專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該方法包括用能量束激活摻在半導(dǎo)體層中的雜質(zhì)的步驟。具體來說，本發(fā)明涉及優(yōu)選用于在低耐熱襯底上生產(chǎn)頂柵薄膜晶體管(TFT)的半導(dǎo)體器件的一種制造方法。
近年來，在玻璃襯底上形成的多晶硅(Si)TFT用于液晶顯示器的像素和激勵(lì)器中作為開關(guān)器件，還開發(fā)作為半導(dǎo)體儲(chǔ)存器件。在如TFT等的半導(dǎo)體器件中，襯底必須輕，抗震，并且有韌性，使得其受到一定的應(yīng)力時(shí)不會(huì)損壞。因此，現(xiàn)有技術(shù)中已用玻璃襯底。硅襯底或類似物作為襯底。玻璃襯底有低耐熱性(耐熱溫度是400℃)。因此，在半導(dǎo)體層等上進(jìn)行熱處理是通過用能量束如激光，紅外線燈等進(jìn)行局部加熱從而使襯底保持較低溫度進(jìn)行的。
近來，由于塑料襯底和上述襯底相比更輕，更抗震而被應(yīng)用。但是，由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)或類似物制成的塑料襯底的耐熱溫度是約200℃或低于200℃，這低于玻璃襯底的耐熱溫度。
因此，必須在200℃或更低溫度下進(jìn)行所有的生產(chǎn)步驟來制造使用塑料襯底的半導(dǎo)體器件。具體來說，不僅要在200℃或更低溫度下進(jìn)行為了使雜質(zhì)激活或用于結(jié)晶的熱處理，而且更在200℃或更低溫度下制作用于柵極絕緣膜，中間層絕緣膜等的薄膜如二氧化硅(SiO2)膜，這些通常是在高于200℃的溫度下進(jìn)行的。
但是，通常不可能在200℃或更低溫度下激活摻在半導(dǎo)體層中的雜質(zhì)。另外，如果在200℃或更低溫度下形成SiO2膜，就會(huì)在得到的SiO2膜中及得到的SiO2膜和半導(dǎo)體層的界面中存在大量缺陷。形成SiO2膜后通過進(jìn)行熱處理來消除缺陷的方法不能用在塑料襯底上，因?yàn)樵摲椒ㄐ枰谥辽?00℃或更高的溫度條件下進(jìn)行。
另外，即使通過能量束對(duì)器件表面進(jìn)行局部加熱能夠完成上述熱處理，也會(huì)由于能量束突然進(jìn)行的高溫加熱而使絕緣層及其下面的層面中的溫度突然升高。結(jié)果，耐熱性非常低的塑料襯底有時(shí)會(huì)被輻射光束的熱所損壞。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法包括如下步驟在襯底上形成一個(gè)半導(dǎo)體層；選擇性地在半導(dǎo)體層上形成一個(gè)金屬層，并在半導(dǎo)體層和金屬層之間有一個(gè)絕緣層；選擇性地用金屬層作為掩膜將雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體層；形成一個(gè)能量吸收層以覆蓋絕緣層和金屬層；從能量吸收層一側(cè)輻射能量束來激活摻在半導(dǎo)體層中的雜質(zhì)。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法中，輻射的能量束一旦吸收進(jìn)能量吸收層，就會(huì)穿過能量吸收層，間接加熱金屬層，絕緣層及其下面的半導(dǎo)體層而不會(huì)損壞由塑料或類似物制成的低耐熱襯底。這樣，就能激活半導(dǎo)體層中的雜質(zhì)并消除絕緣層中的缺陷。
通過下面的描述能更完全地顯示出本發(fā)明的其它的和更深的目的，特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)。


圖1是示出本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方案的TFT結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
