。此外,如圖2和圖3A所示,在壓電側(cè)端子59中,將向一對后壓電側(cè)端子形成部43各自的端子開口部49填充的壓電側(cè)端子59設(shè)為后壓電側(cè)端子59A,將向一對前壓電側(cè)端子形成部44各自的端子開口部49填充的壓電側(cè)端子59設(shè)為前壓電側(cè)端子59B。壓電側(cè)端子59借助隨后論述的壓電接合材料68與壓電元件5電連接。
如圖1所示,配線60在與主體部13相對應(yīng)的主體部絕緣層31(參照圖2)以及與懸架部14相對應(yīng)的懸架部絕緣層32(參照圖2)中沿著寬度方向彼此隔開間隔地形成有多個(6個)。配線60具有信號配線60A和電源配線60B。
信號配線60A是多個(6個)配線60內(nèi)的寬度方向內(nèi)側(cè)的4個,與信號端子57A和磁頭側(cè)端子58電連接。信號配線60A在磁頭3(參照圖3A和圖3B)和外部基板6之間傳遞電信號。
具體而言,信號配線60A形成為,在與主體部13相對應(yīng)的主體部絕緣層31(參照圖2)的后端部從信號端子57A朝向前側(cè)延伸之后,如圖2所示,在基板開口部絕緣層34和搭載部絕緣層35之上依次通過而直至磁頭側(cè)端子58。
此外,信號配線60A在搭載部絕緣層35的中央部絕緣層40中在沿著厚度方向投影時與第1基底絕緣層26的一對第1后側(cè)基底層30重疊。另外,信號配線60A在搭載部絕緣層35的載物臺絕緣層39中在沿著厚度方向投影時與第1前側(cè)基底層29和第1端子區(qū)域絕緣層28重疊。
如圖1所示,電源配線60B是多個(6個)配線60內(nèi)的、比信號配線60A靠寬度方向兩外側(cè)的兩個,與電源端子57B和后壓電側(cè)端子59A電連接。電源配線60B將電力從電源7向壓電元件5供給。
具體而言,電源配線60B形成為,在與主體部13相對應(yīng)的主體部絕緣層31(參照圖2)的后端部從電源端子57B朝向前側(cè)延伸之后,如圖2所示,在基板開口部絕緣層34和搭載部絕緣層35依次通過而直至后壓電側(cè)端子59A。
另外,配線60在與懸架部14相對應(yīng)的懸架部絕緣層32具有沿著寬度方向彼此隔開間隔地形成有多個(兩個)的接地配線60C。
接地配線60C是為了使前壓電側(cè)端子59B接地而設(shè)置的。具體而言,如圖2和圖3A所示,接地配線60C從前壓電側(cè)端子59B朝向前側(cè)延伸,以在信號配線60A的后側(cè)落入并填充到接地開口部46的方式向下側(cè)彎曲,與金屬支承基板8接觸。
導(dǎo)體層10由例如銅、鎳、金、軟釬料、或它們的合金等導(dǎo)體材料形成。優(yōu)選由銅形成。
相對于基底絕緣層9的厚度(第1基底絕緣層26的厚度和第2基底絕緣層27的厚度的總和)100%而言,導(dǎo)體層10的厚度是10%以上,優(yōu)選是30%以上,例如是200%以下,優(yōu)選是100%以下。具體而言,導(dǎo)體層10的厚度例如是3μm以上,優(yōu)選是5μm以上,例如是50μm以下,優(yōu)選是20μm以下。
如參照圖1那樣,覆蓋絕緣層11跨著主體部13和懸架部14地形成,如圖3A和圖3B所示,覆蓋絕緣層11配置于基底絕緣層9之上,形成為俯視時包含導(dǎo)體層10在內(nèi)的圖案。
