鄰設(shè)置的冗余字線之間。此外，冗余字線RWL可以布置在字線WLX和WLX+1之間，其中，X是小于N的整數(shù)。虛設(shè)字線可以布置在冗余字線RWL和與冗余字線RWL相鄰的正常字線之間，即，在正常字線WLX和冗余字線RWL之間以及在正常字線WLX+1和冗余字線RWL之間。
[0065]圖6是在圖2中所示的單元陣列250的示圖。
[0066]參見(jiàn)圖6，單元陣列250可以包括多個(gè)正常字線WL0至WLN和冗余字線RWL。正常字線WL0至WLN和冗余字線RWL可以對(duì)應(yīng)于相同位線對(duì)BL0/BLB0至BLM/BLMB中的每個(gè)。正常字線WL0至WLN中的每個(gè)和冗余字線RWL可以耦接至多個(gè)存儲(chǔ)器單元MC或SMC。
[0067]正常字線WL0至WLN可以被順序地布置，而冗余字線RWL可以布置在正常字線WL0至WLN之間或者挨著最外面的正常字線WLN。圖6圖示了后者的情形。耦接至與冗余字線RWL相鄰的字線WLN的存儲(chǔ)器單元SMC可以被設(shè)計(jì)成比其他存儲(chǔ)器單元MC具有更長(zhǎng)的保持時(shí)間。存儲(chǔ)器單元MC或SMC中的每個(gè)可以包括單元晶體管S或HS以及單元電容器C或HCo
[0068]保持時(shí)間可以被稱為數(shù)據(jù)保持時(shí)間，并且指示在數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在存儲(chǔ)器單元之后存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)被保持的時(shí)間。當(dāng)某存儲(chǔ)器單元具有長(zhǎng)保持時(shí)間時(shí)，它可以指示對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器單元長(zhǎng)時(shí)間地保持?jǐn)?shù)據(jù)，并且可靠地經(jīng)得起外部影響，例如，字線擾動(dòng)。因而，當(dāng)耦接至與冗余字線RWL相鄰的字線WLN的存儲(chǔ)器單元SMC的保持時(shí)間比耦接至其他字線的存儲(chǔ)器單元MC的保持時(shí)間長(zhǎng)時(shí)，儲(chǔ)存在耦接至相鄰字線WLN的存儲(chǔ)器單元SMC中的數(shù)據(jù)很少丟失，即使在冗余字線RWL頻繁地激活-預(yù)充電的情況下也是如此。因而，冗余字線RWL可以具有更高的抗字線擾動(dòng)性。
[0069]存儲(chǔ)器單元可以在單元電容器中以電荷的形式儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。當(dāng)儲(chǔ)存在單元電容器中的電荷由于單元晶體管的泄漏電流的原因而丟失時(shí)，儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)可能丟失。因而，當(dāng)單元晶體管(其可以包括切換器、M0SFET或晶體管)的閾值電壓增加以減少泄漏電流時(shí)，或者即使出現(xiàn)泄漏電流，增加單元電容器的電容以長(zhǎng)時(shí)間保持電荷時(shí)，可以增加存儲(chǔ)器單元的保持時(shí)間。為了增加存儲(chǔ)器單元SMC的保持時(shí)間，包括在存儲(chǔ)器單元SMC中的單元晶體管HS的閾值電壓可以設(shè)定成比其他存儲(chǔ)器單元MC的單元晶體管S的閾值電壓高?？商孢x地，為了增加存儲(chǔ)器單元SMC的保持時(shí)間，包括在存儲(chǔ)器單元SMC中的單元電容器HC的電容可以設(shè)定成比其他存儲(chǔ)器單元MC的單元電容器C的電容高。
[0070]圖6圖示了存儲(chǔ)器單元SMC包括具有高閾值電壓的單元晶體管HS和具有大電容的單元電容器HC。然而，存儲(chǔ)器單元SMC可以僅包括這兩者中的一個(gè)。S卩，存儲(chǔ)器單元SMC可以包括單元晶體管HS和一般的單元電容器C或者包括一般的單元晶體管S和單元電容器HC。
[0071]參見(jiàn)圖6，單元陣列250包括一個(gè)冗余字線RWL和與冗余字線RWL相鄰布置的字線WLN，字線WLN是正常字線WL0至WLN之中的設(shè)置在最外面位置的正常字線WLN。然而，根據(jù)設(shè)計(jì)，可以改變?nèi)哂嘧志€RWL的位置和數(shù)目。