圖2是用于描述圖1所示的TFT的制造步驟的橫截面圖。
圖3是用于描述圖2所示的步驟的后續(xù)制造步驟的橫截面圖。
圖4是用于描述圖3所示的步驟的后續(xù)制造步驟的橫截面圖。
圖5是用于描述圖4所示的步驟的后續(xù)制造步驟的橫截面圖。
圖6是示出本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方案的TFT結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
圖7是用于描述圖6所示的TFT的制造步驟的橫截面圖。
圖8是用于描述圖7所示的步驟的后續(xù)制造步驟的橫截面圖。
圖9是用于描述圖8所示的步驟的后續(xù)制造步驟的橫截面圖。
下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方案進(jìn)行詳細(xì)描述。[第一個(gè)實(shí)施方案]圖1示出本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方案的頂柵TFT的橫截面結(jié)構(gòu)。在TFT中，例如包括溝道區(qū)13a，源區(qū)13b和漏區(qū)13c的多晶硅(Si)層13提供在襯底10上，二者之間有一個(gè)緩沖層11。源區(qū)13b和漏區(qū)13c形成時(shí)相互隔開，而都與溝道區(qū)13a鄰接。在溝道區(qū)13a上形成柵電極15，二者之間有一個(gè)絕緣層14。源電極17和源區(qū)13b電連接，漏電極18和漏區(qū)13c電連接。
下面參照?qǐng)D1-5描述TFT的制造方法。
首先，如圖2所示，在襯底10的耐熱溫度或更低溫度下在襯底10上形成緩沖層11。緩沖層11的作用是由絕熱效應(yīng)保護(hù)如耐熱溫度是約200℃或更低的襯底10不受熱損傷。
例如，有機(jī)材料用于襯底10，具體來說，優(yōu)選聚合物材料。聚合物材料的例子是聚酯如聚磺酸乙烯酯(po1yethylene sulfone)(PES)，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)，聚萘二甲酸乙二酯和聚碳酸酯；聚烯烴如聚丙烯；聚苯硫醚等；聚酰胺，芳族聚酰胺；聚醚酮；和聚酰亞胺。襯底10可由含有一種或多種這些聚合物材料的物質(zhì)形成。襯底10的厚度是如200微米。但是，為了使TFT有柔韌性和小型化，襯底越薄越好。有機(jī)材料的軟化點(diǎn)是250℃或更低。具體來說，PES的耐熱溫度是約200℃，PET的耐熱溫度是約100℃。另外，例如，二氧化硅(SiO2)用于緩沖層11?？捎玫钠渌牧鲜茄趸?SiOx)，氮化硅(SiNx)，氮氧化硅(SiOxNx)和這些材料的層壓薄膜。緩沖層11的厚度是如300nm。
然后，在襯底10的耐熱溫度或更低溫度下在緩沖層11上形成無(wú)定形硅層12。無(wú)定形硅層12的厚度是如30nm。形成緩沖層11和無(wú)定形硅層12的方法的例子是反應(yīng)濺射，等離子體增強(qiáng)CVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積；PECVD)，低壓CVD(LPCD)，和物理汽相沉積。在該實(shí)施方案中，無(wú)定形硅層12是由硅(Si)形成的。但是，可以使用一種和多種選自硅，硅鍺(SiGe)，鍺(Ge)，和碳化硅(SiC)的半導(dǎo)體。
然后，用如脈沖激光束輻射的方式加熱無(wú)定形硅層12。這樣，無(wú)定形硅層12就結(jié)晶成為如圖3所示的多晶硅層13。作為脈沖激光束，優(yōu)選使用易于吸收進(jìn)無(wú)定形硅層12的有紫外線波長(zhǎng)的激光。具體的例子是XeCl準(zhǔn)分子激光器(波長(zhǎng)是308nm)，KrF準(zhǔn)分子激光器(波長(zhǎng)是248nm)，ArF準(zhǔn)分子激光器(波長(zhǎng)是193nm)，XeF準(zhǔn)分子激光器(波長(zhǎng)是351nm)和三倍頻(355nm)或四倍頻(266nm)NdYAG激光器。根據(jù)無(wú)定形硅層12的厚度等正確地選擇激光器的條件，這些條件包括波長(zhǎng)，能量密度，脈沖寬度和輻射脈沖數(shù)。但是，為了通過充分加熱無(wú)定形硅層12得到有良好結(jié)晶度的多晶硅層13，光束的脈沖寬度優(yōu)選為100ps至300ns(包括這兩個(gè)端值)。
