襯底處理裝置及半導(dǎo)體器件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠抑制顆粒的產(chǎn)生的襯底處理裝置及半導(dǎo)體器件的制造方法。其具有：處理容器，對襯底進行處理；處理氣體供給部，向處理容器供給處理氣體；襯底載置臺，設(shè)置于處理容器內(nèi)；處理容器側(cè)排氣部，與處理容器連接；軸，以上端支承所述襯底載置臺；軸支承部，對軸進行支承；開口孔，設(shè)置于貫穿有軸的處理容器的底壁；波紋管，具有配置于開口孔與軸支承部之間的可伸縮的波紋管壁，波紋管壁的內(nèi)側(cè)空間與處理容器的空間連通；波紋管側(cè)氣體供給排出部，將非活性氣體向波紋管壁的內(nèi)側(cè)空間的供給與內(nèi)側(cè)空間的氣氛的排氣并行地進行。
【專利說明】
襯底處理裝置及半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及襯底處理裝置及半導(dǎo)體器件的制造方法。【背景技術(shù)】
[0002]近年來，閃存等半導(dǎo)體器件存在高集成化的趨勢。隨之，圖案尺寸顯著微細化。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]在經(jīng)微細化的圖案中，由于顆粒的影響變得更加顯著，所以要求抑制顆粒的產(chǎn)生。
[0004]鑒于上述課題，本發(fā)明的目的在于一種能夠抑制顆粒的產(chǎn)生的技術(shù)。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一方案，提供一種技術(shù)，其具有:
[0006]處理容器，對襯底進行處理；
[0007]處理氣體供給部，向所述處理容器供給處理氣體；
[0008]襯底載置臺，設(shè)置于所述處理容器內(nèi)；
[0009]處理容器側(cè)排氣部，與所述處理容器連接；
[0010]軸，對所述襯底載置臺進行支承；
[0011]軸支承部，對所述軸進行支承；
[0012]開口孔，設(shè)置于貫穿有所述軸的所述處理容器的底壁；
[0013]波紋管，具有配置于所述開口孔與所述軸支承部之間的可伸縮的波紋管壁，所述波紋管壁的內(nèi)側(cè)空間與所述處理容器的空間連通；
[0014]波紋管側(cè)氣體供給排出部，并行地進行將非活性氣體向所述波紋管壁的內(nèi)側(cè)空間的供給與所述內(nèi)側(cè)空間的氣氛的排氣。
[0015]根據(jù)本發(fā)明，可提供一種能夠抑制顆粒的產(chǎn)生的技術(shù)?！靖綀D說明】
[0016]圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式的襯底處理裝置的圖。
[0017]圖2是第一實施方式的第一分散機構(gòu)的說明圖。
[0018]圖3是表示使用磁流體密封件使襯底載置臺旋轉(zhuǎn)的例子的圖。
[0019]圖4是表示圖1所示的襯底處理裝置的襯底處理工序的流程圖。
[0020]圖5是表示圖1所示的成膜工序的詳情的流程圖。
[0021]圖6是用于說明襯底載置臺的晶片搬送位點的圖。【具體實施方式】[〇〇22]以下，說明本發(fā)明的第一實施方式。[〇〇23]<裝置構(gòu)成>
[0024]將本實施方式的襯底處理裝置100的構(gòu)成示于圖1。如圖1所示，襯底處理裝置100 以單片式的襯底處理裝置的形式構(gòu)成。
[0025](處理容器)[〇〇26]如圖1所示，襯底處理裝置100包括處理容器202。處理容器202構(gòu)成為例如橫截面為圓形且扁平的密封容器。另外，處理容器202例如由鋁(A1)、不銹鋼(SUS)等金屬材料構(gòu)成。在處理容器202內(nèi)形成有:處理作為襯底的硅晶片等晶片200的處理空間201、和在將晶片200向處理空間201搬送時供晶片200通過的搬送空間203。處理容器202由上部容器202a 和下部容器202b構(gòu)成。在上部容器202a與下部容器202b之間設(shè)置有分隔板204。[〇〇27] 在下部容器202b的側(cè)面設(shè)置有與閘閥205相鄰的襯底搬入搬出口 206,晶片200經(jīng)由襯底搬入搬出口 206在下部容器202b與未圖示的搬送室之間移動。在下部容器202b的底部設(shè)置有多個提升銷207。而且，下部容器202b接地。
[0028]閘閥205包括閥體205a和驅(qū)動體205b。閥體205a固定于驅(qū)動體205b的一部分。打開閘閥時，驅(qū)動體205b以遠離處理容器202的襯底搬入搬出口 206的方式工作，使閥體205a與處理容器202的側(cè)壁分離。關(guān)閉閘閥時，驅(qū)動體205b朝向處理容器202的襯底搬入搬出口 206 移動，將閥體205a壓靠于處理容器202的側(cè)壁，從而關(guān)閉襯底搬入搬出口 206。[〇〇29]在處理空間201內(nèi)設(shè)置有支承晶片200的襯底載置臺212。襯底載置臺212主要包括載置晶片200的載置面211、和內(nèi)置于襯底載置臺212的作為加熱源的加熱器213。在襯底載置臺212中，在與提升銷207對應(yīng)的位置處分別設(shè)置有供提升銷207貫通的貫通孔214。。
[0030]襯底載置臺212通過軸217進行支承。在圖中，襯底載置臺212被軸217的上端支承， 但只要軸217支承襯底載置臺212即可，也可以不用上端支承。例如，可以為下述結(jié)構(gòu)，S卩，在襯底載置臺212的底部設(shè)置孔穴，并在軸217的側(cè)面設(shè)置支承機構(gòu)。這種情況下，將軸217插入所述孔穴，并通過設(shè)置于軸217的側(cè)面的支承機構(gòu)來支承襯底載置臺。[〇〇31] 軸217的主部貫穿設(shè)置于處理容器202的底壁的、直徑比軸217的直徑大一些的開口孔208,進而經(jīng)由支承板216在處理容器202的外部與升降機構(gòu)218連接。通過使升降機構(gòu) 218工作而使軸217及支承臺212升降，能夠使載置于襯底載置面211上的晶片200升降。需要說明的是，軸217的下方被波紋管219覆蓋。處理容器202內(nèi)保持氣密。需要說明的是，支承臺 212也稱為軸支承部。在軸支承部中可以包括升降機構(gòu)218。在升降機構(gòu)218中設(shè)置有用于控制軸的升降的升降控制部171。升降控制部171例如為升降機。升降控制部171主要包括使支承軸217的升降機構(gòu)218升降的工作部171a。工作部171a具有包含例如用于實現(xiàn)升降的電動機的升降機構(gòu)171b。需要說明的是，在升降控制部171內(nèi)，作為升降控制部171的一部分，還可以設(shè)置用于向工作部171b進行旋轉(zhuǎn)指示的指示部171c。指示部171c與控制器280電連接。 指示部171e基于控制器280的指示，控制工作部171a。