[0072]例如，單元陣列250可以包括兩個(gè)或更多個(gè)冗余字線，以及冗余字線可以分別代替不同的正常字線。耦接至冗余字線或與冗余字線中的每個(gè)相鄰設(shè)置的正常字線的存儲(chǔ)器單元SCM可以具有比其他存儲(chǔ)器單元MC更長(zhǎng)的保持時(shí)間。此外，冗余字線RWL可以布置在字線WLX和WLX+1之間，其中X是小于N的整數(shù)。耦接至與冗余字線RWL相鄰的正常字線WLX和WLX+1的存儲(chǔ)器單元SMC可以具有比其他存儲(chǔ)器單元MC更長(zhǎng)的保持時(shí)間。
[0073]圖7是在圖2中所示的單元陣列250的示圖。
[0074]參見(jiàn)圖7，單元陣列250可以包括多個(gè)正常字線WL0至WLN、虛設(shè)字線DWL和冗余字線RWL。正常字線WL0至WLN和冗余字線RWL可以對(duì)應(yīng)于相同位線對(duì)BL0/BLB0至BLM/BLBM中的每個(gè)。正常字線WL0至WLN中的每個(gè)和冗余字線RWL可以耦接至多個(gè)存儲(chǔ)器單元MCo
[0075]正常字線WL0至WLN可以布置在彼此距離第一距離D1處，而冗余字線RWL可以布置在正常字線WL0至WLN之間或者挨著正常字線WL0至WLN之中的設(shè)置在最外面位置的字線WLN。圖7圖示了后者的情形。冗余字線RWL可以布置在距離與其相鄰布置的正常字線WLN第二距離D2處，第二距離D2大于第一距離D1。此外，在冗余字線RWL和與冗余字線RWL相鄰的正常字線WLN之間，可以布置虛設(shè)字線DWL。虛設(shè)字線DWL和相鄰正常字線WLN之間的距離可以設(shè)定成大于第一距離D1的第三距離D3。
[0076]通過(guò)圖4和圖5中所圖示的方法的組合，圖7的單元陣列250可以允許冗余字線RWL具有更高的抗字線擾動(dòng)性。
[0077]參見(jiàn)圖7，單元陣列250可以包括一個(gè)冗余字線RWL和與冗余字線RWL相鄰布置的字線WLN，字線WLN是正常字線WL0至WLN之中的設(shè)置在最外面位置的正常字線WLN。然而，根據(jù)設(shè)計(jì)，可以改變?nèi)哂嘧志€RWL的位置和數(shù)目。
[0078]圖8是在圖2中所示的單元陣列250的示圖。
[0079]圖8的單元陣列250可以包括多個(gè)正常字線WL0至WLN、虛設(shè)字線DWL和冗余字線RWLo正常字線WL0至WLN和冗余字線RWL可以對(duì)應(yīng)于相同位線對(duì)BL0/BLB0至BLM/BLBM中的每個(gè)。正常字線WL0至WLN中的每個(gè)和冗余字線RWL可以耦接至多個(gè)存儲(chǔ)器單元MC或SMC。
[0080]正常字線WL0至WLN可以被順序地布置，以及冗余字線RWL可以布置在正常字線WL0至WLN之間或布置在正常字線WL0至WLN的最外面位置。圖8圖示了后者的情形。虛設(shè)字線DWL可以布置在冗余字線RWL和正常字線WL0至WLN之中的與冗余字線RWL相鄰的字線WLN之間。耦接至與冗余字線RWL相鄰的字線WLN的存儲(chǔ)器單元MC可以被設(shè)計(jì)成具有比其他存儲(chǔ)器單元MC更長(zhǎng)的保持時(shí)間。
[0081]通過(guò)圖5和圖6中所圖示的方法的組合，圖8的單元陣列250可以允許冗余字線RWL具有更高的抗字線擾動(dòng)性。
[0082]參見(jiàn)圖8，單元陣列250包括一個(gè)冗余字線RWL，并且與該冗余字線相鄰布置的字線WLN是正常字線WL0至WLN之中的設(shè)置在最外面位置的正常字線WLN。然而，根據(jù)設(shè)計(jì)，可以改變?nèi)哂嘧志€RWL的位置和數(shù)目。
[0083]圖9是在圖2中所示的單元陣列250的示圖。
[0084]參見(jiàn)圖9，單元陣列250可以包括多個(gè)正常字線WL0至WLN、虛設(shè)字線DWL和冗余字線RWL。正常字線WL0至WLN和冗余字線RWL可以對(duì)應(yīng)于相同位線對(duì)BL0/BLB0至BLM/BLBM中的每個(gè)。正常字線WL0至WLN中的每個(gè)和冗余字線RWL可以耦接至多個(gè)存儲(chǔ)器單元MCo
[0085]正常字線WL0至WLN可以布置成彼此距離第一距離D1，以及冗余字線RWL可以布置在正常字線WL0至WLN之間或者挨著正常字線WL0至WLN之中的設(shè)置在最外面位置的字線WLN。圖9圖示了后者的情形。冗余字線RWL可以布置在距離與冗余字線RWL相鄰設(shè)置的正常字線WLN第二距離D2處，其中，第二距離D2大于第一距離D1。耦接至與冗余字線RWL相鄰的字線WLN的存儲(chǔ)器單元SMC可以設(shè)計(jì)成比其他存儲(chǔ)器單元MC具有更長(zhǎng)的保持時(shí)間。