輻射的脈沖激光束幾乎全部吸收進(jìn)無(wú)定形硅層12。因此，襯底10幾乎沒有被加熱。多晶硅層13對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的“半導(dǎo)體層”的一個(gè)具體例子。不一定全部的“半導(dǎo)體層”都是多晶體。例如，可以形成一個(gè)多晶體區(qū)，該區(qū)域部分有結(jié)晶度。
然后，用如平板印刷術(shù)和蝕刻將多晶硅層13圖形化成預(yù)定形狀，如島狀。
接下來，如圖4所示，在襯底10的耐熱溫度或更低溫度下形成由如SiO2或SiNx制成的絕緣層14，絕緣層14覆蓋在刻有圖案的多晶硅層13上。絕緣層14是通過如反應(yīng)濺射，PECVD，物理汽相沉積，或JVD(射流汽相沉積)形成的。還可以通過對(duì)多晶硅層13表面進(jìn)行等離子體氧化或等離子體氮化形成。絕緣層14的厚度是如50nm。
然后，通過濺射或沉積在絕緣層14上形成由如鋁(Al)制成的柵電極15。可以用于柵電極15的其它例子是銅(Cu)，鉬(Mo)，鉭(Ta)，鉑(Pt)，和ITO(銦-錫的氧化物)。柵電極15的厚度是如240nm。柵電極15對(duì)應(yīng)于本發(fā)明的“金屬層”的一個(gè)具體例子。
然后，在襯底10的耐熱溫度或更低溫度下用柵電極15作為掩膜通過如離子注入將雜質(zhì)摻入多晶硅層13。例如，在n溝道型TFT中用磷(P)作為n型雜質(zhì)，在p溝道型TFT中用硼(B)作為p型雜質(zhì)。這樣，就以自對(duì)準(zhǔn)方式相對(duì)于柵電極15形成作為摻雜質(zhì)區(qū)的源區(qū)13b和漏區(qū)13c，和夾在其中作為非摻雜區(qū)的溝道區(qū)13a(參見圖5)。
如圖5所示，在襯底10的耐熱溫度或更低溫度下形成能量吸收層16，能量吸收層16覆蓋在柵電極15和絕緣層14的表面上。能量吸收層16由有等于或低于能量束能量的帶隙的材料制成。使得能量束輻射的能量能夠如下所述被很好地吸收。這些材料的具體例子是碳(C)，硅(Si)，鍺(Ge)，碳化硅(SiC)，氮化硅(SiN)，氮化鋁(AlN)，硅鍺(SiGe)，和過渡金屬如鉬(Mo)，鉭(Ta)，鎢(W)，鎳(Ni)，和鉻(Cr)。可以使用一種或多種這樣的材料。在能量束輻射后要將能量吸收層16除去的情況下，應(yīng)當(dāng)用對(duì)柵電極15有蝕刻選擇性的材料作為能量吸收層16。例如，如果柵電極15是鋁(Al)制成的，那么優(yōu)選使用無(wú)定形硅作為能量吸收層16的材料。能量吸收層16的厚度是如30nm。
然后，通過如準(zhǔn)分子激光器從能量吸收層16一側(cè)輻射紫外線脈沖激光束來加熱能量吸收層16。同時(shí)，可用輻射無(wú)定形硅層12的同樣的脈沖激光束。輻射的脈沖激光束幾乎全部被能量吸收層16吸收，并通過能量吸收層16的熱輻射進(jìn)行間接熱處理。這種能量一旦吸收進(jìn)能量吸收層16，就會(huì)從能量吸收層16的整個(gè)表面均勻地輻射，然后傳到柵電極15，絕緣層14，再到多晶硅層13。柵電極15有良好的導(dǎo)熱性，所以可以加熱鄰近的區(qū)域。具體來說是就在柵電極15相鄰下面的絕緣層14。如上所述，絕緣層14及其下面的層面被均勻地和慢慢地加熱，而襯底10幾乎不被加熱。