具體而言,覆蓋絕緣層11形成為包覆配線60的上表面、使外部側(cè)端子57 (參照圖1)和磁頭側(cè)端子58的上表面暴露的圖案。
另外,在覆蓋絕緣層11中,在沿著厚度方向投影時與一對第1前側(cè)基底層29和一對第2前側(cè)基底層50重疊的部分被劃分為作為覆蓋底座層的一個例子的一對前側(cè)滑橇接觸層78。
并且,由第1前側(cè)基底層29、第2前側(cè)基底層50以及前側(cè)滑橇接觸層78形成作為底座的一個例子的第1底座88。也就是說,設(shè)有一對第1底座88。一對第1底座88在寬度方向上彼此隔開間隔地配置。
另外,在覆蓋絕緣層11中,在沿著厚度方向投影時與一對第1后側(cè)基底層30和一對第2后側(cè)基底層51重疊的部分被劃分為作為覆蓋底座層的一個例子的一對后側(cè)滑橇接觸層79。
并且,由第1后側(cè)基底層30、第2后側(cè)基底層51以及后側(cè)滑橇接觸層79形成作為底座的一個例子的第2底座89。也就是說,設(shè)有一對第2底座89。一對第2底座89在前后方向上彼此隔開間隔地配置。一對第2底座89配置于比一對第1底座88靠后側(cè)的位置且配置于一對第1底座88的寬度方向大致中央。由此,一對第2底座89中的任一個、和一對第1底座88配置成以各自為頂點(diǎn)的大致三角形狀。
覆蓋絕緣層11由與形成基底絕緣層9(第1基底絕緣層26和第2基底絕緣層27)的絕緣材料相同的絕緣材料形成。相對于第1基底絕緣層26的厚度100%而言,覆蓋絕緣層11的厚度例如是50%以上,優(yōu)選是80%以上,例如是200%以下,優(yōu)選是150%以下。另外,相對于第2基底絕緣層27的厚度100%而言,覆蓋絕緣層11的厚度例如是10%以上,優(yōu)選是30%以上,例如是100%以下,優(yōu)選是70%以下。具體而言,覆蓋絕緣層11的厚度例如是1μm以上,優(yōu)選是3μm以上,例如是40μm以下,優(yōu)選是10μm以下。
鍍層12形成于多個端子的表面、具體而言形成于外部側(cè)端子57、磁頭側(cè)端子58、壓電側(cè)端子59的表面。鍍層12利用例如非電解鍍、電解鍍等鍍處理、優(yōu)選電解鍍形成。鍍層12由例如鎳、金等金屬材料形成,優(yōu)選由金形成。相對于導(dǎo)體層10的厚度100%而言,鍍層12的厚度例如是5%以上,優(yōu)選是10%以上,例如是100%以下,優(yōu)選是50%以下。具體而言,鍍層12的厚度例如是0.1μm以上,優(yōu)選是1μm以上,例如是8μm以下,優(yōu)選是4μm以下。
滑橇4在其前端搭載有能夠讀寫硬盤的信息的磁頭3,形成為俯視大致矩形箱形狀。此外,在磁頭3的前端,與多個磁頭側(cè)端子58相對應(yīng)地設(shè)有多個(4個)磁頭端子65。
磁頭端子65配置于磁頭3的前端面,位于比磁頭3的下端部靠上側(cè)的位置,在厚度方向具有長度,以面對前側(cè)的方式設(shè)置。
滑橇4借助粘接劑等載置于一對第1底座88和一對第2底座89,磁頭端子65以面對磁頭側(cè)端子58的上表面的方式與磁頭側(cè)端子58隔開微小間隔地配置于磁頭側(cè)端子58的上側(cè)。
并且,在磁頭側(cè)端子58的上表面設(shè)有磁頭接合材料66。