[0032]波紋管219例如由不銹鋼構(gòu)成。波紋管219由以將多個圓周狀的不銹鋼板熔接從而形成蛇腹狀的方式連接而成的波紋管壁構(gòu)成。波紋管壁為可伸縮的結(jié)構(gòu)。[〇〇33]在波紋管219的上端與處理容器202的底壁之間設(shè)置有上按壓部220。作為非活性氣體供給部的一部分的非活性氣體供給管221a與上按壓部220連接，并與波紋管219的內(nèi)側(cè)空間連通。
[0034]在非活性氣體供給管221a上，從上游開始依次設(shè)置有非活性氣體供給源221b、閥 221c、質(zhì)量流量控制器221d、壓力檢測器221e。從非活性氣體供給源221b供給的非活性氣體經(jīng)由閥221c、質(zhì)量流量控制器221d，被供給至波紋管219的上端與處理容器202的底壁之間。 非活性氣體供給部221主要由閥221c、質(zhì)量流量控制器221d、非活性氣體供給管221a構(gòu)成。在非活性氣體供給部221中可以包括非活性氣體供給管221a、非活性氣體供給源221b、壓力檢測器221e。需要說明的是，還可以將非活性氣體供給部221稱為波紋管側(cè)非活性氣體供給部、或第一非活性氣體供給部。
[0035]作為波紋管側(cè)氣體排出部222的一部分的排氣管222a與支承板216連接，并與波紋管219的內(nèi)側(cè)空間連通。[〇〇36]在波紋管側(cè)排氣管222a上，從上游開始設(shè)置有閥222b、栗222c。打開閥222b，使栗 222c工作，由此能夠排出波紋管219的內(nèi)側(cè)空間的氣氛。波紋管側(cè)氣體排出部222主要由閥 222b、波紋管側(cè)排氣管222a構(gòu)成。另外，在波紋管側(cè)氣體排出部222中可以包括栗222c。需要說明的是，將第一非活性氣體供給部221和波紋管側(cè)氣體排出部222統(tǒng)稱為波紋管側(cè)氣體供給排出部。
[0037]需要說明的是，所謂波紋管219的內(nèi)側(cè)空間，是表示波紋管壁的內(nèi)側(cè)空間。此處稱為波紋管219的內(nèi)側(cè)空間。[〇〇38]對于襯底載置臺212,在搬送晶片200時，如圖6所示，襯底載置面211下降至與襯底搬入搬出口 206相對的位置(晶片搬送位置、晶片搬送位點)，在處理晶片200時，如圖1所示， 晶片200上升至處理空間201內(nèi)的處理位置(晶片處理位置、晶片處理位點)。[〇〇39]具體而言，在使襯底載置臺212下降至晶片搬送位置時，提升銷207的上端部從襯底載置面211的上表面突出，提升銷207從下方支承晶片200。另外，在使襯底載置臺212上升至晶片處理位置時，提升銷207從襯底載置面211的上表面沒入，襯底載置面211從下方支承晶片200。需要說明的是，提升銷207由于與晶片200直接接觸，所以優(yōu)選由例如石英、氧化鋁等材質(zhì)形成。
[0040] 在處理容器202中設(shè)置有壓力傳感器221f。壓力傳感器221f對反應(yīng)容器202的壓力進行檢測。壓力傳感器221f設(shè)置于例如處理容器的底壁、開口孔208的附近。通過設(shè)置于這樣的位置，從而檢測處理容器202內(nèi)的孔穴周圍的壓力。[〇〇411在處理空間201的上部(上游側(cè))設(shè)置有作為氣體分散機構(gòu)的簇射頭230。在簇射頭 230的蓋231上設(shè)置有供第一分散機構(gòu)241插入的貫穿孔231a。第一分散機構(gòu)241包括插入于簇射頭內(nèi)的前端部241a、和固定于蓋231的凸緣241b。[〇〇42]圖2是說明第一分散機構(gòu)241的前端部241a的說明圖。虛線箭頭表示氣體的供給方向。前端部241a為柱狀，例如以圓柱狀構(gòu)成。在圓柱的側(cè)面設(shè)置有分散孔241c。從后述的氣體供給部(供給系統(tǒng))供給的氣體經(jīng)由前端部241a及分散孔241c被供給至緩沖空間232內(nèi)。 [〇〇43]簇射頭的蓋231由具有導(dǎo)電性的金屬形成，并作為用于在緩沖空間232或處理空間 201內(nèi)生成等離子體的電極使用。在蓋231與上部容器202a之間設(shè)置有絕緣塊233,該絕緣塊 233使蓋231與上部容器202a之間絕緣。[0〇44]簇射頭230包括作為用于使氣體分散的第二分散機構(gòu)的分散板234。該分散板234 的上游側(cè)為緩沖空間232,下游側(cè)為處理空間201。在分散板234中設(shè)置有多個貫穿孔234a。 分散板234以與襯底載置面211相對的方式配置。
[0045]在蓋231中設(shè)置有對簇射頭230進行加熱的簇射頭加熱部231b。簇射頭加熱部231b 加熱至供給至緩沖空間232的氣體不再發(fā)生液化的溫度。例如，以加熱至100°C左右的方式進行控制。[〇〇46]分散板234例如以圓盤狀構(gòu)成。貫穿孔234a設(shè)置于分散板234整個面內(nèi)。鄰接的貫穿孔234a例如以等間隔進行配置，配置于最外周的貫穿孔234a被配置在比載置于襯底載置臺212上的晶片的外周更靠外側(cè)的位置。[〇〇47]進而，具有將從第一分散機構(gòu)241供給的氣體引導(dǎo)至分散板234的氣體引導(dǎo)件235。 氣體引導(dǎo)件235為隨著朝向分散板234而直徑擴大的形狀，氣體引導(dǎo)件235的內(nèi)側(cè)由錐體形狀(例如圓錐狀，也稱為紡錘狀)構(gòu)成。氣體引導(dǎo)件235以其下端位于比形成于分散板234的最外周側(cè)的貫穿孔234a更靠外周側(cè)的位置的方式形成。[〇〇48] 上部容器202a具有絕緣塊233、凸緣233a，在凸緣233a上載置并固定有絕緣塊233。 在凸緣233a上載置并固定有分散板234。進而，蓋231固定于絕緣塊233的上表面。通過形成這樣的結(jié)構(gòu)，能夠從上方按照蓋231、分散板234、絕緣塊233的順序進行拆卸。
[0049]此外，后述的成膜工序具有將緩沖空間232的氣氛排出的吹掃工序。在所述成膜工序中，交替地供給不同氣體，并且進行在供給不同氣體的間隔將殘留氣體除去的吹掃工序。 由于該交替供給法要重復(fù)多次直到達到所期望的膜厚，所以存在成膜時間長的問題。因此， 在進行上述交替供給工藝時，要求盡可能縮短時間。另一方面，為了提高成品率，要求使襯底面內(nèi)的膜厚、膜質(zhì)均勻。[〇〇5〇]因此，在本實施方式中，具有將氣體均勻分散的分散板，并以分散板上游的緩沖空間的容積縮小的方式構(gòu)成。例如，使其小于處理室201的容積。通過如上所述操作，能夠縮短將緩沖空間的氣氛排出的吹掃工序。