通過熱處理，激活多晶硅層13中的雜質(zhì)。同時(shí)，加熱柵電極15，由此加熱絕緣層14與絕緣層14和多晶硅層13的界面。結(jié)果，就消除了絕緣層14中的缺陷及絕緣層14和多晶硅層13的界面中的缺陷。希望多晶硅層13中的雜質(zhì)激活20％或更多。在如相關(guān)技術(shù)那樣將激光束直接輻射到絕緣層14上的情況下，為了抑制襯底10的溫度升高，必須減少輻射量。因此，絕緣層14及其下面的層面不能被充分加熱，因?yàn)楣馐蔷植枯椛?，所以，其溫度沿層面方向分布。例如，在這種情況下，多晶硅層13和絕緣層14的一些部分也可能不被充分加熱。
然后，如圖1所示，除去能量吸收層16。然后，分別在源區(qū)13b和漏區(qū)13c上形成源電極17和漏電極18。由如鋁制成的源電極17和漏電極18可用公知方法形成，如用濺射或物理汽相沉積形成一個(gè)膜，然后用平板印刷術(shù)和蝕刻術(shù)形成圖案。還可如上所述用如氧化物如SiO2，SiNx或類似物覆蓋在TFT表面上形成一個(gè)保護(hù)膜。
如上所述，根據(jù)該實(shí)施方案，在底10上提供能量吸收層16后輻射脈沖激光束。因此，象快速和局部輻射的激光束的能量，一旦吸收進(jìn)能量吸收層16，就會(huì)從能量吸收層16的整個(gè)表面間接地輻射，結(jié)果，襯底10幾乎不被加熱，而能量吸收層16下面的柵電極15，絕緣層14和多晶硅層13被均勻地和慢慢地加熱。因此，可以防止直接輻射激光束而造成的襯底10上的損壞。同時(shí)，能激活多晶硅層13中的雜質(zhì)并可充分消除絕緣層14鄰近區(qū)域中的缺陷。
另外，根據(jù)該實(shí)施方案，用柵電極15作為掩膜將雜質(zhì)離子注入到多晶硅層13中。因此，可以自對(duì)準(zhǔn)方式一步形成溝道區(qū)13a，源區(qū)13b和漏區(qū)13c，而不用單獨(dú)形成掩膜。[第二個(gè)實(shí)施方案]圖6示出本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方案的頂柵TFT的橫截面結(jié)構(gòu)。該TFT與第一個(gè)實(shí)施方案中的結(jié)構(gòu)相同，只是不同的是在絕緣層14a和14b之間形成柵電極15a。絕緣層14a和14b，柵電極15a和15b對(duì)應(yīng)于第一個(gè)實(shí)施方案中的絕緣層14和柵電極15。因此，用相同的標(biāo)號(hào)表示與第一個(gè)實(shí)施方案中相同的結(jié)構(gòu)部件，并省略對(duì)其的描述。
下面參照?qǐng)D6-9描述TFT的制造方法。
首先，按照與第一個(gè)實(shí)施方案相同的方法，在襯底10的耐熱溫度或更低溫度下在襯底10上順序形成緩沖層11和無(wú)定形硅層12，然后用脈沖激光束加熱無(wú)定形硅層12。這樣，無(wú)定形硅層12就結(jié)晶成為多晶硅層13。作為脈沖激光束，可使用與第一個(gè)實(shí)施方案相同的激光束如準(zhǔn)分子激光。輻射的脈沖激光束幾乎全部吸收進(jìn)無(wú)定形硅層12，而襯底10幾乎沒有被加熱。
然后，如圖7所示，在襯底10的耐熱溫度或更低溫度下在多晶硅層13上形成絕緣層14a，再在其上形成柵電極15a。然后，在CF4和H2的混合氣體中用柵電極15a作掩膜通過ECR-RIE(電子回旋共振活性離子蝕刻)進(jìn)行選擇性蝕刻。從而用自對(duì)準(zhǔn)方式除去將成為源區(qū)13b和漏區(qū)13c的多晶硅層13上的絕緣層14a。
然后，用柵電極15a作掩膜通過等離子體摻雜使雜質(zhì)摻入多晶硅層13。等離子體摻雜是使溫度是如110℃的襯底10暴露于PH3和He的混合氣體的輝光放電等離子體中以在多晶硅層13的表面上吸收磷(P)而進(jìn)行的。作為雜質(zhì)的例子如除了n型雜質(zhì)如磷(P)外，還可使用p型雜質(zhì)如硼(B)。在這種情況下，襯底10暴露于B2H6等離子體中以吸收硼(B)。吸收的雜質(zhì)只擴(kuò)散在鄰近多晶硅層13表面的區(qū)域(離表面1nm)中，這樣，通過下述的激光輻射就可使其充分?jǐn)U散。因此，雜質(zhì)就摻入多晶硅層13中。
