實(shí)施使兩個(gè)主表面上的加工余量為0.1 ym以上且0.5 μπι以下的拋光處理。通過(guò)將在經(jīng)過(guò)了化學(xué)強(qiáng)化工序后殘留在玻璃基板I的主表面上的附著物除去，由此可以減少在使用玻璃基板I制造出的磁盤上發(fā)生磁頭碰撞的情況。通過(guò)將拋光處理的兩個(gè)主表面上的加工余量設(shè)定為0.1 μ m以上且0.5 μ m以下，由此，不會(huì)在表面上出現(xiàn)因化學(xué)強(qiáng)化處理而發(fā)生的應(yīng)力不均勻性。本實(shí)施方式中的玻璃基板的制造方法如以上這樣構(gòu)成。
[0074]也可以在第I拋光工序(粗研磨)與第2拋光工序(精密研磨)之間實(shí)施化學(xué)強(qiáng)化工序。
[0075](清洗工序)
[0076]接下來(lái)，對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗(步驟S50)。利用清洗劑、純水、臭氧、IPA(異丙醇)、或UV(ultrav1let)臭氧等對(duì)玻璃基板I的兩個(gè)主表面進(jìn)行清洗，由此，附著在玻璃基板I的兩個(gè)主表面上的附著物被除去。
[0077]然后，利用光學(xué)式缺陷檢查裝置等檢查玻璃基板I的表面上的附著物的數(shù)量。
[0078](磁性薄膜形成工序)
[0079]對(duì)完成了化學(xué)強(qiáng)化處理后的玻璃基板(相當(dāng)于圖1所示的玻璃基板I)的兩個(gè)主表面(或任一個(gè)主表面)形成磁性膜，由此形成磁性薄膜層2。磁性薄膜層2是通過(guò)如下方式形成的:使由Cr合金構(gòu)成的緊密貼合層、由CoFeZr合金構(gòu)成的軟磁性層、由Ru構(gòu)成的配向控制基底層、由CoCrPt合金構(gòu)成的垂直磁性記錄層、由C系構(gòu)成的保護(hù)層和由F系構(gòu)成的潤(rùn)滑層依次成膜。通過(guò)形成磁性薄膜層2，能夠得到與圖2所示的磁盤10相當(dāng)?shù)拇怪贝判杂涗洷P。
[0080]本實(shí)施方式中的磁盤是由磁性薄膜層構(gòu)成的垂直磁盤的一個(gè)例子。磁盤也可以由磁性層等構(gòu)成為所謂的面內(nèi)磁盤。
[0081](第2拋光工序S33)
[0082]此處，參照?qǐng)D5至圖7，對(duì)第2拋光工序S33的詳細(xì)內(nèi)容進(jìn)行說(shuō)明。圖5是示出第2拋光工序S33的細(xì)節(jié)的流程圖，圖6是【背景技術(shù)】中的下側(cè)研磨墊410的放大縱剖視圖，圖7是實(shí)施方式中的下側(cè)研磨墊410的放大縱剖視圖。以下，主要說(shuō)明下側(cè)研磨墊和下側(cè)平臺(tái)，關(guān)于上側(cè)研磨墊和上側(cè)平臺(tái)也同樣。
[0083]參照?qǐng)D5，第2拋光工序S33具有:載具配置工序(S331)、玻璃基板配置工序(S332)、研磨工序(S333)、玻璃基板取出工序(S334)、以及載具取出工序(S335)。
[0084]在這各個(gè)工序中，在玻璃基板取出工序(S334)中，玻璃基板I向下側(cè)研磨墊410的吸附成為問(wèn)題。這是因?yàn)?，如圖6所示，在【背景技術(shù)】中，下側(cè)研磨墊41使用了獨(dú)立發(fā)泡結(jié)構(gòu)的研磨墊，該獨(dú)立發(fā)泡結(jié)構(gòu)的研磨墊的各個(gè)發(fā)泡孔410h相對(duì)于相鄰的發(fā)泡孔410h獨(dú)立，或者，與相鄰的發(fā)泡孔410h連通的情況非常少。