[0051](供給系統(tǒng))[〇〇52]第一分散機構(gòu)241與設(shè)置于簇射頭230的蓋231的氣體導(dǎo)入孔231a連接。公共氣體供給管242與第一分散機構(gòu)241連接。在第一分散機構(gòu)241中設(shè)置有凸緣，其通過螺絲等固定于蓋231、公共氣體供給管242的凸緣。[〇〇53]第一分散機構(gòu)241和公共氣體供給管242在管的內(nèi)部連通，從公共氣體供給管242 供給的氣體經(jīng)由第一分散機構(gòu)241、氣體導(dǎo)入孔231a被供給至簇射頭230內(nèi)。[〇〇54]在公共氣體供給管242上，連接有第一氣體供給管243a、第二氣體供給管244a、第三氣體供給管245a。第二氣體供給管244a經(jīng)由遠程等離子體單元244e與公共氣體供給管 242連接。[〇〇55]從包括第一氣體供給管243a的第一氣體供給系統(tǒng)243主要供給含有第一元素的氣體，從包括第二氣體供給管244a的第二氣體供給系統(tǒng)244主要供給含有第二元素的氣體。在處理晶片時，從包括第三氣體供給管245a的第三氣體供給系統(tǒng)245主要供給非活性氣體，在清潔簇射頭230、處理空間201時，從包括第三氣體供給管245a的第三氣體供給系統(tǒng)245主要供給清潔氣體。[〇〇56](第一氣體供給系統(tǒng))[〇〇57]在第一氣體供給管243a上，從上游方向依次設(shè)置有第一氣體供給源243b、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(MFC) 243c、及作為開閉閥的閥243d。[〇〇58]包含第一元素的氣體(以下，“含有第一元素的氣體”)從第一氣體供給管243a經(jīng)由質(zhì)量流量控制器243c、閥243d、公共氣體供給管242被供給至簇射頭230內(nèi)。[〇〇59]含有第一元素的氣體為原料氣體、即處理氣體之一。此處，第一元素例如為鈦 (Ti)。即，含有第一元素的氣體例如為含鈦氣體。需要說明的是，含有第一元素的氣體在常溫常壓下可以為固體、液體及氣體中的任意。含有第一元素的氣體在常溫常壓下為液體時，只要在第一氣體供給源243b與質(zhì)量流量控制器243c之間設(shè)置未圖示的氣化器即可。此處以氣體的形式進行說明。
[0060]在比第一氣體供給管243a的閥243d更靠下游一側(cè)，連接有第一非活性氣體供給管 246a的下游端。在第一非活性氣體供給管246a上，從上游方向依次設(shè)置有非活性氣體供給源246b，作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(MFC) 246c、及作為開閉閥的閥 246d〇
[0061]此處，非活性氣體例如為氮氣(N2)。需要說明的是，作為非活性氣體，除N2氣外，例如可以使用氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)等稀有氣體。
[0062]含有第一元素的氣體供給系統(tǒng)243(也稱為含鈦氣體供給系統(tǒng))主要由第一氣體供給管243a、質(zhì)量流量控制器243c、閥243d構(gòu)成。[〇〇63]另外，第一非活性氣體供給系統(tǒng)主要由第一非活性氣體供給管246a、質(zhì)量流量控制器246c及閥246d構(gòu)成。需要說明的是，在第一非活性氣體供給系統(tǒng)內(nèi)可以包括非活性氣體供給源234b、第一氣體供給管243a。[〇〇64]進而，在含有第一元素的氣體供給系統(tǒng)243內(nèi)可以包括第一氣體供給源243b、第一非活性氣體供給系統(tǒng)。
[0065]在本說明書中，也將第一氣體供給系統(tǒng)稱為第一氣體供給部或原料氣體供給部。 [〇〇66](第二氣體供給系統(tǒng))[〇〇67]在第二氣體供給管244a上，在下游設(shè)置有遠程等離子體單元244e。在上游從上游方向依次設(shè)置有第二氣體供給源244b、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器 (MFC) 244c，及作為開閉閥的閥244d。[〇〇68]包含第二元素的氣體(以下，“含有第二元素的氣體”)從第二氣體供給管244a經(jīng)由質(zhì)量流量控制器244c、閥244d、遠程等離子體單元244e、公共氣體供給管242被供給至簇射頭230內(nèi)。通過遠程等離子體單元244e使含有第二元素的氣體成為等離子體狀態(tài)，然后將其照射到晶片200上。
[0069]含有第二元素的氣體為處理氣體之一。需要說明的是，可以將含有第二元素的氣體視為反應(yīng)氣體或改質(zhì)氣體。
[0070]此處，含有第二元素的氣體含有與第一元素不同的第二元素。作為第二元素，例如為氧(〇)、氮(N)、碳(C)中的任意一種。在本實施方式中，含有第二元素的氣體例如為含氮氣體。具體而言，作為含氮氣體，可使用氨氣(NH3)。
[0071]含有第二元素的氣體供給系統(tǒng)244(也稱為含氮氣體供給系統(tǒng))主要由第二氣體供給管244a、質(zhì)量流量控制器244c、閥244d構(gòu)成。[〇〇72]另外，在比第二氣體供給管244a的閥244d更靠下游一側(cè)，連接有第二非活性氣體供給管247a的下游端。在第二非活性氣體供給管247a上，從上游方向依次設(shè)置有非活性氣體供給源247b、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(MFC) 247c、及作為開閉閥的閥247d。[〇〇73]非活性氣體從第二非活性氣體供給管247a經(jīng)由質(zhì)量流量控制器247c、閥247d、第二氣體供給管244a、遠程等離子體單元244e被供給至簇射頭230內(nèi)。非活性氣體在薄膜形成工序(S104)中作為載氣或稀釋氣體發(fā)揮作用。
[0074]第二非活性氣體供給系統(tǒng)主要由第二非活性氣體供給管247a、質(zhì)量流量控制器247c及閥247d構(gòu)成。需要說明的是，在第二非活性氣體供給系統(tǒng)內(nèi)可以包括非活性氣體供給源247b、第二氣體供給管243a、遠程等離子體單元244e。[〇〇75]進而，在含有第二元素的氣體供給系統(tǒng)244內(nèi)可以包括第二氣體供給源244b、遠程等離子體單元244e、第二非活性氣體供給系統(tǒng)。
[0076]在本說明書中，也將第二氣體供給系統(tǒng)稱為第二氣體供給部或反應(yīng)氣體供給部。 [〇〇77](第三氣體供給系統(tǒng))[〇〇78]在第三氣體供給管245a上，從上游方向依次設(shè)置有第三氣體供給源245b、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(MFC) 245c、及作為開閉閥的閥245d。[〇〇79]作為吹掃氣體的非活性氣體從第三氣體供給管245a經(jīng)由質(zhì)量流量控制器245c、閥 245d、公共氣體供給管242被供給至簇射頭230。