接下來，如圖8所示，在襯底10的耐熱溫度或更低溫度下在多晶硅層13和柵電極15上順序形成絕緣層14b和能量吸收層16。
接下來，如圖9所示，通過如準(zhǔn)分子激光器從能量吸收層16一側(cè)輻射紫外線脈沖激光束來加熱能量吸收層16。激光束幾乎全部被能量吸收層16吸收，然后進(jìn)行熱輻射。該熱使多晶硅層13中的雜質(zhì)(這時(shí)是磷)擴(kuò)散并激活。同時(shí)，絕緣層14a，14b及絕緣層14a，14b和多晶硅層13之間的界面通過加熱的柵電極15a加熱。如上所述，熱處理是通過能量吸收層16間接進(jìn)行的，因此，襯底10幾乎不被加熱。希望多晶硅層13中的雜質(zhì)激活20％或更多。這樣，就以自對(duì)準(zhǔn)方式相對(duì)于柵電極15a形成作為摻雜質(zhì)區(qū)的源區(qū)13b和漏區(qū)13c，和夾在其中作為非摻雜區(qū)的溝道區(qū)13a。同時(shí)，消除了絕緣層14a和14b中的缺陷及絕緣層14a，14b和多晶硅層13的界面中的缺陷。
接下來，如圖6所示，除去能量吸收層16。然后，分別在溝道區(qū)13a(精確地說是柵電極15a)，源區(qū)13b和漏區(qū)13c上形成柵電極15b，源電極17和漏電極18。
如上所述，在該實(shí)施方案中，也在襯底10上提供能量吸收層16后輻射脈沖激光束。因此，象第一個(gè)實(shí)施方案一樣，局部輻射的激光束的能量，一旦吸收進(jìn)能量吸收層16，就會(huì)從能量吸收層16的整個(gè)表面間接地輻射，結(jié)果，襯底10幾乎不被加熱，而能量吸收層16下面的各層被均勻地和慢慢地加熱。因此，可以防止直接輻射激光束而造成的襯底10上的損壞。同時(shí)，能激活多晶硅層13中的雜質(zhì)并可充分消除絕緣層14中和鄰近區(qū)域中的缺陷。
另外，在該實(shí)施方案中，如第一個(gè)實(shí)施方案一樣用柵電極15作為掩膜將雜質(zhì)等離子體摻雜到多晶硅層13中。因此，可以自對(duì)準(zhǔn)方式一步形成溝道區(qū)13a，源區(qū)13b和漏區(qū)13c，而不用單獨(dú)形成掩膜。
上面已參照實(shí)施方案對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述。但是，本發(fā)明并不限定為上述實(shí)施方案，可以作各種改變。例如，在上述實(shí)施方案中，具體以TFT描述了半導(dǎo)體器件的制造方法。但是，本發(fā)明可廣泛地應(yīng)用到有其它結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，這可用下述方法制造在襯底上形成一個(gè)半導(dǎo)體層，在半導(dǎo)體層上形成一個(gè)金屬層，并在半導(dǎo)體層和金屬層之間有一個(gè)絕緣層；用金屬層作為掩膜將雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體層；在層結(jié)構(gòu)的全部表面上形成一個(gè)能量吸收層；從頂部輻射能量束來激活雜質(zhì)。
如上所述，在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法中，形成能量吸收層是為了覆蓋半導(dǎo)體層上的絕緣層和金屬層，能量束從能量吸收層一側(cè)輻射。因此，能量吸收層下面的金屬層，絕緣層及半導(dǎo)體層會(huì)通過輻射到能量吸收層的能量加熱而襯底幾乎不被加熱。結(jié)果就防止了激光束直接輻射所造成的襯底上的損壞。另外，用這種方法可充分加熱絕緣層和半導(dǎo)體層。這樣，就能激活半導(dǎo)體層中的雜質(zhì)并同時(shí)可有效地消除絕緣層及鄰近區(qū)域中的缺陷。這樣，就可以得到具有優(yōu)良性能的半導(dǎo)體器件。結(jié)果，就可用由如有機(jī)物制成的低耐熱襯底作為襯底。這樣就可制造輕的，抗震的，并有優(yōu)良性能的半導(dǎo)體器件。