[0085]因此，在研磨工序(S333)中，玻璃基板I在被夾在上側(cè)研磨墊310和下側(cè)研磨墊410之間的狀態(tài)下被按壓，因此，產(chǎn)生了上側(cè)研磨墊310和下側(cè)研磨墊410 (尤其是位于下側(cè)的下側(cè)研磨墊410)牢固吸附在玻璃基板I上的現(xiàn)象(圖中箭頭S2所示的吸附力)。
[0086]另一方面，圖7示出本實(shí)施方式中的下側(cè)研磨墊410的放大圖。在本實(shí)施方式的下側(cè)研磨墊410中不使用獨(dú)立發(fā)泡結(jié)構(gòu)，而是使用具有連續(xù)發(fā)泡結(jié)構(gòu)的研磨墊。因此，在該下側(cè)研磨墊410中形成有連通相鄰的發(fā)泡孔410h的連通孔410c。作為具體的材料可舉出利用濕式凝固法形成的、以發(fā)泡聚氨酯為原材料的絨面革墊。
[0087]由此，通過(guò)在下側(cè)研磨墊410中使用連續(xù)發(fā)泡結(jié)構(gòu)，由此在相鄰的發(fā)泡孔410h之間產(chǎn)生漿料流和空氣流(圖7中的左右方向的箭頭)，因此，能夠降低下側(cè)研磨墊410對(duì)玻璃基板I的吸附力(圖7中的箭頭SI所示的吸附力)。
[0088]此處，在處于向下側(cè)研磨墊410供給了漿料的狀態(tài)的研磨工序(S333)中，下側(cè)研磨墊410對(duì)玻璃基板I的吸附力優(yōu)選在0.50g/cm2以上且15g/cm2。
[0089]這是因?yàn)楫?dāng)吸附力小于0.50g/cm2時(shí)，玻璃基板I與研磨墊之間的滑動(dòng)增大，無(wú)法期待研磨墊對(duì)玻璃基板I的表面的研磨。因?yàn)楫?dāng)吸附力超過(guò)15g/cm2時(shí)，在從下側(cè)研磨墊410取出玻璃基板I時(shí)施加的力變得過(guò)大(吸附力過(guò)大)。
[0090]下側(cè)研磨墊410在沿著下平臺(tái)400的法線方向的下側(cè)研磨墊410的縱截面(圖7所示的截面)中，截面積S為0.0lmm2以上的連通孔410c以在縱截面中每25mm 230個(gè)以上的密度存在為佳。由此，能夠?qū)⑾聜?cè)研磨墊410對(duì)玻璃基板I的吸附力設(shè)定在上述范圍。
[0091]優(yōu)選的是，在下側(cè)研磨墊410的縱截面中，截面積S為0.0lmm2以上的連通孔410c以在縱截面中每25mm280個(gè)以上的密度存在。由此，能夠?qū)⑾聜?cè)研磨墊410對(duì)玻璃基板I的吸附力設(shè)定在更優(yōu)選的范圍。
[0092]在玻璃基板取出工序(S334)中，優(yōu)選在保持下側(cè)研磨墊410含有漿料的狀態(tài)下從下平臺(tái)400取出研磨后的玻璃基板I。在【背景技術(shù)】中，在研磨工序(S333)之后實(shí)施了用于沖洗漿料的清洗。但是發(fā)現(xiàn)了:通過(guò)實(shí)施該清洗，下側(cè)研磨墊410對(duì)玻璃基板I的吸附力提高。在實(shí)施方式中，在玻璃基板取出工序(S334)之后，實(shí)施了玻璃基板I以及下側(cè)研磨墊410的清洗。
[0093]進(jìn)而，玻璃基板取出工序(S334)中的漿料的濃度優(yōu)選為雙面研磨裝置2000進(jìn)行的研磨工序(S333)中的濃度的1.5倍以上。由此，進(jìn)而，能夠降低玻璃基板取出工序(S334)中的下側(cè)研磨墊410對(duì)玻璃基板I的吸附力。具體而言，可以在玻璃基板取出工序(S334)中，追加新的漿料。
[0094](實(shí)施例)
[0095]以下，參照?qǐng)D8說(shuō)明基于本實(shí)施方式的實(shí)施例。圖8是示出實(shí)施例1至實(shí)施例5以及比較例I至比較例3中的缺陷檢查結(jié)果以及讀寫試驗(yàn)結(jié)果的圖。在實(shí)施例1至實(shí)施例5以及比較例I至比較例3中，至第I拋光工序(S31)為止，全部采用圖3所示的工序。