[0086]通過(guò)圖4和圖6中所圖示的方法的組合，圖9的單元陣列250可以允許冗余字線RWL具有更高的抗字線擾動(dòng)性。
[0087]參見(jiàn)圖9，已經(jīng)描述了單元陣列250包括一個(gè)冗余字線RWL和與冗余字線RWL相鄰布置的字線WLN，字線WLN是正常字線WL0至WLN之中的設(shè)置在最外面位置的正常字線WLN。然而，根據(jù)設(shè)計(jì)，可以改變?nèi)哂嘧志€RWL的位置和數(shù)目。
[0088]另外，單元陣列250可以通過(guò)圖2至圖4中所圖示的方法的組合來(lái)設(shè)計(jì)。也就是說(shuō)，虛設(shè)字線DWL可以布置在冗余字線RWL和與冗余字線RWL相鄰的正常字線WLN之間，虛設(shè)字線DWL和與虛設(shè)字線DWL相鄰的正常字線WLN之間的距離可以設(shè)定成大于正常字線之間的距離，以及耦接至相鄰正常字線WLN的存儲(chǔ)器單元MC可以被設(shè)計(jì)成具有比耦接至其他正常字線的存儲(chǔ)器單元MC更長(zhǎng)的保持時(shí)間。
[0089]圖10是圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的示圖。
[0090]如在圖10中所圖示的，存儲(chǔ)系統(tǒng)可以包括存儲(chǔ)器件1010和存儲(chǔ)器控制器1020。
[0091]存儲(chǔ)器控制器1020可以通過(guò)向存儲(chǔ)器件1010施加命令CMD和地址ADD來(lái)控制存儲(chǔ)器件1010的操作，并且在讀取操作或?qū)懭氩僮髌陂g與存儲(chǔ)器件1010交換數(shù)據(jù)DATA。存儲(chǔ)器控制器1020可以傳送命令信號(hào)CMD以將激活命令A(yù)CT、預(yù)充電命令PRE等輸入至存儲(chǔ)器件1010。當(dāng)輸入激活命令A(yù)CT時(shí)，存儲(chǔ)器控制器1020可以傳送用于選擇在存儲(chǔ)器件1010中要激活的單元塊和字線的地址ADD。
[0092]存儲(chǔ)器件1010是圖2的存儲(chǔ)器件，以及可以包括如參照?qǐng)D4至圖9描述而配置的單元陣列250。當(dāng)檢測(cè)到頻繁激活的字線HWL時(shí)，存儲(chǔ)器件1010可以將耦接至頻繁激活的字線HWL的存儲(chǔ)器單元MC的數(shù)據(jù)復(fù)制至耦接至冗余字線RWL的存儲(chǔ)器單元MC中。然后，當(dāng)輸入針對(duì)頻繁激活的字線HWL的訪問(wèn)請(qǐng)求時(shí)，可以訪問(wèn)冗余字線RWL，而不是訪問(wèn)頻繁激活的字線HWL。供作參考，用于執(zhí)行字線復(fù)制和替代操作的存儲(chǔ)器件1010的配置可以以與參照?qǐng)D2至圖4描述的相同方式設(shè)定。
[0093]存儲(chǔ)系統(tǒng)可以將頻繁激活的字線的數(shù)據(jù)復(fù)制至冗余字線中，并且用冗余字線替代頻繁激活的字線，從而防止了字線擾動(dòng)引起的問(wèn)題。
[0094]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，存儲(chǔ)器件可以用具有更高的抗字線擾動(dòng)性的字線代替頻繁激活的字線，從而防止了存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)被字線擾動(dòng)損壞。
[0095]盡管出于說(shuō)明性目的已經(jīng)描述了各種實(shí)施例，但是對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯然的是，在不脫離如在所附權(quán)利要求中限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以作出各種改變和修改。
[0096]通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施例可以看出，本發(fā)明提供了下面技術(shù)方案:
[0097]技術(shù)方案1.一種存儲(chǔ)器件，包括:
[0098]多個(gè)正常字線，其被布置在距離彼此第一距離處；<