磁頭接合材料66由例如軟釬料、導(dǎo)電性粘接劑等導(dǎo)電性材料形成。優(yōu)選由低融點(diǎn)的軟釬料形成。作為該低融點(diǎn)的軟釬料,可列舉出例如由錫、銀、銅的合金構(gòu)成的軟釬料、由錫、銀、鉍、銦的合金構(gòu)成的軟釬料、由錫、鋅的合金構(gòu)成的軟釬料、由錫、鉍的合金構(gòu)成的軟釬料、由錫、鉍、銀的合金構(gòu)成的軟釬料等。低融點(diǎn)的軟釬料的融點(diǎn)優(yōu)選是220℃以下。另外,作為導(dǎo)電性粘接劑,可列舉出例如銀糊劑等。
磁頭接合材料66將磁頭側(cè)端子58和磁頭3的磁頭端子65電連接起來。
這樣,在端子區(qū)域62中,通過形成有第1基底絕緣層26的第1端子區(qū)域絕緣層28和第2基底絕緣層27的第2端子區(qū)域絕緣層54,從而使磁頭側(cè)端子58與滑橇4所搭載的磁頭3的磁頭端子65接近。
壓電元件5是能夠沿著前后方向伸縮的致動器,形成為沿著前后方向延伸的俯視大致矩形形狀。壓電元件5被供給電力,通過對該電力的電壓進(jìn)行控制,壓電元件5伸縮。此外,在壓電元件5的上部的前側(cè)和后側(cè)分別設(shè)有壓電端子67。如圖2和圖3A所示,沿著寬度方向隔開間隔配置有一對壓電元件5。此時,壓電元件5配置成,從帶電路的懸掛基板1的下側(cè)架設(shè)于后壓電側(cè)端子59A和前壓電側(cè)端子59B,壓電端子67面對壓電側(cè)端子59的下表面。
并且,在壓電側(cè)端子59的上表面設(shè)有壓電接合材料68。壓電接合材料68由例如與形成磁頭接合材料66的導(dǎo)電性材料相同的導(dǎo)電性材料形成。
壓電接合材料68將壓電側(cè)端子59和壓電元件5的壓電端子67電連接起來。
接著,參照圖4A~圖6C對帶電路的懸掛基板1的制造方法進(jìn)行說明。
在該方法中,如圖4A所示,首先,準(zhǔn)備金屬支承基板8。
接下來,如圖4B所示,在金屬支承基板8之上形成第1基底絕緣層26。
具體而言,在金屬支承基板8之上形成第1基底絕緣層26作為與第1端子區(qū)域絕緣層28、一對第1前側(cè)基底層29(參照圖3A)、以及一對第1后側(cè)基底層30相對應(yīng)的圖案。
為了形成具有第1端子區(qū)域絕緣層28、一對第1前側(cè)基底層29(參照圖3A)、以及一對第1后側(cè)基底層30的第1基底絕緣層26,在金屬支承基板8之上涂敷感光性的絕緣材料的清漆并使該清漆干燥,形成基底覆膜。
之后,隔著未圖示的光掩模對基底覆膜進(jìn)行曝光。光掩模以圖案具有遮光部分和全透光部分,以使全透光部分與形成第1基底絕緣層26的部分相對配置、使遮光部分與不形成第1基底絕緣層26的部分相對配置的方式使光掩模與基底覆膜相對配置,并進(jìn)行曝光。
之后,對基底覆膜進(jìn)行顯影,根據(jù)需要進(jìn)行加熱固化,從而以上述的圖案形成具有第1端子區(qū)域絕緣層28、一對第1前側(cè)基底層29(參照圖3A)以及一對第1后側(cè)基底層30的基底絕緣層9。
接下來,如圖4C所示,以包覆第1基底絕緣層26的方式在金屬支承基板8 之上形成第2基底絕緣層27。