根據(jù)上述說明可對(duì)本發(fā)明進(jìn)行許多改進(jìn)和變化是顯而易見的。因此，可理解為本發(fā)明可在本發(fā)明附加的權(quán)利要求書的保護(hù)范圍內(nèi)實(shí)踐，而不限于描述的
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其包括如下步驟在襯底上形成一個(gè)半導(dǎo)體層；選擇性地在半導(dǎo)體層上形成一個(gè)金屬層，并在半導(dǎo)體層和金屬層之間有一個(gè)絕緣層；用金屬層作為掩膜選擇性地將雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體層；形成一個(gè)能量吸收層以覆蓋絕緣層和金屬層；和從能量吸收層一側(cè)輻射能量束來激活摻在半導(dǎo)體層中的雜質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中使用的襯底的軟化點(diǎn)是250℃或更低。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中的襯底是由有機(jī)聚合物材料制成，
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中的能量吸收層由有等于或低于能量束能量的帶隙的材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中的能量吸收層由一種或多種選自碳(C)，硅(Si)，鍺(Ge)，碳化硅(SiC)，硅鍺(SiGe)，氮化硅(SiN)，和氮化鋁(AlN)的材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中的能量吸收層由一種或多種選自鉬(Mo)，鉭(Ta)，鎢(W)，鎳(Ni)，和鉻(Cr)的材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中的半導(dǎo)體層由一種或多種選自硅(Si)，硅鍺(SiGe)，鍺(Ge)，和碳化硅(SiC)的半導(dǎo)體制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中半導(dǎo)體層的摻雜區(qū)中的雜質(zhì)激活率是20％或更高。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中的能量束是脈沖激光束。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中的脈沖激光束的脈沖寬度為100ps至300ns(包括這兩個(gè)端值)。
全文摘要
在襯底上形成一個(gè)多晶硅層。在多晶硅層上形成絕緣層和柵電極。然后,通過用柵電極作掩膜將雜質(zhì)摻入多晶硅層中以自對(duì)準(zhǔn)方式形成溝道區(qū),源區(qū)和漏區(qū)。然后,形成能量吸收層以覆蓋整個(gè)襯底。從能量吸收層一側(cè)輻射脈沖激光束。脈沖激光束的能量幾乎全部吸收進(jìn)能量吸收層,通過熱輻射對(duì)下面的層面進(jìn)行間接熱處理。換句話說,對(duì)雜質(zhì)進(jìn)行激活并消除絕緣層中的缺陷,同時(shí)不會(huì)對(duì)襯底造成熱損壞。
文檔編號(hào)H01L21/336GK1327262SQ01124308
公開日2001年12月19日 申請(qǐng)日期2001年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2000年5月31日
發(fā)明者G·達(dá)拉姆, 帕爾, 野本和正, 町田曉夫, 中越美彌子, 碓井節(jié)夫 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社