[0080]此處，非活性氣體例如為氮氣(N2)。需要說明的是，作為非活性氣體，除N2氣外，例如可以使用氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)等稀有氣體。[〇〇81]在比第三氣體供給管245a的閥245d更靠下游一側(cè)，連接有清潔氣體供給管248a的下游端。在清潔氣體供給管248a上，從上游方向依次設(shè)置有清潔氣體供給源248b、作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(MFC) 248c、及作為開閉閥的閥248d。[〇〇82]第三氣體供給系統(tǒng)245主要由第三氣體供給管245a、質(zhì)量流量控制器245c、閥245d 構(gòu)成。[〇〇83]另外，清潔氣體供給系統(tǒng)主要由清潔氣體供給管248a、質(zhì)量流量控制器248c及閥 248d構(gòu)成。需要說明的是，在清潔氣體供給系統(tǒng)內(nèi)可以包括清潔氣體供給源248b、第三氣體供給管245a。[〇〇84]進而，在第三氣體供給系統(tǒng)245內(nèi)可以包括第三氣體供給源245b、清潔氣體供給系統(tǒng)。[〇〇85]在襯底處理工序中，非活性氣體從第三氣體供給管245a經(jīng)由質(zhì)量流量控制器 245c、閥245d、公共氣體供給管242被供給至簇射頭230內(nèi)。另外，在清潔工序中，清潔氣體經(jīng)由質(zhì)量流量控制器248c、閥248d、公共氣體供給管242被供給至簇射頭230內(nèi)。[〇〇86]在襯底處理工序中，從非活性氣體供給源245b供給的非活性氣體作為對滯留在處理容器202、簇射頭230內(nèi)的氣體進行吹掃的吹掃氣體發(fā)揮作用。另外，在清潔工序中，還可以作為清潔氣體的載氣或稀釋氣體發(fā)揮作用。[〇〇87]從清潔氣體供給源248b供給的清潔氣體在清潔工序中作為將附著于簇射頭230、 處理容器202的副產(chǎn)物等除去的清潔氣體發(fā)揮作用。[〇〇88]此處，清潔氣體例如為三氟化氮(NF3)氣體。需要說明的是，作為清潔氣體，例如， 可以使用氟化氫(HF)氣體、三氟化氯(C1F3)氣體、氟氣(F2)等，另外，還可以將它們組合使用。[〇〇89]需要說明的是，也將第三氣體供給系統(tǒng)稱為非活性氣體供給部或處理室側(cè)非活性氣體供給部。另外，相對于第一非活性氣體供給部，也將第三氣體供給系統(tǒng)稱為第二非活性氣體供給部。
[0090]進而，將第一氣體供給系統(tǒng)、第二氣體供給系統(tǒng)、第三氣體供給系統(tǒng)統(tǒng)稱為氣體供給部。
[0091](排氣系統(tǒng))
[0092]將處理容器202的氣氛排出的排氣系統(tǒng)具有多根與處理容器202連接的排氣管。具體而言，具有與緩沖空間232連接的排氣管(第一排氣管)263、與處理空間201連接的排氣管 (第二排氣管)262、和與搬送空間203連接的排氣管(第三排氣管)261。另外，排氣管(第四排氣管)264與各排氣管261、262、263的下游側(cè)連接。[〇〇93]排氣管261連接于搬送空間203的側(cè)面或底面。在排氣管261上設(shè)置有作為實現(xiàn)高真空或超高真空的真空栗的TMP(Turbo Molecular Pump，禍輪分子栗，第一真空栗)265。在排氣管261上，在TMP265的上游側(cè)設(shè)置有作為搬送空間用第一排氣閥的閥266。將排氣管 261、TMP265統(tǒng)稱為搬送空間排氣部。[〇〇94]排氣管262連接于處理空間201的側(cè)方。在排氣管262上設(shè)置有作為將處理空間201 內(nèi)控制為規(guī)定壓力的壓力控制器的APC(Auto Pressure ControllerUTGaAPCSTG具有可調(diào)節(jié)開度的閥體(未圖示)，根據(jù)后述的控制器的指示來調(diào)節(jié)排氣管26 2的流導(dǎo) (conductance)。另外，在排氣管262上，在APC276的上游側(cè)設(shè)置有閥275。將排氣管262、閥 275和APC276統(tǒng)稱為處理容器側(cè)排氣部。[〇〇95]排氣管263連接于與和處理室201連接的面不同的面。在高度方向上，排氣管263連接于分散孔234a與所述氣體引導(dǎo)件235的下端之間。在排氣管263上，具備閥279。將排氣管 263、閥279統(tǒng)稱為簇射頭排氣部。[〇〇96] 在排氣管264上設(shè)置有DP(Dry Pump，干燥栗)282。如圖示那樣，在排氣管264上，從其上游側(cè)開始連接有排氣管263、排氣管262、排氣管261，進而在它們的下游設(shè)置有DP282。 DP282分別經(jīng)由排氣管262、排氣管263、排氣管261將緩沖空間232、處理空間201及搬送空間 203各空間的氣氛排出。另外，DP282在TMP265進行工作時，也作為其輔助栗發(fā)揮功能。即，由于作為高真空(或超高真空)栗的TMP265難以單獨進行直到大氣壓為止的排氣，所以使用 DP282作為進行直到大氣壓為止的排氣的輔助栗。上述排氣系統(tǒng)的各閥例如使用氣閥。 [〇〇97] 在排氣管262上，在APC276與排氣管264之間設(shè)置有閥278。閥278使通過排氣管264 的氣體不流入APC276內(nèi)。因此，除了從排氣管264進行排氣的工序以外，將閥278控制為關(guān)閉。需要說明的是，在處理容器側(cè)排氣部內(nèi)可以包括閥278。[〇〇98] 在排氣管261上，在TMP265與排氣管264之間設(shè)置有閥267。閥267使通過排氣管264 的氣體不流入TMP265內(nèi)。因此，除了從排氣管264進行排氣的工序以外，將閥267控制為關(guān)閉。需要說明的是，在搬送空間排氣部內(nèi)可以包括閥267。
[0099](控制器)
[0100]如圖1所示，襯底處理裝置100具有對襯底處理裝置100的各部分的動作進行控制的控制器280?？刂破?80至少具有運算部281、存儲部282、發(fā)送接收部284、比較部285?？刂破?80與上述各構(gòu)成連接，根據(jù)上位控制器、使用者的指示從存儲部282調(diào)出程序、制程、表格，并根據(jù)其內(nèi)容控制各構(gòu)成的動作。如圖16所示，表格例如是將溫度信息和控制參數(shù)進行比較而得到的。需要說明的是，控制器280既可以以專用的計算機的形式構(gòu)成，也可以以通用的計算機的形式構(gòu)成。例如，準備存儲了上述程序的外部存儲裝置(例如，磁帶、軟盤、硬盤等磁盤;CD、DVD等光盤;M0等光磁盤;USB存儲器(USB Flash Drive)、存儲卡等半導(dǎo)體存儲器)283,使用外部存儲裝置283向通用的計算機安裝程序，由此能夠構(gòu)成本實施方式的控制器280。另外，用于向計算機供給程序的手段不限于經(jīng)由外部存儲裝置283進行供給的情況。例如，可以使用互聯(lián)網(wǎng)、專用線路等通信手段，不經(jīng)由外部存儲裝置283地供給程序。需要說明的是，存儲部282、外部存儲裝置283構(gòu)成為計算機可讀取的記錄介質(zhì)。以下，也將它們簡單地統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。需要說明的是，本說明書中使用術(shù)語記錄介質(zhì)時，有時僅單獨包含存儲部282,有時僅單獨包含外部存儲裝置283,或者有時包含上述兩者。發(fā)送接收部284 與其他構(gòu)成交換信息。例如，從溫度監(jiān)測器165接收溫度。比較部285將從存儲部282讀取的表格等信息與從其他構(gòu)成接收到的信息進行比較，抽取用于進行控制的參數(shù)等。例如，將從溫度監(jiān)測器165接收到的信息與記錄在存儲部中的表格進行比較，抽取用于使機械裝置170 工作的參數(shù)。