具體而言,在金屬支承基板8之上形成第2基底絕緣層27作為與主體部絕緣層31(參照圖1)和懸架部絕緣層32相對應(yīng)的圖案。在懸架部絕緣層32中,形成為具有第2端子區(qū)域絕緣層54、第2周邊區(qū)域絕緣層55、一對第2前側(cè)基底層50(參照圖3A)、一對第2后側(cè)基底層51以及連接端子開口部45的圖案。
為了形成要形成有連接端子開口部45的第2基底絕緣層27,在金屬支承基板8和第1基底絕緣層26之上涂敷感光性的絕緣材料的清漆并使該清漆干燥,形成基底覆膜。
之后,隔著未圖示的光掩模對基底覆膜進(jìn)行曝光。光掩模以圖案具有遮光部分和全透光部分,以使全透光部分與形成基底絕緣層9(除了形成連接端子開口部45的部分之外。)的部分相對配置、使遮光部分與不形成基底絕緣層9的部分和形成連接端子開口部45的部分相對配置的方式使光掩模與基底覆膜相對配置,并進(jìn)行曝光。
之后,對基底覆膜進(jìn)行顯影,根據(jù)需要進(jìn)行加熱固化,從而以上述的圖案形成具有第2端子區(qū)域絕緣層54、第2周邊區(qū)域絕緣層55、一對第2前側(cè)基底層50、一對第2后側(cè)基底層51以及連接端子開口部45的基底絕緣層9。
接下來,如圖5A所示,在基底絕緣層9的上表面形成導(dǎo)體層10。詳細(xì)而言,利用添加法或消減法等圖案形成法、優(yōu)選添加法在基底絕緣層9的上表面形成導(dǎo)體層10。
由此,如參照圖1那樣,導(dǎo)體層10形成為在基底絕緣層9的上表面具有外部側(cè)端子57、磁頭側(cè)端子58、壓電側(cè)端子59以及配線60。此外,磁頭側(cè)端子58的后側(cè)部58C以落入第1端子區(qū)域絕緣層28的上表面的方式形成。
接下來,如圖5B所示,在第2基底絕緣層27之上形成覆蓋絕緣層11作為具有一對前側(cè)滑橇接觸層78(參照圖3A)和一對后側(cè)滑橇接觸層79的圖案。為了形成具有一對前側(cè)滑橇接觸層78(參照圖3A)和一對后側(cè)滑橇接觸層79 的覆蓋絕緣層11,在第2基底絕緣層27和導(dǎo)體層10之上涂敷感光性的絕緣材料的清漆并使該清漆干燥而形成覆蓋覆膜,之后,對覆蓋覆膜進(jìn)行曝光,接下來,通過顯影而加熱固化,從而以上述的圖案形成。
由此,如參照圖3A那樣,一對前側(cè)滑橇接觸層78與所對應(yīng)的第2基底絕緣層27的一對第2前側(cè)基底層50以及第1基底絕緣層26的一對第1前側(cè)基底層29一起構(gòu)成第1底座88。
另外,如圖5B所示,一對后側(cè)滑橇接觸層79與所對應(yīng)的第2基底絕緣層27的一對第2后側(cè)基底層51以及第1基底絕緣層26的一對第1后側(cè)基底層30一起構(gòu)成第2底座89。
接下來,如圖5C所示,利用例如蝕刻等對金屬支承基板8進(jìn)行外形加工,以形成基板開口部16(參照圖1和圖2)和載物臺開口部25。
由此,第1端子區(qū)域絕緣層28的后端部的下表面從載物臺開口部25暴露。
接下來,如圖6A所示,在基底絕緣層9中,將第1端子區(qū)域絕緣層28的從載物臺開口部25暴露的后端部去除。具體而言,利用蝕刻、優(yōu)選濕蝕刻等去除。
由此,第2端子區(qū)域絕緣層54的后端部的下表面暴露、并且磁頭側(cè)端子58的后側(cè)部58C的下表面暴露。
接下來,如圖6B所示,在多個端子、具體而言在外部側(cè)端子57、磁頭側(cè)端子58、壓電側(cè)端子59的表面形成鍍層12。