[0096]第2拋光工序(S33)的研磨工序(S333)中使用的漿料的濃度全部設(shè)為15wt%。在玻璃基板取出工序(S334)中，將使用的研磨墊(上側(cè)研磨墊310和下側(cè)研磨墊410)、研磨工序(S333)結(jié)束后的漿料狀態(tài)劃分成圖8的8個(gè)條件(實(shí)施例1至實(shí)施例5以及比較例I至比較例3)進(jìn)行了實(shí)施。
[0097]在實(shí)施例1和比較例I中，在研磨工序(S333)結(jié)束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，進(jìn)行了清洗工序。
[0098]在實(shí)施例2和實(shí)施例3中，在研磨工序(S333)結(jié)束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，將高濃度的漿料散布到了研磨墊上，使得在研磨工序(S333)開始時(shí)為15wt%的濃度的漿料的濃度在玻璃基板取出工序(S334)開始時(shí)，濃度升高。
[0099]對(duì)于各實(shí)施例、比較例中的吸附力，在緊接著研磨工序(S333)之后，將與玻璃基板幾乎相同形狀、相同表面粗糙度的試驗(yàn)片載置到下側(cè)研磨墊上，在施加了與研磨工序同等的壓力之后提起，利用數(shù)字測(cè)力計(jì)進(jìn)行了測(cè)量。
[0100]在第2拋光工序(S33)結(jié)束之后，在全部實(shí)施例和比較例中，玻璃基板I經(jīng)過(guò)化學(xué)強(qiáng)化工序(S40)、清洗工序(S50)后，進(jìn)行了表面的缺陷(defect)檢查。缺陷檢查使用了KLA — Tencor社制光學(xué)式缺陷檢查裝置Candela — 0SA6100作為試驗(yàn)裝置。
[0101]在缺陷檢查中，在各實(shí)施例和各比較例中，按每100張對(duì)加工后的玻璃基板全部進(jìn)行了檢查，將附著物在10個(gè)以下且劃痕在2個(gè)以下的基板判定為合格品，將合格品數(shù)在95張以上的情況評(píng)價(jià)為A(優(yōu)良)，將小于95張且90張以上的情況評(píng)價(jià)為B(良)，將小于90張且85張以上的情況評(píng)價(jià)為C(及格)，將小于85張的情況評(píng)價(jià)為D(不良)。
[0102]進(jìn)而，經(jīng)過(guò)磁性薄膜形成工序(S60)后，對(duì)玻璃基板進(jìn)行了信息記錄介質(zhì)(介質(zhì)化)之后，進(jìn)行了讀寫試驗(yàn)。
[0103]在讀寫試驗(yàn)中，進(jìn)行了如下試驗(yàn):在相同的各條件下按每100張對(duì)于加工后的玻璃基板(信息記錄介質(zhì))測(cè)量磁性記錄特性。將通過(guò)了試驗(yàn)的基板在96張以上的情況設(shè)為A(優(yōu)良)，將小于96張且92張以上的情況設(shè)為B(良)，將小于92張且88張以上的情況設(shè)為C (及格)，將小于88張的情況設(shè)為D (不及格)。
[0104](實(shí)施例1)
[0105]在實(shí)施例1的玻璃基板中，吸附力為15.0g/cm2，研磨墊的連通孔的數(shù)量為35，玻璃基板取出工序(S334)中的研磨墊上的漿料的蓄積狀態(tài)為有蓄積，此時(shí)的漿料的濃度為15wt%。在研磨工序(S333)結(jié)束之后且玻璃基板取出工序(S334)之前，進(jìn)行了清洗工序。在該實(shí)施例1中，缺