[0101]<襯底處理工序>
[0102]接下來，使用襯底處理裝置100,對在晶片200上形成薄膜的工序進行說明。需要說明的是，在以下說明中，利用控制器280來控制構(gòu)成襯底處理裝置100的各部分的動作。
[0103]圖4是表示本實施方式的襯底處理工序的流程圖。圖5是表示圖4的成膜工序的詳情的流程圖。
[0104]以下，對作為第一處理氣體使用TiCl4氣體、作為第二處理氣體使用氨氣(NH3)、在晶片200上形成氮化鈦膜作為薄膜的例子進行說明。
[0105](襯底搬入?載置工序S102)
[0106]在處理裝置100中使襯底載置臺212下降至晶片200的搬送位置(搬送位置，參見圖 6)，由此使提升銷207貫穿襯底載置臺212的貫穿孔214。結(jié)果，提升銷207成為比襯底載置臺 212表面突出了規(guī)定高度的狀態(tài)。接下來，打開閘閥205使搬送空間203與移載室(未圖示)連通。然后，使用晶片移載機(未圖示)將晶片200從所述移載室搬入搬送空間203,將晶片200 移載到提升銷207上。由此，晶片200以水平姿勢被支承于從襯底載置臺212的表面突出的提升銷207上。
[0107]從非活性氣體供給管221a開始向開口孔208及軸217供給非活性氣體。與其并行地，從波紋管側(cè)排氣管222a開始波紋管219的內(nèi)側(cè)氣氛的排氣。
[0108]然而，由于襯底載置臺212每次上下移動時波紋管219的板的連接部分吱嘎作響， 所以反復(fù)操作的話連接部分發(fā)生劣化。由于波紋管的板用熔接等進行連接，所以發(fā)生劣化的話會在波紋管219的內(nèi)側(cè)空間產(chǎn)生細小的金屬片。產(chǎn)生的金屬片有可能隨著軸的上下移動而卷起，擴散至處理容器內(nèi)202內(nèi)。[〇1〇9]另外，如圖3所示，存在下述裝置形態(tài):設(shè)置磁流體密封件290,將使襯底載置臺212 旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)軸291氣密地密封且可使旋轉(zhuǎn)軸291旋轉(zhuǎn)地支承該旋轉(zhuǎn)軸291。這種情況下，當磁流體密封件290經(jīng)年劣化、附近存在熱源時，磁流體密封件290進行干燥等，殘留下磁性粒子，通過軸217的上下移動，磁性粒子從磁流體密封件290侵入波紋管219的內(nèi)側(cè)。
[0110]另外，存在下述情況:打開閘閥205時，顆粒進入波紋管219的內(nèi)側(cè)。這是因為，在打開閘閥205的同時，附著于襯底搬入搬出口206與閘閥205之間、其接觸面、空隙等的膜發(fā)生剝落。附著于襯底搬入搬出口 206和閘閥205的膜在后述的第一氣體供給工序S202、第二氣體供給工序S206中形成。剝落的膜的一部分通過TMP265等從處理容器排出，其他膜與軸217 相撞，侵入波紋管219的內(nèi)側(cè)空間。
[0111]在金屬片、顆粒、磁性粒子等塵粒(dust)侵入波紋管219內(nèi)的空間的情況下，難以利用TMP265排出。因此，當在成膜處理中壓力發(fā)生變動時等，從波紋管219卷起至處理容器 202內(nèi)，結(jié)果，塵粒有可能附著于襯底，造成不良影響。因此，理想的是，在襯底搬入搬出工序中，也使塵粒不侵入波紋管219內(nèi)。
[0112]因此，在本實施方式中，在襯底搬入搬出工序期間，從非活性氣體供給管221a供給非活性氣體，以避免進入波紋管219內(nèi)。
[0113]進而，為使由波紋管219、磁流體密封件290產(chǎn)生的塵垢不侵入處理室，而將波紋管 219內(nèi)的氣氛從波紋管側(cè)排氣孔222a排出，使金屬片不進入處理容器202內(nèi)。
[0114]在處理容器202內(nèi)搬入晶片200后，使晶片移載機后退至處理容器202外，關(guān)閉閘閥 205將處理容器202內(nèi)密閉。之后，通過使襯底載置臺212上升，從而將晶片200載置在設(shè)置于襯底載置臺212的襯底載置面211上，進而通過使襯底載置臺212上升，從而使晶片200上升至上述處理空間201內(nèi)的處理位置(襯底處理位置)。
[0115]在將晶片200搬入搬送空間203、然后上升至處理空間201內(nèi)的處理位置后，將閥 266和閥267關(guān)閉。由此，搬送空間203與TMP265之間、以及TMP265與排氣管264之間被阻斷， 利用TMP265進行的搬送空間203的排氣結(jié)束。另一方面，打開閥278和閥275,使處理空間201 與APC276之間連通，并且使APC276與DP282之間連通。APC276通過調(diào)節(jié)排氣管263的流導(dǎo)，從而利用DP282控制處理空間201的排氣流量，將處理空間201維持為規(guī)定壓力(例如10_5? 10 一1Pa的高真空)。
[0116]在此期間，S卩，在襯底載置臺21位于處理位置期間，從非活性氣體供給管221a向軸 217與構(gòu)成開口孔208的壁之間供給非活性氣體。與其并行地，從波紋管側(cè)排氣管222a將波紋管219的內(nèi)側(cè)氣氛排出。通過如上所述操作，能夠防止旋繞在軸217下方的氣體侵入波紋管219內(nèi)，并且使由波紋管219、磁流體密封件290產(chǎn)生的塵埃不進入處理容器內(nèi)?？刂撇y管側(cè)非活性氣體供給部和波紋管側(cè)氣體排出部222,以使軸217與設(shè)置于底壁的開口孔208 的側(cè)壁之間的流導(dǎo)高于所述波紋管側(cè)排氣孔222a的流導(dǎo)。
[0117]需要說明的是，在該工序中，還可以一邊對處理容器202內(nèi)進行排氣，一邊從非活性氣體供給系統(tǒng)向處理容器202內(nèi)供給作為非活性氣體的N2氣。即，還可以一邊利用TMP265 或DP282對處理容器202內(nèi)進行排氣，一邊通過至少打開第三氣體供給系統(tǒng)的閥245d從而向處理容器202內(nèi)供給N2氣。