具體而言,利用非電解鍍、電解鍍等鍍處理、優(yōu)選、電解鍍形成鍍層12。
由此,帶電路的懸掛基板1完成。
接下來,如圖6C所示,在將搭載有磁頭3的滑橇4連接于帶電路的懸掛基板1時,首先,在磁頭側(cè)端子58(鍍層12)之上形成磁頭接合材料66。具體而言,通過利用公知的印刷機(jī)印刷上述的導(dǎo)電性材料、或、利用分配器涂敷上述的導(dǎo)電性材料,形成磁頭接合材料66。
接下來,將搭載有磁頭3的滑橇4以由一對第1底座88(參照圖2和圖3A)和一對第2底座89支承、磁頭端子65位于磁頭側(cè)端子58的上側(cè)的方式配置于帶電路的懸掛基板1的上側(cè)。
并且,利用激光(Xe燈激光)照射、或烙鐵等加熱方法將磁頭接合材料66加熱到其溶融溫度以上。優(yōu)選利用激光照射加熱磁頭接合材料66。
由此,如圖3A和圖3B所示,磁頭接合材料66溶融而流動,磁頭側(cè)端子58和磁頭3的磁頭端子65被電連接。
此時,通過使磁頭接合材料66形成焊腳(日文:フィレット),能夠?qū)⒋蓬^接合材料66可靠地配置到磁頭端子65的上端部,能夠使磁頭側(cè)端子58和磁頭端子65可靠地電連接。
另外,如圖3A所示,在將壓電元件5連接于帶電路的懸掛基板1時,首先,在壓電側(cè)端子59之下形成壓電接合材料68。具體而言,通過利用公知的印刷機(jī)印刷上述的導(dǎo)電性材料、或、利用分配器涂敷上述的導(dǎo)電性材料,形成壓電接合材料68。
并且,將一對壓電元件5以壓電端子67位于所對應(yīng)的壓電側(cè)端子59的下側(cè)的方式配置于帶電路的懸掛基板1的下側(cè)。
接下來,將配置有壓電元件5的帶電路的懸掛基板1的懸架部14放入回流焊爐內(nèi)而進(jìn)行加熱,對壓電接合材料68進(jìn)行回流焊。
回流焊溫度是壓電接合材料68可溶融的溫度以上,例如是100℃以上,優(yōu)選是130℃以上,例如是350℃以下,優(yōu)選是300℃以下。
另外,回流焊時間例如是5秒以上,優(yōu)選是10秒以上,例如是500秒以下,優(yōu)選是300秒以下。
由此,壓電接合材料68由于溶融而流動,將壓電側(cè)端子59和壓電元件5的壓電端子67粘接。
借助壓電側(cè)端子59從電源7向壓電元件5供給電力,通過對該電力的電壓進(jìn)行控制,壓電元件5沿著前后方向伸縮。通過壓電元件5伸縮,能夠?qū)?的位置進(jìn)行微調(diào)整。
根據(jù)該帶電路的懸掛基板1,如圖3A和圖3B所示,端子區(qū)域62的厚度比周邊區(qū)域63的厚度厚,因此,能夠在厚度方向上使磁頭側(cè)端子58接近滑橇4的磁頭3的磁頭端子65。
因此,能夠使磁頭側(cè)端子58和磁頭端子65可靠地連接。
另一方面,周邊區(qū)域63的厚度比端子區(qū)域62的厚度薄,因此,能夠謀求帶電路的懸掛基板1的輕量薄型化。
根據(jù)該帶電路的懸掛基板1,如圖3A和圖3B所示,周邊區(qū)域63具有由第2基底絕緣層27形成的第2周邊區(qū)域絕緣層55,而端子區(qū)域62具有由第1基底絕緣層26形成的第1端子區(qū)域絕緣層28和由第2基底絕緣層27形成的第2端子區(qū)域絕緣層54。
