存儲裝置的操作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于存儲裝置的操作方法，特別是關(guān)于存儲裝置的寫入。
【背景技術(shù)】
[0002]存儲裝置的寫入可使用各種方法來進行。其中一種方法是步進式脈沖寫入(Incremental Step Pulse Programming，ISPP)。在步進式脈沖寫入處理中，存儲單元是通過對寫入電壓V_逐漸地增加少量的固定電壓△ V工’來向高的閾值電壓狀態(tài)寫入。于這樣的處理過程中，位置接近被寫入的存儲單元也可能受到影響。此一效應(yīng)稱為寫入干擾。如果被寫入的存儲單元是「慢存儲單元」，亦即相較于其他存儲單元而言需要更多次寫入脈沖的存儲單元，則寫入干擾效應(yīng)就變得更為緊要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]在本發(fā)明中，提供了存儲裝置的操作方法，以降低寫入干擾。
[0004]根據(jù)一些實施例，提供一種存儲裝置的操作方法。此一操作方法包括如下所述地寫入存儲裝置。首先，提供多個數(shù)據(jù)至控制器。這些數(shù)據(jù)包括多個編碼(code)。由控制器計算所述編碼各自的數(shù)目。接著，根據(jù)所述編碼各自的數(shù)目由控制器產(chǎn)生一對應(yīng)規(guī)則(mapping rule)。在對應(yīng)規(guī)則中，所述編碼各對應(yīng)至依序由低至高排列的多個驗證電壓電平(verifying voltage level)的其中之一。之后，根據(jù)對應(yīng)規(guī)則寫入數(shù)據(jù)至存儲裝置的一存儲器陣列中。
[0005]根據(jù)一些實施例，提供一種存儲裝置的操作方法。此一操作方法包括如下所述地寫入存儲裝置。提供多個數(shù)據(jù)的多個第一寫入頁位，其中，這些第一寫入頁位包括編碼O及編碼I。由一控制器計算第一寫入頁位中編碼O及編碼I各自的數(shù)目。根據(jù)第一寫入頁位中編碼O及編碼I各自的數(shù)目由控制器產(chǎn)生第一對應(yīng)規(guī)則。接著，根據(jù)第一對應(yīng)規(guī)則寫入第一寫入頁位至存儲裝置的一第一寫入頁中。提供這些數(shù)據(jù)的多個第二寫入頁位，其中，這些第二寫入頁位包括編碼O及一碼I。在第一寫入頁位的編碼O及編碼I各者之下，由控制器計算第二寫入頁位中編碼O及編碼I各自的數(shù)目。根據(jù)第二寫入頁位中編碼O及編碼I各自的數(shù)目由控制器產(chǎn)生第二對應(yīng)規(guī)則。接著，根據(jù)第二對應(yīng)規(guī)則寫入第二寫入頁位至存儲裝置的一第二寫入頁中。提供這些數(shù)據(jù)的多個第三寫入頁位，其中，這些第三寫入頁位包括編碼O及編碼I。在第一寫入頁位的編碼O及編碼I各者以及第二寫入頁位的編碼O及編碼I各者之下，由控制器計算第三寫入頁位中編碼O及編碼I各自的數(shù)目。根據(jù)第三寫入頁位中編碼O及編碼I各自的數(shù)目由控制器產(chǎn)生一第三對應(yīng)規(guī)則。接著，根據(jù)第三對應(yīng)規(guī)則寫入第三寫入頁位至存儲裝置的一第三寫入頁中。
[0006]為了對本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下:
【附圖說明】
[0007]圖1為根據(jù)一實施例的多階儲存式(Mult1-Level-Cell，MLC)存儲裝置的操作方法的寫入處理的流程圖。
[0008]圖2A?圖2C為MLC存儲裝置的操作方法的寫入處理的示意圖。
[0009]圖3為根據(jù)一實施例的MLC存儲裝置的操作方法的讀取處理的流程圖。
[0010]圖4為根據(jù)一實施例的三階儲存式(Triple-Level-CellJLC)存儲裝置的操作方法的寫入處理的流程圖。
[0011]圖5A?圖5B為TLC存儲裝置的操作方法的寫入處理的示意圖。
[0012]圖6為根據(jù)一實施例的TLC存儲裝置的操作方法的讀取處理的流程圖。
[0013]圖7為根據(jù)一實施例的TLC存儲裝置的操作方法的寫入處理的流程圖。
[0014]圖8A?圖8F為TLC存儲裝置的操作方法的寫入處理的的示意圖。
[0015]圖9為根據(jù)一實施例的TLC存儲裝置的操作方法的讀取處理的流程圖。
[0016]【符號說明】
[0017]152、154、156、158、160、162:位
[0018]252、254、256、258、260、262:位
[0019]352、354、356、358、360、362:位
[0020]A1、A2:群組
[0021]B1、B2、B3、B4:群組
[0022]S102、S104、S106、S108:步驟
[0023]S132、S134、S136:步驟
[0024]S202、S204、S206、S208:步驟
[0025]S232、S234、S236:步驟
[0026]S302、S304、S306、S308、S310、S312、S314、S316、S318、S320、S322、S324、S326、S328、S330:步驟