[0118]另外，在將晶片200載置在襯底載置臺212之上時，向埋入于襯底載置臺212的內(nèi)部的加熱器213供給電力，并以使晶片200的表面成為規(guī)定溫度的方式進行控制。晶片200的溫度例如為室溫以上500 °C以下，優(yōu)選為室溫以上400 °C以下。此時，加熱器213的溫度通過基于由未圖示的溫度傳感器檢測出的溫度信息控制對加熱器213的通電情況來進行調(diào)節(jié)。
[0119](成膜工序S104)
[0120]接下來，進行薄膜形成工序S104。以下，參考圖5,對成膜工序S104進行詳細說明。 需要說明的是，成膜工序S104是將交替供給不同處理氣體的工序重復(fù)的交替供給處理。
[0121](第一處理氣體供給工序S202)
[0122]對晶片200進行加熱達到所期望的溫度后，打開閥243d，并且以TiCl4氣體的流量成為規(guī)定流量的方式來調(diào)節(jié)質(zhì)量流量控制器243c。需要說明的是，TiCl4氣體的供給流量例如為lOOsccm以上5000sccm以下。此時，打開第三氣體供給系統(tǒng)的閥245d，從第三氣體供給管245a供給他氣。另外，可以從第一非活性氣體供給系統(tǒng)流入他氣。另外，還可以在該工序之前從第三氣體供給管245a開始N2氣的供給。
[0123]進而，從非活性氣體供給管221a開始向軸217與構(gòu)成開口孔208的側(cè)壁之間的空間供給非活性氣體。與其并行地，從波紋管側(cè)排氣管222a開始波紋管219的內(nèi)側(cè)氣氛的排氣。 此時，使非活性氣體的供給量多于后述的吹掃工序S208。通過大量供給非活性氣體，能夠更可靠地防止第一氣體侵入波紋管219內(nèi)的空間。
[0124]更優(yōu)的是，控制非活性氣體的供給，以使處理容器202內(nèi)的開口孔208附近的壓力低于軸217與構(gòu)成開口孔208的側(cè)壁之間的空間的壓力。通過如上所述操作，能夠更可靠地防止處理容器202的氣氛侵入波紋管219的內(nèi)側(cè)空間。
[0125]經(jīng)由第一分散機構(gòu)241供給至處理空間201內(nèi)的TiCl4氣體被供給至晶片200上。在晶片200的表面，TiCl4氣體與晶片200上接觸，由此形成作為“含有第一元素的層”的含鈦層。另一方面，從第一分散機構(gòu)241供給的TiCl4氣體也滯留在空隙232b內(nèi)。
[0126]與例如處理容器202內(nèi)的壓力、TiCU氣體的流量、襯底載置臺212的溫度、通過處理空間201花費的時間等相應(yīng)地，以規(guī)定厚度及規(guī)定分布來形成含鈦層。需要說明的是，還可以在晶片200上預(yù)先形成規(guī)定的膜。另外，還可以在晶片200或者規(guī)定的膜上預(yù)先形成規(guī)定的圖案。
[0127]從開始供給TiCl4氣體經(jīng)過規(guī)定時間后，關(guān)閉閥243d，停止TiCl4氣體的供給。在上述S202的工序中，如圖4所示，打開閥275及閥278,通過APC276以使處理空間201的壓力成為規(guī)定壓力的方式進行控制。在S202中，除閥275、閥278及閥222b以外的排氣系統(tǒng)的閥全部關(guān)閉。
[0128](吹掃工序S204)
[0129]接下來，從第三氣體供給管245a供給犯氣，對簇射頭230及處理空間201進行吹掃。 此時，也打開閥275及閥278,通過APC276以使處理空間201的壓力成為規(guī)定壓力的方式進行控制。另一方面，除閥275及閥278以外的排氣系統(tǒng)的閥全部關(guān)閉。由此，在第一處理氣體供給工序S202中無法結(jié)合于晶片200的TiCl4氣體通過DP282經(jīng)由排氣管262從處理空間201除去。[〇13〇]接下來，從第三氣體供給管245a供給％氣，對簇射頭230進行吹掃。此時，關(guān)閉閥 275及閥278，另一方面，打開閥279。其他排氣系統(tǒng)的閥維持關(guān)閉的狀態(tài)。即，在進行簇射頭 230的吹掃時，將處理空間201與APC276之間阻斷，并且將APC276與排氣管264之間阻斷，停止利用APC276進行的壓力控制，另一方面，將緩沖空間232與DP282之間連通。由此，殘留在簇射頭230(緩沖空間232)內(nèi)的TiCl4氣體經(jīng)由排氣管262通過DP282從簇射頭230排出。[〇131]進而，緊接著第一處理氣體供給工序S202,從非活性氣體供給管221a向軸217與開口孔208之間的空間供給非活性氣體。與其并行地，從波紋管側(cè)排氣管222a將波紋管219的內(nèi)側(cè)氣氛排出。此時，使非活性氣體的供給量比第一氣體供給工序S202少。通過減少非活性氣體的供給量，能夠有效地使用氣體。
[0132]簇射頭230的吹掃結(jié)束后，打開閥278及閥275從而再次開始利用APC276進行的壓力控制，并且關(guān)閉閥279從而將簇射頭230與排氣管264之間阻斷。其他排氣系統(tǒng)的閥維持關(guān)閉狀態(tài)。此時，也繼續(xù)從第三氣體供給管245a供給％氣，繼續(xù)吹掃簇射頭230及處理空間 201。需要說明的是，在吹掃工序S204中，在經(jīng)由排氣管262進行的吹掃的前后進行了經(jīng)由排氣管263進行的吹掃，但可以僅為經(jīng)由排氣管262進行的吹掃。另外，還可以同時進行僅由排氣管262進行的吹掃和經(jīng)由排氣管263進行的吹掃。
[0133](第二處理氣體供給工序S206)
[0134]在吹掃工序S204之后，打開閥244d，經(jīng)由遠程等離子體單元244e、簇射頭230，開始向處理空間201內(nèi)供給處于等離子體狀態(tài)的氨氣。
[0135]此時，調(diào)節(jié)質(zhì)量流量控制器244c，以使氨氣的流量成為規(guī)定流量。需要說明的是，氨氣的供給流量例如為10sccm以上5000sccm以下。需要說明的是，還可以與氨氣一同從第二非活性氣體供給系統(tǒng)流入N2氣作為載氣。另外，在該工序中，也打開第三氣體供給系統(tǒng)的閥245d，從第三氣體供給管245a供給他氣。
[0136]經(jīng)由第一分散機構(gòu)241供給至處理容器202內(nèi)的處于等離子體狀態(tài)的氨氣被供給至晶片200上。已經(jīng)形成的含鈦層通過氨氣的等離子體被改質(zhì)，由此在晶片200上形成含有例如鈦元素及氮元素的層。
[0137]與例如處理容器203內(nèi)的壓力、含氮氣體的流量、襯底載置臺212的溫度、遠程等離子體單元244e的電力供給狀況等相應(yīng)地，以規(guī)定厚度、規(guī)定分布、規(guī)定的氮成分等對含鈦層的侵入深度來形成改質(zhì)層。
[0138]經(jīng)過規(guī)定時間后，關(guān)閉閥244d，停止含氮氣體的供給。