因此,與端子區(qū)域62由1層基底絕緣層9形成的情況相比較,通過使端子區(qū)域62由兩層、即、第1端子區(qū)域絕緣層28和第2端子區(qū)域絕緣層54形成,能夠容易地使端子區(qū)域62的厚度比周邊區(qū)域63的厚度厚。
其結(jié)果,能夠使磁頭側(cè)端子58接近滑橇4的端子,因此,能夠使磁頭側(cè)端子58和滑橇4的磁頭3的磁頭端子65更可靠地連接。
根據(jù)該帶電路的懸掛基板1,如圖3A和圖3B所示,一對第1前側(cè)基底層29和一對第1后側(cè)基底層30由第1基底絕緣層26形成,一對第2前側(cè)基底層50和一對第2后側(cè)基底層51由第2基底絕緣層27形成,一對前側(cè)滑橇接觸層78和一對后側(cè)滑橇接觸層79由覆蓋絕緣層11形成,因此,不另外設(shè)置用于支承滑橇4的構(gòu)件,就能夠以包覆配線60的方式形成一對第1底座88和一對第2底座89。
根據(jù)該帶電路的懸掛基板1的制造方法,如圖3A和圖3B所示,能夠制造端子區(qū)域62的厚度比周邊區(qū)域63的厚度厚、在厚度方向上使磁頭側(cè)端子58接近滑橇4的端子的帶電路的懸掛基板1。
另外,如圖4C所示,在形成第2端子區(qū)域絕緣層54和第2周邊區(qū)域絕緣層55的工序中,能夠同時形成一對第2前側(cè)基底層50和一對第2后側(cè)基底層51。
因此,能夠一邊使磁頭側(cè)端子58可靠地接近滑橇4的端子、一邊不另外增加工序就能夠效率良好地形成一對第1底座88和一對第2底座89。
<第2實施方式>
接下來,參照圖7A和圖7B對本發(fā)明的第2實施方式的帶電路的懸掛基板1進(jìn)行說明。此外,在第2實施方式中,對與上述的第1實施方式同樣的構(gòu)件標(biāo)注同樣的附圖標(biāo)記,省略其說明。
在上述的第1實施方式中,第1基底絕緣層26僅具有第1端子區(qū)域絕緣層28、一對第1前側(cè)基底層29、一對第1后側(cè)基底層30,第2基底絕緣層27具有與主體部13相對應(yīng)的主體部絕緣層31和與懸架部14相對應(yīng)的懸架部絕緣層32。
相對于此,在第2實施方式中,第1基底絕緣層26具有與主體部13相對應(yīng)的主體部絕緣層31和與懸架部14相對應(yīng)的懸架部絕緣層32,第2基底絕緣層27不具有第2周邊區(qū)域絕緣層55,而僅具有第2端子區(qū)域絕緣層54、一對第2前側(cè)基底層50、以及一對第2后側(cè)基底層51。
并且,在第1基底絕緣層26的載物臺絕緣層39中,與第2端子區(qū)域絕緣層54重疊的部分被劃分為第1端子區(qū)域絕緣層28。換言之,第2端子區(qū)域絕緣層54配置于第1端子區(qū)域絕緣層28之上。另外,在第1基底絕緣層26中,除了第1端子區(qū)域絕緣層28以外的部分被劃分為第1周邊區(qū)域絕緣層95。
此外,在基底絕緣層9中,形成有第1端子區(qū)域絕緣層28和第2端子區(qū)域絕緣層54的區(qū)域被劃分為端子區(qū)域62,在沿著厚度方向投影時不與端子區(qū)域62重疊的區(qū)域即基底絕緣層9中的除了端子區(qū)域62以外的所有區(qū)域(形成有第1周邊區(qū)域絕緣層95的區(qū)域)被劃分為周邊區(qū)域63。