[0027]S332、S334、S336:步驟
【具體實施方式】
[0028]根據(jù)一實施例，提供一種MLC存儲裝置的操作方法。圖1為根據(jù)此一實施例的MLC存儲裝置的操作方法的寫入處理的流程圖。
[0029]首先，在步驟S102，提供多個數(shù)據(jù)至一控制器。這些數(shù)據(jù)包括第一編碼、第二編碼、第三編碼及第四編碼。其中，第一編碼、第二編碼、第三編碼及第四編碼為二位。舉例來說，第一編碼、第二編碼、第三編碼及第四編碼各者可為編碼00、01、10及11的其中之一。
[0030]接著，在步驟S104，由控制器計算第一編碼、第二編碼、第三編碼及第四編碼各自的數(shù)目。在步驟S106，根據(jù)第一編碼、第二編碼、第三編碼及第四編碼各自的數(shù)目由控制器產(chǎn)生一對應(yīng)規(guī)則。在對應(yīng)規(guī)則中，第一編碼、第二編碼、第三編碼及第四編碼各對應(yīng)至依序由低至高排列的第一驗證電壓電平、第二驗證電壓電平、第三驗證電壓電平及第四驗證電壓電平的其中之一。舉例來說，第一驗證電壓電平為抹除驗證電平(EV)，第二驗證電壓電平、第三驗證電壓電平及第四驗證電壓電平可為寫入驗證電平(PV1，PV2，PV3)。在一范例中，于對應(yīng)規(guī)則中，第一編碼、第二編碼、第三編碼及第四編碼中數(shù)目最大者是對應(yīng)至第一驗證電壓電平。在另一范例中，于對應(yīng)規(guī)則中，第一編碼、第二編碼、第三編碼及第四編碼中數(shù)目最大者是對應(yīng)至第二驗證電壓電平。對應(yīng)規(guī)則可儲存在MLC存儲裝置或外部存儲器中。由于一共24種對應(yīng)規(guī)則，只需要五個位(小于一個字節(jié))就能夠儲存所使用的對應(yīng)規(guī)則為何。
[0031]之后，在步驟S108，根據(jù)對應(yīng)規(guī)則寫入數(shù)據(jù)至MLC存儲裝置的一存儲器陣列中。步驟S108可包括對MLC存儲裝置的一頁緩沖器下一個寫入指令以及從頁緩沖器寫入數(shù)據(jù)至存儲器陣列。在一些范例中，于對頁緩沖器下寫入指令之前，可計算錯誤校正編碼(errorcorrect1n code)。
[0032]在一些范例中，于寫入數(shù)據(jù)至MLC存儲裝置的陣列(S108)之前，可根據(jù)對應(yīng)規(guī)則轉(zhuǎn)換原始數(shù)據(jù)。在原始數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換后，再將數(shù)據(jù)寫入至MLC存儲裝置的頁緩沖器中。此一轉(zhuǎn)換步驟可由控制器進行。或者，此一轉(zhuǎn)換步驟可實施于一軟件管理層，例如快閃轉(zhuǎn)譯層(FlashTranslat1n Layer，F(xiàn)TL)，或快閃文件系統(tǒng)(flash file system)。
[0033]現(xiàn)在提供MLC存儲裝置的操作方法的寫入處理的范例，如圖2A?圖2C所繪示者。如圖2A所示，提供十六個將要被寫入的數(shù)據(jù)。這些數(shù)據(jù)包括四種編碼00、01、10及11。數(shù)據(jù)包括將要被寫入的第一寫入頁位152及將要被寫入的第二寫入頁位154。
[0034]計算四種編碼00、01、10及11的數(shù)目。結(jié)果為七個編碼00、五個編碼01、一個編碼10、三個編碼11。也就是說，將編碼從數(shù)目最多往最少排序的話為00、01、11、10。
[0035]在此，提供四個驗證電壓電平，包括第一驗證電壓電平、第二驗證電壓電平、第三驗證電壓電平及第四驗證電壓電平。在默認(rèn)對應(yīng)規(guī)則中，第一驗證電壓電平對應(yīng)至編碼11，第二驗證電壓電平對應(yīng)至編碼10，第三驗證電壓電平對應(yīng)至編碼00，第四驗證電壓電平對應(yīng)至編碼01。
[0036]在一范例中，由于數(shù)目最多的編碼為編碼00，編碼00是對應(yīng)至第一驗證電壓電平。編碼01、11及10則分別對應(yīng)至第二驗證電壓電平、第三驗證電壓電平及第四驗證電壓電平。接著，可將編碼00、01、10及11轉(zhuǎn)換成編碼11、10、00及01，并寫入至MLC存儲裝置的陣列中。寫入的結(jié)果示于圖2B，其中寫入的第一寫入頁位156及寫入的第二寫入頁位158不同于原始將要被寫入的第一寫入頁位152及原始將要被寫入的第二寫入頁位154。在此一范例中，可大幅降低寫入干擾。此外，還可降低位錯誤率(bit error rate)。
[0037]在另一范例中，數(shù)目最多的編碼，亦即編碼00，是對應(yīng)至第二驗證電壓電平。編碼
01、11及10則分別對應(yīng)至第一驗證電壓電平、第三驗證電壓電平及第四驗證電壓電平。接著，可將編碼00、O1、10及11轉(zhuǎn)換成編碼10、11、00及OI，并寫入至MLC存儲裝置的陣列中。寫入的結(jié)果示于圖2C，其中寫入的第一寫入頁位160及寫入的第二寫入頁位162不同于原始將要被寫入的第一寫入頁位152及原始將要被寫入的