[0139]在S206中，也與上述S202同樣地，打開閥275及閥278，通過APC276以使處理空間201的壓力成為規(guī)定壓力的方式進行控制。另外，除閥275、閥278及閥222b以外的排氣系統(tǒng)的閥全部關(guān)閉。
[0140]緊接著吹掃工序S204，從非活性氣體供給管221a向軸217與開口孔208的側(cè)壁之間的空間供給非活性氣體。與其并行地，從波紋管側(cè)排氣管222a將波紋管219的內(nèi)側(cè)氣氛排出。此時，使非活性氣體的供給量比吹掃氣體供給工序S204多。通過大量供給非活性氣體，能夠更可靠地防止第二氣體的侵入。
[0141](吹掃工序S208)
[0142]接下來，施行與S204同樣的吹掃工序。各部分的動作與S204相同，故而省略說明。
[0143](判定S210)
[0144]控制器280判定是否將上述I個循環(huán)實施了規(guī)定次數(shù)(ncycle)。
[0145]未實施規(guī)定次數(shù)時(在S210中為否時)，重復(fù)第一處理氣體供給工序S202、吹掃工序S204、第二處理氣體供給工序S206、吹掃工序S208的循環(huán)。實施了規(guī)定次數(shù)時(在S210中為是時)，結(jié)束圖5所示的處理。
[0146]需要說明的是，在第一處理氣體供給工序S202中存在下述情況:第一處理氣體從襯底載置臺212與分隔板204之間泄漏而供給至搬送空間203，進而侵入襯底搬入搬出口206。第二處理氣體供給工序也同樣地存在下述情況:第二處理氣體從襯底載置臺212與分隔板204之間泄漏而供給至搬送空間203，進而侵入襯底搬入搬出口 206。在吹掃工序S204、S206中，由于被襯底載置臺212和分隔板204分開，所以難以將搬送室203的氣氛排出。因此，侵入至襯底搬入搬出口 206的氣體彼此之間發(fā)生反應(yīng)，在襯底搬入搬出口 206的內(nèi)側(cè)表面、閥體205a的與搬送室203相對的面上形成膜。如上所述，所形成的膜在襯底搬入.載置工序S102中形成塵粒。因此，如在襯底搬入.載置工序S102所述那樣，在襯底搬入.載置工序SlO期間，至少從非活性氣體供給管221a向軸217與開口孔208之間供給非活性氣體。
[0147]若回到圖4的說明，則接著施行襯底搬出工序S106。
[0148](襯底搬出工序S106)
[0149]在襯底搬出工序S106中，使襯底載置臺212下降，使晶片200支承在從襯底載置臺212的表面突出的提升銷207上。由此，晶片200從處理位置成為搬送位置。之后，打開閘閥205，使用晶片移載機將晶片200搬出處理容器202之外。此時，關(guān)閉閥245d，停止從第三氣體供給系統(tǒng)向處理容器202內(nèi)供給非活性氣體。
[0150]接下來，如果晶片200移動至搬送位置，則關(guān)閉閥262，將搬送空間203與排氣管264之間阻斷。另一方面，打開閥266和閥267，通過TMP265(及DP282)將搬送空間203的氣氛排出，由此將處理容器202維持為高真空(超高真空)狀態(tài)(例如10—5Pa以下)，降低與同樣維持為高真空(超高真空)狀態(tài)(例如10—6Pa以下)的移載室之間的壓力差。在此期間，從非活性氣體供給管221a開始向軸217與開口孔208之間供給非活性氣體，以使顆粒不侵入波紋管219內(nèi)。與此并行地，從波紋管側(cè)排氣管222a開始波紋管219的內(nèi)側(cè)氣氛的排氣。在該狀態(tài)下，打開閘閥205，將晶片200從處理容器202搬出到移載室。
[0151](處理次數(shù)判定工序S108)
[0152]搬出晶片200后，判定薄膜形成工序是否達到規(guī)定次數(shù)。若判斷為達到了規(guī)定次數(shù)，則結(jié)束處理。若判斷為未達到規(guī)定次數(shù)，則接著開始對待機的晶片200進行處理，故移至襯底搬入.載置工序S102。
[0153]以上，以本發(fā)明的各種典型的實施方式的形式對成膜技術(shù)進行了說明，但本發(fā)明并不限定于這些實施方式。例如，也可以適用于進行除上述例示過的薄膜之外的成膜處理、擴散處理、氧化處理、氮化處理、光刻處理等其他襯底處理的情形。另外，本發(fā)明除退火處置裝置以外，也可以適用于薄膜形成裝置、蝕刻裝置、氧化處理裝置、氮化處理裝置、涂布裝置、加熱裝置等其他襯底處理裝置。另外，可以將某個實施方式的構(gòu)成的一部分替換為其他實施方式的構(gòu)成，另外，也可以在某個實施方式的構(gòu)成中添加其他實施方式的構(gòu)成。另外，對于各實施方式的構(gòu)成的一部分而言，也可以增加其他結(jié)構(gòu)、進行刪除或替換。
[0154]另外，在上述實施例中，作為含有第一元素的氣體以TiCl4為例進行了說明，作為第一元素以Ti為例進行了說明，但并不限于此。例如，作為第一元素，可以為S1、Zr、Hf等多種元素。另外，作為含有第二元素的氣體以NH3為例進行了說明，作為第二元素以N為例進行了說明，但并不限于此。例如，作為第二元素，可以為O等。
[0155]符號說明
[0156]100...?襯底處理裝置
[0157]200....晶片(襯底)
[0158]201....處理空間
[0159]202....反應(yīng)容器
[0160]203...?搬送空間
[0161]208....開口孔
[0162]217....軸
[0163]219...?波紋管
[0164]221a..?非活性氣體供給管
[0165]222a..?排氣管
[0166]232...?緩沖空間
【主權(quán)項】
1.一種襯底處理裝置，其包括:處理容器，對襯底進行處理；處理氣體供給部，向所述處理容器供給處理氣體；襯底載置臺，設(shè)置于所述處理容器內(nèi)；處理容器側(cè)排氣部，與所述處理容器連接；軸，對所述襯底載置臺進行支承；軸支承部，對所述軸進行支承；開口孔，設(shè)置于貫穿有所述軸的所述處理容器的底壁；波紋管，具有配置于所述開口孔與所述軸支承部之間的可伸縮的波紋管壁，所述波紋 管壁的內(nèi)側(cè)空間與所述處理容器的空間連通；波紋管側(cè)氣體供給排出部，并行地進行將非活性氣體向所述波紋管壁的內(nèi)側(cè)空間的供 給與所述內(nèi)側(cè)空間的氣氛的排氣。2.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述波紋管側(cè)氣體供給排出部具有:第一非活性氣體供給部，與設(shè)置于所述波紋管壁的上端與所述處理容器的底壁之間的 非活性氣體供給孔連接，向所述內(nèi)側(cè)空間供給非活性氣體，和波紋管側(cè)氣體排出部，設(shè)置于比所述非活性氣體供給孔更靠下方的位置，經(jīng)由將所述 內(nèi)側(cè)空間的氣氛排出的波紋管側(cè)排氣孔而與所述波紋管壁的內(nèi)側(cè)空間連通。3.如權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置，其中，所述波紋管側(cè)排氣孔設(shè)置于比所述波紋管 壁的下端更靠下方的位置。