為了制造這樣的帶電路的懸掛基板1,在上述的第1實施方式的在金屬支承基板8之上形成第1基底絕緣層26的工序中,在第2實施方式中,在金屬支承基板8之上形成第1基底絕緣層26作為與主體部絕緣層31(參照圖1)和懸架部絕緣層32相對應(yīng)的圖案。在懸架部絕緣層32中,形成為具有第1端子區(qū)域絕緣層28、第1周邊區(qū)域絕緣層95、一對第1前側(cè)基底層29、一對第1后側(cè)基底層30、以及連接端子開口部45的圖案。
另外,在上述的第1實施方式的以包覆第1基底絕緣層26的方式在金屬支承基板8之上形成第2基底絕緣層27的工序中,在第2實施方式中,在第1基底絕緣層26之上形成第2基底絕緣層27作為具有第2端子區(qū)域絕緣層54、一對第2前側(cè)基底層50以及一對第2后側(cè)基底層51的圖案。
除了上述的工序以外,利用與第1實施方式同樣的制造方法來制造帶電路的懸掛基板1。
利用以上工序,完成第2實施方式的帶電路的懸掛基板1。
根據(jù)該帶電路的懸掛基板1,如圖7A和圖7B所示,周邊區(qū)域63具有由第1基底絕緣層26形成的第1周邊區(qū)域絕緣層95,而端子區(qū)域62具有由第1基底絕緣層26形成的第1端子區(qū)域絕緣層28和由第2基底絕緣層27形成的第2端子區(qū)域絕緣層54。
因此,與端子區(qū)域62由1層基底絕緣層9形成的情況相比較,通過使端子區(qū)域62由兩層、即、第1端子區(qū)域絕緣層28和第2端子區(qū)域絕緣層54形成,能夠容易地使端子區(qū)域62的厚度比周邊區(qū)域63的厚度厚。
其結(jié)果,能夠使磁頭側(cè)端子58接近滑橇4的磁頭3的磁頭端子65,因此,能夠使磁頭側(cè)端子58和磁頭端子65更可靠地連接。
根據(jù)該帶電路的懸掛基板1,如圖7A和圖7B所示,1對第1前側(cè)基底層29和1對第1后側(cè)基底層30由第1基底絕緣層26形成,1對第2前側(cè)基底層50和1對第2后側(cè)基底層51由第2基底絕緣層27形成,1對前側(cè)滑橇接觸層78和1對后側(cè)滑橇接觸層79由覆蓋絕緣層11形成,因此,不另外設(shè)置用于支承滑橇4的構(gòu)件,就能夠以包覆配線60的方式形成1對第1底座88和1對第2底座89。
根據(jù)該帶電路的懸掛基板1的制造方法,如圖7A和圖7B所示,能夠制造端子區(qū)域62的厚度比周邊區(qū)域63的厚度厚、在厚度方向上使磁頭側(cè)端子58接近滑橇4的端子的帶電路的懸掛基板1。
另外,在形成第1端子區(qū)域絕緣層28和第1周邊區(qū)域絕緣層95的工序中,能夠同時形成1對第1前側(cè)基底層29和1對第1后側(cè)基底層30。
因此,能夠一邊使磁頭側(cè)端子58可靠地接近滑橇4的端子、一邊不另外增加工序就能夠效率良好地形成底座。
<變形例>
在上述的第1實施方式和第2實施方式中,帶電路的懸掛基板1具有用于支承滑橇4的第1底座88和第2底座89,但也可以不具有第1底座88和第2底座89,利用粘接劑層等支承滑橇4。
在這樣的變形例中,也能夠獲得與第1實施方式和第2實施方式同樣的作用效果。
此外,作為本發(fā)明的例示的實施方式提供了上述說明,但這只不過是例示,不進(jìn)行限定性解釋。本領(lǐng)域的技術(shù)人員清楚的本發(fā)明的變形例包含于權(quán)利要求書中。