4.如權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置，其中，所述襯底載置臺在搬送襯底期間設(shè)定于搬送位置，在處理襯底期間設(shè)定于處理位置， 當所述襯底載置臺設(shè)定于處理位置期間，從所述非活性氣體供給孔供給非活性氣體， 并從所述波紋管側(cè)排氣孔將所述內(nèi)側(cè)空間的氣氛排出。5.如權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置，其中，所述波紋管側(cè)排氣孔設(shè)置于比配置于所述 軸的外周的磁流體密封件高的位置。6.如權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置，其中，所述處理氣體供給部具有供給原料氣體的原料氣體供給部和供給非活性氣體的第二 非活性氣體供給部，在所述原料氣體供給部向所述處理容器供給原料氣體期間，所述波紋管側(cè)氣體供給排 出部以第一供給量向所述內(nèi)部空間供給非活性氣體，在從所述第二非活性氣體供給部向所述處理容器供給非活性氣體期間，所述波紋管側(cè) 氣體供給排出部以少于所述第一供給量的供給量向所述內(nèi)部空間供給非活性氣體。7.如權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置，其中，所述處理氣體供給部具有供給反應(yīng)氣體的反應(yīng)氣體供給部和供給非活性氣體的第二 非活性氣體供給部，在所述反應(yīng)氣體供給部向所述處理容器供給反應(yīng)氣體期間，所述波紋管側(cè)氣體供給排 出部以第二供給量向所述內(nèi)部空間供給非活性氣體，在從所述第二非活性氣體供給部向所述處理容器供給非活性氣體期間，所述波紋管側(cè) 氣體供給排出部以少于所述第二供給量的供給量向所述內(nèi)部空間供給非活性氣體。8.如權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置，其中，所述襯底載置臺在搬送襯底期間設(shè)定于搬送位置，在處理襯底期間設(shè)定于處理位置，當所述襯底載置臺設(shè)定于處理位置期間，從所述非活性氣體供給孔供給非活性氣體， 并從所述波紋管側(cè)排氣孔將所述內(nèi)側(cè)空間的氣氛排出。9.如權(quán)利要求8所述的襯底處理裝置，其中，所述波紋管側(cè)排氣孔設(shè)置于比配置于所述 軸的外周的磁流體密封件高的位置。10.如權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置，其中，所述處理氣體供給部具有供給原料氣體的原料氣體供給部和供給非活性氣體的第二 非活性氣體供給部，在所述原料氣體供給部向所述處理容器供給原料氣體期間，所述波紋管側(cè)氣體供給排 出部以第一供給量向所述內(nèi)部空間供給非活性氣體，在從所述第二非活性氣體供給部向所述處理容器供給非活性氣體期間，所述波紋管側(cè) 氣體供給排出部以少于所述第一供給量的供給量向所述內(nèi)部空間供給非活性氣體。11.如權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置，其中，所述處理氣體供給部具有供給反應(yīng)氣體的反應(yīng)氣體供給部和供給非活性氣體的第二 非活性氣體供給部，在所述反應(yīng)氣體供給部向所述處理容器供給反應(yīng)氣體期間，所述波紋管側(cè)氣體供給排 出部以第二供給量向所述內(nèi)部空間供給非活性氣體，在從所述第二非活性氣體供給部向所述處理容器供給非活性氣體期間，所述波紋管側(cè) 氣體供給排出部以少于所述第二供給量的供給量向所述內(nèi)部空間供給非活性氣體。12.如權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置，其中，控制所述第一非活性氣體供給部和所述 波紋管側(cè)氣體排出部，以使所述軸與所述開口孔的側(cè)壁之間的流導(dǎo)高于所述波紋管側(cè)排氣 孔的流導(dǎo)。13.如權(quán)利要求12所述的襯底處理裝置，其中，所述波紋管側(cè)排氣孔設(shè)置于比配置于所 述軸的外周的磁流體密封件高的位置。14.如權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置，其中，所述波紋管側(cè)排氣孔設(shè)置于比配置于所 述軸的外周的磁流體密封件高的位置。15.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述處理氣體供給部具有供給原料氣體的原料氣體供給部和供給非活性氣體的第二 非活性氣體供給部，在所述原料氣體供給部向所述處理容器供給原料氣體期間，所述波紋管側(cè)氣體供給排 出部以第一供給量向所述內(nèi)部空間供給非活性氣體，在從所述第二非活性氣體供給部向所述處理容器供給非活性氣體期間，所述波紋管側(cè) 氣體供給排出部以少于所述第一供給量的供給量向所述內(nèi)部空間供給非活性氣體。16.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中，所述處理氣體供給部具有供給反應(yīng)氣體的反應(yīng)氣體供給部和供給非活性氣體的第二 非活性氣體供給部，在所述反應(yīng)氣體供給部向所述處理容器供給反應(yīng)氣體期間，所述波紋管側(cè)氣體供給排 出部以第二供給量向所述內(nèi)部空間供給非活性氣體，在從所述第二非活性氣體供給部向所述處理容器供給非活性氣體期間，所述波紋管側(cè) 氣體供給排出部以少于所述第二供給量的供給量向所述內(nèi)部空間供給非活性氣體。17.—種半導(dǎo)體器件的制造方法，其具有:在處理容器內(nèi)將襯底載置于被軸支承的襯底載置臺的工序;和向所述處理容 器內(nèi)供給處理氣體的工序，在供給所述處理氣體的工序中，向設(shè)置于開口孔與支承所述軸的軸支承部之間的波紋 管壁的內(nèi)側(cè)空間并行地進行非活性氣體的供給和氣氛的排氣，所述開口孔設(shè)置于貫穿有所 述軸的所述處理容器的底部。
【文檔編號】H01J37/32GK106098591SQ201610212878
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年4月7日 公開號201610212878.0, CN 106098591 A, CN 106098591A, CN 201610212878, CN-A-106098591, CN106098591 A, CN106098591A, CN201610212878, CN201610212878.0
【發(fā)明人】高橋哲
【申請人】株式會社日立國際電氣